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DE10141571B8 - Verfahren zum Zusammenbau eines Halbleiterbauelements und damit hergestellte integrierte Schaltungsanordnung, die für dreidimensionale, mehrschichtige Schaltungen geeignet ist - Google Patents

Verfahren zum Zusammenbau eines Halbleiterbauelements und damit hergestellte integrierte Schaltungsanordnung, die für dreidimensionale, mehrschichtige Schaltungen geeignet ist Download PDF

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DE10141571A DE10141571B8 (de) 2001-08-24 2001-08-24 Verfahren zum Zusammenbau eines Halbleiterbauelements und damit hergestellte integrierte Schaltungsanordnung, die für dreidimensionale, mehrschichtige Schaltungen geeignet ist
CNA028164369A CN1545484A (zh) 2001-08-24 2002-08-23 制造微机电构件的方法
IL15972802A IL159728A0 (en) 2001-08-24 2002-08-23 Method for producing micro-electromechanical components
KR10-2004-7002745A KR20040041585A (ko) 2001-08-24 2002-08-23 마이크로-전기기계 부품들의 제조 방법
AU2002333693A AU2002333693A1 (en) 2001-08-24 2002-08-23 Method for producing micro-electromechanical components
JP2003528720A JP4485790B2 (ja) 2001-08-24 2002-08-23 微小電気機械部品を製造するためのプロセス
EP02798641A EP1419102A2 (de) 2001-08-24 2002-08-23 Verfahren zur herstellung von mikro-elektromechanischen bauelementen
PCT/EP2002/009449 WO2003024865A2 (de) 2001-08-24 2002-08-23 Verfahren zur herstellung von mikro-elektromechanischen bauelementen
EP02779276A EP1419530B1 (de) 2001-08-24 2002-08-26 Verfahren zur herstellung von elektronischen bauelementen
SG200602593-6A SG161099A1 (en) 2001-08-24 2002-08-26 Method for producing electronic components
US10/487,604 US7160478B2 (en) 2001-08-24 2002-08-26 Method for producing electronic componets
EP02796172A EP1419534A2 (de) 2001-08-24 2002-08-26 Verfahren zum kontaktieren und gehäusen von integrierten schaltungen
KR1020047002747A KR100638379B1 (ko) 2001-08-24 2002-08-26 집적회로의 컨택 제조 및 하우징 공정
EP10011997A EP2287916A3 (de) 2001-08-24 2002-08-26 Verfahren zum Kontaktieren und Gehäusen von integrierten Schaltungen
US10/228,699 US6911392B2 (en) 2001-08-24 2002-08-26 Process for making contact with and housing integrated circuits
IL16018902A IL160189A0 (en) 2001-08-24 2002-08-26 Method for producing contacts and printed circuit packages
AT02779276T ATE369626T1 (de) 2001-08-24 2002-08-26 Verfahren zur herstellung von elektronischen bauelementen
JP2003522978A JP4571405B2 (ja) 2001-08-24 2002-08-26 電子部品の作製方法
DE50210653T DE50210653D1 (de) 2001-08-24 2002-08-26 Verfahren zur herstellung von elektronischen bauelementen
KR1020097021389A KR100986816B1 (ko) 2001-08-24 2002-08-26 전자 부품 제조 방법
CNB02816573XA CN100446248C (zh) 2001-08-24 2002-08-26 电子元件及其制造方法
AU2002356147A AU2002356147A1 (en) 2001-08-24 2002-08-26 Method for producing contacts and printed circuit packages
AU2002342623A AU2002342623A1 (en) 2001-08-24 2002-08-26 Method for producing electronic components
JP2003523003A JP4499412B2 (ja) 2001-08-24 2002-08-26 コンタクトを形成するための方法およびプリント回路パッケージ
US10/228,804 US6894358B2 (en) 2001-08-24 2002-08-26 Process for producing microelectromechanical components and a housed microelectromechanical component
CN200910225232A CN101714516A (zh) 2001-08-24 2002-08-26 用于形成触点的方法及封装的集成电路组件
PCT/EP2002/009497 WO2003019617A2 (de) 2001-08-24 2002-08-26 Verfahren zur herstellung von elektronischen bauelementen
PCT/EP2002/009498 WO2003019653A2 (de) 2001-08-24 2002-08-26 Verfahren zum kontaktieren und gehäusen von integrierten schaltungen
CN02816578A CN100578816C (zh) 2001-08-24 2002-08-26 用于形成触点的方法及封装的集成电路组件
KR1020047002746A KR100940943B1 (ko) 2001-08-24 2002-08-26 전자 부품 제조 방법
IL159728A IL159728A (en) 2001-08-24 2004-01-06 Method for producing micro-electromechanical components
IL160189A IL160189A (en) 2001-08-24 2004-02-03 Method for producing contacts and printed circuit packages
US10/947,974 US7700957B2 (en) 2001-08-24 2004-09-22 Process for making contact with and housing integrated circuits
US10/994,659 US7071521B2 (en) 2001-08-24 2004-11-22 Process for producing microelectromechanical components and a housed microelectromechanical component
US11/378,962 US7285834B2 (en) 2001-08-24 2006-03-18 Process for producing microelectromechanical components and a housed microelectromechanical component
US11/603,388 US8114304B2 (en) 2001-08-24 2006-11-22 Method for producing electronic components
US12/042,108 US7821106B2 (en) 2001-08-24 2008-03-04 Process for making contact with and housing integrated circuits
JP2009012968A JP5329996B2 (ja) 2001-08-24 2009-01-23 コンタクトを形成するための方法およびプリント回路パッケージ
US12/623,323 US7880179B2 (en) 2001-08-24 2009-11-20 Process for making contact with and housing integrated circuits
US12/894,378 US8349707B2 (en) 2001-08-24 2010-09-30 Process for making contact with and housing integrated circuits
US13/736,365 US20130137259A1 (en) 2001-08-24 2013-01-08 Process for Making Contact with and Housing Integrated Circuits

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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SG161099A1 (en) 2001-08-24 2010-05-27 Schott Ag Method for producing electronic components
US7180149B2 (en) 2003-08-28 2007-02-20 Fujikura Ltd. Semiconductor package with through-hole
DE10356885B4 (de) * 2003-12-03 2005-11-03 Schott Ag Verfahren zum Gehäusen von Bauelementen und gehäustes Bauelement
US7262622B2 (en) * 2005-03-24 2007-08-28 Memsic, Inc. Wafer-level package for integrated circuits
DE102007034306B3 (de) 2007-07-24 2009-04-02 Austriamicrosystems Ag Halbleitersubstrat mit Durchkontaktierung und Verfahren zur Herstellung eines Halbleitersubstrates mit Durchkontaktierung
DE102008047369A1 (de) * 2008-09-15 2010-04-15 Heraeus Sensor Technology Gmbh Epitaktischer Rußsensor
ES2416254B1 (es) 2009-02-09 2014-12-29 Semprius, Inc. Módulos fotovoltaicos de tipo concentrador (cpv), receptores y sub-receptores y métodos para formar los mismos
JP2010245292A (ja) * 2009-04-06 2010-10-28 Panasonic Corp 光学デバイス、電子機器、及びその製造方法
US9543735B2 (en) * 2014-09-26 2017-01-10 Texas Instruments Incorporated Optoelectronic packages having through-channels for routing and vacuum
WO2017105581A2 (en) 2015-10-02 2017-06-22 Semprius, Inc. Wafer-integrated, ultra-low profile concentrated photovoltaics (cpv) for space applications
DE102017129524A1 (de) 2017-12-12 2019-06-13 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zum Herstellen eines semitransparenten Displays sowie ein semitransparentes Display

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4314907C1 (de) * 1993-05-05 1994-08-25 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von vertikal miteinander elektrisch leitend kontaktierten Halbleiterbauelementen
DE19846232A1 (de) * 1998-09-03 2000-03-09 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements mit Rückseitenkontaktierung
DE19918671A1 (de) * 1999-04-23 2000-11-02 Giesecke & Devrient Gmbh Vertikal integrierbare Schaltung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE19958486A1 (de) * 1999-05-27 2000-12-07 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zur vertikalen Integration von elektrischen Bauelementen mittels Rückseitenkontakt
US6171887B1 (en) * 1996-02-28 2001-01-09 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device for a face down bonding to a mounting substrate and a method of manufacturing the same

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5500540A (en) * 1994-04-15 1996-03-19 Photonics Research Incorporated Wafer scale optoelectronic package
US5798557A (en) * 1996-08-29 1998-08-25 Harris Corporation Lid wafer bond packaging and micromachining
US6096155A (en) * 1996-09-27 2000-08-01 Digital Optics Corporation Method of dicing wafer level integrated multiple optical elements
US5761350A (en) * 1997-01-22 1998-06-02 Koh; Seungug Method and apparatus for providing a seamless electrical/optical multi-layer micro-opto-electro-mechanical system assembly

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4314907C1 (de) * 1993-05-05 1994-08-25 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von vertikal miteinander elektrisch leitend kontaktierten Halbleiterbauelementen
US6171887B1 (en) * 1996-02-28 2001-01-09 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device for a face down bonding to a mounting substrate and a method of manufacturing the same
DE19846232A1 (de) * 1998-09-03 2000-03-09 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements mit Rückseitenkontaktierung
DE19918671A1 (de) * 1999-04-23 2000-11-02 Giesecke & Devrient Gmbh Vertikal integrierbare Schaltung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE19958486A1 (de) * 1999-05-27 2000-12-07 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zur vertikalen Integration von elektrischen Bauelementen mittels Rückseitenkontakt

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JAAFAR, M.A.S., DENTON, D.D.: A Plated Through- Hole Interconnect Technology in Silicon, in: J. Electrochem. Soc. Vol. 144, No. 7, Juli 1997, S. 2490-2495 *
KOYANAGI, M., KURINO, H., LEE, K.W., SAKUMA, K.: Future System-on-Silicon LSI Chips, in: IEEE Micro. ISSSN 0272-1732, 1998, Juli-August 1998, S. 17-22 *
MALINIAK, D.: Memory-Chip Stacks Send Density Skywards, in: Electronic Design, 1994, 22. August 1994, S. 69-75 *

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Publication number Publication date
DE10141571A1 (de) 2003-03-13
CN100446248C (zh) 2008-12-24
CN1701441A (zh) 2005-11-23
DE10141571B4 (de) 2005-01-27

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