DE10100428A1

DE10100428A1 - Verfahren und Vorrichtung zum Kühlen von Substraten

Info

Publication number: DE10100428A1
Application number: DE2001100428
Authority: DE
Inventors: Guenter Eisele; Waldemar Lukhaub; Klaus Philipp; Roland Wagner
Original assignee: Steag Hamatech AG
Current assignee: Singulus Technologies AG
Priority date: 2001-01-08
Filing date: 2001-01-08
Publication date: 2002-07-18
Anticipated expiration: 2021-01-09
Also published as: TW584840B; DE10100428B4; WO2002054397A1

Abstract

Um eine rasche und homogene Abkühlung von Substraten zu gewährleisten, sind ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Kühlen von Substraten, insbesondere optischen Datenträgern, vorgesehen, bei dem bzw. bei der die Substrate durch einen Gasstrom gedreht werden.

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren und einen Vorrich tung zum Kühlen von Substraten, insbesondere optischen Datenträgern.

Bei der Herstellung optischer Datenträger, wie beispielsweise CD's, DVD's, DVR's und ähnlichen kann es zwischen unterschiedlichen Herstellungsschrit ten notwendig sein, die den Datenträger bildenden Substrate bzw. den Da tenträger selbst zu kühlen. Hierzu können die Substrate beispielsweise durch eine Kühlgasatmosphäre hindurch bewegt werden. Diese Art der Abkühlung kann jedoch zu Temperaturinhomogenitäten in dem Substrat und somit zu Spannungen führen, da lokale Temperaturunterschiede in der Kühlgasatmo sphäre, die z. B. durch eine einseitige Ausströmung der Substrate entstehen, schwer zu vermeiden sind. Darüber hinaus ist diese Art der Abkühlung relativ zeitaufwendig.

Erfindungsgemäß liegt der vorliegenden Erfindung daher die Aufgabe zugrun de, ein Verfahren und eine Vorrichtung zu schaffen, das bzw. die eine rasche und homogene Abkühlung von Substraten gewährleistet.

Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe bei einem Verfahren zum Kühlen von Substraten, insbesondere optischen Datenträgern dadurch gelöst, dass die Substrate durch eine Gasströmung gedreht werden. Durch die Drehung der Substrate können lokale Temperaturinhomogenitäten in der das Substrat um gebenden Atmosphäre bei der Kühlung ausgeglichen werden. Durch die Dre hung wird ferner der Kühlvorgang beschleunigt. Die Drehung der Substrate durch eine Gasströmung sieht darüber hinaus einen einfachen und kosten günstigen Antrieb für eine Drehung der Substrate vor.

Gemäß einer besonders bevorzugten Ausführungsform der Erfindung wird der Gasstrom auf eine konturierte Umfangsfläche einer Substrat-Halteeinrichtung geleitet. Durch Leiten des Gasstroms auf eine konturierte Umfangsfläche wird eine gute Übertragung der kinetischen Energie des Gasstroms auf die Sub strat-Halteeinrichtung und somit das Substrat gewährleistet.

Vorzugsweise werden die Substrate um die Achse einer Welle der Substrat- Halteeinrichtung gedreht.

Für eine gute Kraftübertragung wird der Gasstrom vorzugsweise seitlich ver setzt zu einer durch die Drehachse der Welle verlaufende Ebene auf die Um fangsfläche der Substrat-Halteeinrichtung geleitet.

Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung wird die Substrat- Halteeinrichtung mit dem Substrat durch eine Kühlkammer bewegt, um eine kontrollierbare Kühlatmosphäre vorzusehen und die Kühlung zu beschleuni gen. Zum Erreichen einer gleichbleibenden Kühlatmosphäre wird vorzugswei se ein Kühlgas in der Kammer umgewälzt und auf eine vorgegebene Tempe ratur gekühlt. Dabei ist das Kühlgas vorzugsweise klimatisierte Luft wodurch sich eine besonders kostengünstige Lösung ergibt, da weder das Eintreten von Umgebungsluft in die Kammer noch das Austreten gekühlter Luft aus der Kammer zu einer Veränderung des Kühlmediums führt oder Umweltprobleme mit sich bringt.

Um eine einfache Art der Fortbewegung der Substrate zu ermöglichen wird die Substrat-Halteeinrichtung vorzugsweise mit einem Förderband bewegt. Um eine Ausrichtung der Substrat-Halteeinrichtung mit dem Gasstrom zu er möglichen, erfolgt die Bewegung mit dem Förderband vorzugsweise schritt weise mit dazwischenliegenden Bewegungspausen. Vorzugsweise wird der Gasstrom während der Bewegungspausen auf die konturierte Umfangsfläche der Substrat-Halteeinrichtung geleitet.

Um den Gasstrom auch zur Kühlung der Substrate einzusetzen, wird er durch die konturierte Umfangsfläche der Substrat-Halteeinrichtung vorzugsweise wenigstens teilweise zu dem Substrat umgelenkt.

Die der Erfindung zugrunde liegende Aufgabe wird auch durch eine Vorrich tung zum Kühlen von Substraten, insbesondere optischen Datenträgern ge löst, bei der eine Vorrichtung zum Drehen der Substrate mit einer Gasströ mung vorgesehen ist. Bei einer derartigen Vorrichtung ergeben sich die schon oben genannten Vorteile einer raschen homogenen Kühlung der Substrate und ein einfacher kostengünstiger Drehantrieb für die Substrate.

Gemäß einer besonders bevorzugten Ausführungsform der Erfindung weist die Drehvorrichtung eine Substrat-Halteeinrichtung mit einer konturierten Umfangsfläche, sowie eine auf die konturierte Umfangsfläche gerichtete Gas düse auf. Durch die konturierte Umfangsfläche der Substrat-Halteeinrichtung und die darauf gerichtete Gasdüse kann auf einfache und kostengünstige Art und Weise eine Drehung der Substrat-Halteeinrichtung erreicht werden. Für eine gute und gleichmäßige Drehung der Substrat-Halteeinrichtung weist sie vorzugsweise eine Welle mit einer Drehachse auf.

Für eine gute Kraftübertragung der Gasströmung auf die Substrathalteein richtung ist die Düse vorzugsweise seitlich versetzt zu einer durch die Dreh achse verlaufende Ebene der Welle auf die konturierte Umfangsfläche ge richtet.

Um gleichzeitig mehrere Substrate kühlen zu können, sind vorzugsweise eine Vielzahl von Substrat-Halteeinrichtungen vorgesehen, die mit vorbestimmtem Abstand auf einer Fördereinrichtung angeordnet sind.

Um die Kühlung der Substrate zu fördern, erstreckt sich die Fördereinrichtung vorzugsweise durch eine Kühlkammer mit einer Kühlgasatmosphäre. Vorteil hafterweise weist die Kühlkammer eine Vorrichtung zum Umwälzen und Küh len der Kühlgasatmosphäre auf, um eine gleichmäßige Kühlgasatmosphäre mit einer homogenen Temperaturverteilung vorzusehen.

Bei einer besonders bevorzugten Ausführungsform der Erfindung sind eine Vielzahl von sich in die Kammer öffnende Gasdüsen vorgesehen, die vorzugsweise mit dem vorbestimmten Abstand der auf der Fördereinrichtung an geordneten Substrat-Halteeinrichtungen voneinander beabstandet sind. Hier durch wird ermöglicht, dass in der Kühlkammer mehrere Substrat- Halteeinrichtungen simultan in Drehung versetzt werden, um die daran ge haltenen Substrate zu Kühlen.

Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist die Substrat- Halteeinrichtung ein Zentrierstift mit einem Zentrierteil der in ein Innenloch der Substrate einführbar ist und einer Auflagefläche unterhalb des Zentrierteils. Hierdurch wird eine einfache und kostengünstige Substrat-Halteeinrichtung vorgesehen, die ohne steuerbare Greifelemente einen sicheren Halt der Sub strate während der Kühlung vorsieht. Vorteilhafterweise bildet die konturierte Umfangsfläche der Substrat-Halteeinrichtung eine Lüfterradkontur um eine gute Impulsübertragung zwischen der Gasströmung und der Substrat- Halteeinrichtung zu gewährleisten.

Bei einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist die konturierte Um fangsfläche des Zentrierstifts unterhalb der Auflagefläche für die Substrate ausgebildet. Vorzugsweise ist die konturierte Umfangsfläche von der Auflage fläche beabstandet, so dass die auf die konturierte Umfangsfläche gerichtete Gasströmung die Kühlung des auf der Auflagefläche aufliegenden Substrats im Wesentlichen nicht beeinflusst.

Bei einer alternativen Ausführungsform der Erfindung ist die Kontur der Um fangsfläche derart ausgebildet, dass sie eine darauf auftreffende Gasströ mung in Richtung des Substrats umlenkt.

Gemäß einer Ausführungsform der Erfindung ist die konturierte Umfangsflä che zur Auflagefläche des Zentrierstifts radial nach außen versetzt. Um eine gute Kraftübertragung zwischen dem Zentrierstift und dem Substrat vorzuse hen, ist vorzugsweise eine Nut zur Aufnahme eines O-Rings in der Auflageflä che vorgesehen.

Gemäß einer besonders bevorzugten Ausführungsform der Erfindung weist die Auflagefläche eine radiale Breite zwischen 5 und 20% des Radius des aufzunehmenden Substrats auf, um es im Wesentlichen nur im Bereich des Innenlochs zu tragen. Hierdurch liegt ein Großteil des Substrats frei und kann einer Kühlatmosphäre ausgesetzt werden.

Vorzugsweise wird das erfindungsgemäße Verfahren bzw. die erfindungsge mäße Vorrichtung nach einem Spritzgussverfahren für die Substrathälften ei nes optischen Datenträgers eingesetzt.

Die Erfindung wird nachfolgend anhand eines bevorzugten Ausführungsbei spiels unter Bezugnahme auf die Zeichnungen erläutert; in den Zeichnungen zeigt:

Fig. 1 eine schematische Seitenansicht eines Zentrierstifts gemäß der Erfindung;

Fig. 2 eine schematische Schnittdarstellung des in Fig. 1 dargestellten Zentrierstifts;

Fig. 3 eine Draufsicht auf den Zentrierstift gemäß Fig. 1;

Fig. 4 eine schematische Darstellung des Grundprinzips einer Kühlvor richtung gemäß der vorliegenden Erfindung;

Fig. 5 eine schematische Draufsicht auf eine Kühlvorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung;

Fig. 6 eine schematische Seitenansicht der Kühlvorrichtung gemäß Fig. 5; und

Fig. 7 eine schematische Vorderansicht der Kühlvorrichtung gemäß Fig. 5.

Die Fig. 1-3 zeigen verschiedene Ansichten eines Zentrier- und Auflage stifts 1, der in einer erfindungsgemäßen Kühlvorrichtung verwendet werden kann.

Der Zentier- und Auflagestift 1 weist einen zylindrischen oder wellenförmigen Hauptkörperteil 3 mit einer im Wesentlichen glatten Umfangsfläche 5 auf. Auf der Oberseite des Hauptkörperteils 3 wird eine Auflagefläche 7 gebildet, die sich senkrecht zu der Umfangsfläche 5 des Hauptkörpers erstreckt. Zwischen der Umfangsfläche 5 und der Auflagefläche 7 ist eine umlaufende Nut 9 zur Aufnahme eines O-Rings 10 vorgesehen. In einem Mittelbereich erstreckt sich ein Zentriervorsprung 12 von der Auflagefläche 7 nach oben. Der Zentriervor sprung 12 weist eine Zentrierschräge 13 auf, die ein zentriertes Einführen in ein Innenloch eines aufzunehmenden Substrats 15 (siehe Fig. 4) erlaubt. Die Oberflächen des Zentriervorsprungs 12 sind hochglanzpoliert, damit beim Einführen in das Mittelloch des Substrats 15 die Reibung zwischen dem Zen triervorsprung 12 und dem Substrat 15 vermindert wird.

An seinem unteren Ende weist der Hauptkörperteil 3 einen radial gegenüber der glatten Umfangsfläche 5 vorstehenden, konturierten Umfangsflansch 17 auf. Der konturierte Umfangsflansch 17 besitzt die Form eines Lüfterrads mit einer Vielzahl von Schaufeln oder Zähnen 19. Die Zähne 19 weisen jeweils eine sich durch eine Drehachse A des Stifts 1 erstreckende Zahnflanke 20, sowie eine hierzu abgewinkelte Zahnflanke 22 auf. An ihrem freien Ende wei sen die Zähne 19 jeweils eine flache Oberseite 24 auf, welche die beiden Zahnflanken 20, 22 miteinander verbindet. Die Funktion der Lüfterradkontur wird nachfolgend unter Bezugnahme auf Fig. 4 näher erläutert.

Wie in Fig. 2 zu erkennen ist, sind der Hauptkörperteil 3 sowie der Zentrier vorsprung 12 hohl ausgebildet, um einerseits das Gewicht des Stifts 1 zu re duzieren und andererseits die Aufnahme eines nicht dargestellten Lagers zu ermöglichen, das den Stift 1 um die Achse A drehbar lagert. Natürlich könnte der Stift 1 auch massiv ausgeführt sein, und am unteren Ende einen Lager vorsprung aufweisen, der sich in ein entsprechendes Lager erstreckt.

Fig. 4 zeigt ein Substrat 15, wie es auf dem Zentrierstift 1 aufgenommen ist. Der Zentriervorsprung 12 ersteckt sich in ein Mittelloch des Substrats 15, so dass das Substrat auf der Auflagefläche bzw. dem O-Ring 10 aufliegt. Der O- Ring 10 besitzt bei einer Drehung des Zentrierstifts 1 die Funktion, eine gute Kraftübertragung zwischen dem Stift 1 und dem Substrat 15 zu gewährleisten. Eine Gasleitung 26 erstreckt sich teilweise unter das Substrat 15 und weist eine Auslassöffnung 28 in der Form einer Düse auf, die auf die Lüfterradkon tur des Flansches 17 gerichtet ist. Die Leitung 26 erstreckt sich parallel und beabstandet zu einer durch die Drehachse A des Stift 1 hindurchgehende Ebene, so dass eine aus der Öffnung 28 austretende Gasströmung zur Dreh achse seitlich versetzt auf den Stift 1 auftrifft. Die Lüfterradkontur bietet dem Gasstrom eine gute Fläche zur Impulsübertragung, so dass der Stift 1 durch einen aus der Öffnung 28 austretenden Gasstrom in Drehung versetzt wird, wie durch den Pfeil B dargestellt ist.

Die Fig. 5-7 zeigen verschiedene Ansichten einer erfindungsgemäßen Kühlvorrichtung 30, die den zuvor beschriebenen Zentrierstift 1 verwendet. Die Kühlvorrichtung 30 weist ein Fördersystem 32 in der Form eines Förder bandes 33 auf, das um zwei Rollen 35, 36 geführt ist, von denen wenigstens eine in bekannter Art und Weise angetrieben ist. An dem Förderband 33 sind eine Vielzahl von Zentrierstiften 1 angebracht, die jeweils um ihre Drehachse A drehbar gelagert sind. Die Zentrierstifte 1 sind jeweils mit einem gleichen Abstand voneinander auf dem Förderband 33 beabstandet.

Die Fördereinrichtung 32 weist ein Beladeende 38 auf, an dem jeweils ein Substrat 15 auf einen Zentrierstift 1 abgelegt wird. Ferner weist die Förderein richtung 32 einen Entladeende 39 auf, an dem die Substrate 15 von dem Zentrierstift 1 entnommen werden. Zwischen den Be- und Entladeenden 38, 39 der Fördereinrichtung 32 ist eine Kühlkammer 42 vorgesehen, die einen Teil des Förderbands 33 umgibt, wie mit gestrichelten Linien schematisch in den Fig. 5 und 6 dargestellt ist.

Die Kühlkammer 42 weist ein Einlassende 44 sowie ein Auslassende 45 auf, die gegenüber einem Mittelbereich 46 einen reduzierten Querschnitt aufwei sen. Die Kühlvorrichtung weist eine nicht dargestellte Umwälzeinheit auf, um ein Kühlgas wie beispielsweise Luft in der Kühlkammer 46 umzuwälzen und zu kühlen, um eine gleichmäßige und vorgegebene Kühlatmosphäre in der Kühlkammer 42 zu schaffen.

In einer Seitenwand der Kühlkammer 42 sind eine Vielzahl von Gaseinlassdü sen 50 vorgesehen. Die Gaseinlassdüsen 50 sind mit dem selben Abstand voneinander beabstandet, wie die Drehachsen A der Zentrierstifte 1 auf dem Förderband 32. Wie in den Fig. 5 und 7 zu erkennen ist, besitzen die Ga seinlassdüsen 50 eine Leitung 26 und eine Auslassöffnung 28, und zwar in der selben Art und Weise wie auch schematisch in Fig. 4 dargestellt ist.

Anhand der Fig. 5 bis 7 wird nun der Betrieb der erfindungsgemäßen Kühlvorrichtung 30 näher erläutert.

An dem Beladeende 38 wird zunächst ein Substrat 15 auf einem Zentrierstift 1 abgelegt. Anschließend wird das Förderband 33 gedreht, und zwar derart, dass der Zentierstift 1 um den Abstand zwischen den Drehachsen A der Zen tierstifte 1 nach rechts gemäß Fig. 6 bewegt wird. Hierdurch wird der bela dene Zentrierstift 1 in die Kühlkammer 42 bewegt. In dieser Stellung ist die Einlassdüse 50 in der in Fig. 4 dargestellten Weise, mit der Lüfterradkontur des Flansches 17 des Zentrierstifts 1 ausgerichtet.

Über die Düse 50 wird ein Gasstrom auf die konturierte Umfangsfläche des Flansches 17 geleitet, um den Stift 1 und das darauf aufliegende Substrat in Drehung zu versetzen. Durch die Drehung ergibt sich eine verbesserte und homogenere Abkühlung der Substrate in der Kühlkammer 42, in der während der ganzen Zeit ein Kühlgas umgewälzt und auf eine vorgegebene Temperatur gekühlt wird. Währenddessen wird ein weiteres Substrat 15 am Beladeen de 38 der Fördereinrichtung 32 auf einem weiteren Zentrierstift 1 abgelegt. Anschließend wird das Förderband 33 wieder um den Abstand zwischen den Drehachsen der Zentrierstifte 1 weiterbewegt. Nun befinden sich zwei belade ne Substrate in der Kühlkammer 42 und die jeweiligen Zentrierstifte sind in der in Fig. 4 dargestellten Art und Weise mit den Einlassdüsen 50 ausge richtet. Wiederum wird ein Gasstrom auf den konturierten Flansch 17 gerich tet, um die Zentrierstifte 1 und somit die Substrate 15 zu drehen. Der obige Vorgang wird immer weiter wiederholt. Wenn ein Zentrierstift 1 mit einem Substrat 15 aus der Kühlkammer 42 austritt, wird er am Entladeende 38 der Fördereinrichtung 32 über einen geeigneten, nicht dargestellten Handha bungsmechanismus von dem Zentrierstift 1 entnommen.

Die Erfindung wurde zuvor anhand eines bevorzugten Ausführungsbeispiel der Erfindung beschrieben, ohne jedoch auf das konkret dargestellte Ausfüh rung beschränkt zu sein. Beispielsweise kann sich die Anzahl der Zentrier stifte 1 an der Fördereinrichtung 32 sowie die Anzahl der in der Kühlkammer 42 aufnehmbaren Zentrierstifte von der dargestellten Anzahl unterscheiden. Über die Gasdüsen 50 kann ständig ein Gasstrom in die Kühlkammer 42 ein geleitet werden, oder der Gasstrom kann so gesteuert werden, dass er nur dann eingeleitet wird, wenn die Fördereinrichtung 32 steht und sich die Zen trierstifte in ihren zu den Einlassdüsen 50 ausgerichteten Positionen befinden. Der Gasstrom kann geregelt werden, um die Drehgeschwindigkeit der Stifte 1 und somit der Substrate 15 einzustellen, sofern dies gewünscht ist. Anstelle der dargestellten Fördereinrichtung 32 mit einem Förderband 33 kann natür lich auch jede andere geeignete Fördereinrichtung, wie beispielsweise ein Drehtisch verwendet werden, wobei in diesem Fall die Form der Kühlkammer 42 an die Form des Drehtischs angepasst sein kann. Obwohl es in den Fig. 5 und 7 so dargestellt ist, dass sich die Einlassdüsen 50 in die Kühlkam mer 42 hinein erstrecken, ist es auch möglich, dass die Düsen einfach durch Öffnungen in einer Kühlkammerwand gebildet werden.

Claims

1. Verfahren zum Kühlen von Substraten, insbesondere optischen Datenträ gern, dadurch gekennzeichnet, dass die Substrate durch einen Gasstrom gedreht werden.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Gasstrom auf eine konturierte Umfangsfläche einer Substrat-Halteeinrichtung geleitet wird.

3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Substrate um eine Drehachse einer Welle der Substrat-Halteeinrichtung bewegt wird.

4. Verfahren nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, dass der Gasstrom seitlich versetzt zu einer durch die Drehachse verlaufenden Ebe ne auf die konturierte Umfangsfläche der Substrat-Halteeinrichtung geleitet wird.

5. Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Substrat-Halteeinrichtung mit dem Substrat durch eine Kühlkam mer bewegt wird.

6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass ein Kühlgas in der Kammer umgewälzt wird.

7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, das Kühlgas auf eine vorgegebene Temperatur gekühlt wird.

8. Verfahren nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, dass das Kühlgas klimatisierte Luft ist.

9. Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Substrat-Halteeinrichtung mit einem Förderband bewegt wird.

10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Bewegung schrittweise, mit dazwischen liegenden Bewegungspausen erfolgt.

11. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass der Gasstrom in den Bewegungspausen auf die konturierte Umfangsfläche der Substrat- Halteeinrichtung geleitet wird.

12. Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass der Gasstrom durch die konturierte Umfangsfläche wenigstens teilwei se zu dem Substrat umgelenkt wird.

13. Vorrichtung (30) zum Kühlen von Substraten (15), insbesondere optischen Datenträgern, gekennzeichnet durch eine Vorrichtung zum Drehen der Substrate mittels eines Gasstroms.

14. Vorrichtung (30) nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass die Drehvorrichtung eine Substrat-Halteeinrichtung (1) mit einer konturierten Umfangsfläche und eine darauf gerichtete Gasdüse (50) aufweist.

15. Vorrichtung nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass die Substrat- Halteeinrichtung (1) eine Welle (3) mit einer Drehachse (A) aufweist.

16. Vorrichtung nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass die Gasdüse (50) seitlich versetzt zu einer durch die Drehachse (A) verlaufende Ebene auf die konturierte Umfangsfläche der Substrat-Halteeinrichtung (1) gerich tet ist.

17. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 14 bis 16, gekennzeichnet durch eine Vielzahl von Substrat-Halteeinrichtungen (1), die mit vorbestimmten Abstand auf einer Förrdereinrichtung (32) angeordnet sind.

18. Vorrichtung nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, dass die För dereinrichtung (32) ein Förderband (33) aufweist.

19. Vorrichtung nach Anspruch 17 oder 18, dadurch gekennzeichnet, dass sich die Fördereinrichtung (32) wenigstens teilweise durch eine Kühlkammer (42) mit einer Kühlgasatmosphäre erstreckt.

20. Vorrichtung nach Anspruch 19, gekennzeichnet durch eine Einrichtung zum Umwälzen und Kühlen des in der Kühlkammer (42) befindlichen Kühlgases.

21. Vorrichtung nach Anspruch 19 oder 20, gekennzeichnet durch eine Vielzahl von sich in die Kühlkammer (42) öffnenden Gasdüsen (50).

22. Vorrichtung nach Anspruch 17 und 21, dadurch gekennzeichnet, dass die Gasdüsen (50) mit dem vorbestimmten Abstand der Substrat- Halteeinrichtungen auf der Fördereinrichtung voneinander beabstandet sind.

23. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 14 bis 22, dadurch gekennzeichnet, dass die Substrat-Halteeinrichtung (1) ein Zentrierstift mit einem Zentrierteil (12) und einer Auflagefläche (7) ist.

24. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 14 bis 23, dadurch gekennzeichnet, dass die konturierte Umfangsfläche der Substrat-Halteeinrichtung (1) eine Lüfterradkontur aufweist.

25. Vorrichtung nach Anspruch 23 oder 24, dadurch gekennzeichnet, dass die konturierte Umfangsfläche unterhalb der Auflagefläche (7) für die Substrate ausgebildet ist.

26. Vorrichtung nach Anspruch 25, dadurch gekennzeichnet, dass die kontu rierte Umfangsfläche von der Auflagefläche (7) beabstandet ist.

27. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 14 bis 26, dadurch gekennzeichnet, dass die Kontur der Umfangsfläche derart ausgebildet, dass sie eine darauf auftreffende Gasströmung in Richtung des Substrats umlenkt.

28. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 23 bis 27, dadurch gekennzeichnet, dass die konturierte Umfangsfläche zur Auflagefläche (7) des Zentrierstifts radial nach außen versetzt ist.

29. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 23 bis 28, dadurch gekennzeichnet, dass eine Nut zur Aufnahme eines O-Rings (10) in der Auflagefläche (7) vorgesehen ist.

30. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 23 bis 29, dadurch gekennzeichnet, dass die Auflagefläche eine radiale Breite zwischen 5 und 20% des Radius des aufzunehmenden Substrats aufweist.