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DE10056600A1 - Elektro-optischer Transceiver für ein Wellenlängenmultiplex-System - Google Patents

Elektro-optischer Transceiver für ein Wellenlängenmultiplex-System

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DE10056600A1
DE10056600A1 DE10056600A DE10056600A DE10056600A1 DE 10056600 A1 DE10056600 A1 DE 10056600A1 DE 10056600 A DE10056600 A DE 10056600A DE 10056600 A DE10056600 A DE 10056600A DE 10056600 A1 DE10056600 A1 DE 10056600A1
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Abstract

Die Erfindung betrifft einen elektro-optischen Transceiver für ein Wellenlängenmultiplex-System mit einem auf einem Substrat (3) angeordneten ersten Lichtwellenleiter-Array (15), welches als Phased Array Waveguide Grating ausgebildet ist, dessen einer Endbereich über einen ersten Koppelbereich (11) mit wenigstens einem Eingangs-Lichtwellenleiter (9) und dessen anderer Endbereich über einen zweiten Koppelbereich (17) mit mehreren Ausgangs-Lichtwellenleitern (19) gekoppelt ist, mit einer auf dem Substrat (3) angeordneten Empfängereinheit (29), welche eine opto-elektrische Wandlereinheit (21) umfasst, wobei jeweils ein opto-elektrisches Wandlerelement der Wandlereinheit (21) einem der mehreren Ausgangs-Lichtwellenleiter (19) zugeordnet ist, mit einem auf dem Substrat (3) angeordneten zweiten Lichtwellenleiter-Array (35), welches als Phased Array Waveguide Grating ausgebildet ist, dessen einer Endbereich über den ersten Koppelbereich (11) mit wenigstens einem Ausgangs-Lichtwellenleiter (37) und dessen anderer Endbereich über den zweiten Koppelbereich (17) mit mehreren Eingangs-Wellenleitern (31) gekoppelt ist, und mit einer auf dem Substrat (3) angeordneten Sendeeinheit (41), welche eine elektro-optische Wandlereinheit (33) umfasst, wobei jeweils ein elektro-optisches Wandlerelement der Wandlereinheit (33) mit einem der mehreren Eingangslichtwellenleiter (31) zugeordnet ist. Des Weiteren betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen Transceivers.

Description

Die Erfindung betrifft einen elektro-optischen Transceiver für ein Wellenlän­ genmultiplex-System, bei dem die optischen wellenlängenselekltiven Koppelein­ heiten als Phased Array Waveguide Gratings (AWG's) ausgebildet sind.
Es ist bekannt, Transceiver für Wellenlängenmultiplex-Systeme unter Verwen­ dung zweier optischer wellenlängenselektiver Koppler und entsprechender elek­ trooptischer bzw. opto-elektrischer Wandler aufzubauen. Die wellenlängense­ lektiven Koppler bilden optische Multiplexer bzw. Demultiplexer, wobei der (Demultiplexer) Koppler für den Empfangszweig das auf einem Eingangs- Lichtwellenleiter eingehende optische Wellenlängenmultiplex-Signal auf mehre­ re Ausgangs-Lichtwellenleiter entsprechend der einzelnen optischen Kanäle aufteilt und der (Multiplexer) Koppler für den Sendezweig die mehreren opti­ schen Sendesignale, die von optischen Sendeelementen in jeweils einen von mehreren Eingangs-Lichtwellenleitern eingekoppelt werden, auf einem Aus­ gangs-Lichtwellenleiter zusammenfasst. Optische Multiplexer werden infolge ihrer geringen Einfügedämpfung häufig unter Verwendung sogenannter Phased Array Waveguide Gratings aufgebaut. Diese optischen Systeme bestehen in ih­ rem Kern aus einem Lichtwellenleiter-Array, dessen einzelne Lichtwellenleiter jeweils einen optischen Pfad bilden, wobei die optische Weglänge jeweils be­ nachbarter Pfade zunimmt bzw. abnimmt. Hierdurch ergibt sich ein Verhalten, das dem Verhalten von üblichen Interferenzgittern in Maxima höherer Ordnung entspricht. Allerdings werden Verluste eines üblichen Gitters vermieden, die durch das Aufteilen der einfallenden optischen Leistung auf die verschiedenen Beugungsmaxima entstehen.
Bei der Herstellung eines elektro-optischen Transceivers bietet es sich an, die optischen Strukturen zur Bildung des Multiplexers bzw. Demultiplexers bzw. der beiden Phased Array Waveguide Gratings auf einem einzigen Substrat vorzuse­ hen. Hierdurch wird der Montageaufwand für den Transceiver reduziert. Des Weiteren ergibt sich eine geringere Baugröße als bei der Verwendung zweier getrennter Substrate mit jeweils einem einzigen (De-)Multiplexer bzw. einem einzigen Phased Array Waveguide Grating.
Bei der Herstellung von mittels Phased Array Waveguide Grating ausgebildeter optischer (De-)Multiplexer ist es darüber hinaus bekannt, die Strukturen von zwei separaten (De-)Multiplexern bzw. Phased Array Waveguide Gratings in­ einander zu "verschlingen" und für beide (De-)Multiplexer bzw. Phased Array Waveguide Gratings dieselben Koppelbereiche zu benutzen, die jeweils die Ein­ gangs- bzw. Ausgangs-Lichtwellenleiter mit dem zentralen Lichtwellenleiter- Array verbinden. Derartige Strukturen werden bisher bei der Fertigung von AWG's deshalb eingesetzt, um den Ausschuss bei der technologisch aufwendigen und daher fehlerträchtigen Herstellung zu verringern. Nach der Herstellung eines derart verschränkten doppelten AWG werden jeweils die optischen Eigenschaf­ ten beider Zweige vermessen und der jeweils bessere Zweig ausgewählt. Nach dem Packaging sind dann von außen lediglich die Ein- bzw. Ausgänge der je­ weils besseren Struktur zugänglich.
An dieser Stelle sei bemerkt, dass der Begriff AWG im folgenden synonym für einen mittels eines AWG im engeren Sinne, d. h. dem zentralen Lichtwellenleiter- Array, aufgebauten optischen (De-)Multiplexer verwendet wird, es sei denn, aus dem Zusammenhang ergibt sich die Bedeutung eines AWG im engeren Sinn.
Ausgehend von diesem Stand der Technik liegt der Erfindung die Aufgabe zu­ grunde, einen elektro-optischen Transceiver für ein Wellenlängenmultiplex- System zu schaffen, welcher eine möglichst geringe Baugröße aufweist und der verhältnismäßig einfach herstellbar ist. Des Weiteren liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen Transceivers zu schaffen.
Die Erfindung löst diese Aufgabe mit den Merkmalen der beiden Ansprüche 1 bzw. 8.
Die Erfindung geht von der Erkenntnis aus, dass ein elektrooptischer Transcei­ ver für ein Wellenlängenmultiplex-System auf verhältnismäßig einfache Weise und raumsparend dadurch aufgebaut werden kann, dass die optischen Strukturen und die elektrischen bzw. opto-elektrischen Komponenten auf demselben Sub­ strat aufgebracht werden. Hierbei handelt es sich vorzugsweise um ein Silicium­ substrat.
Durch die Verwendung einer an sich bekannten verschränkten Struktur zur Bil­ dung zweier ineinander "verschlungener" Phased Array Waveguide Gratings ergibt sich der Vorteil eines äußerst raumsparenden Aufbaus bereits auf der opti­ schen Seite. Erfindungsgemäß werden jedoch beide Zweige eines derart aufge­ bauten doppelten AWG benutzt.
Nach einer Ausführungsform der Erfindung sind zumindest die elektrischen An­ schlussleitungen für die Empfängereinheit und/oder die Sendeeinheit integriert auf demselben Substrat ausgebildet. Insbesondere durch die Verwendung eines Silicium-Substrats ergibt sich der Vorteil, dass sowohl optische als auch elektrische Strukturen mit verhältnismäßig einfachen Verfahren auf dem Substrat er­ zeugt werden können.
Zusätzlich zu den elektrischen Anschlussleitungen können selbstverständlich auch passive oder aktive elektronische Bauelemente auf dem Substrat integriert ausgebildet sein.
Es ist des Weiteren möglich, ein oder mehrere separate Bauelemente der Sende­ einheit und/oder der Empfangseinheit auf dem Bauelement aufzubringen, bei­ spielsweise aufzukleben oder zu verlöten, und ggf. Anschlüsse der separaten Bauelemente mit weiteren Verfahren, beispielsweise durch Bonden, mit den Anschlussleitungen zu verbinden.
Da die Herstellung der optischen Strukturen eines AWG bzw. der beiden ver­ schränkt ausgebildeten AWG's, wie vorstehend ausgeführt, die Gefahr birgt, dass die optischen Eigenschaften nicht innerhalb der geforderten engen Toleranzen liegen, ist nach einer weiteren Ausführungsform der Erfindung, insbesondere in den mehreren Ausgangs-Lichtwellenleitern des optischen Empfangszweigs bzw. des betreffenden AWG, jeweils eine optische Resonatorstruktur ausgebildet. Diese dient als schmalbandiger Bandpassfilter, um die Übersprechdämpfung des jeweiligen Kanals zu verbessern.
Das Vorsehen entsprechender optischer Resonatorstrukturen in den mehreren Eingangs-Lichtwellenleitern des den optischen Teil des Sendezweigs bildenden AWG bietet weniger einen Vorteil im Hinblick auf die Nebensprechdämpfung der einzelnen optischen Kanäle, da die Bandbreite der üblicherweise verwende­ ten Laserdioden meist deutlich kleiner ist als die Bandbreite des jeweiligen opti­ schen Kanals. Im Sendezweig vorgesehene optische Resonatorstrukturen können jedoch zur externen Rückkopplung für Laserdioden dienen, deren Sendespektrum ohne die externe Rückkopplung für ein Wellenlängenmultiplex-System zu breit­ bandig wäre. Auf diese Weise ist es möglich, verhältnismäßig kostengünstige Laserdioden einzusetzen.
Das Herstellen der Resonatorstrukturen in den mehreren Eingangs- bzw. Aus­ gangs-Lichtwellenleitern erfolgt vorzugsweise durch das Bestrahlen der jeweili­ gen Lichtwellenleiter mit elektromagnetischen Wellen (z. B. durch UV-Laser) oder durch Teilchenstrahlung. Selbstverständlich müssen hierzu die jeweiligen Lichtwellenleiter aus einem Material bestehen oder mit einem Material dotiert sein, das unter einer derartigen Bestrahlung eine Veränderung des Brechungsin­ dex ermöglicht.
Zur Herstellung eines erfindungsgemäßen Transceivers sieht eine Ausführungs­ form der Erfindung vor, zunächst die rein optischen Strukturen für die beiden verschränkten AWG's auf dem Substrat herzustellen. Anschließend können die optischen Eigenschaften der beiden AWG's vermessen und der hinsichtlich der bersprech- oder Nebensprecheigenschaften bessere Zweig als Empfangszweig gewählt werden. Anschließend können die elektrischen Strukturen dann so her­ gestellt werden, dass die elektrischen Strukturen für die Empfangseinheit dem zuvor gewählten besseren AWG zugeordnet werden. Sind Resonatorstrukturen als externe Resonatoren für die optischen Sendeelemente erforderlich, so können diese nach dem Vermessen der optischen Strukturen (vor oder nach dem Her­ stellen der elektrischen Strukturen) hergestellt werden.
Die Herstellung kann jedoch auch so erfolgen, dass in jedem Fall in beiden Zweigen der optischen Struktur, d. h. in beiden AWG's, Resonatorstrukturen in den jeweiligen mehreren Eingangs- bzw. Ausgangs-Lichtwellenleitern hergestellt werden. In diesem Fall kann bei der Herstellung eines derartigen Transceivers die Vermessung der optischen Eigenschaften nach der Herstellung der optischen Strukturen auch unterbleiben. Das Herstellen der Resonatorstrukturen kann ins­ besondere auf sehr einfache Weise durch ein Verfahren erfolgen, wie es in der nicht vorveröffentlichten älteren deutschen Patentanmeldung (Aktenzeichen der Akte 19.151) beschrieben ist.
Weitere Ausführungsformen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprü­ chen.
Die Erfindung wird nachfolgend anhand eines in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiels erläutert:
Die einzige Figur zeigt schematisch einen elektro-optischen Transceiver 1, des­ sen sämtliche Komponenten auf einem gemeinsamen Substrat 3 angeordnet sind. Das Substrat 3 besteht vorzugsweise aus Silicium, da dieses Material die inte­ grierte Herstellung sowohl optischer als auch elektrischer Komponenten und Bauelemente ermöglicht.
Der Transceiver 1 umfasst optische Strukturen in Form zweier ineinander ver­ schränkter AWG's 5 und 7. Im dargestellten Ausführungsbeispiel besteht das AWG 5 aus einem Eingangs-Lichtwellenleiter 9, der in einen ersten optischen Koppelbereich 11 mündet. Der Eingangs-Lichtwellenleiter 9 kann an der Schnitt­ stelle 9a mit einem externen Lichtwellenleiter 13 verbunden werden, der dem Transceiver 1 ein optisches Wellenlängenmultiplex-Signal der Mittenwellenlän­ gen λ1 bis λn zuführt. Mittels des Koppelbereichs 11 wird das durch das Wellen­ längenmultiplex-Signal erzeugte Feld in das zentrale Lichtwellenleiter-Array des AWG 5 angekoppelt. Die optischen Phasenunterschiede der einzelnen Lichtwellenleiter des Lichtwellenleiter-Array 15 und ein zweiter Koppelbereich 17, in welchen die einzelnen Lichtwellenleiter des Array 15 münden, sind so dimensio­ niert, dass das optische Signal aufgespalten und die einzelnen Teilsignale der Mittenwellenlängen λ1 bis λn, jeweils in einen von n Ausgangs-Lichtwellenleitern 19 eingekoppelt werden.
Die Enden der Ausgangs-Lichtwellenleiter 19 münden jeweils vor einem opto­ elektrischen Wandlerelement einer opto-elektrischen Wandlereinheit 21. Die Wandlerelemente können beispielsweise als einzelne Dioden ausgebildet sein, die in Form einer die Wandlereinheit 21 bildenden Diodenzeile zusammengefasst sind.
Auf dem Substrat 3 sind weiterhin elektrische Anschlussleitungen 23 ausgebil­ det, die mit üblichen Verfahren zur Herstellung integrierter Bauelemente herge­ stellt werden können. Die elektrischen Anschlussleitungen 23 verbinden entspre­ chende Anschlusskontakte der opto-elektrischen Wandlereinheit 21 mit den An­ schlusskontakten weiterer integrierter Bauelemente 25 oder mit den Anschluss­ kontakten von passiven Bauelementen 27, die beispielsweise als Widerstände ausgebildet sein können. Die opto-elektrische Wandlereinheit 21, die elektri­ schen Anschlussleitungen 23 und die integrierten Bauelemente 25 bzw. die pas­ siven Bauelemente 27 bilden zusammen eine Empfängereinheit 29, welche die optischen Signale in elektrische Signale wandelt und ggf. weiter verarbeitet.
Das zweite AWG 7 umfaßt n Eingangs-Lichtwellenleiter 31, die mit dem zweiten Koppelbereich 17 verbunden sind. In die Enden der Eingangs-Lichtwellenleiter 31 wird jeweils das Signal eines elektro-optischen Wandlerelements einer elek­ trooptischen Wandlereinheit 33 angekoppelt. Diese kann beispielsweise als Array von n Laserdioden mit Mittenwellenlängen Λ1 bis Λn ausgebildet sein. Die optischen Signale der elektro-optischen Wandlerelemente werden über die Ein­ gangs-Lichtwellenleiter 31 und den zweiten Koppelbereich 17, der mit den ande­ ren Enden der Eingangs-Lichtwellenleiter 31 verbunden ist, so in die einzelnen Lichtwellenleiter des zentralen Lichtwellenleiter-Array 35 des AWG 7 angekop­ pelt, dass durch die entsprechend gewählten, unterschiedlich langen optischen Pfade des Array 35 im ersten Koppelbereich 11 ein Feld entsteht, welches sämt­ liche Teilsignale der Mittenwellenlängen Λ1 bis Λn in einen Ausgangs- Lichtwellenleiter 37 des AWG 7 einkoppelt. Das Ende des Ausgangs- Lichtwellenleiter 37 kann wiederum an einer Schnittstelle 37a mit einem exter­ nen Lichtwellenleiter 39 gekoppelt werden.
Die elektro-optische Wandlereinheit 33 bildet wiederum zusammen mit weiteren integrierten oder passiven Bauelementen 25 bzw. 27 eine Sendeeinheit 41. Diese kann auf dieselbe Weise hergestellt werden, wie dies zuvor im Zusammenhang mit der Empfängereinheit 29 beschrieben wurde.
Der in der Figur dargestellte elektro-optische Transceiver 1 weist infolge des Einsatzes der beiden verschränkten AWG's und der Ausbildung der optischen und elektrischen Strukturen auf demselben Substrat eine äußerst geringe Bauform auf und ist mit relativ einfachen Mitteln herstellbar.
Die Herstellung kann in der Weise erfolgen, dass zunächst die optischen Struktu­ ren in Form der beiden AWG's 5, 7 hergestellt werden. Anschließend können die optischen Eigenschaften der beiden AWG's vermessen werden, bevor die elektri­ schen Strukturen hergestellt werden. Auf diese Weise kann derjenige Zweig bzw. dasjenige AWG dem späteren Empfangszweig zugeordnet werden, der die besse­ ren optischen Eigenschaften hinsichtlich Kanaltrennung und Nebensprechen bzw. Übersprechen aufweist. Erforderlichenfalls können vor oder nach dem Erstellen der elektrischen Strukturen und dem Aufbringen separater elektrischer Komponenten in den Enden der mehreren Eingangs-Lichtwellenleiter 31 opti­ sche Resonatorstrukturen 43 erzeugt werden. Diese können als externe Resonato­ ren für verhältnismäßig kostengünstige Laserdioden verwendet werden. Das Herstellen der Resonatorstrukturen kann durch "Einschreiben" entsprechender Strukturen in die bereits hergestellten Eingangs-Lichtwellenleiter 31 mittels elektromagnetischer Strahlung, beispielsweise einem UV-Laser, oder durch Teil­ chenstrahlung erfolgen.
Es ist des Weiteren möglich, sowohl in den Eingangs-Lichtwellenleiter 31 des AWG 7 als auch in den Ausgangs-Lichtwellenleiter 19 des AWG 5 von vornher­ ein optische Resonatorstrukturen vorzusehen. In diesem Fall kann dann auf das Vermessen der optischen Eigenschaften der ineinander verschränkten AWG's verzichtet werden. Insbesondere mit dem in der nicht vorveröffentlichten älteren deutschen Patentanmeldung (Aktenzeichen Akte 19.151) beschriebenen Verfah­ ren ist das Herstellen von optischen Resonatorstrukturen in den betreffenden Lichtwellenleiter auf einfache Weise möglich, wobei die Resonatorstrukturen jeweils eine geringfügig unterschiedliche Mittenfrequenz aufweisen.
Die Erfindung betrifft einen Elektro-optischen Transceiver für ein Wellenlän­ genmultiplex-System mit einem auf einem Substrat 3 angeordneten ersten Licht­ wellenleiter-Array 15, welches als Phased Array Waveguide Grating ausgebildet ist, dessen einer Endbereich über einen ersten Koppelbereich 11 mit wenigstens einem Eingangs-Lichtwellenleiter 9 und dessen anderer Endbereich über einen zweiten Koppelereich 17 mit mehreren Ausgangs-Lichtwellenleitern 19 gekop­ pelt ist, mit einer auf dem Substrat 3 angeordneten Empfängereinheit 29, welche eine opto-elektrische Wandlereinheit 21 umfasst, wobei jeweils ein opto­ elektrisches Wandlerelement der Wandlereinheit 21 einem der mehreren Ausgangs-Lichtwellenleiter 19 zugeordnet ist, mit einem auf dem Substrat 3 ange­ ordneten zweiten Lichtwellenleiter-Array 35, welches als Phased Array Wave­ guide Grating ausgebildet ist, dessen einer Endbereich über den ersten Koppelbe­ reich 11 mit wenigstens einem Ausgangs-Lichtwellenleiter 37 und dessen ande­ rer Endbereich über den zweiten Koppelbereich 17 mit mehreren Eingangs- Lichtwellenleitern 31 gekoppelt ist, mit einer auf dem Substrat 3 angeordneten Sendeeinheit 41, welche eine elektro-optische Wandlereinheit 33 umfasst, wobei jeweils ein elektro-optisches Wandlerelement der Wandlereinheit 33 mit einem der mehreren Eingangslichtwellenleiter 31 zugeordnet ist. Des Weiteren betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen Transceivers.

Claims (8)

1. Elektro-optischer Transceiver für ein Wellenlängenmultiplex-System
  • a) mit einem auf einem Substrat (3) angeordneten ersten Lichtwellenlei­ ter-Array (15), welches als Phased Array Waveguide Grating ausge­ bildet ist, dessen einer Endbereich über einen ersten Koppelbereich (11) mit wenigstens einem Eingangs-Lichtwellenleiter (9) und dessen anderer Endbereich über einen zweiten Koppelbereich (17) mit mehre­ ren Ausgangs-Lichtwellenleitern (19) gekoppelt ist,
  • b) mit einer auf dem Substrat (3) angeordneten Empfängereinheit (29), welche eine opto-elektrische Wandlereinheit (21) umfasst, wobei je­ weils ein optoelektrisches Wandlerelement der Wandlereinheit (21) einem der mehreren Ausgangs-Lichtwellenleiter (19) zugeordnet ist,
  • c) mit einem auf dem Substrat (3) angeordneten zweiten Lichtwellenlei­ ter-Array (35), welches als Phased Array Waveguide Grating ausge­ bildet ist, dessen einer Endbereich über den ersten Koppelbereich (11) mit wenigstens einem Ausgangs-Lichtwellenleiter (37) und dessen anderer Endbereich über den zweiten Koppelbereich (17) mit mehre­ ren Eingangs-Lichtwellenleitern (31) gekoppelt ist, und
  • d) mit einer auf dem Substrat (3) angeordneten Sendeeinheit (41), welche eine elektro-optische Wandlereinheit (33) umfasst, wobei jeweils ein elektro-optisches Wandlerelement der Wandlereinheit (33) mit einem der mehreren Eingangslichtwellenleiter (31) zugeordnet ist.
2. Transceiver nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das erste (15) und zweite (35) Phased Array Waveguide Grating, die Koppelbereiche (11), (17), die mehreren Eingangs- (31) und Ausgangs- (19) Lichtwellenleiter und der wenigstens eine Eingangs- (9) und der wenigstens eine Ausgangs- Lichtwellenleiter (37) in integrierter Optik auf dem Substrat (3) angeordnet sind.
3. Transceiver nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die elektrischen Anschlussleitungen (23) für die Empfängereinheit (29) und/oder die Sendeeinheit (41) integriert auf dem Substrat ausgebildet sind.
4. Transceiver nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Sende­ einheit (41) und/oder Empfängereinheit (29) als ein oder mehrere separate Bauelemente (25, 27) auf dem Substrat (3) aufgebracht ist.
5. Transceiver nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn­ zeichnet, dass in den mehreren Ausgangs-Lichtwellenleitern (19) und/oder den mehrerem Eingangs-Lichtwellenleitern (31) jeweils eine optische Reso­ natorstruktur (43) ausgebildet ist oder jeder der Ausgangs- (19) und/oder Eingangs- (31) Lichtwellenleiter mit einer optischen Resonatorstruktur (43) verbunden ist, wobei jede der Resonatorstrukuren (43) als schmalbandiger Bandpassfilter ausgebildet ist, dessen Mittenfrequenz auf die Mittenfre­ quenz eines Kanals des Wellenlängenmultiplex-Systems abgestimmt ist.
6. Transceiver nach Anspruch 5 dadurch gekennzeichnet, dass die Resona­ torstrukturen (43) durch Bestrahlung mit elektromagnetischen Wellen oder durch Teilchenstrahlen in die zuvor hergestellten Ausgangs- (19) oder Ein­ gangs- (31) Lichtwellenleiter eingeschrieben sind.
7. Transceiver nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, dass die optischen Resonatorstrukturen (43) in den mehreren Eingangs- (31) Licht­ wellenleitern als Resonatoren für die externe Rückkopplung der als Laser­ dioden ausgebildeten elektro-optischen Wandlerelemente ausgebildet und verwendet sind.
8. Verfahren zur Herstellung eines Transceivers nach einem der Ansprüche 3 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass zunächst die Lichtwellenleiter-Arrays (15, 35), die Koppelbereiche (11, 17) und die mehreren Eingangs- (31) und Ausgangs- (19) Lichtwellenleiter sowie der wenigstens eine Eingangs- (9) und Ausgangs- (37) Lichtwellenleiter auf dem Substrat (3) hergestellt wer­ den, dass die optischen Übersprech- oder Nebensprecheigenschaften der beiden hierdurch gebildeten optischen Zweige gemessen werden, dass der­ jenige Zweig, der bessere Übersprech- oder Nebensprecheigenschaften aufweist, als Empfangszweig gewählt wird und dass die elektrischen An­ schlussleitungen (23) für die Empfangseinheit (29) dem ausgewählten Zweig und/oder die elektrischen Anschlussleitungen (23) für die Sendeein­ heit (41) dem nicht ausgewählten Zweig zugeordnet und hergestellt werden.
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