DE10131112A1

DE10131112A1 - Komparator und Steuerschaltung für einen Leistungs-MOSFET

Info

Publication number: DE10131112A1
Application number: DE10131112A
Authority: DE
Inventors: Mitsuru Yoshida
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Electronics Corp
Priority date: 2000-06-28
Filing date: 2001-06-28
Publication date: 2002-01-17
Also published as: JP2002016484A; US20020000844A1; US6518799B2; JP3476419B2

Abstract

Eine Steuerschaltung für einen Leistungs-MOSFET umfasst einen Spannungsteiler (R1, R2) zum Teilen einer Eingangsspannung, einen Festspannungserzeuger (R3, D1, D2) zum Erzeugen einer Festspannung, einen Komparator mit einem Differentialpaar (MD1, MD2) umfasst, die jeweils die geteilte Spannung oder die Festspannung empfangen, und einen Stromspiegel, der einen ersten und einen zweiten Anreicherungstransistor (ME1, ME2) umfasst, welche in Reihe mit dem ersten bzw. zweiten Verarmungstransistor (MD1, MD2) verbunden sind, einen Inverter (ME3, R6) zum Empfangen der Ausgabe von dem Komparator und einen Leistungs-MOSFET, der für die Steuerung von EIN-/AUSSCHALTEN desselben durch den Inverter (ME3, R6) gesteuert wird.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft einen Komparator und eine Steuerschaltung zum Steuern eines Leistungs-MOSFET (metal-oxide-semiconductor field effect transistor, Metall oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor).

Leistungs-MOSFETs werden in einer Vielzahl von Anwendungen in einer Stromversorgungsschaltung verwendet. Fig. 1 ist ein Schaltbild, das eine konventionelle Steuerschaltung zum Steuern eines Leistungs-MOSFET zeigt.

Die Steuerschaltung umfasst einen N-Kanal-Verarmungsfeldef fekttransistor MD10, N-Kanal-Anreicherungsfeldeffekttransi storen ME10 und ME11, hochohmige Widerstände R10 bis 12, hergestellt aus polykristallinen Siliziumfilmen, und einen Leistungs-MOSFET PoMOSFET.

In Fig. 1 umfasst die Steuerschaltung einen ersten bis dritten seriellen Zweig. Der erste serielle Zweig umfasst die hochohmigen Widerstände R11 und R12 aus polykristalli nen Siliziumfilmen, die in Reihe zwischen dem Eingangsan schluss IN und dem Masseanschluss GND angeschlossen sind. Der zweite serielle Zweig umfasst den N-Kanal-Verarmungs feldeffekttransistor MD10 und den N-Kanal-Anreicherurigs feldeffekttransistor ME10, angeschlossen in Reihe zwischen dem Eingangsanschluss IN und dem Masseanschluss GND. Der dritte serielle Zweig umfasst den hochohmigen Widerstand R12 aus polykristallinem Siliziumfilm und den N-Kanal-An reicherungsfeldeffekttransistor ME11, angeschlossen in Reihe zwischen dem Eingangsanschluss IN und dem Massean schluss GND.

Zusätzlich ist der die Widerstände R10 und R11 verbindende Knotenpunkt an das Gate des N-Kanal-Anreicherungsfeldef fekttransistors ME10 angeschlossen. Der Verbindungsknoten punkt des hochohmigen Widerstands R12 und des Drain-An schlusses des N-Kanal-Anreicherungsfeldeffekttransistors ME11 ist an den Gate-Anschluss des Leistungs-MOSFET ange schlossen. Außerdem ist der Gate-Anschluss des N-Kanal-An reicherungsfeldeffekttransistors ME11 an den Drain-An schluss des N-Kanal-Anreicherungsfeldeffekttransistors ME10 angeschlossen.

In der wie oben beschrieben aufgebauten Steuerschaltung wirkt der erste serielle Zweig als eine Eingangsspannungs teilerschaltung, der zweite serielle Zweig wirkt als eine Bezugsspannungsschaltung, und der dritte serielle Zweig wirkt als eine Umkehrschaltung. Der Ausgangsanschluss OUT oder der Drain des Leistungs-MOSFET ist an eine nicht ge zeigt Last angeschlossen.

In Fig. 1 wird die Spannung V10 durch Teilen der Eingangs spannung VIN unter Verwendung der hochohmigen Widerstände R10 und R11 erhalten und wird gemäß dem Pegel der Eingangs spannung VIN geändert. Daher gilt die folgende Gleichung:

V10 = {R11/(R10+R11)}.VIN.

Eine Variation der Spannung V10 wird mit der Schwellenspan nung Vt des N-Kanal-Anreicherungsfeldeffekttransistors ME10 verglichen. Wenn die Eingangsspannung VIN verglichen mit einer spezifizierten Spannung niedriger ist, nimmt eine Ausgangsspannung Vg2 der Umkehrschaltung einen niedrigen Pegel an, da V10<Vt von ME10 gilt. Wenn andererseits die Eingangsspannung VIN verglichen mit der spezifizierten Spannung höher ist, nimmt die Ausgangsspannung Vg2 der Um kehrschaltung einen hohen Pegel an, da V10<Vt von ME10 gilt. In diesem Fall schaltet die an den Gate-Anschluss des Leistungs-MOSFET angelegte hohe Spannung Vg2 den Leistungs- MOSFET ein, um einen Strom durch die Last fließen zu las sen.

Fig. 2 ist ein Kurvenbild, das die Spannungskennlinie jedes Teils der Steuerschaltung von Fig. 1 gegenüber der Ein gangsspannung VIN während der Ausführung der Gate-Steuerung des Leistungs-MOSFET basierend auf der Eingangsspannung VIN zeigt. Es soll festgestellt werden, dass der N-Kanal-Anrei cherungsfeldeffekttransistor ME10 eine Schwellenspannung Vt von etwa 0,6 V aufweist, wohingegen der Leistungs-MOSFET eine Schwellenspannung Vtp von etwa 1,2 V hat. Wenn in Fig. 3 der Widerstand R10 einen Widerstand von 300 kΩ hat und der Widerstand R11 einen Widerstand von 140 kΩ aufweist, wobei die Eingangsspannung VIN bei etwa 2 V liegt, hat der Knotenpunkt V10 eine Spannung von etwa 0,6 V zum Einschal ten des N-Kanal-Anreicherungsfeldeffekttransistors ME10. In diesem Fall nimmt die Gate-Spannung Vg2 des Leistungs- MOSFET einen hohen Pegel an.

Wie oben beschrieben, wird bei der konventionellen Steuer schaltung mit einer darin enthaltenen Komparatorfunktion die Schwellenspannung Vt des N-Kanal-Anreicherungsfeldef fekttransistors ME10 als eine Bezugsspannung verwendet, welche mit der Spannung V10 verglichen wird, die durch Tei len der Eingangsspannung VIN mit den hochohmigen Widerstän den R10 und R11 der polykristallinen Siliziumfilme zum Durchführen der Gate-Steuerung des Leistungs-MOSFET erhal ten wird.

Bei der konventionellen Steuerschaltung lag jedoch ein Nachteil darin vor, dass die Steuerspannung zum Steuern von EIN/AUSSCHALTEN des Leistungs-MOSFET abhängig von der Va riation der Schwellenspannung Vt des N-Kanal-Anreicherungs feldeffekttransistors variiert.

Wenn sich in Fig. 2 zum Beispiel eine Variation im Schwel lenwert Vt des N-Kanal-Anreicherungsfeldeffekttransistors ME10 in einem Bereich von ±0,2 V befindet, variiert die Steuerspannung V_TH zum Steuern des EIN/AUSSCHALTENS des Leistungs-MOSFET beträchtlich in einem Bereich von etwa ±0,5 V, wie in Fig. 2 gezeigt ist. Unter weiterer Berück sichtigung der Variation des EINSCHALT-Stroms des N-Kanal- Verarmungsfeldeffekttransistors MD10, variiert die Steuer spannung V_TH zum Steuern von EIN/AUSSCHALTEN des Leistungs- MOSFET in einem höheren Bereich von ±1,0 V oder mehr.

Es ist deshalb eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, den vorgenannten konventionellen Nachteil zu beseitigen, um eine Steuerschaltung mit einer verringerten Variation in der Steuerspannung zum Steuern des EIN/AUSSCHALTENS des Leistungs-MOSFET durch Verwendung einer neuen Konfiguration eines Komparators zu schaffen. Die vorliegende Erfindung bezieht sich auch auf einen solchen Komparator.

Die vorliegende Erfindung schafft einen Komparator, umfas send:
ein Differentialpaar, das ein Paar Verarmungstransistoren jeweils mit einem Gate zum Empfangen von einem eines Si gnalpaars umfasst; und
einen Stromspiegel, der ein Paar Anreicherungstransistoren umfasst, die jeweils in Reihe mit einem entsprechenden der Verarmungstransistoren verbunden sind, wobei ein Drain ei nes der Anreicherungstransistoren einen Ausgangsanschluss zum Ausgeben eines Ergebnisses des Vergleichs zwischen dem Signalpaar durch den Komparator bildet.

Der Steuerschaltung der vorliegenden Erfindung zufolge, die einen neuen Komparator aufweist, können Variationen in der Steuerspannung für Steuerung von EIN/AUSSCHALTEN verringert werden.

Die vorliegende Erfindung schafft weiter eine Steuerschal tung, umfassend:
einen Spannungsteiler zum Teilen einer Eingangsspannung zum Eingeben einer geteilten Spannung;
einen Festspannungserzeuger zum Erzeugen einer Festspan nung:
ein Differentialpaar, das einen ersten und einen zweiten Verarmungstransistor umfasst, wobei der erste Verarmungs transistor ein Gate zum Empfangen der geteilten Spannung aufweist und der zweite Verarmungstransistor ein Gate zum Empfangen der Festspannung aufweist,
einen Stromspiegel, der einen ersten und einen zweiten An reicherungstransistor umfasst, wobei der erste Anreiche rungstransistor in Reihe mit dem ersten Verarmungstransi stor verbunden ist und der zweite Anreicherungstransistor in Reihe mit dem zweiten Verarmungstransistor verbunden ist, wobei ein Drain des einen des ersten und des zweiten Anreicherungstransistors ein Ergebnissignal ausgibt, das ein Ergebnis des Vergleichs zwischen der Festspannung und der geteilten Spannung angibt; und
einen ersten MOSFET mit einem Gate, das durch das Ergebnis signal gesteuert wird.

Der Steuerschaltung der vorliegenden Erfindung zufolge, die einen neuen Komparator aufweist, kann eine Variation in der Steuerspannung für Steuerung von EIN/AUSSCHALTEN durch die Funktion des Komparators mit einer neuen Konfiguration ver ringert werden.

Die obigen und andere Aufgaben, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden aus der folgenden Beschrei bung deutlicher werden, die sich auf die beigefügten Zeich nungen bezieht.

Fig. 1 ist ein Schaltbild einer konventionellen Steuer schaltung;

Fig. 2 ist, ein Kurvenbild, dass die Kennlinie einer Varia tion in der Spannung jedes Teils der konventionel len Steuerschaltung in Bezug zu der Eingangsspan nung zeigt;

Fig. 3 ist ein Schaltbild einer Steuerschaltung mit einem Komparator gemäß einer Ausführungsform der vorlie genden Erfindung; und

Fig. 4 ist ein Kurvenbild, das die Kennlinien einer Varia tion in der Spannung jedes Teils der Steuerschal tung von Fig. 3 zeigt.

Nun soll die vorliegende Erfindung im folgenden ausführli cher unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen ent sprechend der bevorzugten Ausführungsform derselben be schrieben werden.

Bezugnehmend auf Fig. 3 ist eine Steuerschaltung mit einem Komparator gemäß der vorliegenden Ausführungsform gezeigt. Die Steuerschaltung wird zum Aktivieren eines Leistungs- MOSFET verwendet, nachdem die Eingangsspannung VIN eine vorbestimmte Spannung erreicht, um einen Strom durch eine an einen Ausgangsanschluss OUT angeschlossene Last fließen zu lassen. Die Steuerschaltung umfasst einen ersten und ei nen zweiten polykristallinen Siliziumfilmwiderstand R1 und R2 zum Bilden eines Spannungsteilers, welcher die zwischen dem Eingangsanschluss IN und dem Masseanschluss GND ange legte Eingangsspannung VIN teilt. Der Ausgangsknotenpunkt N1 des Spannungsteilers wird verwendet, um eine erste Span nung V2 an einen Knotenpunkt N1 zum Ermitteln der Größe der an den Eingangsanschluss IN angelegten Eingangsspannung auszugeben.

Die Steuerschaltung umfasst weiter einen dritten polykri stallinen Siliziumfilmwiderstand R3 und polykristalline Si liziumdioden D1 und D2, die in Reihe zwischen dem Eingangs anschluss IN und dem Masseanschluss GND zum Erzeugen einer Bezugsspannung angeschlossen sind. Der die Kathode der Diode D1 und den Widerstand R3 verbindende Knotenpunkt N2 wird zum Ausgeben einer Festspannung oder Bezugsspannung V1 verwendet. Die Steuerschaltung umfasst auch einen ersten Verarmungsfeldeffekttransistor MD1, dessen Gate an den Kno tenpunkt N1 angeschlossen ist und dessen Drain an den Ein gangsanschluss IN oder eine Eingangsquellenleitung 100 an geschlossen ist.

Die Steuerschaltung umfasst weiter einen zweiten Verar mungsfeldeffekttransistor MD2, dessen Gate an den Knoten punkt N2 angeschlossen ist und dessen Drain an den Ein gangsanschluss IN angeschlossen ist. Die Steuerschaltung umfasst weiter einen ersten Anreicherungsfeldeffekttransi stor ME1, dessen Gate und dessen Drain miteinander verbun den sind, wobei der Drain desselben an die Source des er sten Verarmungsfeldeffekttransistors MD1 über einen vierten Widerstand R4 aus polykristallinem Siliziumfilm angeschlos sen ist und die Source desselben an Masse GND angeschlossen ist. Die Steuerschaltung umfasst weiter einen zweiten An reicherungsfeldeffekttransistor ME2, dessen Gate an den Drain des ersten Anreicherungsfeldeffekttransistors ME1 an geschlossen ist, dessen Drain an die Source des zweiten Verarmungsfeldeffekttransistors (MD2) über einen fünften Widerstand R5 aus polykristallinem Siliziumfilm angeschlos sen ist, und dessen Source an Masse GND angeschlossen ist. Die Steuerschaltung umfasst weiter einen sechsten Wider stand R6 aus polykristallinem Siliziumfilm, der zwischen dem Eingangsanschluss IN und dem Gate des Leistungs-MOSFET angeschlossen ist. Die Steuerschaltung umfasst weiter einen dritten Anreicherungsfeldeffekttransistor ME3, dessen Gate an den Drain des zweiten Anreicherungsfeldeffekttransistors ME2 an einem Knotenpunkt N3 angeschlossen ist, dessen Drain an das Gate des Leistungs-MOSFET angeschlossen ist, und dessen Source an Masse GND angeschlossen ist.

Der erste Verarmungsfeldeffekttransistor MD1 empfängt die erste Spannung V2 an seinem Gate. Der zweite Verarmungs feldeffekttransistor (MD2) empfängt die Festspannung V1 am Gate desselben. Der erste Anreicherungsfeldeffekttransistor ME1 und der zweite Anreicherungsfeldeffekttransistor bilden einen Stromspiegel, wobei die Sources derselben an Masse GND oder eine Masseleitung 200 angeschlossen sind. Auf diese Weise wird in der Steuerschaltung ein Komparator durch das Differentialtransistorpaar, welches die Verar mungstransistoren MD1 und MD2 umfasst, und den Stromspie gel, der die Anreicherungstransistoren ME1 und ME2 umfasst, und die Widerstände R4 und R5 gebildet. Der Komparator ver gleicht die erste Spannung V2 mit der Festspannung V1. Die Ausgabe des Komparators wird dem Gate des dritten Anreiche rungsfeldeffekttransistors ME3 durch den Drain des zweiten Verarmungsfeldeffekttransistors MD2 zugeführt.

Die Steuerschaltung gemäß der in Fig. 3 gezeigten vorlie genden Ausführungsform ermöglicht dem den Stromspiegel auf weisenden Komparator, die Ausgabe der Festspannung V1 an dem Knotenpunkt N1 unabhängig von der Eingangsspannung mit der ersten Spannung V2 zu vergleichen, die durch Teilen der Eingangsspannung VIN in dem Spannungsteiler an dem Knoten punkt N2 erhalten wird, und dann das Vergleichsergebnis als eine Spannung VC an dem Knotenpunkt N3 auszugeben.

Eine Steuerspannung Vg wird über eine Umkehrschaltung aus gegeben, die den N-Kanal-Anreicherungsfeldeffekttransistor ME3 und den hochohmigen Widerstand R6 aus polykristallinem Siliziumfilm umfasst. Die Steuerspannung Vg wird an den Gate-Anschluss des Leistungs-MOSFET angelegt, wodurch er möglicht wird, EIN/AUSSCHALTEN des Leistungs-MOSFET zu steuern.

Wenn die erste Spannung V2 an dem Knotenpunkt N1 niedriger als die Festspannung V1 an dem Knotenpunkt N2 ist, das heißt, die Eingangsspannung niedriger als die spezifizierte Spannung ist, ist die Source/Drain-Spannung des Verarmungs feldeffekttransistors MD1 höher als die des Verarmungsfeld effekttransistors MD2. Dies veranlasst die Spannung an dem Knotenpunkt N3, das heißt die Gate-Spannung des Anreiche rungsfeldeffekttransistors ME3, einen hohen Pegel anzuneh men, und ermöglicht folglich Einschaltung des Anreiche rungsfeldeffekttransistors ME3. Folglich nimmt die Spannung Vg an dem Knotenpunkt N4 einen niedrigen Pegel an, um den Leistungs-MOSFET auszuschalten.

Wenn die Eingangsspannung VIN an dem Eingangsanschluss IN ansteigt, wird die Source/Drain-Spannung des Verarmungs feldeffekttransistors MD2 höher als die Source/Drain-Span nung des Verarmungsfeldeffekttransistors MD1. Dies veran lasst die Spannung VC an dem Knotenpunkt N3, das heißt die Gate-Spannung des Anreicherungsfeldeffekttransistors ME3, einen niedrigen Pegel anzunehmen, und ermöglicht so Aus schaltung des Anreicherungsfeldeffekttransistors ME3. Folg lich nimmt die Spannung VC an dem Knotenpunkt N4 einen ho hen Pegel an, der Aktivierung oder EINSCHALTUNG des Lei stungs-MOSFET veranlasst.

Bezugnehmend auf Fig. 4 ist ein Kurvenbild gezeigt, das die Spannung jedes Knotenpunkts gegenüber der Eingangsspannung in der Steuerschaltung von Fig. 3 während der Durchführung der Gate-Steuerung des Leistungs-MOSFET aufzeichnet. Die Spannung V1 ist eine Festspannung, die unabhängig von der Eingangsspannung VIN ausgegeben wird und gleich etwa 1,2 V in diesem speziellen Beispiel der vorliegenden Ausführungs form ist. Die Spannung V2 wird durch Teilen der Eingangs spannung in dem Spannungsteiler erhalten und steht folglich in einem linearen Verhältnis in Bezug zu der Eingangsspan nung VIN. Bei der Eingangsspannung, bei der die Spannung V2 höher als die Festspannung V1 wird (oder etwa 2,3 V in die sem speziellen Beispiel), nimmt die Ausgangsspannung VC des Komparators einen niedrigen Pegel an und die Ausgangsspan nung Vg des Inverters nimmt einen hohen Pegel an. In diesem Fall wird eine positive Spannung Vg an den Gate-Anschluss des Leistungs-MOSFET angelegt, die Einschaltung des Lei stungs-MOSFET verursacht. In diesem Beispiel beträgt der Schwellenwert Vt des Anreicherungsfeldeffekttransistors etwa 0,6 V und die Schwellenspannung des Leistungs-MOSFET liegt bei etwa 1,2 V.

Die Variationen der EIN/AUS-Steuerspannung in der Steuer schaltung werden hauptsächlich durch eine Variation in der Bezugsspannung oder Festspannung V1 verursacht, die aus ei ner Variation in dem Vorwärtsspannungsabfall VF der poly kristallinen Siliziumdioden D1 und D2 und Variationen der Widerstände des polykristallinen Siliziumwiderstands R3 re sultieren. Die Variation in der Bezugsspannung V1, die aus den Variationen in dem Vorwärtsspannungsabfall VF der Dioden und der Variation des Widerstands der Widerstände resultiert, liegt allgemein im Bereich von etwa ±0,1 V, und folglich weist der Leistungs-MOSFET eine Variation in der Gate-Steuerspannung auf, die so niedrig wie ±0,2 V ist.

Es soll festgestellt werden, dass die vorliegende Erfindung nicht auf das N-Typ-Halbleitersubstrat mit N-Kanal-Transi storen darauf begrenzt ist und auf ein P-Typ-Halbleitersub strat mit P-Kanal-Transistoren auf demselben angewendet werden kann.

Da die obigen Ausführungsformen nur für Beispiele beschrie ben sind, ist die vorliegende Erfindung nicht auf die obi gen Ausführungsformen begrenzt und verschiedene Abwandlun gen oder Änderungen können einfach von derselben durch die Fachleute in diesem Gebiet vorgenommen werden, ohne vom Um fang der vorliegenden Erfindung abzuweichen.

Claims

1. Komparator, umfassend:
ein Differentialpaar, das einen ersten und einen zwei ten Transistor (MD1, MD2) jeweils mit einem Gate zum Emp fangen von einem eines eingegebenen Eingabesignalpaars um fasst, und
einen Stromspiegel, der einen dritten und einen vier ten Transistor (ME1, ME2) umfasst, die in Reihe mit dem er sten bzw. zweiten Transistor verbunden sind, wobei ein Drain des dritten und vierten Transistors einen Ausgangsan schluss zum Ausgeben eines Ergebnisses des Vergleichs zwi schen dem Signalpaar durch den Komparator bildet, dadurch gekennzeichnet, dass
der erste und zweite Transistor (MD1, MD2) Verarmungs transistoren sind und der dritte und vierte Transistor (ME1, ME2) Anreicherungstransistoren sind.

2. Komparator nach Anspruch 1, der weiter ein Paar von Wi derständen (R4, R5) aufweist, die jeweils zwischen einem des ersten und zweiten Transistors (MD1, MD2) und einem entsprechenden des dritten und vierten Transistors (ME1, ME2) angeschlossen sind.

3. Komparator nach Anspruch 2, bei dem jeder der genannten Widerstände (R4, R4) durch einen polykristallinen Silizium film realisiert ist.

4. Steuerschaltung, umfassend:
einen Spannungsteiler (R1, R2) zum Teilen einer Ein gangsspannung zum Ausgeben einer geteilten Spannung; einen Festspannungserzeuger (R3, D1, D2) zum Erzeugen einer Fest spannung: ein Differentialpaar, das einen ersten und zwei ten Transistor (MD1, MD2) umfasst, wobei der erste Transi stor (MD1) ein Gate zum Empfangen der geteilten Spannung aufweist und der zweite Transistor (MD2) ein Gate zum Emp fangen der Festspannung aufweist, einen Stromspiegel, der einen dritten und einen vierten Transistor (ME1, ME2) um fasst, wobei der dritte Transistor (ME1) in Reihe mit dem ersten Transistor (MD1) verbunden ist und der vierte Tran sistor (ME2) in Reihe mit dem zweiten Transistor (MD2) ver bunden ist, wobei ein Drain des einen des dritten und vier ten Transistors (ME1, ME2) ein Ergebnissignal ausgibt, das ein Ergebnis des Vergleichs zwischen der Festspannung und der geteilten Spannung angibt; und einen fünften Transistor (ME3) mit einem durch das Ergebnissignal gesteuerten Gate, dadurch gekennzeichnet, dass
der erste und zweite Transistor (MD1, MD2) Verarmungs transistoren sind und der dritte und vierte Transistor (ME1, ME2) Anreicherungstransistoren sind.

5. Steuerschaltung nach Anspruch 4, bei der der MOSFET (ME3) ein dritter Anreicherungsfeldeffekttransistor ist.

6. Steuerschaltung nach Anspruch 5, bei der der fünfte Transistor (ME3) ein Gate-Potential eines Leistungs-MOSFET (PoMOSFWT) steuert.

7. Steuerschaltung nach Anspruch 4, bei der der Festspan nungserzeuger einen Widerstand (R3) und wenigstens eine Diode (D1, D2) umfasst.

8. Steuerschaltung nach Anspruch 7, bei der die Diode (D1, D2) aus polykristallinem Silizium hergestellt ist.