DE10056600A1 - Elektro-optischer Transceiver für ein Wellenlängenmultiplex-System - Google Patents
Elektro-optischer Transceiver für ein Wellenlängenmultiplex-SystemInfo
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Abstract
Die Erfindung betrifft einen elektro-optischen Transceiver für ein Wellenlängenmultiplex-System mit einem auf einem Substrat (3) angeordneten ersten Lichtwellenleiter-Array (15), welches als Phased Array Waveguide Grating ausgebildet ist, dessen einer Endbereich über einen ersten Koppelbereich (11) mit wenigstens einem Eingangs-Lichtwellenleiter (9) und dessen anderer Endbereich über einen zweiten Koppelbereich (17) mit mehreren Ausgangs-Lichtwellenleitern (19) gekoppelt ist, mit einer auf dem Substrat (3) angeordneten Empfängereinheit (29), welche eine opto-elektrische Wandlereinheit (21) umfasst, wobei jeweils ein opto-elektrisches Wandlerelement der Wandlereinheit (21) einem der mehreren Ausgangs-Lichtwellenleiter (19) zugeordnet ist, mit einem auf dem Substrat (3) angeordneten zweiten Lichtwellenleiter-Array (35), welches als Phased Array Waveguide Grating ausgebildet ist, dessen einer Endbereich über den ersten Koppelbereich (11) mit wenigstens einem Ausgangs-Lichtwellenleiter (37) und dessen anderer Endbereich über den zweiten Koppelbereich (17) mit mehreren Eingangs-Wellenleitern (31) gekoppelt ist, und mit einer auf dem Substrat (3) angeordneten Sendeeinheit (41), welche eine elektro-optische Wandlereinheit (33) umfasst, wobei jeweils ein elektro-optisches Wandlerelement der Wandlereinheit (33) mit einem der mehreren Eingangslichtwellenleiter (31) zugeordnet ist. Des Weiteren betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen Transceivers.
Description
Die Erfindung betrifft einen elektro-optischen Transceiver für ein Wellenlän
genmultiplex-System, bei dem die optischen wellenlängenselekltiven Koppelein
heiten als Phased Array Waveguide Gratings (AWG's) ausgebildet sind.
Es ist bekannt, Transceiver für Wellenlängenmultiplex-Systeme unter Verwen
dung zweier optischer wellenlängenselektiver Koppler und entsprechender elek
trooptischer bzw. opto-elektrischer Wandler aufzubauen. Die wellenlängense
lektiven Koppler bilden optische Multiplexer bzw. Demultiplexer, wobei der
(Demultiplexer) Koppler für den Empfangszweig das auf einem Eingangs-
Lichtwellenleiter eingehende optische Wellenlängenmultiplex-Signal auf mehre
re Ausgangs-Lichtwellenleiter entsprechend der einzelnen optischen Kanäle
aufteilt und der (Multiplexer) Koppler für den Sendezweig die mehreren opti
schen Sendesignale, die von optischen Sendeelementen in jeweils einen von
mehreren Eingangs-Lichtwellenleitern eingekoppelt werden, auf einem Aus
gangs-Lichtwellenleiter zusammenfasst. Optische Multiplexer werden infolge
ihrer geringen Einfügedämpfung häufig unter Verwendung sogenannter Phased
Array Waveguide Gratings aufgebaut. Diese optischen Systeme bestehen in ih
rem Kern aus einem Lichtwellenleiter-Array, dessen einzelne Lichtwellenleiter
jeweils einen optischen Pfad bilden, wobei die optische Weglänge jeweils be
nachbarter Pfade zunimmt bzw. abnimmt. Hierdurch ergibt sich ein Verhalten,
das dem Verhalten von üblichen Interferenzgittern in Maxima höherer Ordnung
entspricht. Allerdings werden Verluste eines üblichen Gitters vermieden, die
durch das Aufteilen der einfallenden optischen Leistung auf die verschiedenen
Beugungsmaxima entstehen.
Bei der Herstellung eines elektro-optischen Transceivers bietet es sich an, die
optischen Strukturen zur Bildung des Multiplexers bzw. Demultiplexers bzw. der
beiden Phased Array Waveguide Gratings auf einem einzigen Substrat vorzuse
hen. Hierdurch wird der Montageaufwand für den Transceiver reduziert. Des
Weiteren ergibt sich eine geringere Baugröße als bei der Verwendung zweier
getrennter Substrate mit jeweils einem einzigen (De-)Multiplexer bzw. einem
einzigen Phased Array Waveguide Grating.
Bei der Herstellung von mittels Phased Array Waveguide Grating ausgebildeter
optischer (De-)Multiplexer ist es darüber hinaus bekannt, die Strukturen von
zwei separaten (De-)Multiplexern bzw. Phased Array Waveguide Gratings in
einander zu "verschlingen" und für beide (De-)Multiplexer bzw. Phased Array
Waveguide Gratings dieselben Koppelbereiche zu benutzen, die jeweils die Ein
gangs- bzw. Ausgangs-Lichtwellenleiter mit dem zentralen Lichtwellenleiter-
Array verbinden. Derartige Strukturen werden bisher bei der Fertigung von
AWG's deshalb eingesetzt, um den Ausschuss bei der technologisch aufwendigen
und daher fehlerträchtigen Herstellung zu verringern. Nach der Herstellung eines
derart verschränkten doppelten AWG werden jeweils die optischen Eigenschaf
ten beider Zweige vermessen und der jeweils bessere Zweig ausgewählt. Nach
dem Packaging sind dann von außen lediglich die Ein- bzw. Ausgänge der je
weils besseren Struktur zugänglich.
An dieser Stelle sei bemerkt, dass der Begriff AWG im folgenden synonym für
einen mittels eines AWG im engeren Sinne, d. h. dem zentralen Lichtwellenleiter-
Array, aufgebauten optischen (De-)Multiplexer verwendet wird, es sei denn, aus
dem Zusammenhang ergibt sich die Bedeutung eines AWG im engeren Sinn.
Ausgehend von diesem Stand der Technik liegt der Erfindung die Aufgabe zu
grunde, einen elektro-optischen Transceiver für ein Wellenlängenmultiplex-
System zu schaffen, welcher eine möglichst geringe Baugröße aufweist und der
verhältnismäßig einfach herstellbar ist. Des Weiteren liegt der Erfindung die
Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen Transceivers
zu schaffen.
Die Erfindung löst diese Aufgabe mit den Merkmalen der beiden Ansprüche 1
bzw. 8.
Die Erfindung geht von der Erkenntnis aus, dass ein elektrooptischer Transcei
ver für ein Wellenlängenmultiplex-System auf verhältnismäßig einfache Weise
und raumsparend dadurch aufgebaut werden kann, dass die optischen Strukturen
und die elektrischen bzw. opto-elektrischen Komponenten auf demselben Sub
strat aufgebracht werden. Hierbei handelt es sich vorzugsweise um ein Silicium
substrat.
Durch die Verwendung einer an sich bekannten verschränkten Struktur zur Bil
dung zweier ineinander "verschlungener" Phased Array Waveguide Gratings
ergibt sich der Vorteil eines äußerst raumsparenden Aufbaus bereits auf der opti
schen Seite. Erfindungsgemäß werden jedoch beide Zweige eines derart aufge
bauten doppelten AWG benutzt.
Nach einer Ausführungsform der Erfindung sind zumindest die elektrischen An
schlussleitungen für die Empfängereinheit und/oder die Sendeeinheit integriert
auf demselben Substrat ausgebildet. Insbesondere durch die Verwendung eines
Silicium-Substrats ergibt sich der Vorteil, dass sowohl optische als auch elektrische
Strukturen mit verhältnismäßig einfachen Verfahren auf dem Substrat er
zeugt werden können.
Zusätzlich zu den elektrischen Anschlussleitungen können selbstverständlich
auch passive oder aktive elektronische Bauelemente auf dem Substrat integriert
ausgebildet sein.
Es ist des Weiteren möglich, ein oder mehrere separate Bauelemente der Sende
einheit und/oder der Empfangseinheit auf dem Bauelement aufzubringen, bei
spielsweise aufzukleben oder zu verlöten, und ggf. Anschlüsse der separaten
Bauelemente mit weiteren Verfahren, beispielsweise durch Bonden, mit den
Anschlussleitungen zu verbinden.
Da die Herstellung der optischen Strukturen eines AWG bzw. der beiden ver
schränkt ausgebildeten AWG's, wie vorstehend ausgeführt, die Gefahr birgt, dass
die optischen Eigenschaften nicht innerhalb der geforderten engen Toleranzen
liegen, ist nach einer weiteren Ausführungsform der Erfindung, insbesondere in
den mehreren Ausgangs-Lichtwellenleitern des optischen Empfangszweigs bzw.
des betreffenden AWG, jeweils eine optische Resonatorstruktur ausgebildet.
Diese dient als schmalbandiger Bandpassfilter, um die Übersprechdämpfung des
jeweiligen Kanals zu verbessern.
Das Vorsehen entsprechender optischer Resonatorstrukturen in den mehreren
Eingangs-Lichtwellenleitern des den optischen Teil des Sendezweigs bildenden
AWG bietet weniger einen Vorteil im Hinblick auf die Nebensprechdämpfung
der einzelnen optischen Kanäle, da die Bandbreite der üblicherweise verwende
ten Laserdioden meist deutlich kleiner ist als die Bandbreite des jeweiligen opti
schen Kanals. Im Sendezweig vorgesehene optische Resonatorstrukturen können
jedoch zur externen Rückkopplung für Laserdioden dienen, deren Sendespektrum
ohne die externe Rückkopplung für ein Wellenlängenmultiplex-System zu breit
bandig wäre. Auf diese Weise ist es möglich, verhältnismäßig kostengünstige
Laserdioden einzusetzen.
Das Herstellen der Resonatorstrukturen in den mehreren Eingangs- bzw. Aus
gangs-Lichtwellenleitern erfolgt vorzugsweise durch das Bestrahlen der jeweili
gen Lichtwellenleiter mit elektromagnetischen Wellen (z. B. durch UV-Laser)
oder durch Teilchenstrahlung. Selbstverständlich müssen hierzu die jeweiligen
Lichtwellenleiter aus einem Material bestehen oder mit einem Material dotiert
sein, das unter einer derartigen Bestrahlung eine Veränderung des Brechungsin
dex ermöglicht.
Zur Herstellung eines erfindungsgemäßen Transceivers sieht eine Ausführungs
form der Erfindung vor, zunächst die rein optischen Strukturen für die beiden
verschränkten AWG's auf dem Substrat herzustellen. Anschließend können die
optischen Eigenschaften der beiden AWG's vermessen und der hinsichtlich der
bersprech- oder Nebensprecheigenschaften bessere Zweig als Empfangszweig
gewählt werden. Anschließend können die elektrischen Strukturen dann so her
gestellt werden, dass die elektrischen Strukturen für die Empfangseinheit dem
zuvor gewählten besseren AWG zugeordnet werden. Sind Resonatorstrukturen
als externe Resonatoren für die optischen Sendeelemente erforderlich, so können
diese nach dem Vermessen der optischen Strukturen (vor oder nach dem Her
stellen der elektrischen Strukturen) hergestellt werden.
Die Herstellung kann jedoch auch so erfolgen, dass in jedem Fall in beiden
Zweigen der optischen Struktur, d. h. in beiden AWG's, Resonatorstrukturen in
den jeweiligen mehreren Eingangs- bzw. Ausgangs-Lichtwellenleitern hergestellt
werden. In diesem Fall kann bei der Herstellung eines derartigen Transceivers
die Vermessung der optischen Eigenschaften nach der Herstellung der optischen
Strukturen auch unterbleiben. Das Herstellen der Resonatorstrukturen kann ins
besondere auf sehr einfache Weise durch ein Verfahren erfolgen, wie es in der
nicht vorveröffentlichten älteren deutschen Patentanmeldung (Aktenzeichen der
Akte 19.151) beschrieben ist.
Weitere Ausführungsformen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprü
chen.
Die Erfindung wird nachfolgend anhand eines in der Zeichnung dargestellten
Ausführungsbeispiels erläutert:
Die einzige Figur zeigt schematisch einen elektro-optischen Transceiver 1, des sen sämtliche Komponenten auf einem gemeinsamen Substrat 3 angeordnet sind. Das Substrat 3 besteht vorzugsweise aus Silicium, da dieses Material die inte grierte Herstellung sowohl optischer als auch elektrischer Komponenten und Bauelemente ermöglicht.
Die einzige Figur zeigt schematisch einen elektro-optischen Transceiver 1, des sen sämtliche Komponenten auf einem gemeinsamen Substrat 3 angeordnet sind. Das Substrat 3 besteht vorzugsweise aus Silicium, da dieses Material die inte grierte Herstellung sowohl optischer als auch elektrischer Komponenten und Bauelemente ermöglicht.
Der Transceiver 1 umfasst optische Strukturen in Form zweier ineinander ver
schränkter AWG's 5 und 7. Im dargestellten Ausführungsbeispiel besteht das
AWG 5 aus einem Eingangs-Lichtwellenleiter 9, der in einen ersten optischen
Koppelbereich 11 mündet. Der Eingangs-Lichtwellenleiter 9 kann an der Schnitt
stelle 9a mit einem externen Lichtwellenleiter 13 verbunden werden, der dem
Transceiver 1 ein optisches Wellenlängenmultiplex-Signal der Mittenwellenlän
gen λ1 bis λn zuführt. Mittels des Koppelbereichs 11 wird das durch das Wellen
längenmultiplex-Signal erzeugte Feld in das zentrale Lichtwellenleiter-Array des
AWG 5 angekoppelt. Die optischen Phasenunterschiede der einzelnen Lichtwellenleiter
des Lichtwellenleiter-Array 15 und ein zweiter Koppelbereich 17, in
welchen die einzelnen Lichtwellenleiter des Array 15 münden, sind so dimensio
niert, dass das optische Signal aufgespalten und die einzelnen Teilsignale der
Mittenwellenlängen λ1 bis λn, jeweils in einen von n Ausgangs-Lichtwellenleitern
19 eingekoppelt werden.
Die Enden der Ausgangs-Lichtwellenleiter 19 münden jeweils vor einem opto
elektrischen Wandlerelement einer opto-elektrischen Wandlereinheit 21. Die
Wandlerelemente können beispielsweise als einzelne Dioden ausgebildet sein,
die in Form einer die Wandlereinheit 21 bildenden Diodenzeile zusammengefasst
sind.
Auf dem Substrat 3 sind weiterhin elektrische Anschlussleitungen 23 ausgebil
det, die mit üblichen Verfahren zur Herstellung integrierter Bauelemente herge
stellt werden können. Die elektrischen Anschlussleitungen 23 verbinden entspre
chende Anschlusskontakte der opto-elektrischen Wandlereinheit 21 mit den An
schlusskontakten weiterer integrierter Bauelemente 25 oder mit den Anschluss
kontakten von passiven Bauelementen 27, die beispielsweise als Widerstände
ausgebildet sein können. Die opto-elektrische Wandlereinheit 21, die elektri
schen Anschlussleitungen 23 und die integrierten Bauelemente 25 bzw. die pas
siven Bauelemente 27 bilden zusammen eine Empfängereinheit 29, welche die
optischen Signale in elektrische Signale wandelt und ggf. weiter verarbeitet.
Das zweite AWG 7 umfaßt n Eingangs-Lichtwellenleiter 31, die mit dem zweiten
Koppelbereich 17 verbunden sind. In die Enden der Eingangs-Lichtwellenleiter
31 wird jeweils das Signal eines elektro-optischen Wandlerelements einer elek
trooptischen Wandlereinheit 33 angekoppelt. Diese kann beispielsweise als
Array von n Laserdioden mit Mittenwellenlängen Λ1 bis Λn ausgebildet sein. Die
optischen Signale der elektro-optischen Wandlerelemente werden über die Ein
gangs-Lichtwellenleiter 31 und den zweiten Koppelbereich 17, der mit den ande
ren Enden der Eingangs-Lichtwellenleiter 31 verbunden ist, so in die einzelnen
Lichtwellenleiter des zentralen Lichtwellenleiter-Array 35 des AWG 7 angekop
pelt, dass durch die entsprechend gewählten, unterschiedlich langen optischen
Pfade des Array 35 im ersten Koppelbereich 11 ein Feld entsteht, welches sämt
liche Teilsignale der Mittenwellenlängen Λ1 bis Λn in einen Ausgangs-
Lichtwellenleiter 37 des AWG 7 einkoppelt. Das Ende des Ausgangs-
Lichtwellenleiter 37 kann wiederum an einer Schnittstelle 37a mit einem exter
nen Lichtwellenleiter 39 gekoppelt werden.
Die elektro-optische Wandlereinheit 33 bildet wiederum zusammen mit weiteren
integrierten oder passiven Bauelementen 25 bzw. 27 eine Sendeeinheit 41. Diese
kann auf dieselbe Weise hergestellt werden, wie dies zuvor im Zusammenhang
mit der Empfängereinheit 29 beschrieben wurde.
Der in der Figur dargestellte elektro-optische Transceiver 1 weist infolge des
Einsatzes der beiden verschränkten AWG's und der Ausbildung der optischen
und elektrischen Strukturen auf demselben Substrat eine äußerst geringe
Bauform auf und ist mit relativ einfachen Mitteln herstellbar.
Die Herstellung kann in der Weise erfolgen, dass zunächst die optischen Struktu
ren in Form der beiden AWG's 5, 7 hergestellt werden. Anschließend können die
optischen Eigenschaften der beiden AWG's vermessen werden, bevor die elektri
schen Strukturen hergestellt werden. Auf diese Weise kann derjenige Zweig bzw.
dasjenige AWG dem späteren Empfangszweig zugeordnet werden, der die besse
ren optischen Eigenschaften hinsichtlich Kanaltrennung und Nebensprechen
bzw. Übersprechen aufweist. Erforderlichenfalls können vor oder nach dem Erstellen
der elektrischen Strukturen und dem Aufbringen separater elektrischer
Komponenten in den Enden der mehreren Eingangs-Lichtwellenleiter 31 opti
sche Resonatorstrukturen 43 erzeugt werden. Diese können als externe Resonato
ren für verhältnismäßig kostengünstige Laserdioden verwendet werden. Das
Herstellen der Resonatorstrukturen kann durch "Einschreiben" entsprechender
Strukturen in die bereits hergestellten Eingangs-Lichtwellenleiter 31 mittels
elektromagnetischer Strahlung, beispielsweise einem UV-Laser, oder durch Teil
chenstrahlung erfolgen.
Es ist des Weiteren möglich, sowohl in den Eingangs-Lichtwellenleiter 31 des
AWG 7 als auch in den Ausgangs-Lichtwellenleiter 19 des AWG 5 von vornher
ein optische Resonatorstrukturen vorzusehen. In diesem Fall kann dann auf das
Vermessen der optischen Eigenschaften der ineinander verschränkten AWG's
verzichtet werden. Insbesondere mit dem in der nicht vorveröffentlichten älteren
deutschen Patentanmeldung (Aktenzeichen Akte 19.151) beschriebenen Verfah
ren ist das Herstellen von optischen Resonatorstrukturen in den betreffenden
Lichtwellenleiter auf einfache Weise möglich, wobei die Resonatorstrukturen
jeweils eine geringfügig unterschiedliche Mittenfrequenz aufweisen.
Die Erfindung betrifft einen Elektro-optischen Transceiver für ein Wellenlän
genmultiplex-System mit einem auf einem Substrat 3 angeordneten ersten Licht
wellenleiter-Array 15, welches als Phased Array Waveguide Grating ausgebildet
ist, dessen einer Endbereich über einen ersten Koppelbereich 11 mit wenigstens
einem Eingangs-Lichtwellenleiter 9 und dessen anderer Endbereich über einen
zweiten Koppelereich 17 mit mehreren Ausgangs-Lichtwellenleitern 19 gekop
pelt ist, mit einer auf dem Substrat 3 angeordneten Empfängereinheit 29, welche
eine opto-elektrische Wandlereinheit 21 umfasst, wobei jeweils ein opto
elektrisches Wandlerelement der Wandlereinheit 21 einem der mehreren Ausgangs-Lichtwellenleiter
19 zugeordnet ist, mit einem auf dem Substrat 3 ange
ordneten zweiten Lichtwellenleiter-Array 35, welches als Phased Array Wave
guide Grating ausgebildet ist, dessen einer Endbereich über den ersten Koppelbe
reich 11 mit wenigstens einem Ausgangs-Lichtwellenleiter 37 und dessen ande
rer Endbereich über den zweiten Koppelbereich 17 mit mehreren Eingangs-
Lichtwellenleitern 31 gekoppelt ist, mit einer auf dem Substrat 3 angeordneten
Sendeeinheit 41, welche eine elektro-optische Wandlereinheit 33 umfasst, wobei
jeweils ein elektro-optisches Wandlerelement der Wandlereinheit 33 mit einem
der mehreren Eingangslichtwellenleiter 31 zugeordnet ist. Des Weiteren betrifft
die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen Transceivers.
Claims (8)
1. Elektro-optischer Transceiver für ein Wellenlängenmultiplex-System
- a) mit einem auf einem Substrat (3) angeordneten ersten Lichtwellenlei ter-Array (15), welches als Phased Array Waveguide Grating ausge bildet ist, dessen einer Endbereich über einen ersten Koppelbereich (11) mit wenigstens einem Eingangs-Lichtwellenleiter (9) und dessen anderer Endbereich über einen zweiten Koppelbereich (17) mit mehre ren Ausgangs-Lichtwellenleitern (19) gekoppelt ist,
- b) mit einer auf dem Substrat (3) angeordneten Empfängereinheit (29), welche eine opto-elektrische Wandlereinheit (21) umfasst, wobei je weils ein optoelektrisches Wandlerelement der Wandlereinheit (21) einem der mehreren Ausgangs-Lichtwellenleiter (19) zugeordnet ist,
- c) mit einem auf dem Substrat (3) angeordneten zweiten Lichtwellenlei ter-Array (35), welches als Phased Array Waveguide Grating ausge bildet ist, dessen einer Endbereich über den ersten Koppelbereich (11) mit wenigstens einem Ausgangs-Lichtwellenleiter (37) und dessen anderer Endbereich über den zweiten Koppelbereich (17) mit mehre ren Eingangs-Lichtwellenleitern (31) gekoppelt ist, und
- d) mit einer auf dem Substrat (3) angeordneten Sendeeinheit (41), welche eine elektro-optische Wandlereinheit (33) umfasst, wobei jeweils ein elektro-optisches Wandlerelement der Wandlereinheit (33) mit einem der mehreren Eingangslichtwellenleiter (31) zugeordnet ist.
2. Transceiver nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das erste (15)
und zweite (35) Phased Array Waveguide Grating, die Koppelbereiche (11),
(17), die mehreren Eingangs- (31) und Ausgangs- (19) Lichtwellenleiter
und der wenigstens eine Eingangs- (9) und der wenigstens eine Ausgangs-
Lichtwellenleiter (37) in integrierter Optik auf dem Substrat (3) angeordnet
sind.
3. Transceiver nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die
elektrischen Anschlussleitungen (23) für die Empfängereinheit (29)
und/oder die Sendeeinheit (41) integriert auf dem Substrat ausgebildet sind.
4. Transceiver nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Sende
einheit (41) und/oder Empfängereinheit (29) als ein oder mehrere separate
Bauelemente (25, 27) auf dem Substrat (3) aufgebracht ist.
5. Transceiver nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn
zeichnet, dass in den mehreren Ausgangs-Lichtwellenleitern (19) und/oder
den mehrerem Eingangs-Lichtwellenleitern (31) jeweils eine optische Reso
natorstruktur (43) ausgebildet ist oder jeder der Ausgangs- (19) und/oder
Eingangs- (31) Lichtwellenleiter mit einer optischen Resonatorstruktur (43)
verbunden ist, wobei jede der Resonatorstrukuren (43) als schmalbandiger
Bandpassfilter ausgebildet ist, dessen Mittenfrequenz auf die Mittenfre
quenz eines Kanals des Wellenlängenmultiplex-Systems abgestimmt ist.
6. Transceiver nach Anspruch 5 dadurch gekennzeichnet, dass die Resona
torstrukturen (43) durch Bestrahlung mit elektromagnetischen Wellen oder
durch Teilchenstrahlen in die zuvor hergestellten Ausgangs- (19) oder Ein
gangs- (31) Lichtwellenleiter eingeschrieben sind.
7. Transceiver nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, dass die
optischen Resonatorstrukturen (43) in den mehreren Eingangs- (31) Licht
wellenleitern als Resonatoren für die externe Rückkopplung der als Laser
dioden ausgebildeten elektro-optischen Wandlerelemente ausgebildet und
verwendet sind.
8. Verfahren zur Herstellung eines Transceivers nach einem der Ansprüche 3
bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass zunächst die Lichtwellenleiter-Arrays
(15, 35), die Koppelbereiche (11, 17) und die mehreren Eingangs- (31) und
Ausgangs- (19) Lichtwellenleiter sowie der wenigstens eine Eingangs- (9)
und Ausgangs- (37) Lichtwellenleiter auf dem Substrat (3) hergestellt wer
den, dass die optischen Übersprech- oder Nebensprecheigenschaften der
beiden hierdurch gebildeten optischen Zweige gemessen werden, dass der
jenige Zweig, der bessere Übersprech- oder Nebensprecheigenschaften
aufweist, als Empfangszweig gewählt wird und dass die elektrischen An
schlussleitungen (23) für die Empfangseinheit (29) dem ausgewählten
Zweig und/oder die elektrischen Anschlussleitungen (23) für die Sendeein
heit (41) dem nicht ausgewählten Zweig zugeordnet und hergestellt werden.
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Cited By (1)
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|---|---|---|---|---|
| CN119596485A (zh) * | 2025-02-10 | 2025-03-11 | 吉林省毅芯科技有限公司 | 一种多路一体化光电转换收发装置 |
Citations (3)
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|---|---|---|---|---|
| EP0284910B1 (de) * | 1987-03-30 | 1993-05-26 | Siemens Aktiengesellschaft | Integriert-optische Anordnung für die bidirektionale optische Nachrichten- oder Signalübertragung |
| DE19815404A1 (de) * | 1998-04-06 | 1999-10-14 | Siemens Ag | Anordnung zur räumlichen Trennung und/oder Zusammenführung optischer Wellenlängenkanäle |
| DE19742070C2 (de) * | 1997-09-24 | 2000-09-21 | Hertz Inst Heinrich | Vorrichtung zum polarisationsunabhängigen Trennen und Überlagern von Lichtsignalen |
-
2000
- 2000-11-15 DE DE10056600A patent/DE10056600C2/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Journal of Lightwave Technology, Vol. 13, No. 12 (1995), S. 2320-2326 * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN119596485A (zh) * | 2025-02-10 | 2025-03-11 | 吉林省毅芯科技有限公司 | 一种多路一体化光电转换收发装置 |
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