DE10134848C1

DE10134848C1 - Mobilfunkgerät mit reduziertem SAR-Wert

Info

Publication number: DE10134848C1
Application number: DE10134848A
Authority: DE
Inventors: Stefan Huber; Martin Oelschlaeger; Michael Schreiber
Original assignee: Siemens Corp
Current assignee: Qualcomm Inc
Priority date: 2001-07-17
Filing date: 2001-07-17
Publication date: 2002-12-12
Anticipated expiration: 2021-07-18

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Mobilfunk-Endgerät, insbesondere ein Mobilfunktelefon, umfassend: DOLLAR A - ein Gehäuse (16) und DOLLAR A - wenigstens eine in dem Gehäuse angeordnete Leiterplatte (18), welche mit wenigstens einer elektrisch leitenden Lage (38) ausgebildet ist und mit Mitteln (20, 22) zum Senden oder/und Empfangen von Mobilfunksignalen verbunden ist, wobei die wenigstens eine elektrisch leitende Lage (38) in Wechselwirkung mit den Mitteln (20, 22) zum Senden oder/und Empfangen in einem Sende-/Empfangsmodus ein Feld abgestrahlter elektromagnetischer Strahlung erzeugt. DOLLAR A Bei dem erfindungsgemäßen Mobilfunk-Endgerät ist vorgesehen, daß die wenigstens eine elektrisch leitende Lage (38) wenigstens einen Bereich mit reduzierter elektrischer Leitfähigkeit aufweist, welcher zur Beeinflussung einer elektrischen Stromverteilung (V) auf der elektrisch leitenden Lage (38) im Sende-/Empfangsmodus derart positioniert und dimensioniert ist, daß das Feld abgestrahlter elektromagnetischer Strahlung in der Umgebung des Mobilfunk-Endgerätes (10) homogenisiert ist.

Description

Die Erfindung betrifft ein Mobilfunk-Endgerät, insbesondere ein Mobilfunktelefon, umfassend:

- ein Gehäuse und
- wenigstens eine in dem Gehäuse angeordnete Leiterplatte,

welche mit wenigstens einer elektrisch leitenden Lage ausge bildet ist und mit Mitteln zum Senden oder/und Empfangen von Mobilfunksignalen verbunden ist.

Bei Mobilfunk-Endgeräten wird bei der Abgabe von elektromag netischer Strahlung im Sende-/Empfangsmodus stets auch ein gewisser Leistungsanteil der abgestrahlten elektromagneti schen Strahlung in den Körper, insbesondere in den Kopf, ei ner das Mobilfunk-Endgerät benutzenden Person eingestrahlt. Auch wenn die Auswirkungen von an organisches Gewebe abgege bener elektromagnetischer Strahlung noch nicht endgültig er forscht sind, ist es aufgrund der stark zunehmenden Sensibi lität in der Bevölkerung hinsichtlich elektromagnetischer Strahlung ("Elektrosmog") geboten, Maßnahmen zu treffen, um die Abgabe von elektromagnetischer Strahlung im Nahfeld von Mobilfunk-Endgeräten zu verringern.

Um vergleichbare Messungen hinsichtlich der Strahlenbelastung durch Mobilfunk-Endgeräte durchführen zu können, wurden Meßgrößen spezifiziert, wobei in diesem Zusammenhang insbe sondere der Begriff SAR (Specific Absorption Rate)-Wert zu nennen ist. Zur Ermittlung des SAR-Werts wird im Nahfeld ei nes bestimmten Mobilfunk-Endgeräts die Verteilung der pro Ki logramm Körpermasse aufgenommenen Leistung an einem genormten Phantom ermittelt. Im Sende-/Empfangsmodus tritt im Nahbe reich des Mobilfunk-Endgerätes eine inhomogene Feldverteilung der elektromagnetischen Strahlung auf, so daß es zu einem re lativ eng begrenzten Leistungs-Maximum kommen kann. Als SAR- Wert wird jeweils der im Nahfeld ermittelte Maximalwert der pro Gramm Körpermasse absorbierten Leistung angegeben.

Um die Abgabe elektromagnetischer Strahlung in den Körper, insbesondere in den Kopf eines Benutzers, zu verringern und um damit den SAR-Wert zu reduzieren, wurden im Stand der Technik bereits verschiedene Lösungen angedacht.

Eine Möglichkeit zur Verringerung der Leistungsabgabe in den Kopf des Benutzers liegt darin, den Abstand zwischen dem für die Abstrahlung der elektromagnetischen Strahlung verantwort lichen Bereich des Mobilfunk-Endgeräts und dem Kopf des Be nutzers durch konstruktive Maßnahmen zu vergrößern. Bei spielsweise kann hierzu eine externe Antenne vorgesehen sein, welche an der Rückseite des Mobilfunk-Endgeräts angeordnet und zusätzlich von diesem weg gebogen ist. Allerdings führt dieser Ansatz nur in begrenztem Maße zu dem gewünschten Er gebnis, da sich der Abstand zwischen dem Kopf und dem für die Abgabe elektromagnetischer Strahlung verantwortlichen Bereich des Mobilfunk-Endgerätes durch die fortschreitende Miniaturi sierung von Mobilfunk-Endgeräten nur in sehr begrenztem Rah men vergrößern läßt.

Ein weiterer Ansatz zur Reduzierung der Strahlungsbelastung für den Benutzer liegt darin, das Mobilfunk-Endgerät derart auszubilden, daß dessen Abstrahlcharakteristik verändert wird und eine Abgabe elektromagnetischer Strahlung in Richtung zu dem Benutzer hin vermieden wird. In diesem Zusammenhang ist es beispielsweise aus der EP 0 603 081 A1 bekannt, eine e lektromagnetisch absorbierende Abschirmplatte zwischen der am stärksten strahlenden Zone des Mobilfunktelefons und dem Kopf des jeweiligen Benutzers als eine Art strahlungsblockierende Zwischenwand im Gehäuse des Mobilfunktelefons vorzusehen. Ferner ist aus der DE 297 15 316 U1 ein Überzug mit elektro magnetischen Abschirmeigenschaften bekannt, der lediglich auf der in Richtung zu dem Benutzer hin gewandten Seite die An tenne und einen Teil der Gehäuseaußenfläche des Mobilfunk- Endgeräts bedeckt. Die Abschirmwirkung dieses Überzugs kann dabei durch Erdung verbessert werden. Derartige bekannte Schutzmaßnahmen stellen lediglich darauf ab, durch bloßes An bringen eines Abschirmelements zwischen der Quelle, das heißt dem Entstehungsort der Strahlung und dem Kopf des jeweiligen Benutzers für diesen eine Abschattungswirkung herbeizuführen. Diese Art von Präventivmaßnahme ist jedoch nicht mehr ausrei chend, wenn höhere Anforderungen an den Gesundheitsschutz des jeweiligen Benutzers gestellt werden, da die Einflußnahme solcher Abschirmelemente auf die tatsächlich wirksam werdende elektromagnetische Feldverteilung im Bereich des Kopfes des jeweiligen Benutzers weitgehend undefiniert oder gar rein zu fällig bleibt.

Ein weiterer Ansatz zur Verringerung bzw. Homogenisierung der zum Benutzer abgestrahlten Leistung liegt darin, auf der we nigstens einen elektrisch leitenden Lage auftretende Hochfre quenzströme, welche zusammen mit den Mitteln zum Senden o der/und Empfangen von Mobilfunksignalen eine Abgabe von e lektromagnetischer Strahlung hervorrufen, zu verringern oder diese gleichmäßig auf der Leiterplatte zu verteilen. Dies ist beispielsweise dadurch möglich, daß die Leiterplatte insge samt vergrößert wird, was zwar zu einer Verringerung der Stromdichte in der wenigstens einen elektrisch leitenden Lage und damit auch zu einer Reduzierung des SAR-Wertes führen kann, was jedoch andererseits unerwünscht ist, da diese Maß nahme dem allgemeinen Trend einer zunehmenden Miniaturisie rung von Mobilfunk-Endgeräten gegenläufig ist.

Es ist daher Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Mobil funk-Endgerät der eingangs bezeichneten Art bereitzustellen, bei welchem mit geringem Aufwand ohne erforderliche Vergröße rung des Mobilfunk-Endgeräts eine Reduzierung des SAR-Wertes erreicht wird.

Diese Aufgabe wird durch ein Mobilfunk-Endgerät, insbesondere ein Mobilfunktelefon, mit den Merkmalen des Anspruchs 1 ge löst.

Durch das Anbringen wenigstens eines Bereichs mit reduzierter elektrischer Leitfähigkeit innerhalb der elektrisch leitenden Lage kann die elektrische Stromverteilung auf der elektrisch leitenden Lage im Sende-/Empfangsmodus derart beeinflußt wer den, daß eng begrenzte Strommaxima auf der Leiterplatte, bei spielsweise in der Nähe eines sich mit einer Antennenstruktur deckenden Bereiches, verlagert und in ihrer Intensität abge schwächt werden können, und daß insgesamt eine homogenere Stromverteilung erreicht werden kann. Durch diese Maßnahme wird zwar die Stromdichte bereichsweise erhöht, jedoch können einzelne Orte unerwünscht hoher Stromdichte vermieden werden, so daß eine homogenere Leistungsabstrahlung im Nahfeld er folgt und eng begrenzte Leistungs-Maxima in der von einem Be nutzer bei ordnungsgemäßem Gebrauch des Mobilfunk-Endgerätes eingenommenen Umgebung des Mobilfunk-Endgerätes vermieden werden können. Dies resultiert in einer deutlichen Reduzie rung des SAR-Wertes. Mit anderen Worten werden durch die Er findung "Hot Spots", d. h. konzentrierte Bereiche höchster Leistungsabsorbtion und damit maximaler thermischer Belastung innerhalb des Kopfes eines Benutzers, vermieden, wobei sich aufgrund der von dem Mobilfunk-Endgerät insgesamt unverändert abgestrahlten Leistung elektromagnetischer Strahlung die Leistungsabstrahlung ins Fernfeld und damit die Qualität ei ner Datenübertragung zu einer Basisstation - wenn überhaupt - allenfalls geringfügig ändert.

Messungen haben gezeigt, daß bei einem bestimmtem Mobilfunk- Endgerät-Typ allein durch ein Anbringen eines nichtleitenden Querschlitzes der elektrisch leitenden Lage einer dem Mobil funk-Endgerät zugeordneten Leiterplatte für eine Reduzierung des SAR-Wertes um etwa 10% erzielt werden konnte. Weiterfüh rende Modifikationen des Schlitzes führten sogar zu einer SAR-Wert-Reduzierung um mehr als 35% gegenüber demselben Mo bilfunk-Endgerät mit herkömmlicher Leiterplatte.

Ein weiterer Vorteil der erfindungsgemäßen Lösung liegt dar in, daß die Reduzierung des SAR-Wertes erreicht wird, ohne daß zusätzliche elektrische Leistung aufgebracht werden muß. Dadurch wird eine SAR-Wert-Reduzierung auch nicht durch Ein bußen bei der Standby-Zeit des Mobilfunk-Endgeräts oder durch das Erfordernis leistungsfähiger Energiespeicher, z. B. Ac kus, erkauft.

Bei einer Weiterbildung der Erfindung kann vorgesehen sein, daß der wenigstens eine Bereich reduzierter elektrischer Leitfähigkeit elektrisch nicht-leitend ausgebildet ist. So ist es möglich, den wenigstens einen Bereich reduzierter e lektrischer Leitfähigkeit als Aussparung in der wenigstens einen elektrisch leitenden Lage auszubilden. Eine derartige Aussparung kann bei der Fertigung der Leiterplatte, insbeson dere der elektrisch leitenden Lage, angebracht werden. Es ist gleichermaßen möglich, eine derartige Aussparung nachträglich anzubringen, so daß es grundsätzlich denkbar ist, auch be reits vorhandene Mobilfunk-Endgeräte entsprechend "nachzurüs ten", d. h. deren wenigstens eine Leiterplatte mit entspre chenden Bereichen reduzierter elektrischer Leitfähigkeit durch Nachbearbeitung zu versehen. Ebenso ist es möglich, wenngleich aufwendiger, die Leiterplatte auszutauschen, um somit den SAR-Wert des Mobilfunk-Endgeräts zu reduzieren.

Es sei darauf hingewiesen, daß die Verteilung des elektromag netischen Feldes gerätetypabhängig ist und daß je nach Gerä tetyp die Positionierung und Dimensionierung des wenigstens einen Bereichs reduzierter elektrischer Leitfähigkeit stark voneinander divergieren können. Es ist daher erforderlich, für jeden Gerätetyp gesondert Messungen hinsichtlich der je weils günstigsten Positionierung und Dimensionierung von Be reichen reduzierter elektrischer Leitfähigkeit durchzuführen, um die SAR-Wert-Reduzierung zu optimieren.

Hinsichtlich der Gestaltung des wenigstens einen Bereichs re duzierter elektrischer Leitfähigkeit gibt es verschieden Mög lichkeiten. So kann in einem erfindungsgemäßen Ausführungs beispiel vorgesehen sein, daß der wenigstens eine Bereich re duzierter elektrischer Leitfähigkeit in Richtung orthogonal zur Leiterplatte betrachtet, im Wesentlichen rechteckförmige Gestalt aufweist, wobei die längeren Seiten des Rechtecks je weils quer zur Längsrichtung der Leiterplatte angeordnet sein können. Alternativ hierzu ist es möglich, daß der wenigstens eine Bereich reduzierter elektrischer Leitfähigkeit in Rich tung orthogonal zur Leiterplatte betrachtet, im Wesentlichen elliptische Gestalt aufweist. Dabei kann die große Halbachse der Ellipse quer zur Längsrichtung der Leiterplatte angeord net sein.

Als weitere Alternative kann es je nach Gerätetyp ebenfalls von Vorteil sein, wenn der wenigstens eine Bereich reduzier ter elektrischer Leitfähigkeit in Richtung orthogonal zur Leiterplatte betrachtet in Form wenigstens eines Schlitzes ausgebildet ist. Insbesondere bei der Wahl der Geometrie des Schlitzes gibt es verschiedene Möglichkeiten. Beispielsweise kann der wenigstens eine Schlitz geradlinigen Verlauf aufwei sen. Ebenso ist es jedoch möglich, daß der wenigstens eine Schlitz gekrümmten, insbesondere wellenförmigen, Verlauf auf weist.

Darüber hinaus kann der SAR-Wert auch durch die Gestaltung der Schlitzenden beeinflußt werden. Hierbei ist es erfin dungsgemäß möglich, daß an wenigstens einem Ende des wenigs tens einen Schlitzes sich aufspreizende Schlitzverzweigungen vorgesehen sind. Zusätzlich oder alternativ kann in diesem Zusammenhang vorgesehen sein, daß an wenigstens einem Ende des geradlinigen Schlitzes wenigstens ein den geradlinigen Schlitz schneidender oder tangierender Querschlitz vorgesehen ist.

Während die Anbringung lediglich eines Schlitzes, wie vorste hend dargelegt, bereits eine erhebliche SAR-Wert-Reduzierung zur Folge haben kann, kann dieser Effekt dadurch weiter ver stärkt werden, daß eine Mehrzahl von Schlitzen vorgesehen ist. Sieht man eine Mehrzahl von Schlitzen vor, so können we nigstens zwei Schlitze auf einer gemeinsamen Geraden im We sentlichen zueinander fluchtend angeordnet sein. Gleicherma ßen ist es möglich, daß wenigstens zwei Schlitze zueinander orthogonal angeordnet sind.

Zur Abschirmung von Bauelementen gegenüber hochfrequenter e lektromagnetischer Strahlung sind an der Leiterplatte oftmals Schirmkammern angeordnet, die als Faraday-Käfig wirken. Um die Wirkung der Schirmkammern hinsichtlich der abzuschirmen den Bauelemente nicht zu beeinträchtigen, kann in einer Wei terbildung der Erfindung vorgesehen sein, daß der Leiterplat te wenigstens zwei strahlungsabsorbierende Schirmkammern zu geordnet sind und daß der wenigstens eine Bereich mit redu zierter elektrischer Leitfähigkeit in Richtung orthogonal zur Leiterplatte betrachtet, zwischen den Schirmkammern angeord net ist. Auch diese Einschränkung hinsichtlich der möglichen Anordnung des wenigstens einen Bereiches mit reduzierter e lektrischer Leitfähigkeit auf der Leiterplatte läßt erfah rungsgemäß immer noch hinreichend Spielraum, um den wenigstens einen Bereich mit reduzierter elektrischer Leitfähigkeit derart zu positionieren und zu dimensionieren, daß eine er hebliche SAR-Wert-Reduzierung erreicht werden kann.

Die vorstehend beschriebenen Effekte hinsichtlich der Redu zierung des SAR-Wertes sind, wie vorstehend bereits darge legt, abhängig von verschiedenen Faktoren. Einer dieser Fak toren ist die Frequenz, mit welcher elektromagnetische Strah lung abgestrahlt wird. So ist es möglich, daß in einem be stimmten Frequenzband eine Leiterplatte mit elektrisch lei tender Lage, welche erfindungsgemäß einen Bereich reduzierter elektrischer Leitfähigkeit aufweist, in Wechselwirkung mit den Mitteln zum Senden oder/und Empfangen, beispielsweise ei ner Antenne, zu einer erheblichen Reduzierung des SAR-Wertes führt. Betreibt man das Mobilfunk-Endgerät mit dieser Leiter platte jedoch in einem anderen Frequenzbereich, wie dies bei spielsweise bei Multibandgeräten üblich ist, so kann der we nigstens eine Bereich reduzierter elektrischer Leitfähigkeit in diesem Frequenzbereich zu unerwünschten Effekten bei der Verteilung elektromagnetischer Strahlung im Nahfeld des Mo bilfunk-Endgerätes führen. Idealerweise müßte die Wirkung des wenigstens einen Bereiches mit reduzierter elektrischer Leit fähigkeit also in dem zweiten Frequenzbereich unterbunden werden, um diese unerwünschten Effekte auszuschließen. Dies kann in einer Weiterbildung der Erfindung beispielsweise da durch erreicht werden, daß dem wenigstens einen Bereich redu zierter elektrischer Leitfähigkeit wenigstens eine elektri sche Schaltungseinheit zugeordnet ist, mittels welcher der wenigstens eine Bereich reduzierter elektrischer Leitfähig keit frequenz-selektiv überbrückbar ist. Dabei kann vorgese hen sein, daß die wenigstens eine Schaltungseinheit einen Tiefpass oder einen Bandpass umfaßt.

Durch die Überbrückung des wenigstens einen Bereiches redu zierter elektrischer Leitfähigkeit mittels der wenigstens ei nen elektrischen Schaltungseinheit kann beispielsweise ver hindert werden, daß der wenigstens eine Bereich reduzierter elektrischer Leitfähigkeit als Schlitzantenne wirkt und da durch das Nahfeld oder/und Fernfeld des Mobilfunk-Endgerätes auf unerwünschte Weise, beispielsweise durch Oberwellenbil dung, beeinflußt. In dem Frequenzbereich, in welchem eine derartige negative Beeinflussung stattfindet, sollte dann die elektrische Schaltungseinheit frequenz-selektiv wirksam sein und somit in diesem Frequenzbereich eine Stromverteilung zu lassen, wie sie sich im Wesentlichen ohne den wenigstens ei nen Bereich reduzierter elektrischer Leitfähigkeit auf der elektrisch leitenden Lage einstellen würde. Außerhalb dieses Frequenzbereichs sollte die wenigstens eine Schaltungseinheit jedoch im wesentlichen unwirksam sein, so daß eine Überbrü ckung des wenigstens einen Bereichs reduzierter elektrischer Leitfähigkeit unterbleibt.

Die Erfindung betrifft ferner eine Leiterplatte für ein Mo bilfunk-Endgerät mit den Merkmalen des Anspruchs 17.

Mit der Erfindung ist es also möglich die örtliche Verteilung des resultierenden, elektrischen Stromes auf der Leiterplatte zu vergleichmäßigen oder/und das jeweilige ursprüngliche Strommaximum in einen für Benutzer unkritischeren Gerätebe reich zu verschieben.

Auf diese Weise ist es insbesondere ermöglicht, sogenannte "hot spots", das heißt Gewebevolumenbereiche höherer thermi scher Belastung gegenüber Gewebevolumenbereichen geringerer Erwärmung zu vermeiden, so daß lokale Schwankungen in der thermischen Belastung von Gewebevolumenbereichen - wie z. B. im empfindlichen Kopf des jeweiligen Benutzers beim bestim mungsgemäßen Gebrauch des erfindungsgemäßen Mobilfunkgeräts - weitgehend unterbunden werden können. Organisches Gewebe im Kopf des jeweiligen Benutzers wird somit insgesamt betrachtet zumindest gleichmäßiger oder/und weniger stark thermisch be lastet.

Im Folgenden werden Ausführungsbeispiele der vorliegenden Er findung anhand der beiliegenden Figuren erläutert. Es stellen dar:

Fig. 1 eine schematisierte Explosionsansicht eines Mobilfunk-Endgerätes;

Fig. 2 eine Draufsicht auf eine erfindungsgemäße Leiterplatte;

Fig. 3 eine schematische Ansicht der Stromverteilung einer erfindungsgemäßen Leiterplatte;

Fig. 4-9 verschiedene Ausführungsbeispiele erfindungs gemäß gestalteter Leiterplatten;

Fig. 10 eine schematische Ansicht eines ein Mobil funk-Endgerätes nutzenden Benutzers und

Fig. 11 eine Stromverteilung bei einer Leiterplatte gemäß dem Stand der Technik.

Elemente mit gleicher Funktion und Wirkungsweise sind in den Fig. 1 bis 11 jeweils mit denselben Bezugszeichen bezeich net.

Fig. 1 zeigt schematisch in räumlicher Darstellung ein Mo bilfunkgerät 10, das in drei Hauptkomponenten zerlegt abge bildet ist, und zwar im einzelnen in die Oberschale 12 und die Unterschale 14 seines Gehäuses 16, sowie in die darin un tergebrachte Leiterplatte 18. Das Gehäuse 16 ist hier im vor liegenden Ausführungsbeispiel also zweiteilig ausgebildet. Es weist eine im wesentlichen flache quaderförmige Gestalt auf. Seine Erstreckung in Längsrichtung ist vorzugsweise größer als seine Erstreckung in Querrichtung. Die im wesentlichen flache rechteckförmig ausgebildete Leiterplatte 18 ist vor zugsweise derart passend dimensioniert, daß sie sich im Ge häuse 16 unterbringen läßt. Die Oberschale 12 sowie die Un terschale 14 des Gehäuses 16 sind vorzugsweise aus einem e lektromagnetisch verlustfreien Material, wie z. B. einem Kunststoff hergestellt. Dadurch ist ein unzulässig hoher Leistungsverlust der Sendeleistung des Mobilfunkgeräts 10 weitgehend vermieden, wie er z. B. bei einem vollständig me tallischen oder vollständig metallisierten Gehäuse durch eine etwaige, dortige Induzierung von elektromagnetischen Gegen feldern hervorgerufen werden könnte, die dem Abstrahlungsfeld einer Sende-/Empfangsantenne 20 entgegengerichtet sein könn ten.

Das Mobilfunk-Endgerät 10 ist als Mobilfunktelefon ausgebil det, das nach einem geläufigen Mobilfunk-Standard, beispiels weise dem GSM (Global System for Mobile communication), AMPS (Advanced Mobile Phone System), DAMPS (Digital Advanced Mobi le Phone System), CDMA (Code Division Multiple Access) o der/und UMTS (Universal Mobile Telecommunication System) - Standard arbeitet. Es ist derart dimensioniert, daß es für einen Benutzer portabel ist und sich somit mit dem Benutzer an wechselnden Orten in den Funkzellen solcher Funkkommunikationssysteme aufhalten kann. Zusätzlich oder unabhängig von der Telefoniefunktion eines solchen Mobilfunkgeräts, kann es gegebenenfalls auch zweckmäßig sein, mit diesem andere Nachrichten-/Datenübertragungen über Funk, z. B. Bildübertragungen, Faxübertragungen, E-Mail- Übertragungen oder dergleichen vorzunehmen.

Zum Empfangen und/oder Senden von Funksignalen weist die Lei terplatte 18 in der Fig. 1 auf ihrer einen Hälfte eine Hoch frequenzbaugruppe 22 auf, die strichliert dargestellt ist. An diese Hochfrequenzbaugruppe 22 ist über einen Kontakt 25 die Sende-/Empfangsantenne 20 zur Abstrahlung und/oder zum Emp fangen elektromagnetischer Funkwellen angeschlossen. Die Lei terplatte 18 wird von einer Energieversorgungseinheit 26, insbesondere einer Batterie oder einen Akkumulator, mit e lektrischer Energie versorgt, wobei die Energieversorgungs einheit 26 in der Unterschale 14 angeordnet ist. Energiever sorgungsleitungen dieser Energieversorgungseinheit zu den verschiedenen Komponenten des Mobilfunkgeräts 10 sind dabei der Übersichtlichkeit halber weggelassen worden.

Um störende einstrahlende oder abstrahlende Einflüsse beim Funkbetrieb weitgehend auszuschließen, sind die Komponenten der Hochfrequenzbaugruppe 22 auf der Leiterplatte 18 von Fig. 1 in einem elektromagnetischen Abschirmgehäuse 24 einge kapselt, das als eine Art Deckel über der Hochfrequenzbau gruppe 22 mit der Leiterplatte 18, insbesondere deren Masse schicht, fest verbunden ist. Auf diese Weise ist eine im we sentlichen quaderförmige Abschirmkammer für die Hochfrequenz baugruppe 22 gebildet.

In dem in Fig. 1 unteren Bereich der Leiterplatte 18 sind in einem weiteren elektromagnetischen Abschirmgehäuse 28 ein o der mehrere weitere elektrische Baugruppen untergebracht. Diese dienen dazu, die Ein- und/oder Ausgabeelemente des Mo bilfunk-Endgeräts 10, wie z. B. dessen Tastatur, Display, Lautsprecher, zu steuern sowie die Signalverarbeitung von mittels der Hochfrequenzbaugruppe 22 empfangenen und/oder ü ber diese abzusendenden Funksignale durchzuführen.

Die Hauptabstrahlungsrichtung der Antenne 20 bzw. der Hoch frequenzbaugruppe 22 ist derart ausgerichtet, daß sie vom Kopf 32 des jeweiligen Benutzers 30 weggerichtet ist. Auch wenn die Gesamtstrahlungsbelastung des jeweiligen Benutzers 30 durch solche Maßnahmen unterhalb der vorgesehenen Grenz werte liegt, so bleibt es allerdings dabei offen, in welcher Weise und mit welcher örtlichen Verteilung Strahlungsfelder auf das organische Gewebe im Kopfbereich des jeweiligen Be nutzers einwirken. Als ein spezifisches Meßkriterium dafür, welchen Strahlungsbelastungen der jeweilige Benutzer tatsäch lich ausgesetzt ist (trotz aller Vorsichtsmaßnahmen), wird insbesondere der sogenannte SAR-Wert (specific absorption ra te) verwendet. Dieser gibt die spezifische Absorptionsrate in Milliwatt pro Gramm an, mit der ein vorgebbarer Gewebevolu menbereich, z. B. im Kopf des jeweiligen Benutzers, thermisch belastet wird. Die lokale thermische Aufheizung von einzelnen Gewebsvolumenbereichen im Kopf des Benutzers kann insofern kritisch sein, weil in Mobilfunkgeräten oftmals metallische Abschirmelemente, wie beispielsweise die Abschirmgehäuse 24, 28, eingebaut sind, so daß durch Beugungs- und/oder Resonanz effekte elektromagnetische Energie auf lokale Gewebevolumen bereiche im Kopf 32 des jeweiligen Benutzers 30 in uner wünschter Weise fokussiert werden kann. Zudem sind dann sol che Elemente in der Regel derart im Gehäuse 16 dem jeweiligen Benutzer 30 zugewandt positioniert, daß sie beim bestimmungs gemäßen Gebrauch des jeweiligen Mobilfunkgeräts näher als die Antenne 20 am Kopf des Benutzers liegen und dadurch stärker bezüglich ihres Einflusses auf die elektromagnetische Ab strahlenergie zum Tragen kommen können. Gerade durch solche Abschirmelemente kann es also zu dem unbeabsichtigten Neben effekt der lokalen Aufheizung von bestimmten Gewebevolumenbe reichen im Kopf 32 des jeweiligen Benutzers 30 kommen.

Zur Bestimmung der SAR-Werte von Mobilfunkgeräten als Maß für die thermische Aufheizung eines bestimmten Gewebevolumenbe reichs wird vorzugsweise ein Meßverfahren verwendet, das ein gangs kurz skizziert und detailliert im europäischen Normen vorschlag EN50361 beschrieben ist. Dabei wird nach dem Ort der höchsten thermischen Belastung im Kopf des jeweiligen Be nutzers gesucht. Der SAR-Wert ergibt sich dann aus einer In tegration über ein bestimmtes Gewebevolumen im Kopfinneren zwischen der Backe 34 und dem Ohr 36 des jeweiligen Benutzers 30 (siehe Fig. 10), d. h. also ungefähr dort, wo das Mobil funkgerät 10 bei seinem bestimmungsgemäßen Gebrauch am Kopf 32 des jeweiligen Benutzers 30 angelegt wird. Insbesondere wird ein Gewebevolumenbereich gewählt, der nach dem europäi schen Normenvorschlag EN50361 festgelegt ist.

Umfangreiche Tests mit einer Meßsonde in einem Modellkopf mit einer Glukoselösung haben nun überraschenderweise gezeigt, daß die thermische Aufheizung des organischen Gewebes im Kopf örtlich schwankt bzw. variiert, d. h. eine örtliche Verteilung mit Maxima und Minima aufweist. Diese örtlich variierende thermische Aufheizung scheint dabei insbesondere auf eine da zu korrespondierende örtliche Stromverteilung V in einer elektrisch leitenden Lage 38 der Leiterplatte 18 zurückzuge hen. Entsprechende elektrische Ströme fließen vorzugsweise auf der Leiterplatte 18 entlang deren Längserstreckung, wenn die Sende-/Empfangsantenne 20 als λ/4-Antenne ausgebildet ist, und zusammen mit der Leiterplatte 18 einen Strahlungsdi pol bildet. In der Fig. 1 ist die örtliche Verteilung V des Stromflusses entlang der Längserstreckung der Leiterplatte 18 durch Vektorpfeile angedeutet. Je größer dabei die Länge des jeweiligen Vektorpfeils gezeichnet ist, desto größer ist die zugehörige Stromamplitude. Aufgrund der geometrischen Ver hältnisse der Leiterplatte 18 in Form eines langgestreckten Rechtecks liegt entlang der Mittenlängsachse A etwa im Zent rum der Leiterplatte 18, d. h. also im Bereich des Schnitt punkts deren Diagonalen, die größte Stromamplitude bzw. Stromdichte vor, während die Stromdichte zu den beiden Längs rändern (ausgehend von der Mittenlinie A) hin abnimmt. Wei terhin ist die Stromamplitude an der Breitseite im Bereich der Speisungsstelle 25 der Antenne 20 maximal, da dort die λ/4-Antenne mit Strom gespeist wird. Auf der der Antenne 20 gegenüberliegenden Breitseite der Leiterplatte 18 weist hin gegen die Stromamplitude ein Minimum auf, da dort der Stromfluß durch die Randbegrenzung unterbrochen wird. Dort weist hingegen das elektrische Feld ein Maximum auf (korres pondierend zum elektrischen E-Feld am freien Ende der λ/4- Antenne). Der elektrische Strom kommt also am stärksten etwa im Mittenbereich bzw. Zentrum der Leiterplatte 18 zum Flie ßen, denn die Leiterplatte 18 bildet gegenüber der λ/4- Antenne 20 gewissermaßen den Gegenpol des Strahlungsdipols. Im Nahbereich dieser örtlichen Stromverteilung V scheint die se ein entsprechendes, korrespondierendes elektromagnetisches Feld im Kopf des jeweiligen Benutzers beim bestimmungsgemäßen Gebrauch des Mobilfunkgeräts 10 zu erzeugen bzw. zu induzie ren. Der Nahbereich ist dabei derjenige Ortsbereich, der un terhalb der Wellenlänge λ/2π liegt.

Beispielsweise liegt im GSM-Funknetz mit einem Frequenzbe reich zwischen 880 und 960 MHz (Mittenfrequenz 900 MHz) die Wellenlänge λ ungefähr bei 35 cm. Im PCN (private commercial network) (E-Netz) mit einem Frequenzband zwischen 1710 und 1800 MHz liegt die Wellenlänge ungefähr bei 17 cm. In einem UMTS-Kommunikationssystem mit einem Frequenzübertragungsbe reich zwischen 1920 und 2170 MHz beträgt die Wellenlänge λ ungefähr 15 cm. Während beim GSM-Funksystem durch die örtli che Stromverteilung auf der Leiterplatte mit einer Eindring tiefe des Nahfeldes von ungefähr 6 cm zu rechnen ist, beim PCN-Netz mit ungefähr 5 cm, liegt bei einem UMTS- Mobilfunkgerät die Eindringtiefe des Nahfeldes aufgrund der örtlichen Stromverteilung auf der Hauptplatine 18 ungefähr bei 2 bis 4 cm. Je geringer dabei die örtliche Eindringtiefe in das Gehirngewebe ist, desto höher kann bei gleicher ange nommener Sendeleistung der Antenne der gemessene SAR-Wert werden, da pro vorgegebenem Gewebevolumen eine höhere elekt romagnetische Felddichte, damit ein größerer zum Fließen kom mender Strom und damit eine höhere thermische Aufheizung her vorgerufen wird. Weiterhin kann ggf. bei manchen Gehäusen (z. B. bei metallischer Galvanisierung der Oberschale) die thermische Aufheizung des Gewebes im Kopfinneren des jeweili gen Benutzers auch direkt durch die örtliche Stromverteilung V auf der Hauptplatine hervorgerufen werden, da das jeweilige Mobilfunkgerät 10 an die Außenseite des Kopfes des jeweiligen Benutzers zwischen dessen Ohr 36 und Backe 34 angelegt wird (siehe Fig. 10), so daß die im Mobilfunkgerät 10 auftretenden elektrischen Ströme näher am Kopf des Benutzers fließen und dadurch der SAR-Wert erhöht werden kann.

Um nun das Nahfeld des Mobilfunk-Endgeräts 10 zu homogenisie ren wird erfindungsgemäß auf der Leiterplatte 18 in der e lektrisch leitenden Lage 38 ein elektrisch nicht-leitender Schlitz eingebracht, wie dies in Fig. 2 für eine Ausfüh rungsvariante der Leiterplatte 18' dargestellt ist. Auf die Leiterplatte 18' gemäß Fig. 2 sind ein erstes Abschirmgehäu se 24', ein zweites Abschirmgehäuse 28' und ein drittes Ab schirmgehäuse 40' aufgesetzt und an diesem befestigt, um dar in angeordnete elektrische Bauelemente gegen hochfrequente Strahlung abzuschirmen. Ferner erkennt man auf der Leiter platte 18' gemäß Fig. 2 verschiedene gelötete Kontaktstellen und Bauelemente 42', welche nicht durch ein Abschirmgehäuse gegen hochfrequente elektromagnetische Strahlung abgeschirmt sind.

Zwischen den beiden Abschirmgehäusen 24' und 28' ist der vor stehend angesprochene Schlitz angeordnet, welcher allgemein mit 44 bezeichnet ist. Dieser Schlitz 44 ist im wesentlichen quer zur Längsrichtung der Leiterplatte 18' angeordnet. Seine Auswirkungen auf die elektrische Stromverteilung ist in der schematischen Darstellung gemäß Fig. 3 verdeutlicht, wo die Stromverteilung V₁ durch gekrümmte Vektorlinien dargestellt ist. Im oberen und unteren Bereich laufen die Vektorlinien I, welche repräsentativ die in der leitenden Lage fließenden e lektrischen Hochfreuquenzströme darstellen sollen, im wesent lichen parallel zueinander und in gleicher Richtung, d. h. in Längsrichtung der Leiterplatte 18'. Da die elektrisch leiten de Lage durch den Schlitz 44' unterbrochen ist, ist in diesem Bereich kein elektrischer Stromfluß möglich. Auch oberhalb und unterhalb des Schlitzes 44' treten lediglich hochfrequen te Ströme geringen Betrags auf.

Betrachtet man im Vergleich eine ungeschlitzte Leiterplatte 118 gemäß Fig. 11, wie sie aus dem Stand der Technik bekannt ist, so zeigt sich, daß in einem mit Z bezeichneten Bereich im Zentrum der Leiterplatte 118 durch die dort gezeigte Stromverteilung V₂ ein Strommaximum ausbildet, welches zu ei nem hohen SAR-Wert in einer korrespondierenden Region im Kopf eines mit der Leiterplatte 118 ausgerüsteten Mobilfunkgeräts führt.

Durch die Anbringung des Schlitzes 44' gemäß Fig. 3 kann die Stromverteilung V₁ im Vergleich zu der Stromverteilung V₂ derart verändert werden, daß ein Auftreten eines Strommaxi mums im Bereich des Zentrums der Leiterplatte 18' verhindert wird, da die hochfrequenten Ströme durch den Schlitz 44' jeweils in die Randbereiche R₁ und R₂ verdrängt werden. Dadurch nimmt zwar die Stromdichte in der elektrischen Lage an den Randbereichen R₁ und R₂ insgesamt zu, jedoch erhält man kein lokales Strommaximum im Zentrum Z der Leiterplatte 18', so daß insgesamt die Stromverteilung derart verändert wird, daß eine homogenere Abstrahlung elektromagnetischer Wellen im Nahfeld erfolgt und somit eine SAR-Wert-Reduzierung erreicht wird.

Während der Schlitz 44' gemäß Fig. 2 und 3 im wesentlichen rechteckförmige Gestalt aufweist, sind je nach Mobilfunkge rät, sowie je nach Frequenzbereich, in welchem das Mobilfunk gerät betrieben wird verschiedene Schlitz-Geometrien und -An ordnungen möglich, um eine gewünschte Reduzierung des SAR- Wertes zu erhalten. Je nach Mobilfunkgerät-Typ kann die eine oder andere Schlitz-Geometrie bzw. -Anordnung zu dem ge wünschten Ergebnis führen.

In den Fig. 4 bis 9 sind verschiedene denkbare Schlitz- Geometrien und -Anordnungen auf einer schematisch gezeigten Leiterplatte 18' gezeigt, welche jeweils in Kombination oder alternativ bei einem Mobilfunkgerät Anwendung finden können.

Fig. 4 zeigt, daß an den beiden freien Enden des Schlitzes 44' jeweils sich in einem Winkel α aufspreizende Schlitzver zweigungen 46 und 48 angeordnet sind. Die Schlitzverzweigun gen 46 und 48 können dazu führen, daß die in Längsrichtung der Leiterplatte 18' fließenden hochfrequenten Ströme weiter in die zu dem Schlitz 44' benachbarten Randbereiche gedrängt werden, in welchen dann zwar die Stromdichte erhöht, insge samt jedoch eine Stromverteilung erreicht werden kann, welche zu einer homogeneren elektromagnetischen Feldverteilung im Nahfeld führt.

Betrachtet man Fig. 5 so erkennt man, daß an den beiden freien Enden des Schlitzes 44' jeweils zwei in Längsrichtung der Leiterplatte 18' geradlinig verlaufende Querschlitze 50, 52 angeordnet sind. Diese Schlitze 50, 52 beeinflussen die Stromverteilung auf der Leiterplatte 18' derart, daß in Längsrichtung betrachtet oberhalb und unterhalb des Schlitzes 44' die hochfrequenten Ströme lediglich einen sehr kleinen Betrag aufweisen und somit die Stromverteilung oberhalb und unterhalb des Querschlitzes 44' stark beeinflußt wird.

Fig. 6 zeigt eine weitere mögliche Schlitz-Anordnung, wobei in dieser Figur eine Vielzahl geradliniger, d. h. im wesent lichen rechteckiger, Schlitze vorgesehen ist. Im einzelnen sind zusätzlich zu dem Schlitz 44' in Querrichtung der Lei terplatte 18' in Längsrichtung verlaufende, d. h. orthogonal zu dem Schlitz 44' ausgebildete, diesen nicht tangierende Schlitze 54, 56, 58, 60 vorgesehen.

Fig. 7 zeigt im Gegensatz zu dem bislang vorgestellten rechteckförmigen Schlitzen einen elliptischen Schlitz 62, welcher derart auf der Leiterplatte 18' angeordnet ist, daß seine punktiert verlängerte große Halbachse 64 in Querrich tung der Leiterplatte 18' verläuft.

Fig. 8 zeigt statt eines langen in Querrichtung der Leiter platte 18' verlaufenden Schlitzes 3 auf einer gemeinsamen Ge raden liegende zueinander fluchtende Schlitze 66, 68, 70, wo bei hochfrequente Ströme lediglich zwischen den Schlitzen 66 und 68 bzw. 68 und 70 sowie in den an die Schlitze 66 und 70 angrenzenden Randbereichen der Leiterplatte 18' fließen kön nen.

Schließlich zeigt Fig. 9 einen wellenförmigen Schlitz 72 im Zentrum der Leiterplatte 18'. Die vorstehend mit Bezug auf die Fig. 2 bis 9 diskutierten Gestaltungen von Leiterplat ten 18' mit in Form von Schlitzen ausgebildeten elektrisch nicht leitenden Bereichen zeigen lediglich erfindungsgemäße Beispiele und sollen nicht als abschließende Aufzählung ver standen werden. Selbstverständlich ist es möglich verschiede ne der gezeigten Schlitzformen und Kombinationen wiederum zu kombinieren oder anderweitig auf der Leiterplatte 18' anzu ordnen, um eine Stromverteilung in der elektrisch leitenden Lage derart zu beeinflussen, daß sich eine SAR-Wert- Reduzierung ergibt.

Allen Lösungen liegt der gemeinsame Gedanke zugrunde, durch die technisch einfache Maßnahme der Anbringung eines Bereichs reduzierter elektrischer Leitfähigkeit, insbesondere eines nicht leitenden elektrischen Bereichs, auf der elektrisch leitenden Lage der Leiterplatte die in dieser fließenden hochfrequenten Ströme derart umzuleiten, daß eine homogene Leistungsabgabe durch elektromagnetische Strahlung im Nahfeld erfolgt. Es sei darauf hingewiesen, daß durch diese Maßnahme die insgesamt durch elektromagnetische Strahlung abgegebene Leistung nicht beeinflußt wird, so daß die Qualität der Mo bilfunkübertragung durch die erfindungsgemäßen Maßnahmen nicht beeinträchtigt wird.

Kehrt man nochmals zu Fig. 7 zurück, so sind dort die beiden in Längsrichtung der Leiterplatte 18' voneinander am weites ten entfernt liegenden Punkte auf dem Rand des Schlitzes 62 durch einen Kondensator C miteinander verbunden. Dieser Kon densator C ist derart ausgelegt, daß er in einem bestimmten Frequenzbereich hochfrequente Ströme blockiert, jedoch in ei nem anderen Frequenzbereich den Schlitz 62 überbrückt und die hochfrequenten Ströme weiterleitet. Diese Maßnahme kann er findungsgemäß beispielsweise dann Anwendung finden, wenn ein mit einer solchen Leiterplatte 18' ausgestattetes Mobilfunk gerät in verschiedenen Frequenzbereichen betrieben werden soll, wobei der Schlitz 62 in einem ersten Frequenzbereich die SAR-Wert-reduzierende Wirkung gemäß vorstehender Be schreibung aufweist, in einem zweiten Betriebsfrequenzbereich des Mobilfunk-Endgeräts jedoch einen weniger erwünschten Ef fekt, wie beispielsweise eine Wirkung als Schlitzantenne be sitzt. Durch den frequenzselektiv wirkenden Kondensator C ist es also möglich, in dem ersten Frequenzbereich, in welchem der Schlitz 62 nicht überbrückt wird, dessen nahfeldhomogenisierende Wirkung auszunützen und in dem zweiten Fre quenzbereich den Schlitz 62 zu überbrücken und somit eine Feldverteilung zu erhalten, welche im wesentlichen der einer herkömmlichen Leiterplatte entspricht.

Selbstverständlich kann in diesem Zusammenhang der Kondensa tor C durch eine aufwendigere Schaltung ersetzt werden, wel che den Anforderungen an ein frequenzselektives Verhalten noch besser gerecht wird. Auch ist es möglich in der wenigs tens einen leitenden Lage der Leiterplatte mehrere Schlitze vorzusehen und diesen jeweils gesonderte frequenzselektive Schaltungseinheiten zuzuordnen, um somit in jedem Betriebs frequenzbereich erfindungsgemäß die SAR-Wert-reduzierende Wirkung von Bereichen elektrisch reduzierter Leistung auszu nützen.

Bezugszeichenliste

10

Mobilfunk-Endgerät

12

Oberschale

14

Unterschale

16

Gehäuse

18

Leiterplatte

20

Antenne

22

Hochfrequenzbaugruppe

24

Hochfrequenz-Abschirmgehäuse

25

Kontakt

26

Akku

28

Hochfrequenz-Abschirmgehäuse

30

Benutzer

32

Kopf

34

Backe

36

Ohr

38

elektrisch leitende Lage

40

' Abschirmgehäuse

42

' Bauelement

44

' Schlitz

46

,

48

Schlitzverzweigung

50

,

52

Querschlitz

54

,

56

,

58

,

60

Schlitz

62

elliptischer Schlitz

64

Verlängerung der großen Halbachse

66

,

68

,

70

Schlitz

72

wellenförmiger Schlitz
V, V₁

, V₂

;Stromverteilung
Z Zentrum
R₁

, R₂

;Randbereich

Claims

1. Mobilfunk-Endgerät, insbesondere Mobilfunktelefon, umfas send:
ein Gehäuse (16) und
wenigstens eine in dem Gehäuse angeordnete Leiterplatte (18, 18'), welche mit wenigstens einer elektrisch leitenden Lage (38) ausgebildet ist und mit Mitteln (20, 22) zum Senden oder/und Empfangen von Mobilfunksignalen verbunden ist, wobei ein elektromagnetisches Feld von der wenigstens einen elektrisch leitenden Lage (38) in Wechselwirkung mit den Mit teln (20, 22) zum Senden oder/und Empfangen in einem Sende- /Empfangsmodus durch abgestrahlte elektromagnetische Strah lung erzeugt wird,
dadurch gekennzeichnet,
daß die wenigstens eine elektrisch leitende Lage (38) wenigs tens einen Bereich (44', 46-62, 66-72) mit reduzierter elektrischer Leitfähigkeit aufweist, welcher zur Beeinflus sung einer elektrischen Stromverteilung (V, V₁, V₂) auf der elektrisch leitenden Lage (38) im Sende-/Empfangsmodus derart positioniert und dimensioniert ist, daß das elektromagneti sche Feld in der von einem Benutzer bei ordnungsgemäßem Gebrauch des Mobilfunk-Endgerätes eingenommenen Umgebung des Mobilfunk-Endgerätes (10) homogenisiert ist.

2. Mobilfunk-Endgerät nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der wenigstens eine Bereich (44', 46-62, 66-72) redu zierter elektrischer Leitfähigkeit elektrisch nicht-leitend ausgebildet ist.

3. Mobilfunk-Endgerät nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der wenigstens eine Bereich reduzierter elektrischer Leitfähigkeit (44', 46-62, 66-72) als Aussparung in der wenigstens einen elektrisch leitenden Lage (38) ausgebildet ist.

4. Mobilfunk-Endgerät nach einen der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der wenigstens eine Bereich (44', 54-60, 66-70) redu zierter elektrischer Leitfähigkeit in Richtung orthogonal zur Leiterplatte betrachtet, im Wesentlichen rechteckförmige Ges talt aufweist.

5. Mobilfunk-Endgerät nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der wenigstens eine Bereich (62) reduzierter elektrischer Leitfähigkeit in Richtung orthogonal zur Leiterplatte be trachtet, im Wesentlichen elliptische Gestalt aufweist.

6. Mobilfunk-Endgerät nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der wenigstens eine Bereich reduzierter elektrischer Leitfähigkeit in Richtung orthogonal zur Leiterplatte be trachtet in Form wenigstens eines Schlitzes (44', 46-62, 66 -72) ausgebildet ist.

7. Mobilfunk-Endgerät nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der wenigstens eine Schlitz (44', 50-60, 66-70) ge radlinigen Verlauf aufweist.

8. Mobilfunk-Endgerät nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der wenigstens eine Schlitz (72) gekrümmten, insbesondere wellenförmigen, Verlauf aufweist.

9. Mobilfunk-Endgerät nach einem der Ansprüche 6 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß an wenigs tens einem Ende des wenigstens einen Schlitzes (44') sich aufspreizende Schlitzverzweigungen (46, 48) vorgesehen sind.

10. Mobilfunk-Endgerät nach einem der Ansprüche 6 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß an wenigstens einem Ende des geradlinigen Schlitzes (44') wenigstens ein den geradlinigen Schlitz (44') schneidender oder tangierender Querschlitz (50, 52) vorgesehen ist.

11. Mobilfunk-Endgerät nach einem der Ansprüche 6 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß eine Mehrzahl von Schlitzen (44', 54-60, 66-70) vor gesehen ist.

12. Mobilfunk-Endgerät nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens zwei Schlitze (54-60, 66-70) auf einer ge meinsamen Geraden im Wesentlichen zueinander fluchtend ange ordnet sind.

13. Mobilfunk-Endgerät nach Anspruch 11 oder 12, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens zwei Schlitze (44', 50, 52, 54-60) zueinan der orthogonal angeordnet sind.

14. Mobilfunk-Endgerät nach einem der vorangehenden Ansprü che, dadurch gekennzeichnet, daß der Leiterplatte wenigstens zwei strahlungsabsorbierende Schirm kammern (24', 28', 40') zugeordnet sind und daß der wenigs tens eine Bereich (44') mit reduzierter elektrischer Leitfä higkeit in Richtung orthogonal zur Leiterplatte (18) betrach tet, zwischen den Schirmkammern (24, 28) angeordnet ist.

15. Mobilfunk-Endgerät nach einem der vorangehenden Ansprü che, insbesondere wenn dieser auf Anspruch 2 rückbezogen ist, dadurch gekennzeichnet, daß dem wenigs tens einen Bereich reduzierter elektrischer Leitfähigkeit we nigstens eine elektrische Schaltungseinheit (C) zugeordnet ist, mittels welcher der wenigstens eine Bereich (62) reduzierter elektrischer Leitfähigkeit frequenz-selektiv über brückbar ist.

16. Mobilfunk-Endgerät nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß die wenigstens eine Schaltungseinheit (C) einen Tiefpaß oder einen Bandpass umfaßt.

17. Leiterplatte (18, 18') für ein Mobilfunk-Endgerät umfas send:
wenigstens eine elektrisch leitende Lage (38), und
Mittel zum Senden oder/und Empfangen von Mobilfunksigna len, wobei die eine elektrisch leitende Lage (38) mit den Mitteln zum Senden oder/und Empfangen verbunden ist und ein elektromagnetisches Feld von der wenigstens einen e lektrisch leitenden Lage (38) in Wechselwirkung mit den Mitteln (20, 22) zum Senden oder/und Empfangen in einem Sende-/Empfangsmodus durch abgestrahlte elektromagnetische Strahlung erzeugt wird,
dadurch gekennzeichnet,
daß die wenigstens eine elektrisch leitende Lage (38) we nigstens einen Bereich (44', 46-62, 66-72) mit redu zierter elektrischer Leitfähigkeit aufweist, welcher zur Beeinflussung einer elektrischen Stromverteilung (V, V₁, V₂) auf der elektrisch leitenden Lage (38) im Sende- /Empfangsmodus derart positioniert und dimensioniert ist, daß das elektromagnetische Feld in der von einem Benutzer bei ordnungsgemäßem Gebrauch des Mobilfunk-Endgerätes ein genommenen Umgebung des Mobilfunk-Endgerätes (10) homoge nisiert ist.