DE10129019A1 - Targetmarke, Verfahren zu deren Herstellung und Elektronenstrahl-Belichtungsvorrichtung - Google Patents

Abstract

Eine Targetmarke (160) weist ein Markenmuster mit mehreren Marken auf. Eine gesteuerte Breite der Marken führt zu einer hohen Genauigkeit und einem hohen Wirkungsgrad bei der Messung der Form eines Elektronenstrahls sowie der Fokussierung des Elektronenstrahls. Die Targetmarke umfaßt einen Metallmarkenbereich (202) mit einem vorbestimmten Markenmuster, welches aus einem epitaxial aufgewachsenen Metall besteht, und ein Substrat (204), welches den Metallmarkenbereich trägt.

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Tar­ getmarke, welche zum Einstellen eines Brennpunkts ei­ nes Elektronenstrahls oder zum Messen der Strahlform eines Elektronenstrahls einer Elektronenstrahl-Be­ handlungsvorrichtung wie einer Elektronenstrahl-Be­ lichtungsvorrichtung verwendet wird. Insbesondere be­ zieht sich die vorliegende Erfindung auf eine Target­ marke, welche einen Metallmarkenbereich aufweist, der epitaxial aufgewachsen ist, mit einer Mikrolinien­ breite.

Während des Belichtens eines Musters auf einer Probe oder einer Halbleiterscheibe unter Verwendung einer Elektronenstrahl-Belichtungsvorrichtung ist es erfor­ derlich, die Form einer elektrischen Stromverteilung eines Elektronenstrahls auf einer Oberfläche der Halbleiterscheibe in eine gewünschte Form einzustel­ len. Im Folgenden wird die Form einer elektrischen Stromverteilung eines Elektronenstrahls auf einer Oberfläche der Halbleiterscheibe als Elektronen­ strahlform bezeichnet. Daher ist es wichtig, vorher die Form des durch eine Elektronenlinse vor dem Be­ lichtungsvorgang gebildeten Strahls zu finden. Es ist auch wichtig, den Brennpunkt der Elektronenstrahl- Belichtungsvorrichtung so einzustellen, daß der Elek­ tronenstrahl ein Bild auf einer Probe bilden kann.

Fig. 1 zeigt einen Vorgang des Messens einer Form ei­ nes Elektronenstrahls und des Fokussierens eines Elektronenstrahls unter Verwendung einer herkömmli­ chen Targetmarke 170. Die Targetmarke 170 hat einen Metallmarkenbereich 162, der durch ein Schwermetall gebildet ist, und ein Substrat 164, das aus einem Ma­ terial wie Silizium besteht. Die Bearbeitung einer Schwermetallmembran, welche durch Sputtern im Vakuum auf das Substrat 164 aufgebracht ist, mit Hilfe der Lithographie ergibt den Metallmarkenbereich 162. Der Metallmarkenbereich 162 der herkömmlichen Targetmarke 170 ist so gebildet, daß er eine Linienbreite S0-X1 aufweist.

Als eines der Verfahren zum Messen der Elektronen­ strahlform gibt es ein Verfahren zum Erhalten einer zweidimensionalen Verteilung des Elektronenstrahls, welche einer Position der Ablenkung entspricht, in dem der Metallmarkenbereich 162 in zwei Dimensionen unter Verwendung eines Elektronenstrahls abgetastet und das Elektronensignal, welches von dem Metallmar­ kenbereich 162 reflektiert wird, aufgezeichnet wird, während das reflektierte Elektronensignal mit dem Strahlabtastsignal der Ablenkschaltung synchronisiert wird. Weiterhin wird in dem Fall der Fokussierung des Elektronenstrahls die Targetmarke 170 durch den Elek­ tronenstrahl abgetastet, und die Anzahl der Elektro­ nen, welche von der Targetmarke 170 reflektiert wer­ den, wird durch einen Elektronendetektor, der in der Elektronenstrahl-Behandlungsvorrichtung vorgesehen ist, erfaßt. Der Brennpunkt des Elektronenstrahls wird durch Messen des Grades der Fokussierung des Elektronenstrahls auf der Grundlage dieser Änderung der Anzahl der reflektierten Elektronen eingestellt.

Fig. 2 zeigt ein Beispiel für das Meßergebnis der An­ zahl der reflektierten Elektronen, deren Brennpunkt unter Verwendung der herkömmlichen Targetmarke 170 eingestellt ist. Fig. 2A zeigt ein Profil der gemes­ senen Anzahl der reflektierten Elektronen. Die Anzahl von verstreuten Elektronen zeigt angenähert einen ma­ ximalen Wert an der Peripherie der Kante (X0, X1) des Metallmarkenbereichs 162.

Fig. 2B zeigt ein Ergebnis, welches das Profil der gemessenen Anzahl von zerstreuten Elektronen nach Fig. 2A differenziert. Die Neigung der Kurve in Fig. 2A zeigt den maximalen und den minimalen Wert an der Peripherie der Kante (X0, X1) des Metallmarkenbe­ reichs 162. Die Differenz zwischen dem maximalen Wert und dem minimalen Wert der Neigung ist als P in Fig. 2B gezeigt. Wenn P zunimmt, wird dies so beurteilt, daß der Elektronenstrahl fokussiert ist. Wenn im Ge­ gensatz hierzu P abnimmt, wird dies so beurteilt, daß der Elektronenstrahl nicht fokussiert ist. Die Tar­ getmarke 170 wird mehrere Male durch den Elektronen­ strahl abgetastet und das Steuersystem der Elektro­ nenstrahl-Behandlungsvorrichtung setzt die Bedingung für das optische Elektronensystem, indem der Durch­ schnittswert der mehreren Werte für P erhalten wird.

Da der herkömmliche Metallmarkenbereich 162 durch den lithographischen Prozeß gebildet wird, ist es schwie­ rig, die Linienbreite von X0 bis X1 auf einen kleine­ ren Wert als die minimale Verarbeitungsgröße des li­ thographischen Prozesses zu verringern. Daher ist die Meßgenauigkeit der Elektronenstrahlform auf die Lini­ enbreite des Metallmarkenbereichs 162 begrenzt. Daher ist es schwierig, eine Strahlform zu messen, deren Linienbreite kleiner als die Linienbreite des Metall­ markenbereichs 162 ist. Darüber hinaus ist, da der Metallmarkenbereich 162 durch Sputtern des Metalls auf dem Substrat 164 auf dieses aufgedampft wird, die Kristallinität des Metallmarkenbereichs 162 ungeeig­ net. Hierdurch wird ein Elektronenfallenpegel in dem Metallmarkenbereich 162 so gebildet, daß der Flächen­ widerstand des Metallmarkenbereichs 162 nicht herab­ gesetzt werden kann. Es ist kein wünschenswerter Zu­ stand für die Aufstrahlung des Elektronenstrahls, wenn der Flächenwiderstands des Metallmarkenbereichs 162 groß ist.

Da die Linienbreite des Metallmarkenbereichs 162 groß ist, muß, wie anhand von Fig. 2 erläutert ist, die Targetmarke 170 mehrere Male durch den Elektronen­ strahl abgetastet werden, um den Grad der Fokussie­ rung des Elektronenstrahls zu messen. Daher besteht ein Problem hinsichtlich der Zeit, welche zum Ein­ stellen eines Brennpunkts erforderlich ist, wenn die herkömmliche Targetmarke 170 verwendet wird.

Daher ist es die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Targetmarke, ein Verfahren zum Herstellen einer Targetmarke und eine Elektronenstrahl-Belichtungsvor­ richtung, die eine Targetmarke enthält, vorzusehen, welche in der Lage sind, die obigen Nachteile des Standes der Technik zu überwinden. Die obige und an­ dere Aufgaben können durch Kombinationen, die in den unabhängigen Ansprüchen beschrieben sind, gelöst wer­ den. Die abhängigen Ansprüche definieren weitere vor­ teilhafte und beispielhafte Kombinationen der vorlie­ genden Erfindung.

Gemäß einem ersten Aspekt der vorliegenden Erfindung ist eine Targetmarke zum Einstellen eines Brennpunkts eines Elektronenstrahls und zum Messen der Form des Elektronenstrahls in einer Elektronenstrahl-Behand­ lungsvorrichtung vorgesehen. Die Targetmarke weist einen Metallmarkenbereich mit einem vorbestimmten Markenmuster auf, wobei der Metallmarkenbereich ein epitaxiales Metall und ein Substrat, welches den Me­ tallmarkenbereich stützt, aufweist.

Das Substrat kann eine Nut besitzen, welche Seiten­ wände hat; und der Metallmarkenbereich kann eine epi­ taxiale Metallmembran auf zumindest einer der Seiten­ wände der Nut aufweisen. Die Linienbreite des Metall­ markenbereichs kann im Wesentlichen 0,1 µm oder weni­ ger sein. Das Metall kann ein Schwermetall sein. Bei einem bevorzugten Ausführungsbeispiel hat das Subs­ trat mehrere Nuten und der Metallmarkenbereich hat die epitaxiale Metallmembran auf mehreren der Seiten­ wände der mehreren Nuten.

Gemäß einem zweiten Aspekt der vorliegenden Erfindung ist eine Targetmarke zum Einstellen eines Brennpunkts eines Elektronenstrahls und zum Messen einer Form des Elektronenstrahls in einer Elektronenstrahl-Behand­ lungsvorrichtung vorgesehen. Die Targetmarke weist auf: einen Markenbereich, welcher eine erste Membran hat, die aus Metall gebildet ist, und eine zweite Membran, die aus einem Material gebildet ist, das ei­ ne Anzahl von emittierten reflektierten Elektronen hat, welche kleiner ist als die des Metalls; wobei die zweite Membran auf der ersten Membran gebildet ist und sich entlang einer Oberfläche der ersten Mem­ bran in einer ersten Richtung erstreckt; und ein Sub­ strat, an welchem der Markenbereich an einer Oberflä­ che angebracht ist, die im Wesentlichen senkrecht zu der ersten Richtung ist.

Das Material der ersten Membran kann ein Schwermetall sein. Weiterhin kann das Material der zweiten Membran Silizium sein. Die erste Membran und die zweite Mem­ bran können epitaxial sein. Mehrere erste Membranen und zweite Membranen können alternativ in der ersten Richtung geschichtet sein. Der Abstand zwischen den ersten Membranen, der an den jeweiligen Enden des Markenbereichs besteht, kann innerhalb der Abtast­ breite des Elektronenstrahls sein. Jede Linienbreite der mehreren ersten Membranen kann im Wesentlichen dieselbe sein. Jede Breite der mehreren zweiten Mem­ branen kann im Wesentlichen dieselbe sein. Ein Längs­ ende der ersten Membran kann aus einer Längsendfläche der zweiten Membran hervortreten. Die zweite Membran kann einstückig mit dem Substrat sein.

Gemäß einem dritten Aspekt der vorliegenden Erfindung ist eine Elektronenstrahl-Belichtungsvorrichtung zum Belichten einer Halbleiterscheibe mit einem Elektro­ nenstrahl vorgesehen. Die Elektronenstrahl-Belich­ tungsvorrichtung weist auf: einen Elektronenkanone, welche den Elektronenstrahl erzeugt; eine Elektronen­ linse zum Einstellen eines Brennpunkts des Elektro­ nenstrahls auf einen vorbestimmten Bereich der Halb­ leiterscheibe; und einen Halbleiterscheiben-Untersatz zum Befestigen der Halbleiterscheibe; worin der Halb­ leiterscheiben-Untersatz eine Targetmarke hat, welche zum Einstellen eines Brennpunkts des Elektronen­ strahls verwendet wird, welche enthält: einen Metall­ markenbereich mit einem vorbestimmten Markenmuster, wobei der Metallmarkenbereich ein epitaxiales Metall aufweist, und ein Substrat zum Stützen des Metallmar­ kenbereichs. Die Linienbreite des Metallmarkenbe­ reichs kann im Wesentlichen 0,1 µm oder weniger sein.

Gemäß einem vierten Aspekt der vorliegenden Erfindung ist eine Elektronenstrahl-Belichtungsvorrichtung zum Belichten einer Halbleiterscheibe mit einem Elektro­ nenstrahl vorgesehen. Die Elektronenstrahl-Belich­ tungsvorrichtung weist auf: eine Elektronenkanone, die den Elektronenstrahl erzeugt; eine Elektronenlin­ se zum Einstellen eines Brennpunkts des Elektronen­ strahls auf einen vorbestimmten Bereich auf der Halb­ leiterscheibe; und einen Halbleiterscheiben-Untersatz zum Befestigen der Halbleiterscheibe; wobei der Halb­ leiterscheiben-Untersatz eine Targetmarke hat, die zum Einstellen des Brennpunkts des Elektronenstrahls verwendet wird, welches aufweist: ein vorbestimmten Markenmuster, das eine erste Membran, die durch Me­ tall gebildet ist, und eine zweite Membran, die aus einem Material besteht, bei dem die Anzahl von emit­ tierten reflektierten Elektronen kleiner ist als bei dem Metall, hat, wobei die zweite Membran auf der er­ sten Membran gebildet ist und sich entlang einer Oberfläche der ersten Membran in einer ersten Rich­ tung erstreckt, und ein Substrat, an welchem die er­ ste Membran und die zweite Membran an einer Oberflä­ che angebracht sind, die im Wesentlichen senkrecht zu der ersten Richtung ist.

Gemäß einem fünften Aspekt der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zum Herstellen einer Targetmarke, die einen Metallmarkenbereich mit einem vorbestimmten Markenmuster hat, der zum Einstellen eines Brenn­ punkts eines Elektronenstrahls und zum Messen der Form des Elektronenstrahls verwendet wird, in einer Elektronenstrahl-Behandlungsvorrichtung vorgesehen. Das Verfahren weist auf: einen Schritt zum Bilden mehrerer Nuten in einem Substrat und einen Schritt zum Bilden des Metallmarkenbereichs durch eine epita­ xiale Metallmembran auf Seitenwänden von jeder der Nuten.

Der Schritt des Bildens der mehreren Nuten kann die Bildung der mehreren Nuten in einem Substrat mit ei­ nem konstanten Abstand ergeben. Der Schritt des Bil­ dens des Metallmarkenbereichs kann Metallmembranen für jede der mehreren Seitenwände ergeben. Der Schritt des Bildens des Metallmarkenbereichs kann er­ geben, daß jede Linienbreite der Metallmembranen im Wesentlichen gleich ist. Der Abstand zwischen den Me­ tallmembranen, der an jedem Ende des Metallmarkenbe­ reichs existiert, kann innerhalb einer Abtastbreite des Elektronenstrahls gebildet sein. Die Metallmem­ bran kann aus Schwermetall gebildet sein.

Gemäß einen sechsten Aspekt der vorliegenden Erfin­ dung ist ein Verfahren zum Herstellen einer Target­ marke, die ein vorbestimmtes Markenmuster hat, das zum Einstellen eines Brennpunkts eines Elektronen­ strahls und zum Messen einer Form des Elektronen­ strahls verwendet wird, in einer Elektronenstrahl- Behandlungsvorrichtung vorgesehen. Das Verfahren um­ faßt einen Schritt des Bildens einer ersten Membran auf einer Basis in der Weise, daß sie sich entlang einer Oberfläche der Basis in einer ersten Richtung erstreckt, einen Schritt des Bildens einer zweiten Membran auf der ersten Membran, derart, daß sie sich in der ersten Richtung erstreckt, Entfernen der Basis von der ersten Membran, und einen Schritt der Anbrin­ gung der ersten Membran und der zweiten Membran an einem Substrat in der Weise, daß die erste Richtung im Wesentlichen senkrecht zu einer Oberfläche des Substrats ist.

Die erste Membran kann durch epitaxiales Aufwachsen gebildet werden; und die zweite Membran kann auf der ersten Membran durch epitaxiales Aufwachsen gebildet werden. Es kann ein Schwermetall als Material für die erste Membran verwendet werden. Bei der Bildung der zweiten Membran kann ein Material verwendet werden, bei dem die Anzahl der emittierten reflektierten Elektronen kleiner ist als bei der ersten Membran. Die zweite Membran kann aus Silizium gebildet sein. Die Bildung der ersten Membran und die Bildung der zweiten Membran können mehrere Male abwechselnd durchgeführt werden, um mehrere erste Membranen und zweite Membranen zu bilden.

Die ersten Membranen können so gebildet werden, daß ein Abstand zwischen den ersten Membranen, der an den jeweiligen Enden der Targetmarke besteht, innerhalb einer Abtastbreite des Elektronenstrahls ist. Die Li­ nienbreite der mehreren ersten Membranen kann so sein, daß sie im Wesentlichen dieselbe ist. Die Dicke der mehreren zweiten Membranen kann jeweils im We­ sentlichen dieselbe sein. Das Verfahren kann weiter­ hin aufweisen: Ätzen der zweiten Membran in der Wei­ se, daß ein Längsende der ersten Membran gegenüber einer Längsendfläche der zweiten Membran vorsteht.

Die Erfindung wird im Folgenden anhand von in den Fi­ guren dargestellten Ausführungsbeispielen näher er­ läutert. Es zeigen

Fig. 1 den Vorgang der Messung der Form eines Elek­ tronenstrahls und der Fokussierung eines Elektronenstrahls unter Verwendung einer her­ kömmlichen Targetmarke,

Fig. 2A und 2B ein Beispiel für das Meßergebnis hinsicht­ lich der Anzahl der reflektierten Elektro­ nen, deren Brennpunkt unter Verwendung der herkömmlichen Targetmarke nach Fig. 1 einge­ stellt ist,

Fig. 3 die Konfiguration einer Elektronenstrahl- Belichtungsvorrichtung gemäß einem Ausfüh­ rungsbeispiel der vorliegenden Erfindung,

Fig. 4 ein Konzept zur Messung der Form eines Elek­ tronenstrahl und zur Einstellung des Brenn­ punkts unter Verwendung der Targetmarke nach einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung,

Fig. 5A und 5B ein Beispiel für das Ergebnis hinsichtlich der gemessenen Anzahl von reflektierten Elektronen, welche von dem Metallmarkenbe­ reich emittiert werden, bei Verwendung der Targetmarke nach dem in Fig. 4 gezeigten Ausführungsbeispiel,

Fig. 6A bis 6C ein Verfahren zum Herstellen der Targetmarke nach der vorliegenden Erfindung,

Fig. 7A bis 7C ein anderes Ausführungsbeispiel für ein Ver­ fahren zum Herstellen der Targetmarke, wel­ che einen Metallmarkenbereich mit einem vor­ bestimmten Markenmuster hat,

Fig. 8 ein anderes Ausführungsbeispiel für ein Ver­ fahren zum Herstellen der Targetmarke.

Fig. 3 zeigt die Konfiguration einer Elektronen­ strahl-Belichtungsvorrichtung gemäß einem Ausfüh­ rungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Die Elek­ tronenstrahl-Belichtungsvorrichtung 100 umfaßt eine Belichtungseinheit 150, welche einen vorbestimmten Belichtungsvorgang auf einer Halbleiterscheibe 64 un­ ter Verwendung eines Elektronenstrahls durchführt, sowie ein Steuersystem 140, welches die Arbeitsweise jeder Komponente der Belichtungseinheit 150 steuert.

Die Belichtungseinheit 150 hat ein Elektronenstrahl- Bestrahlungssystem 110, ein Maskenprojektionssystem 112, ein Einstelllinsensystem 114 und ein optisches Elektronensystem, welches ein Halbleiterscheiben- Projektionssystem 116 enthält. Das Elektronenstrahl- Bestrahlungssystem 100 dient zum Bestrahlen mit einem vorbestimmten Elektronenstrahl. Das Maskenprojekti­ onssystem 112 lenkt einen Elektronenstrahl ab, wel­ cher von dem Elektronenstrahl-Bestrahlungssystem 110 emittiert wird, und stellt auch die Abbildungspositi­ on eines Elektronenstrahls an einer Peripherie einer Maske 30 ein.

Das Brennpunkteinstell-Linsensystem 114 bildet das gebündelte Bild des Elektronenstrahls an der Periphe­ rie der runden Öffnung 48 ab. Das optische Elektro­ nensystem enthält ein Halbleiterscheiben-Projektions­ system 116, das den Elektronenstrahl, welcher durch die Maske 30 hindurchgeht, auf einen bestimmten Be­ reich der Halbleiterscheibe 64, die auf dem Halblei­ terscheiben-Untersatz 62 positioniert ist, ablenkt.

Das Halbleiterscheiben-Projektionssystem 116 stellt auch die Richtung und die Größe des Bildes des Mu­ sters, welches zu der Halbleiterscheibe 64 zu über­ tragen ist, ein.

Weiterhin umfaßt die Belichtungseinheit 150 ein Un­ tersatzsystem, welches einen Maskenuntersatz 72, eine Maskenuntersatz-Antriebseinheit 68, einen Halbleiter­ scheiben-Untersatz 62 und eine Halbleiterscheiben- Untersatz-Antriebseinheit 70 enthält. Die Maske 30 ist auf dem Maskenuntersatz 72 positioniert. Die Mas­ ke 30 hat mehrere Blöcke auf welchen jedes der Mus­ ter, mit denen die Halbleiterscheibe 64 zu belichten ist, gebildet sind. Die Maskenuntersatz-Antriebsein­ heit 68 treibt den Maskenuntersatz 72 an. Die Halb­ leiterscheibe 64, auf welcher das Muster abgebildet wird, ist auf dem Halbleiterscheiben-Untersatz 62 po­ sitioniert. Die Halbleiterscheiben-Untersatz-An­ triebseinheit 70 treibt den Halbleiterscheiben- Untersatz 62 an.

Weiterhin hat die Belichtungseinheit 150 einen Elek­ tronendetektor 60, der die Elektronen erfaßt, die von der Seite des Halbleiterscheiben-Untersatzes 62 zer­ streut werden, und die erfaßten Elektronen in ein elektrisches Signal umwandelt, das der Anzahl der zerstreuten Elektronen entspricht, um das optische Elektronensystem einzustellen. Der Halbleiterschei­ ben-Untersatz 62 hat eine Targetmarke 160, die zur Einstellung des Brennpunkts, der Größe der Ablenkung und/oder der Strahlform des Elektronenstrahls verwen­ det wird.

Das Elektronenstrahl-Bestrahlungssystem 110 hat eine erste Elektronenlinse 14 und einen Schlitz 16. Die erste Elektronenlinse 14 bestimmt die Brennpunktposi­ tion des gebündelten Bildes des Elektronenstrahls, welcher von der Elektronenkanone erzeugt ist. Ein rechteckförmiger Schlitz für den Durchgang des Elek­ tronenstrahls ist auf dem Schlitz 16 gebildet. Da die Elektronenkanone 12 eine vorbestimmte Zeit benötigt, um einen stabilen Elektronenstrahl zu erzeugen, kann die Elektronenkanone 12 kontinuierlich einen Elektro­ nenstrahl während einer Belichtungsvorgangsperiode erzeugen.

Ein Schlitz ist vorzugsweise in einer Form gebildet, die der Form des Blockes angepaßt ist, der ein vorbe­ stimmtes, auf der Maske 30 gebildetes Muster enthält. In Fig. 3 wird die optische Achse des Elektronen­ strahls, wenn der von dem Elektronenstrahl- Bestrahlungssystem 110 abgegebene Elektronenstrahl nicht von dem optischen Elektronensystem abgelenkt wird, durch die projizierte Linie A ausgedrückt.

Das Maskenprojektionssystem 112 hat eine erste Ab­ lenkvorrichtung 18, eine zweite Ablenkvorrichtung 22, eine dritte Ablenkvorrichtung 26, eine zweite Elek­ tronenlinse 20 und eine erste Austastelektrode 24. Die erste Ablenkvorrichtung 18, die zweite Ablenkvor­ richtung 22 und die dritte Ablenkvorrichtung 26 ar­ beiten als ein Ablenksystem für eine Maske, welche einen Elektronenstrahl ablenkt. Die zweite Elektro­ nenlinse 20 arbeitet als ein Fokussiersystem für eine Maske, welche den Brennpunkt des Elektronenstrahls einstellt. Die erste Ablenkvorrichtung 18 und die zweite Ablenkvorrichtung 22 lenken den Elektronen­ strahl ab, um den Elektronenstrahl auf einen vorbe­ stimmten Bereich der Maske 30 zu strahlen.

Beispielsweise kann der vorbestimmte Bereich ein Block sein, welcher ein in die Halbleiterscheibe 64 einzuschreibendes Muster aufweist. Die Querschnitts­ form eines Elektronenstrahls erhält dieselbe Form wie das Muster, da der Elektronenstrahl durch das Muster hindurchgeht. Das Bild des Elektronenstrahls, welcher durch den Block hindurchgegangen ist, auf dem ein vorbestimmtes Muster gebildet ist, wird als ein Mu­ sterbild bezeichnet. Die dritte Ablenkvorrichtung 26 lenkt die Bahn des Elektronenstrahls, der durch die erste Ablenkvorrichtung 18 und die zweite Ablenkvor­ richtung 22 hindurchgegangen ist, so ab, daß sie an­ genähert parallel zu der optischen Achse A ist. Die zweite Elektronenlinse 20 hat die Funktion der Abbil­ dung des Bildes der Öffnung des Schlitzes 16 auf der Maske 30, die auf dem Maskenuntersatz 72 angeordnet ist.

Das Einstelllinsensystem 114 hat eine dritte Elektro­ nenlinse 28 und eine vierte Elektronenlinse 32. Die dritte Elektronenlinse 28 und die vierte Elektronen­ linse 32 fokussieren den Elektronenstrahl auf die Halbleiterscheibe 64. Das Halbleiterscheiben- Projektionssystem 116 hat eine fünfte Elektronenlinse 40, eine sechste Elektronenlinse 46, eine siebente Elektronenlinse 50, eine achte Elektronenlinse 52, eine neunte Elektronenlinse 66, eine vierte Ablenk­ vorrichtung 34, eine fünfte Ablenkvorrichtung 38, ei­ ne sechste Ablenkvorrichtung 42, eine Hauptablenkvor­ richtung 56, eine Subablenkvorrichtung 58, eine zwei­ te Austast-Ablenkvorrichtung 36 und eine Rundblende 48.

Das Bildmuster dreht sich aufgrund des Einflusses des eingestellten Wertes der Intensität der Linsen. Die fünfte Elektronenlinse 40 stellt die Größe der Dre­ hung des Musterbildes des Elektronenstrahls, welcher durch den vorbestimmten Block der Maske 30 hindurch­ gegangen ist, ein. Die sechste Elektronenlinse 46 und die siebente Elektronenlinse 50 stellen ein Redukti­ onsverhältnis des Bildmusters ein, welches auf die Halbleiterscheibe 40 übertragen wird, gegenüber dem auf der Maske 30 gebildeten Muster. Die achte Elek­ tronenlinse 52 und die neunte Elektronenlinse 66 wir­ ken als eine Objektlinse.

Die vierte Ablenkvorrichtung 34 und die sechste Ab­ lenkvorrichtung 42 lenken den Elektronenstrahl zu der Richtung der optischen Achse A strahlabwärts der Mas­ ke 30 in der Vorwärtsrichtung des Elektronenstrahls ab. Die fünfte Ablenkvorrichtung 38 lenkt den Elek­ tronenstrahl derart ab, daß der Elektronenstrahl an­ genähert parallel zu der optischen Achse A verläuft. Die Hauptablenkvorrichtung 56 und die Subablenkvor­ richtung 58 lenken den Elektronenstrahl in der Weise ab, daß der Elektronenstrahl einen vorbestimmten Be­ reich auf der Halbleiterscheibe 64 bestrahlt. Bei dem vorliegenden Ausführungsbeispiel wird die Haupta­ blenkvorrichtung 56 verwendet zum Ablenken des Elek­ tronenstrahls zwischen den Subfeldern, die mehrere Aufnahmebereiche enthalten, die Bereiche sind, die mit einer Aufnahme des Elektronenstrahls bestrahlt werden können. Die Subablenkvorrichtung 58 wird ver­ wendet zum Ablenken des Elektronenstrahls zwischen den Aufnahmebereichen des Subfeldes.

Die Rundblende 48 hat eine runde Öffnung. Die erste Austastelektrode 24 und die zweite Austast- Ablenkvorrichtung 36 können den Elektronenstrahl durch Synchronisieren des Elektronenstrahls mit hoher Geschwindigkeit ein-/ausschalten. Insbesondere haben die erste Austastelektrode 24 und die zweite Austast- Ablenkvorrichtung 36 eine Funktion zum Ablenken des Elektronenstrahls in der Weise, daß der Elektronen­ strahl den Außenbereich der Rundblende 48 bestrahlt. D. h. die erste Austastelektrode 24 und die zweite Austast-Ablenkvorrichtung 36 können die Größe des Elektronenstrahls, welcher die Halbleiterscheibe 64 erreicht, ohne Änderung des Musterbildes, das auf der Halbleiterscheibe 64 abgebildet wird, steuern.

Daher können die erste Austastelektrode 24 und die zweite Austast-Ablenkvorrichtung 36 verhindern, daß sich der Elektronenstrahl in seiner Vorwärtsrichtung über die Rundblende 48 hinaus fortsetzt. Da die Elek­ tronenkanone 12 immer den Elektronenstrahl während der Belichtungsvorgangsperiode abstrahlt, lenken die erste Austastelektrode 24 und die Austast- Ablenkvorrichtung 36 vorzugsweise den Elektronen­ strahl in der Weise ab, daß der Elektronenstrahl sich nicht über die Rundblende 48 hinaus fortpflanzt, wenn das auf die Halbleiterscheibe 64 zu übertragende Mu­ ster gewechselt wird oder wenn der Bereich der Halb­ leiterscheibe 64, welcher mit dem Muster zu belichten ist, geändert wird.

Das Steuersystem 140 umfaßt eine Vereinigungs- Steuervorrichtung 130 und eine individuelle Steuer­ vorrichtung 120. Die individuelle Steuervorrichtung 120 hat eine Ablenkvorrichtungs-Steuervorrichtung 82, eine Maskenuntersatz-Steuervorrichtung 84, eine Auf­ nahme-Steuervorrichtung 86, einen Elektronenlinsen- Steuervorrichtung 88, eine Verarbeitungsvorrichtung 90 für reflektierte Elektronen und eine Halbleiter­ scheiben-Untersatz-Steuervorrichtung 92. Die Vereini­ gungs-Steuervorrichtung 130 ist beispielsweise eine Arbeitsstation, die jede der Steuereinheiten, die in der individuellen Steuervorrichtung 120 enthalten sind, vereinigt und steuert. Die Ablenkvorrichtungs- Steuervorrichtung 82 steuert die erste Ablenkvorrich­ tung 18, die zweite Ablenkvorrichtung 22, die dritte Ablenkvorrichtung 26, die vierte Ablenkvorrichtung 34, die fünfte Ablenkvorrichtung 38, die sechste Ab­ lenkvorrichtung 42, die Hauptablenkvorrichtung 56 und die Subablenkvorrichtung 58. Die Maskenuntersatz- Steuervorrichtung 84 steuert die Maskenuntersatz- Antriebseinheit 68, um den Maskenuntersatz 72 zu be­ wegen.

Die Aufnahme-Steuervorrichtung 86 steuert die erste Austastelektrode 24 und die zweite Austast- Ablenkvorrichtung 36. Bei dem vorliegenden Ausfüh­ rungsbeispiel werden die erste Austastelektrode 24 und die zweite Austast-Ablenkvorrichtung 36 vorzugs­ weise so gesteuert, daß der Elektronenstrahl während des Belichtungsvorgangs auf die Halbleiterscheibe 64 gestrahlt wird, und daß der Elektronenstrahl mit Aus­ nahme des Belichtungsvorgangs nicht die Halbleiter­ scheibe 64 erreicht.

Die Elektronenlinsen-Steuervorrichtung 88 steuert den elektrischen Strom, welcher zu der ersten Elektronen­ linse 14, der zweiten Elektronenlinse 20, der dritten Elektronenlinse 28, der vierten Elektronenlinse 32, der fünften Elektronenlinse 40, der sechsten Elektro­ nenlinse 46, der siebenten Elektronenlinse 50, der achten Elektronenlinse 52 und der neunten Elektronen­ linse 66 geliefert wird. Die Verarbeitungsvorrichtung 90 für reflektierte Elektronen erfaßt die digitalen Daten, welche die Elektronenmenge anzeigen, auf der Grundlage des von dem Elektronendetektor 60 erzeugten elektrischen Signals. Die Halbleiterscheiben- Untersatz-Steuervorrichtung 92 bewegt den Halbleiter­ scheiben-Untersatz 62 in eine vorbestimmte Position unter Verwendung der Halbleiterscheiben-Untersatz- Antriebseinheit 70.

Die Arbeitsweise der Elektronenstrahl- Belichtungsvorrichtung 100 gemäß dem vorliegenden Ausführungsbeispiel wird nun erläutert. Die Elektro­ nenstrahl-Belichtungsvorrichtung 100 führt einen Ein­ stellvorgang durch, welcher die Konfiguration wie das optische Elektronensystem einstellt, bevor der Be­ lichtungsvorgang durchgeführt wird.

Nachfolge wird zuerst der Einstellvorgang des opti­ schen Elektronensystems vor dem Belichtungsvorgang erläutert. Der Halbleiterscheiben-Untersatz 62 hat eine Targetmarke 160, welche zur Einstellung des Brennpunkts und des Grads der Ablenkung des Elektro­ nenstrahls und/oder zur Messung der Größe des Elek­ tronenstrahls verwendet wird. Die Targetmarke 160 ist vorzugsweise auf dem Halbleiterscheiben-Untersatz 62 mit Ausnahme des Bereichs, in welchem sich die Halb­ leiterscheibe befindet, vorgesehen.

Um den Elektronenstrahl zu fokussieren, bewegt die Halbleiterscheiben-Untersatz-Steuervorrichtung 92 die Targetmarke 160, welche auf dem Halbleiterscheiben- Untersatz 62 für eine Brennpunkteinstellung vorgese­ hen ist, zu der Peripherie der optischen Achse A, wo­ bei die Halbleiterscheiben-Untersatz-Antriebseinheit 70 verwendet wird. Bei dem vorliegenden Ausführungs­ beispiel weist die Targetmarke 160 einen Metallmar­ kenbereich auf, welcher ein winziges Markenmuster hat, das durch epitaxiales Aufwachsen des Metalls hergestellt wurde. Als Nächstes wird die Brennpunkt­ position von jeder der Linsen auf die vorbestimmte Position eingestellt. Dann tastet der Elektronen­ strahl den Metallmarkenbereich der Targetmarke 160 ab. Zur selben Zeit gibt der Elektronendetektor 60 das elektrische Signal entsprechend den reflektierten Elektronen ab, die durch Bestrahlen der Targetmarke 160 mit dem Elektronenstrahl erzeugt wurden.

Die Verarbeitungsvorrichtung 90 für die reflektierten Elektronen erfaßt die Menge der reflektierten Elek­ tronen und teilt die Menge der erfaßten Elektronen der Vereinigungs-Steuervorrichtung 130 mit. Die Ver­ einigungs-Steuervorrichtung 130 beurteilt auf der Grundlage der erfaßten Elektronenmenge, ob das Lin­ sensystem fokussiert ist oder nicht. Die Vereini­ gungs-Steuervorrichtung 130 steuert den elektrischen Strom, welcher zu jeder der Elektronenlinsen gelie­ fert wird, um den Differentialwert der erfaßten Wel­ lenform der reflektierten Elektronen zu maximieren.

Weiterhin bewegt die Halbleiterscheiben-Untersatz- Steuervorrichtung 92 die Targetmarke 160, welche auf dem Halbleiterscheiben-Untersatz 62 vorgesehen ist, um die Strahlform zu messen, zu der Peripherie der optischen Achse A unter Verwendung der Halbleiter­ scheiben-Untersatz-Antriebseinheit 70. Bei dem vor­ liegenden Ausführungsbeispiel kann die Targetmarke 160, die zur Messung der Strahlform verwendet wird, dieselbe sein wie die Targetmarke 160, welche zur Brennpunkteinstellung verwendet wird. Der Pegel der oberen Oberfläche des Metallmarkenbereichs ist vor­ zugsweise gleich dem Pegel der Oberfläche der Halb­ leiterscheibe 64. Wenn der Metallmarkenbereich durch den Elektronenstrahl in zwei Dimensionen abgetastet wird, wird der Elektronenstrahl, der zu der Vertei­ lung des Strahl proportional ist, von dem Metallmar­ kenbereich reflektiert. Durch Aufzeichnen des Signals über die reflektierten Elektronen, während dieses Si­ gnal mit dem Strahlabtastsignal der Ablenkschaltung synchronisiert wird, wird eine zweidimensionale Ver­ teilung des Strahls entsprechend der Ablenkposition erhalten, und daher die Strahlform gemessen werden.

Wenn beispielsweise das Koordinatensystem der Elek­ tronenstrahl-Belichtungsvorrichtung 100 unter Verwen­ dung eines Laser-Interferometers als Bezugsgegen­ stand konfiguriert wird, um den Belichtungsvorgang mit hoher Genauigkeit durchzuführen, ist es erforder­ lich, das Ablenkungs-Koordinatensystem des Elektro­ nenstrahls und das orthogonale Koordinatensystem, welches sich auf das Laser-Interferometer bezieht, genau zu korrigieren. Daher bewegt, nachdem der Elek­ tronenstrahl fokussiert ist, die Halbleiterscheiben- Untersatz-Steuervorrichtung 92 die Targetmarke 160, welche auf dem Halbleiterscheiben-Untersatz 52 vorge­ sehen ist und auf welcher die vorbestimmte Markierung gebildet ist für die Korrektur der Größe der Ablen­ kung, zu der Peripherie der optischen Achse A unter Verwendung der Halbleiterscheiben-Untersatz- Antriebseinheit 70, um die Größe der Ablenkung zu korrigieren.

Die Ablenkvorrichtung lenkt den Elektronenstrahl ab, um die Markierung der Targetmarke 160 mehrere Male durch den Elektronenstrahl abzutasten, welche zum Einstellen der Größe der Ablenkung verwendet wird. Der Elektronendetektor 60 erfaßt die Änderung der re­ flektierten Elektronen, welche von der Targetmarke 160 emittiert werden, und teilt die Änderung der Ver­ einigungs-Steuervorrichtung 130 mit. Die Vereini­ gungs-Steuervorrichtung 130 kann auf der Grundlage der erfaßten Wellenform der reflektierten Elektronen die Kante der Marke bestimmen und die mittlere Posi­ tion der Markenkoordinate finden. Durch Erfassen der Markierung in der vorbeschriebenen Weise können das Ablenkungs-Koordinatensystem und das orthogonale Ko­ ordinatensystem korrigiert werden. Auch kann die Ab­ lenkvorrichtung den Elektronenstrahl genau auf den vorbestimmten Bereich der Halbleiterscheibe strahlen.

Als Nächstes wird die Arbeitsweise von jeder der Kom­ ponenten der Elektronenstrahl-Belichtungsvorrichtung 100 während der Durchführung des Belichtungsvorgangs erläutert. Die Maske 30, welche mehrere Blöcke auf­ weist, auf denen ein vorbestimmtes Muster gebildet ist, ist auf dem Maskenuntersatz 72 vorgesehen, und die Maske 30 ist in der vorbestimmten Position fi­ xiert. Weiterhin ist die Halbleiterscheibe 64, auf welcher der Belichtungsvorgang durchgeführt wird, auf dem Halbleiterscheiben-Untersatz 62 vorgesehen.

Die Halbleiterscheiben-Untersatz-Steuervorrichtung 92 bewegt den Halbleiterscheiben-Untersatz 62 mittels der Halbleiterscheiben-Untersatz-Antriebseinheit 70, um den Bereich der Halbleiterscheibe 64, welcher be­ lichtet werden soll, an der Peripherie der optischen Achse A anzuordnen. Da die Elektronenkanone 12 wäh­ rend der Belichtungsvorgangsperiode immer den Elek­ tronenstrahl abstrahlt, steuert die Aufnahme- Steuervorrichtung 86 die erste Austastelektrode 24 und die zweite Austast-Ablenkvorrichtung 36 in der Weise, daß der Elektronenstrahl, welcher durch die Öffnung des Schlitzes 16 hindurchgegangen ist, vor dem Beginn des Belichtungsvorgangs die Halbleiter­ scheibe 64 nicht bestrahlt. In dem Maskenprojektions­ system 112 werden die zweite Elektronenlinse 20 und die Ablenkvorrichtung 18, 22 und 26 so eingestellt, daß der Elektronenstrahl auf den Block gestrahlt wer­ den kann, auf welchem das zu der Halbleiterscheibe 64 zu übertragende Muster gebildet ist. In dem Einstell­ linsensystem 114 sind die Elektronenlinsen 28, und 32 so eingestellt, daß die Bündelungsposition des Elek­ tronenstrahls auf die Rundblende 48 fokussiert ist.

Darüber hinaus sind in dem Halbleiterscheiben- Projektionssystem 116 die Elektronenlinsen 40, 46, 50, 52 und 66 sowie die Ablenkvorrichtungen 34, 38, 42, 56 und 58 so eingestellt, daß das Musterbild zu dem vorbestimmten Bereich der Halbleiterscheibe 64 übertragen werden kann.

Nach der Einstellung des Maskenprojektionssystems 112, des Einstelllinsensystems 114 und des Halblei­ terscheiben-Projektionssystems 116 hält die Aufnahme- Steuervorrichtung 86 die Ablenkung des Elektronen­ strahls durch die erste Austastelektrode 24 und die zweite Austast-Ablenkvorrichtung 36 an. Hierdurch wird der Elektronenstrahl durch die Maske 30 auf die Halbleiterscheibe 64 gestrahlt. Die Elektronenkanone 12 erzeugt einen Elektronenstrahl und die erste Elek­ tronenlinse 14 stellt die Brennpunktposition des Elektronenstrahls ein, um den Elektronenstrahl durch den Schlitz 16 zu strahlen. Dann lenken die erste Ab­ lenkvorrichtung 18 und die zweite Ablenkvorrichtung 22 den Elektronenstrahl ab, welcher durch die Öffnung des Schlitzes 16 hindurchgegangen ist, um den Elek­ tronenstrahl auf den vorbestimmten Bereich der Maske 30, in welchem das zu übertragende Muster gebildet ist, zu strahlen.

Der Elektronenstrahl, welcher durch die Öffnung des Schlitzes 16 hindurchgegangen ist, hat einen rechtec­ kigen Querschnitt. Der Elektronenstrahl, welcher durch die Ablenkvorrichtung 18 und die zweite Ablenk­ vorrichtung 22 abgelenkt wurde, wird durch die dritte Ablenkvorrichtung 26 so abgelenkt, daß er angenähert parallel zu der optischen Achse A verläuft. Darüber hinaus wird der Elektronenstrahl so eingestellt, daß das Bild der Öffnung des Schlitzes 16 durch die zwei­ te Elektronenlinse 20 in dem vorbestimmten Bereich auf der Maske 30 abgebildet wird.

Dann wird der Elektronenstrahl, welcher durch das auf der Maske 30 gebildete Muster hindurchgegangen ist, zu der Richtung nahe der optischen Achse A durch die vierte Ablenkvorrichtung 34 und die sechste Ablenk­ vorrichtung 42 abgelenkt, und der Elektronenstrahl wird durch die fünfte Ablenkvorrichtung 38 so abge­ lenkt, daß er angenähert parallel zu optischen Achse A verläuft. Darüber hinaus wird der Elektronenstrahl so eingestellt, daß das Bild des auf der Maske 30 ge­ bildeten Musters durch die dritte Elektronenlinse 28 und die vierte Elektronenlinse 32 auf die Oberfläche der Halbleiterscheibe 64 fokussiert wird. Die Größe der Drehung des Musterbildes wird durch die fünfte Elektronenlinse 40 eingestellt, und das Verhältnis der Verkleinerung des Musterbildes wird durch die sechste Elektronenlinse 46 und die siebente Elektro­ nenlinse 50 eingestellt.

Dann wird der Elektronenstrahl durch die Hauptablenk­ vorrichtung 56 und die Subablenkvorrichtung 58 so ab­ gelenkt, daß er auf den vorbestimmten Aufnahmebereich auf der Halbleiterscheibe 64 gestrahlt wird. Bei dem vorliegenden Ausführungsbeispiel lenkt die Haupta­ blenkvorrichtung 56 den Elektronenstrahl zwischen den Subfeldern ab, welche mehrere Aufnahmebereiche ent­ halten. Die Subablenkvorrichtung 58 lenkt den Elek­ tronenstrahl zwischen den Aufnahmebereichen in dem Subfeld ab. Der zu dem vorbestimmten Aufnahmebereiche abgelenkte Elektronenstrahl wird durch die achte Elektronenlinse 52 und die neunte Elektronenlinse 66 eingestellt und auf die Halbleiterscheibe 64 ge­ strahlt. Hierdurch wird das auf der Maske 30 gebilde­ te Musterbild auf den vorbestimmten Aufnahmebereich auf der Halbleiterscheibe 64 übertragen.

Nachdem die vorbestimmte Belichtungsperiode verstri­ chen ist, steuert die Aufnahme-Steuervorrichtung 86 die erste Austastelektrode 24 und die zweite Austast- Ablenkvorrichtung 36 so, daß der Elektronenstrahl in der Weise abgelenkt wird, daß er die Halbleiterschei­ be 64 nicht mehr bestrahlt. Der vorbeschriebene Pro­ zeß lichtet das Muster, welches auf der Maske 30 ge­ bildet ist, in dem vorbestimmten Aufnahmebereich auf der Halbleiterscheibe 64 ab.

Um den nächsten Aufnahmebereich mit dem auf der Maske 30 gebildeten Muster zu belichten, werden in dem Mas­ kenprojektionssystem 112 die zweite Elektronenlinse 20 und die Ablenkvorrichtungen 18, 22, und 26 so ein­ gestellt, daß der Elektronenstrahl auf den Block ge­ strahlt werden kann, auf welchem das zu der Halblei­ terscheibe 64 zu übertragende Muster gebildet ist. In dem Einstelllinsensystem 114 werden die Elektronen­ linsen 28 und 32 so eingestellt, daß die Bündelungs­ position des Elektronenstrahls auf die Rundblende 48 fokussiert ist. Darüber hinaus werden in dem Halblei­ terscheiben-Projektionssystem 116 die Elektronenlin­ sen 40, 46, 50, 52 und 66 und die Ablenkvorrichtung 34, 38, 42, 56 und 58 so eingestellt, daß das Muster­ bild zu dem vorbestimmten Bereich der Halbleiter­ scheibe 64 übertragen werden kann.

Insbesondere stellt die Subablenkvorrichtung 58 das elektrische Feld so ein, daß das von dem Maskenpro­ jektionssystem 112 erzeugte Musterbild auf dem näch­ sten Aufnahmebereich abgelichtet wird. Dann wird das Muster wie vorstehend gezeigt in dem Aufnahmebereich abgelichtet. Nach der Ablichtung des Musters in dem gesamten Aufnahmebereich, dessen Belichtung erforder­ lich ist, innerhalb des Subfeldes, stellt die Haupta­ blenkvorrichtung 56 das magnetische Feld so ein, daß das Muster in dem nächsten Subfeld abgelichtet werden kann. Die Elektronenstrahl-Belichtungsvorrichtung 100 kann das gewünschte Schaltungsmuster auf der Halblei­ terscheibe 64 ablichten durch wiederholtes Durchfüh­ ren des vorbeschriebenen Belichtungsvorgangs.

Fig. 4 zeigt ein Konzept zum Messen der Form eines Elektronenstrahls und zum Einstellen des Brennpunkts unter Verwendung der Targetmarke 160 gemäß einem Aus­ führungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Die Tar­ getmarke 160 nach dem vorliegenden Ausführungsbei­ spiel wird vorzugsweise verwendet zum Messen der Form des Elektronenstrahls und zum Einstellen des Brenn­ punkts des Elektronenstrahls in einer Elektronen­ strahl-Behandlungsvorrichtung wie der Elektronen­ strahl-Belichtungsvorrichtung 100. Die Targetmarke 160 weist einen Metallmarkenbereich 202 und ein Sub­ strat 204 auf. Der Metallmarkenbereich 202 hat ein vorbestimmtes Markenmuster enthaltend mehrere Linien­ marken 250, die durch epitaxiales Aufwachsen eines Metalls gebildet sind. Das Substrat 204 stützt den Metallmarkenbereich 202. Insbesondere wird für den Fall der Verwendung der Targetmarke 160 zum Messen der Form des Elektronenstrahls und zum Einstellen des Brennpunkts des Elektronenstrahls der Metallmarkenbe­ reich 202 vorzugsweise unter Verwendung eines Schwer­ metalls wie Wolfram (W) gebildet, das eine große Men­ ge von reflektierten Elektronen des Elektronenstrahls emittiert.

Da der Metallmarkenbereich 202 gemäß dem vorliegenden Ausführungsbeispiel durch epitaxiales Aufwachsen des Metalls gebildet wird, kann die Linienbreite X (siehe Fig. 4) der Linienmarken 250 des Metallmarkenbereichs 202 schmaler ausgebildet sein als die Linienbreite X des Metallmarkenbereichs 162 bei dem herkömmlichen Targetmarkenmaterial 170. Weiterhin die Linienbreite X der Linienmarken 250 des Metallmarkenbereichs 202 durch Verwendung der epitaxialen Aufwachstechnologie in der Größenordnung der Atomschicht gesteuert wer­ den. Die Linienbreite X der Linienmarken 250 des Me­ tallmarkenbereichs 202 wird vorzugsweise so gebildet, daß sie etwa 0,15 µm oder weniger beträgt. Noch be­ vorzugter wird die Linienbreite X der Linienmarken 250 des Metallmarkenbereichs 205 so gebildet, daß sie etwa 0,1 µm oder weniger beträgt. Noch mehr bevorzugt ist, daß die Linienbreite X der Linienmarken 250 des Metallmarkenbereichs 202 so gebildet ist, daß sie et­ wa 0,01 µm oder weniger beträgt. Die Form des Elek­ tronenstrahls kann genau gemessen werden durch Bil­ dung der Linienbreite der Linienmarken 205 des Me­ tallmarkenbereichs 202 in der Weise, daß sie kleiner als die Form des Elektronenstrahls ist.

Gemäß dem vorliegenden Ausführungsbeispiel können die Linienmarken 250 des Metallmarkenbereichs 202 auf dem Substrat 204 innerhalb der Abtastbreite des Elektro­ nenstrahls vorgesehen sein. Weiterhin hat, da der Me­ tallmarkenbereich 202 eine Kristallinität besitzt, der Metallmarkenbereich 202 einen geringeren Wider­ stand als der Widerstand des herkömmlichen Metallmar­ kenbereichs 162. Daher ist es schwierig, daß der Me­ tallmarkenbereich 202 geladen wird im Vergleich zu dem Metallmarkenbereich 162, selbst wenn der Elektro­ nenstrahl den Metallmarkenbereich 202 bestrahlt.

Die Fig. 5A und B zeigen ein Beispiel für das Meßer­ gebnis der Menge von reflektierten Elektronen, welche von dem Metallmarkenbereich 202 bei Verwendung der Targetmarke 160 nach dem vorliegenden Ausführungsbei­ spiel gemäß Fig. 4 emittiert wurden. Fig. 5A zeigt das Profil der gemessenen Menge von emittierten Elek­ tronen. An der Peripherie der Mitte jeder Linienmarke 250 (Y0-Y9) des Metallmarkenbereichs 202 wird die Menge der emittierten Elektronen angenähert dem maxi­ malen Wert. Fig. 5B zeigt das Ergebnis, welches das Profil der gemessenen Menge der emittierten Elektro­ nen nach Fig. 5A differenziert. An der Peripherie der Kante (Y0-Y9) der Linienmarken 250 des Metallmarken­ bereichs 202 wird die Neigung der Kurve nach Fig. 5A gleich dem maximalen Wert oder dem minimalen Wert. Die Differenz zwischen dem maximalen Wert und dem mi­ nimalen Wert der Neigung ist in Fig. 5B als P(n) ge­ zeigt. Wie in Fig. 5B gezeigt ist, können fünf Diffe­ renzwerte von P(1) bis P(5) erhalten werden bei Ver­ wendung der Targetmarke 160 nach dem vorliegenden Ausführungsbeispiel.

Wie in Fig. 2 gezeigt ist, wird im Fall der Einstel­ lung des Brennpunkts bei Verwendung der herkömmlichen Targetmarke 170 nur ein Differenzwert P durch die einmalige Strahlabtastung erhalten. Daher wird her­ kömmlicherweise der Brennpunkt eingestellt, indem das Targetmarkenmaterial mehrere Male durch den Elektro­ nenstrahl abgetastet und der Durchschnittswert der erhaltenen Differenzwerte P berechnet werden. Wenn jedoch der Brennpunkt unter Verwendung der Targetmar­ ke 160 nach dem vorliegenden Ausführungsbeispiel ein­ gestellt wird, können mehrere Differenzwerte P(1) bis P(5) durch einmalige Strahlabtastung erhalten werden. Somit kann der Brennpunkt eingestellt werden durch Berechnung des Durchschnittswertes der Differenzwerte P(1) bis P(5), und daher kann die für die Brenn­ punkteinstellung benötigte Zeit für die Strahlabtas­ tung verkürzt werden. Als eine Folge kann die für die Brennpunkteinstellung benötigte Zeit verkürzt werden.

Fig. 6 zeigt ein Verfahren zum Herstellen der Target­ marke 160 nach dem vorliegenden Ausführungsbeispiel. Die Targetmarke 160 hat einen Metallmarkenbereich 202, der ein vorbestimmtes Markenmuster besitzt. Die Targetmarke 160 ist in der Elektronenstrahl- Behandlungsvorrichtung wie der Elektronenstrahl- Belichtungsvorrichtung 100 vorgesehen. Das vorbe­ stimmte Markenmuster des Metallmarkenbereichs 202 wird zum Einstellen des Brennpunkts des Elektronen­ strahls und zum Messen der Form des Elektronenstrahls verwendet.

Zuerst wird, wie in Fig. 6A gezeigt ist, das Substrat 204 hergestellt. Das Substrat 204 kann beispielsweise aus Silizium (Si) bestehen. Dann wird ein Fotolack auf das Substrat 204 aufgebracht. Der vorbestimmte Bereich des Substrats 204 wird belichtet, entwickelt und geätzt auf der Grundlage des vorbestimmten Mar­ kenmusters des Metallmarkenbereichs 202. Als Folge werden, wie in Fig. 6B gezeigt ist, mehrere Nuten 210 in dem Substrat 204 gebildet. Die Nuten 210 sind vor­ zugsweise mit einem konstanten Abstand in dem Sub­ strat 204 gebildet.

Dann wird, wie in Fig. 6C gezeigt ist, ein Metall epitaxial auf beiden Seitenwänden der Nuten 210 auf­ gewachsen, und die Metallmarkenbereiche 202 können auf diese Weise gebildet werden. Das Metall ist vor­ zugsweise ein Schwermetall, das eine große Menge der reflektierten Elektronen des Elektronenstrahls emit­ tiert, wie Wolfram, und auch bevorzugt ein Metall, das in dem ausgewählten Bereich des Substrats 204 aufgewachsen werden kann. Beispielsweise ist es be­ vorzugt, die Metallmembran nur in dem ausgewählten Bereich der Nut 210 wie der Seitenwand der Nut 210 aufzuwachsen, indem der Bodenteil der Nut 210 durch ein Material wie SiO₂ bedeckt wird, auf dem das Me­ tall nicht aufwächst.

Da bei dem vorliegenden Ausführungsbeispiel der Me­ tallmarkenbereich 202 durch epitaxiales Aufwachsen des Metalls gebildet wird, kann die Linienbreite X (siehe Fig. 6C) des Metallmarkenbereichs 202 so ge­ steuert werden, daß die gewünschte Dicke hat. Wenn die Targetmarke 160 zum Einstellen des Brennpunkts des Elektronenstrahls verwendet wird, sind die Lini­ enmarken 250 des Metallmarkenbereichs 202 vorzugswei­ se derart ausgebildet, daß jede der Linienmarken 250 dieselbe Linienbreite X von den entsprechenden Sei­ tenwänden hat und auch jede der Linienmarken 250 in einem konstanten Abstand Y angeordnet ist (siehe Fig. 6C).

Bei diesem Beispiel wird der Metallmarkenbereich 202 nur auf einer der Seitenwände der Nut 210 gebildet, jedoch kann der Metallmarkenbereich 202 auf beiden Seiten der Seitenwände der Nut 210 als ein anderes Beispiel gebildet werden. Auch wird bei diesem ande­ ren Beispiel die Linienmarke des Metallmarkenbereichs 202 vorzugsweise derart gebildet, daß jede der Lini­ enmarken 250 dieselbe Breite von den entsprechenden Seitenwänden hat und auch jede der Linienmarken 250 in einem konstanten Abstand angeordnet ist.

Fig. 7 zeigt ein anderes Ausführungsbeispiel eines Verfahrens zum Herstellen der Targetmarke 160, die einen Metallmarkenbereich enthaltend ein vorbestimm­ tes Markenmuster aufweist. Die Targetmarke 160 ist in der Elektronenstrahl-Behandlungsvorrichtung vorgese­ hen. Das vorbestimmte Markenmuster des Metallmarken­ bereichs wird verwendet zum Einstellen des Brenn­ punkts des Elektronenstrahls und zum Messen der Form des Elektronenstrahls.

Zuerst wird, wie in Fig. 7A gezeigt ist, die Basis 240, die beispielsweise aus Silizium besteht, herge­ stellt. Dann wird, wie in Fig. 7B gezeigt ist, eine erste Membran 212 unter Verwendung eines ersten Mate­ rials auf der Basis 240 so gebildet, daß sie sich entlang der Oberfläche der Basis 204 in einer ersten Richtung L erstreckt. Hier ist das erste Material vorzugsweise ein Metall, das eine große Menge von re­ flektierten Elektronen eines Elektronenstrahls emit­ tiert. Das erste Material ist weiterhin vorzugsweise ein Schwermetall wie Wolfram.

Als Nächstes wird eine zweite Membran 214 mittels ei­ nes zweiten Materials auf der ersten Membran 212 in der ersten Richtung L gebildet. Das zweite Material ist vorzugsweise ein Material, das eine kleinere Men­ ge von reflektierten Elektronen des Elektronenstrahls als das erste Material emittiert. Beispielsweise kann das zweite Material das gleiche sein wie das der Ba­ sis 240, beispielsweise Silizium.

Ein membrangewachsenes Substrat 220 wird erzeugt durch mehrmaliges abwechselndes Schichten der ersten Membran 212 und der zweiten Membran 214 in der ersten Richtung L. Bei dem vorliegenden Ausführungsbeispiel sind die erste Membran 212 und die zweite Membran 214 fünfmal abwechselnd in der ersten Richtung L ge­ schichtet. Die Anzahl der Male der Schichtung wird vorzugsweise derart bestimmt, daß der Abstand zwi­ schen der untersten Schichten der ersten Membran 212 und der höchsten Schicht der ersten Membran 212 in­ nerhalb der Abtastbreite des Elektronenstrahls der Elektronenstrahl-Belichtungsvorrichtung 100 ist.

Weiterhin haben alle der ersten Membranen 212 vor­ zugsweise dieselbe Dicke. In gleicher Weise haben al­ le der zweiten Membranen 214 vorzugsweise dieselbe Dicke. Die mehreren ersten Membranen 212 können mit einem konstanten Abstand gebildet werden, indem eine Steuerung in der Weise durchgeführt wird, daß die Dicke jeder der ersten Membranen 212 dieselbe ist und auch die Dicke jeder der zweiten Membranen 214 die­ selbe ist.

Bei einem anderen Ausführungsbeispiel kann jede der ersten Membranen 212 so gebildet werden, daß sie ei­ nen unterschiedlichen Abstand haben. Weiterhin sind die Dicken der ersten Membran 212 und der zweiten Membran 214 vorzugsweise so gebildet, daß sie so ge­ ring wie möglich sind, so daß soviel Linienmarken 250 wie möglich innerhalb der Abtastbreite des Elektro­ nenstrahls existieren, wenn die Targetmarke 160 in der Elektronenstrahl-Belichtungsvorrichtung 100 in­ stalliert wird.

Als Nächstes wird der Metallmarkenbereich 202 gebil­ det durch Spalten oder Schneiden des membrangewachse­ nen Substrats 220 entlang der Linie A-A' in Fig. 7C. Bei dem vorliegenden Ausführungsbeispiel wird die Endfläche mehrerer der ersten Membranen 212, welche in der Spaltfläche 260 (siehe Fig. 7D) des membrange­ wachsenen Substrats 220 freigelegt sind, als ein Me­ tallmarkenbereich 202 mit einem vorbestimmten Marken­ muster verwendet.

Dann wird die Basis 240 von dem membrangewachsenen Substrat 220 entfernt. Als Nächstes wird das membran­ gewachsene Substrat 220, von welchem die Basis 240 entfernt wurde, an dem Substrat 230 in der Weise an­ gebracht, daß die erste Richtung L im Wesentlichen senkrecht zu einer Oberfläche des Substrats 230 ver­ läuft, wie in Fig. 7E gezeigt ist. Dann wird die Tar­ getmarke 160 m gebildet. Das Substrat 230 kann aus demselben Material wie die Basis 240 bestehen, bei­ spielsweise Silizium.

Weiterhin ist es, wie in Fig. 8 gezeigt ist, bevor­ zugt, Enden der zweiten Membranen 214 so zu ätzen, daß die oberen oder Längsenden der Metallmarkenberei­ che 202 gegenüber den oberen oder Längsendflächen der zweiten Membranen 214 vorstehen.

In den Fig. 7A-7E und in Fig. 8 ist ein Beispiel gezeigt für die Anwendung des epitaxialen Aufwachsens zum Bilden der ersten Membran 212 und der zweiten Membran 214. Jedoch ist das Verfahren zum Bilden der ersten Membran 212 und der zweiten Membran 214 nicht auf das epitaxiale Aufwachsen begrenzt. Jedes andere Verfahren, welches dieselben vorteilhaften Ergebnisse wie hier beschrieben ergibt, kann zur Bildung der er­ sten Membran 212 und der zweiten Membran 214 verwen­ det werden, wie in den Fig. 7A-7E gezeigt ist.

Weiterhin kann eine Metallisierung verwendet werden zur Herstellung der Targetmarke 160, die einen Me­ tallmarkenbereich mit einem vorbestimmten Markenmu­ ster aufweist. Beispielsweise wird ein aus Silizium gebildetes Substrat hergestellt. Als Nächstes werden mehrere durch das Substrat hindurchgehende Löcher in konstantem Abstand gebildet. Dann wird eine Elektro­ denplatte auf der Unterseite des Substrats vorgese­ hen, und eine Spannung wird an die Elektrodenplatte angelegt. Dann wird jedes der Löcher des Substrats von unten nach oben metallisierte, um den Metallmar­ kenbereich zu bilden. Gemäß einem weiteren Ausfüh­ rungsbeispiel kann ein leitendes Substrat anstelle der Elektrodenplatte auf der Unterseite des Substrats vorgesehen werden.

Wie vorstehend gezeigt ist, wird die Targetmarke 160 gemäß dem vorliegenden Ausführungsbeispiel in Bezie­ hung auf die Elektronenstrahl-Belichtungsvorrichtung 100 erläutert. Gemäß einem anderen Ausführungsbei­ spiel kann die Targetmarke 160 für eine Elektronen­ strahl-Behandlungsvorrichtung wie ein Elektronenmi­ kroskop, eine Elektronenstrahl-Prüfvorrichtung und eine Elektronenstrahl-Längenmeßvorrichtung verwendet werden. Wie aus der obigen Erläuterung ersichtlich ist, kann die vorliegende Erfindung eine Targetmarke mit einer winzigen oder kleinen Linienbreite X vorse­ hen.

Claims (34)

1. Targetmarke zum Einstellen eines Brennpunkts ei­ nes Elektronenstrahls sowie zum Messen der Form des Elektronenstrahls in einer Elektronenstrahl- Behandlungsvorrichtung (100), dadurch gekennzeichnet, daß die Targetmarke (160) einen Metallmarkenbe­ reich (202) mit einem vorbestimmten Markenmu­ ster, der aus einem epitaxialen Metall besteht, und ein den Metallmarkenbereich (202) tragendes Substrat (204) aufweist.

2. Targetmarke nach Anspruch 1, dadurch gekenn­ zeichnet, daß das Substrat (204) eine Nut (210) mit Seitenwänden aufweist und der Metallmarken­ bereich (202) eine epitaxiale Metallmembran (250) auf wenigstens einer der Seitenwände der Nut (210) besitzt.

3. Targetmarke nach Anspruch 1 oder 2, dadurch ge­ kennzeichnet, daß die Linienbreite des Metall­ markenbereichs (202) im Wesentlichen 0,1 µm oder weniger beträgt.

4. Targetmarke nach Anspruch 1, dadurch gekenn­ zeichnet, daß das Metall ein Schwermetall ist.

5. Targetmarke nach Anspruch 2, dadurch gekenn­ zeichnet, daß das Substrat (204) mehrere Nuten (210) aufweist und daß der Metallmarkenbereich (202) die epitaxiale Metallmembran (250) auf mehreren der Seitenwände der mehreren Nuten (210) besitzt.

6. Targetmarke zum Einstellen eines Brennpunkts ei­ nes Elektronenstrahls und zum Messen der Form des Elektronenstrahls in einer Elektronenstrahl- Behandlungsvorrichtung (100), dadurch gekennzeichnet, daß die Targetmarke (160) aufweist: einen Markenbereich (202), der eine erste Membran (212) aus Metall und eine zweite Membran (214) aus einem Material mit ei­ ner Emissionsgröße für reflektierte Elektronen, welche kleiner als die des Metalls ist, hat, wo­ bei die zweite Membran (214) auf der ersten Mem­ bran (212) gebildet ist und sich entlang einer Oberfläche der ersten Membran (212) in einer er­ sten Richtung erstreckt, und wobei ein Substrat (230), an welchem der Markenbereich (202) an ei­ ner Oberfläche, die im Wesentlichen senkrecht zu der ersten Richtung verläuft, angebracht ist.

7. Targetmarke nach Anspruch 6, dadurch gekenn­ zeichnet, daß das Material der ersten Membran (212) ein Schwermetall ist.

8. Targetmarke nach Anspruch 6, dadurch gekenn­ zeichnet, daß das Material der zweiten Membran (214) Silizium ist.

9. Targetmarke nach Anspruch 6, dadurch gekenn­ zeichnet, daß sowohl die erste Membran (212) als auch die zweite Membran (214) epitaxial sind.

10. Targetmarke nach Anspruch 6, dadurch gekenn­ zeichnet, daß mehrere der ersten Membrane (212) und der zweiten Membrane (214) abwechselnd in der ersten Richtung geschichtet sind.

11. Targetmarke nach Anspruch 10, dadurch gekenn­ zeichnet, daß der Abstand zwischen den ersten Membranen (212), der an den jeweiligen Enden des Markenbereichs (202) besteht, innerhalb der Ab­ tastbreite des Elektronenstrahls liegt.

12. Targetmarke nach Anspruch 10, dadurch gekenn­ zeichnet, daß jede Linienbreite der mehreren er­ sten Membranen (212) im Wesentlichen dieselbe ist.

13. Targetmarke nach Anspruch 10, dadurch gekenn­ zeichnet, daß jede Breite der mehreren zweiten Membranen (214) im Wesentlichen dieselbe ist.

14. Targetmarke nach Anspruch 6, dadurch gekenn­ zeichnet, daß ein Längsende der ersten Membran (212) gegenüber einer Längsendenfläche der zwei­ ten Membran (214) vorsteht.

15. Targetmarke nach Anspruch 6, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die zweite Membran (214) einstüc­ kig mit dem Substrat (230) ist.

16. Elektronenstrahl-Belichtungsvorrichtung zum Be­ lichten einer Halbleiterscheibe (64) mit einem Elektronenstrahl, gekennzeichnet durch:
eine Elektronenkanone (12), welche den Elektro­ nenstrahl erzeugt; eine Elektronenlinse (14, 20, 28, 32, 40, 46, 50, 52, 66) zum Einstellen eines Brennpunktes des Elektronenstrahls auf einen vorbestimmten Bereich der Halbleiterscheibe (64); und einen Halbleiterscheiben-Untersatz (62) zur Installierung der Halbleiterscheibe (64); worin der Halbleiterscheiben-Untersatz (62) eine Targetmarke (160) hat, die zum Ein­ stellen eines Brennpunkts des Elektronenstrahls verwendet wird und die enthält: einen Metallmar­ kenbereich (202) mit einem vorbestimmten Marken­ muster, wobei der Metallmarkenbereich (202) ein epitaxiales Metall aufweist, und ein Substrat (204) zum Tragen des Metallmarkenbereichs (202).

17. Elektronenstrahl-Belichtungsvorrichtung nach An­ spruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß die Lini­ enbreite des Metallmarkenbereichs (202) im We­ sentlichen 0,1 µm oder weniger beträgt.

18. Elektronenstrahl-Belichtungsvorrichtung zum Be­ lichten einer Halbleiterscheibe (64) mit einem Elektronenstrahl, gekennzeichnet durch:
eine Elektronenkanone (12), die den Elektronen­ strahl erzeugt; eine Elektronenlinse (14, 20, 28, 32, 40, 46, 50, 52, 66) zum Einstellen eines Brennpunkts des Elektronenstrahls auf einen vor­ bestimmten Bereich der Halbleiterscheibe (64); und einen Halbleiterscheiben-Untersatz (62) zum Installieren der Halbleiterscheibe (64); worin der Halbleiterscheiben-Untersatz (62) eine Tar­ getmarke (160) hat, welche zum Einstellen eines Brennpunktes des Elektronenstrahls verwendet wird, und welche enthält: ein vorbestimmtes Mar­ kenmuster, das eine erste Membran (212) aus Me­ tall und eine zweite Membran (214) aus einem Ma­ terial, das eine Emissionsgröße für reflektierte Elektronen hat, die kleiner ist als die des Me­ talls, aufweist; wobei die zweite Membran (214) auf der ersten Membran (212) gebildet ist und sich entlang einer Oberfläche der ersten Membran (212) in einer ersten Richtung erstreckt; und ein Substrat (230), an welchem die erste Membran (212) und die zweite Membran (214) an einer Oberfläche, die im Wesentlichen senkrecht zu der ersten Richtung verläuft, angebracht sind.

19. Verfahren zum Herstellen einer Targetmarke mit einem Metallmarkenbereich (202) der ein vorbe­ stimmtes Markenmuster hat, welche zur Einstel­ lung eines Brennpunkts eines Elektronenstrahls und zum Messen der Form des Elektronenstrahls in einer Elektronenstrahl-Behandlungsvorrichtung (100) verwendet wird, dadurch gekennzeichnet, daß mehrere Nuten (210) in einem Substrat (204) gebildet werden und der Metallmarkenbereich (202) durch eine epitaxiale Metallmembran (250) auf Seitenwänden von jeder der Nuten (210) gebildet wird.

20. Verfahren nach Anspruch 19, dadurch gekennzeich­ net, daß die mehreren Nuten (210) in dem Sub­ strat (204) mit konstantem Abstand gebildet wer­ den.

21. Verfahren nach Anspruch 19, dadurch gekennzeich­ net, daß die Metallmembrane (250) des Metallmar­ kenbereichs (202) für jede der mehreren Seiten­ wände gebildet werden.

22. Verfahren nach Anspruch 21, dadurch gekennzeich­ net, daß jede Linienbreite der Metallmembrane (250) des Metallmarkenbereichs (202) im Wesent­ lichen dieselbe ist.

23. Verfahren nach Anspruch 21, dadurch gekennzeich­ net, daß der Abstand zwischen den Metallmembra­ nen (250), die an jedem Ende des Metallmarkenbe­ reichs (202) bestehen, innerhalb der Abtastbrei­ te des Elektronenstrahls gebildet ist.

24. Verfahren nach Anspruch 19, dadurch gekennzeich­ net, daß die Metallmembranen (250) unter Verwen­ dung eines Schwermetalls gebildet werden.

25. Verfahren zum Herstellen einer Targetmarke (160), die ein vorbestimmtes Markenmuster hat und zum Einstellen eines Brennpunkts eines Elek­ tronenstrahls und zum Messen der Form des Elek­ tronenstrahls in einer Elektronenstrahl- Behandlungsvorrichtung (100) verwendet wird, gekennzeichnet durch die Schritte:
Bilden einer ersten Membran (212) auf einer Ba­ sis (240) derart, daß sie sich entlang einer Oberfläche der Basis (240) in einer ersten Rich­ tung erstreckt;
Bilden einer zweiten Membran (214) auf der er­ sten Membran (212) in der Weise, daß sie sich in der ersten Richtung erstreckt; Entfernen der Ba­ sis (240) von der ersten Membran (212); Anbrin­ gen der ersten Membran (212) und der zweiten Membran (214) an einem Substrat (230) in der Weise, daß die erste Richtung im Wesentlichen senkrecht zu einer Oberfläche des Substrats (230) verläuft.

26. Verfahren nach Anspruch 25, dadurch gekennzeich­ net, daß die erste Membran (212) durch epitaxia­ les Aufwachsen und die zweite Membran (214) auf der ersten Membran (212) durch epitaxiales Auf­ wachsen gebildet werden.

27. Verfahren nach Anspruch 25, dadurch gekennzeich­ net, daß bei der Bildung der ersten Membran (212) Schwermetall als Material für die erste Membran (212) verwendet wird.

28. Verfahren nach Anspruch 25, dadurch gekennzeich­ net, daß bei der Bildung der zweiten Membran (214) ein Material verwendet wird, dessen Emis­ sionsgröße für reflektierte Elektronen kleiner ist als die des Materials der ersten Membran (212).

29. Verfahren nach Anspruch 25, dadurch gekennzeich­ net, daß bei der Bildung der zweiten Membran (214) Silizium verwendet wird.

30. Verfahren nach Anspruch 25, dadurch gekennzeich­ net, daß die Bildung der ersten Membran (212) und die Bildung der zweiten Membran (214) mehre­ re Male abwechselnd durchgeführt wird, um mehre­ re erste Membrane (212) und mehrere zweite Mem­ brane (214) zu bilden.

31. Verfahren nach Anspruch 30, dadurch gekennzeich­ net, daß die ersten Membranen (212) so gebildet werden, daß der Abstand zwischen den ersten Mem­ branen (212) die am nächsten zu jedem Ende der Targetmarke (160) existieren, innerhalb der Ab­ tastbreite des Elektronenstrahls liegt.

32. Verfahren nach Anspruch 30, dadurch gekennzeich­ net, daß jede Linienbreite der mehreren ersten Membrane (212) so gebildet wird, daß sie im We­ sentlichen dieselbe ist.

33. Verfahren nach Anspruch 30, dadurch gekennzeich­ net, daß jede Dicke der mehreren zweiten Membra­ ne (214) so gebildet wird, daß im Wesentlichen dieselbe ist.

34. Verfahren nach Anspruch 25, dadurch gekennzeich­ net, daß die zweite Membran (214) so geätzt wird, daß ein Längsende der ersten Membran (212) gegenüber einer Längsendenfläche der zweiten Membran (214) vorsteht.