DE1005644B - Transistor mit Temperaturkompensation - Google Patents
Transistor mit TemperaturkompensationInfo
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- DE1005644B DE1005644B DEP15031A DEP0015031A DE1005644B DE 1005644 B DE1005644 B DE 1005644B DE P15031 A DEP15031 A DE P15031A DE P0015031 A DEP0015031 A DE P0015031A DE 1005644 B DE1005644 B DE 1005644B
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
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- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/30—Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters
- H03F1/302—Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters in bipolar transistor amplifiers
-
- H10W40/10—
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Description
- Transistor mit Temperaturkompensation Es ist bekannt, daß die elektrischen Eigenschaften eines Transistors stark von der Temperatur abhängig sind, welcher der Transistor ausgesetzt ist. Die Erfindung bezweckt, mit geringem Aufwand, insbesondere ohne Verwendung von Thermostaten, die auf einen Transistor einwirkenden Temperaturschwankungen zu verringern. Gemäß der Erfindung steht deshalb der Transistors mit einem Heißleiter in Wärmekontakt, und der Heißleiter liegt in Reihe mit einem verhältnismäßig großen, temperaturunabhängigen Vorwiderstand an einer konstanten Spannungsquelle zwecks Vergrößerung der im Heißleiter erzeugten Heizleistung mit abnehmender Umgebungstemperatur. Ein Heißleiter wird deshalb verwendet, da dessen elektrischer Widerstand mit steigender Temperatur abnimmt. Im Hinblick darauf, mit abnehmender Umgebungstemperatur die im Heißleiter V, der im Wärmekontakt mit dem Transistor T steht, umgesetzte Leistung zu vergrößern, wird dieser gemäß Fig. 1 über den verhältnismäßig großen temperaturunabhängigen Widerstand R aus der Stromquelle B von konstanter Spannung gespeist.
- Wenn zufolge der Bauart des Heißleiters dessen Verwendung als Heizwiderstand unzweckmäßig erscheint, kann gemäß Fig. 2 ein besonderer Heizwiderstand H, der im Wärmekontakt mit dem Transistor 7' liegt, vorgesehen werden, zu welchem der Heißleiter V parallel geschaltet ist.
- Zufolge der Abwesenheit von Schaltkontakten sind Lebensdauer und Betriebssicherheit der vorliegenden Einrichtung sehr hoch.
Claims (2)
- PATENTANSPRÜCHE: 1. Transistor mit Temperaturkompensation, dadurch gekennzeichnet, daß der Transistor mit einem Heißleiter in Wärmekontakt steht und der Heißleiter in Reihe mit einem verhältnismäßig großen, temperaturunabhängigen Vorwiderstand an einer konstanten Spannungsquelle liegt zwecks Vergrößerung der im Heißleiter erzeugten Heizleistung mit abnehmender Umgebungstemperatur.
- 2. Transistor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß an Stelle des Heißleiters ein Heizwiderstand geschaltet ist, dem ein Heizleiter parallel liegt.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CH1005644X | 1955-10-14 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1005644B true DE1005644B (de) | 1957-04-04 |
Family
ID=4552233
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DEP15031A Pending DE1005644B (de) | 1955-10-14 | 1955-10-22 | Transistor mit Temperaturkompensation |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE1005644B (de) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1073631B (de) * | 1957-10-16 | 1960-01-21 | LICENTIA Patent-Verwaltuntrs-G.m.b.H., Frankfurt/M | Vorrichtung zur Temperaturüberwachung einer elektrischen Halbleiteranordnung |
| DE1074159B (de) * | 1957-09-13 | 1960-01-28 | LICENTIA Patent-Verwaltungs-G.m.b.H., Frankfurt/M | Vorrichtung zur Temperaturüberwachung einer elektrischen Halbleiteranordnung |
| DE1193611B (de) * | 1960-08-20 | 1965-05-26 | Siemens Ag | Einrichtung in einer Stromrichteranlage mit Halbleitergleichrichterelementen zum Schutze gegen starke temperaturbedingte Wechsel-festigkeitsbeanspruchungen |
-
1955
- 1955-10-22 DE DEP15031A patent/DE1005644B/de active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1074159B (de) * | 1957-09-13 | 1960-01-28 | LICENTIA Patent-Verwaltungs-G.m.b.H., Frankfurt/M | Vorrichtung zur Temperaturüberwachung einer elektrischen Halbleiteranordnung |
| DE1073631B (de) * | 1957-10-16 | 1960-01-21 | LICENTIA Patent-Verwaltuntrs-G.m.b.H., Frankfurt/M | Vorrichtung zur Temperaturüberwachung einer elektrischen Halbleiteranordnung |
| DE1193611B (de) * | 1960-08-20 | 1965-05-26 | Siemens Ag | Einrichtung in einer Stromrichteranlage mit Halbleitergleichrichterelementen zum Schutze gegen starke temperaturbedingte Wechsel-festigkeitsbeanspruchungen |
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