[go: up one dir, main page]

DE10051167A1 - Anordnung zur Fuseinitialisierung - Google Patents

Anordnung zur Fuseinitialisierung

Info

Publication number
DE10051167A1
DE10051167A1 DE10051167A DE10051167A DE10051167A1 DE 10051167 A1 DE10051167 A1 DE 10051167A1 DE 10051167 A DE10051167 A DE 10051167A DE 10051167 A DE10051167 A DE 10051167A DE 10051167 A1 DE10051167 A1 DE 10051167A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
fuse
initialization
line
initialization signal
bfpup
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE10051167A
Other languages
English (en)
Other versions
DE10051167B4 (de
Inventor
Helmut Fischer
Thilo Schaffroth
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Qimonda AG
Original Assignee
Infineon Technologies AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Infineon Technologies AG filed Critical Infineon Technologies AG
Priority to DE10051167A priority Critical patent/DE10051167B4/de
Priority to US09/978,398 priority patent/US6603699B2/en
Publication of DE10051167A1 publication Critical patent/DE10051167A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE10051167B4 publication Critical patent/DE10051167B4/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C5/00Details of stores covered by group G11C11/00
    • G11C5/02Disposition of storage elements, e.g. in the form of a matrix array
    • G11C5/025Geometric lay-out considerations of storage- and peripheral-blocks in a semiconductor storage device
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C17/00Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards
    • G11C17/14Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards in which contents are determined by selectively establishing, breaking or modifying connecting links by permanently altering the state of coupling elements, e.g. PROM
    • G11C17/16Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards in which contents are determined by selectively establishing, breaking or modifying connecting links by permanently altering the state of coupling elements, e.g. PROM using electrically-fusible links

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Dram (AREA)
  • Static Random-Access Memory (AREA)

Abstract

Die Erfindung betrifft eine Anordnung zur Fuseinitialisierung, bei der die Fuseinitialisierungssignale (bFPUP, FPUN) auf insgesamt zwei Leitungen (14, 14') zu den einzelnen Fusebänken (5 bis 12) geführt und zeitlich verzögert zurückgesandt sind.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Anordnung zur Fuse­ initialisierung, mit mindestens einer Fusebank, die mehrere Fuses aufweist, in denen Redundanzinformation gespeichert ist, die durch ein erstes und ein zweites durch eine Genera­ toreinrichtung erzeugtes Initialisierungssignal in jeweils ein jeder Fuse zugeordnetes Latch auslesbar ist. Unter "Fu­ ses" sollen dabei auch Antifuses verstanden werden. Bevorzugt wird die Erfindung bei einem Speicher eingesetzt, dessen Speicherzellenfeld in Quadranten unterteilt ist, längs denen sich die Fusebänke erstrecken.
In Fuses abgespeicherte Redundanzinformation wird beim Akti­ vieren beziehungsweise Hochfahren eines Speichers, wie bei­ spielsweise eines DRAMs, in Latches (Verriegelungsglieder) eingelesen, welche die Redundanzinformation zwischenspeichern und in direkter Nachbarschaft zu den Fuses gelegen sind. Da­ bei ist jeder Fuse ein Latch zugeordnet.
Für dieses Einlesen von Redundanzinformation werden zwei Initialisierungssignale benötigt, nämlich ein erstes Initiali­ sierungssignal bFPUP (bar fuse power up), bei dem es sich um ein Enable-Signal handelt, und ein zweites Initialisierungs­ signal FPUN, das ein Steuersignal zum Einlatchen der Redun­ danzinformation ist und aus einem Puls besteht, der während seiner Dauer die Redundanzinformation in den Latches zwi­ schenspeichern lässt.
Fig. 4 zeigt schematisch einen Speicher mit einem Speicher­ zellenfeld aus vier Quadranten Q1 bis Q4 und zwischen diesen Quadranten Q1 bis Q4 gelegenen Fusebänken 5 bis 12. Die Fuse­ bänke 5 und 6 sind dem Quadranten Q1 zugeordnet, während die Fusebänke 7 und 8 zu dem Quadranten Q2, die Fusebänke 9 und 10 zu dem Quadranten Q3 und die Fusebänke 11 und 12 zu dem Quadranten Q4 gehören. Dabei liegen die Fusebänke 5 und 6 längs zwei Seiten des Quadranten Q1, welche im Abstand den benachbarten Quadranten Q4 und Q2 gegenüberliegen. Entspre­ chendes gilt für die Fusebänke 7 und 8 hinsichtlich des Qua­ dranten Q2, für die Fusebänke 9 und 10 hinsichtlich des Qua­ dranten Q3 und für die Fusebänke 11 und 12 hinsichtlich des Quadranten Q4. Die Fuses der Fusebänke 5 bis 12 sind dabei jeweils einzelnen Segmenten bzw. Arrays der Quadranten Q1 bis Q4 zugeordnet.
Fig. 5 zeigt eine Fuse F mit einem zugeordneten Latch L. Die Fuse F liegt in Reihe mit einer Serienschaltung aus einem N- Kanal-MOS-Transistor T1 und einem P-Kanal-MOS-Transistor T2 zwischen einem festen Potential (Masse bzw. Ground) und einer Versorgungsspannung Vint. Am Gate des Transistors T2 liegt das erste Initialisierungssignal bFPUP, während Gate des Transistors T1 mit dem zweiten Initialisierungssignal FPUN beaufschlagt ist.
Der Knoten zwischen den beiden Transistoren T1 und T2 ist mit dem Eingang eines ersten Inverters I1 und dem Ausgang eines dem ersten Inverter I1 nachgeschalteten zweiten Inverters I2 verbunden. Außerdem liegt der Ausgang des ersten Inverters I1 am Steuereingang eines ersten gesteuerten Schalters S1, wäh­ rend der Ausgang des zweiten Inverters I2 an den Steuerein­ gang eines zweiten gesteuerten Schalters S2 angeschlossen ist.
Der Eingang des ersten Schalters S1 ist mit einem ersten Si­ gnal A1 beaufschlagt, während am Eingang des zweiten Schal­ ters S2 ein zweites Signal A2 liegt.
Fig. 6 zeigt den Verlauf der Versorgungsspannung Vint, des ersten Initialisierungssignales bFPUP und des zweiten Initia­ lisierungssignales FPUN in Abhängigkeit von der Zeit t.
Wenn die Versorgungsspannung Vint eingeschaltet wird, also hoch wird, ist der Transistor T2 leitend, während der Transi­ stor T1 noch sperrt, da beide Signale bFPUP und FPUN niedrig sind. Damit liegt die Versorgungsspannung Vint am Eingang des Latches L, so dass dessen Vorinitialisierung erfolgt. Geht sodann das erste Initialisierungssignal bFPUP hoch (Flanke F2), so sperrt der Transistor T2. Das Latch L ist damit von der Versorgungsspannung Vint abgeschaltet. Nach Einschalten des zweiten Initialisierungssignales beziehungsweise Pulses FPUN (Flanke F3) leitet der Transistor T1, während der Tran­ sistor T2 weiter sperrt. Damit wird die Fuseinformation der Fuse F dem Latch L zugeführt, wobei abhängig vom Inhalt die­ ser Information ("1") oder ("0") der Schalter S1 leitet, wäh­ rend der Schalter S2 sperrt oder der Schalter S1 sperrt, wäh­ rend der Schalter S2 leitet. Dieser Einschreibvorgang der Fuseinformation ist mit dem Ende des Pulses FPUN (Flanke F4) abgeschlossen. An einem Ausgang A der Schalter S1 und S2 wird so abhängig von der Fuseinformation der Fuse F das Signal A1 oder das Signal A2 gewonnen.
Fig. 7 zeigt einen möglichen Signalverlauf, der vorliegt, wenn das erste Initialisierungssignal bFPUP zusammen mit der Versorgungsspannung Vint hochläuft. Hier erfolgt die Vor­ initialisierung des Latches L mit dem Abfall (Flanke F1) des Signales bFPUP.
Die beiden Initialisierungssignale bFPUP und FPUN müssen beim Aktivieren des Speichers allen Fuses der Fusebänke 5 bis 12 zugeführt werden, damit diese Fuses ihre jeweilige Informati­ on in die zugehörigen Latches einlesen können, wobei jeder einzelnen Fuse F ein Latch L der in Fig. 5 gezeigten Art zu­ geordnet ist. Selbstverständlich können dabei für die Latches L auch andere Schaltungskonfigurationen gewählt werden.
Um die Initialisierung mit den beiden Initialisierungssigna­ len bFPUP und FPUN zu ermöglichen, sind längs der Fusebänke 5 bis 12 für jedes dieser Signale Leitungen 13 schleifenförmig geführt, wie dies in Fig. 4 in Strichlinien für das erste Initialisierungssignal bFPUP in Strichlinien angedeutet ist. Für das zweite Initialisierungssignal FPUN wird eine entspre­ chende Leitungsschleife benötigt.
Das erste Initialisierungssignal bFPUP läuft also zunächst auf der Leitung 13 längs der Fusebank 5 von der Mitte des Speichers bis zu dessen Rand und dann entlang dieser Fusebank 5 wieder zurück, um anschließend in entsprechender Weise nacheinander durch die Fusebänke 6 bis 12 geführt zu sein.
Da gleiches auch für das zweite Initialiserungssignal FPUN beziehungsweise für dessen Leitung gilt, bedeutet dies, dass insgesamt längs der Fusebänke 5 bis 12 beziehungsweise längs einander benachbarter Seiten der Quadranten Q1 bis Q4 jeweils vier Leitungen benötigt werden.
Entsprechend dem in Fig. 4 angedeuteten Schema verläuft also die Fuseinitialisierung sequentiell über den gesamten Chip des Speichers, was während der Initialisierungsphase einen für das Hochlaufen der Schaltung vorteilhaften gleichmäßigen und zeitlich verteilten Strom zur Folge hat.
Abhängig von der Chiparchitektur eines Speichers kann der Flächenverbrauch einzelner Bereiche auf dem Chip durch Tran­ sistoren oder durch Leitungen dominiert sein. Liegt der letz­ tere Fall vor, so wirkt eine Einsparung an Leitungen flächen­ reduzierend, was von einem erheblichen Vorteil ist. Dies gilt selbst dann, wenn durch die Leitungseinsparung zusätzliche Transistoren benötigt werden.
Es ist daher Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Anord­ nung zur Fuseinitialisierung zu schaffen, bei der eine Reduk­ tion der auf einem Chip benötigten Fläche möglich ist.
Diese Aufgabe wird bei einer Anordnung zur Fuseinitialisie­ rung der eingangs genannten Art erfindungsgemäß dadurch gelöst, dass das erste Initialisierungssignal längs einer ers­ ten Leitung zu den Fuses geführt ist und dass das zweite In­ itialisierungssignal verzögert auf einer zweiten Leitung zu­ rückgeschickt ist.
Damit können von den oben erwähnten vier Leitungen, die je­ weils einer Fusebank zugeordnet sind, insgesamt zwei Leitun­ gen eingespart werden, was in Bezug auf diese Leitungen eine Flächenreduktion von etwa 50% bedeutet. Hierzu werden am Ende der Quadranten des Speicherzellenfeldes beziehungsweise ent­ sprechenden Chipbereichen Schaltungen integriert, welche ei­ nen Wechsel des einen Initialisierungssignals detektieren und das andere Initialisierungssignal dann jeweils auf der ande­ ren Leitung verzögert zurückgeben. Im Mittenbereich des Spei­ chers beziehungsweise in der Chipmitte ist zusätzlich zu der Gene ratoreinrichtung für die beiden Initialisierungssignale eine Schaltung integriert, die die zurückgesendeten Signale detektiert und diese zeitlich verzögert in den Bereich der nächsten Fusebank einspeist.
In einer Weiterbildung der Erfindung ist es auch möglich, die Generatoreinrichtung für die Initialisierungssignale so zu steuern, dass diese die beiden Initialisierungssignale zeit­ lich verzögert in die Bereiche der einzelnen Fusebänke ein­ speist.
Die Erfindung ermöglicht die Einsparung von zwei Leitungen pro innenliegender Seite eines Quadranten des Speicherzellen­ feldes, also von insgesamt 2 × 2 × 4 = 16 Leitungen über dem gesamten Chip des Speichers, indem entsprechende Empfangs- und Sendeschaltungen, die die Initialisierungssignale detek­ tieren und verzögert weitergeben, jeweils an den Enden der Bereiche der einzelnen Fusebänke vorgesehen werden.
Nachfolgend wird die Erfindung anhand der Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 eine schematische Darstellung eines Ausfüh­ rungsbeispiels der erfindungsgemäßen Anord­ nung,
Fig. 2 und 3 zwei verschiedene Varianten des Ausführungs­ beispiels von Fig. 1,
Fig. 4 eine schematische Darstellung einer bestehen­ den Anordnung,
Fig. 5 ein Schaltbild einer Fuse F mit einem Latch L, und
Fig. 6 und 7 den Verlauf der Versorgungsspannung der Ini­ tialisierungssignale in Abhänigigkeit von der Zeit in zwei verschiedenen Varianten.
Die Fig. 2 bis 4 sind bereits eingangs erläutert worden.
In den Fig. 1 bis 3 werden für einander entsprechende Bautei­ le die gleichen Bezugszeichen wie in den Fig. 4 bis 7 verwen­ det.
Fig. 1 zeigt eine Leitung 14 für das Initialisierungssignal bFPUP, das wie das Initialisierungssignal FPUN von einer Ge­ neratoreinrichtung 15 in der Mitte des Speichers ausgegeben ist. Dabei ist für das erste Initialisierungssignal bFPUP und ebenso für das zweite Initialisierungssignal FPUN jeweils nur eine Leitung 14 bzw. 14' längs jeder Speicherbank 5 bis 12 geführt, wie dies in Einzelheiten in den Fig. 2 und 3 für die Speicherbank 5 des Quadranten Q1 in zwei Varianten veran­ schaulicht ist. Am Ende jeder Leitung 14 und 14' ist eine De­ tektor- bzw. Generatoreinrichtung 16 bzw. 16' vorgesehen, die einen Wechsel des Initialisierungssignales bFPUP beziehungs­ weise FPUN detektiert und dann das andere Initialisierungs­ signal FPUN auf der anderen Leitung 14' (vgl. Fig. 2) oder dieses Initialisierungssignal auf der jeweils gleichen Leitung 14 bzw. 14' (vgl. Fig. 7) verzögert zu der Generatorein­ richtung 15 zurückgibt. Die Generatoreinrichtung 15 enthält zusätzlich eine Schaltung, die das zurückgesendete Initiali­ sierungssignal detektiert und es zeitlich verzögert in den Bereich der jeweils nächsten Speicherbank einspeist.
Anhand der Fig. 1 und 2 bzw. der Fig. 1 und 3 soll der obige Betrieb ausführlicher erläutert werden:
Im Beispiel der Fig. 1 und 2 wird also beispielsweise zu­ nächst das Initialisierungssignal bFPUP auf der Leitung 14, die der Speicherbank 5 zugeordnet ist, bis zu der am Ende dieser Leitung 14 vorgesehenen Detektoreinrichtung 16 ge­ führt. Die Flanke F2 (vgl. Fig. 6) des Initialisierungs­ signals bFPUP wird durch die Detektoreinrichtung 16 detek­ tiert. Sodann wird dieses Detektieren der Flanke F2 durch die Detektoreinrichtung 16 der Detektor- bzw. Generatoreinrich­ tung 16' gemeldet, die den Puls FPUN in die Leitung 14' ein­ speist. Die Schaltung in der Generatoreinrichtung 15 detek­ tiert das zurückgesendete Initialisierungssignal FPUN bzw. dessen Flanke F4 und gibt dann das erste Initialisierungs­ signal bFPUP zeitlich verzögert in die Leitung 14 der näch­ sten Speicherbank 6 ein, für die es dann in gleicher Weise wie für die Speicherbank behandelt wird. Der gleiche Vorgang wird sodann entsprechend für die Leitungen 14, 14' der Spei­ cherbänke 7 bis 12 wiederholt.
Bei der Variante der Fig. 1 und 3 wird davon ausgegangen, dass das erste Initialisierungssignal bFPUP zusammen mit der Versorgungsspannung Vint hochläuft, wie dies in Fig. 7 veran­ schaulicht ist. Sobald in der Detektor- bzw. Generatorein­ richtung 16 am Ende der Leitung 14 die Ankunft der Flanke F1 des Signales bFPUP von der Generatoreinrichtung 15 festge­ stellt wird, wird von der Detektor- bzw. Generatoreinrichtung 16 auf der gleichen Leitung 14 die Flanke F2 des Signales bFPUP zu der Generatoreinrichtung 15 zurückgesandt. Trifft die Flanke F2 des Signales bFPUP in der Generatoreinrichtung 15 ein, so wird von dieser auf der Leitung 14' die Flanke F3 des zweiten Initialisierungssignales FPUN zu der Detektor- bzw. Generatoreinrichtung 16' geschickt. Nach Eintreffen der Flanke F3 des Signales FPUN an der Detektor- bzw. Genera- toreinrichtung 16' wird die Flanke F4 des Signales FPUN auf der Leitung 14' zu der Generatoreinrichtung 15 zurückgegeben.
Nachdem die Flanke F4 des Signales FPUN in der Generatorein­ richtung 15 eingetroffen ist, wird für die nächste Speicher­ bank 6 der gleiche Betrieb eingeleitet, wie dieser oben für die Speicherbank erläutert ist.
In einer Weiterbildung der Erfindung ist es auch möglich, die beiden Initialisierungssignale bFPUP und FPUN nicht der Reihe nach die einzelnen Leitungen 14, die den jeweiligen Speicher­ bänken 5 bis 12 zugeordnet sind, und die Detektoreinrichtun­ gen 16, 16' sowie die Schaltung in der Generatoreinrichtung 15 durchlaufen zu lassen, sondern vielmehr das von der Gene­ ratoreinrichtung 15 jeweils erzeugte erste beziehungsweise zweite Initialisierungssignal zeitlich verzögert in die Lei­ tungen 14 und 14' der einzelnen Fusebänke 5 bis 12 einzuspei­ sen. In diesem Fall wird also auf die Detektor- bzw. Genera­ toreinrichtungen 16, 16' verzichtet. Das erste Initialisie­ rungssignal wird von der Generatoreinrichtung in die Leitung 14 gegeben. Zeitlich kurz danach wird dann das zweite Initia­ lisierungssignal in die Leitung 14' gespeist. Dieser Betrieb wird der Reihe nach für alle Leitungen 14, 14' der Quadranten Q1 bis Q4 durchgeführt.
Bezugszeichenliste
Q1 bis Q4 Speicherzellenfelder
F1 bis F4 Signalflanken
5
bis
12
Fusebänke
14
,
14
' Leitungen
15
Generatoreinrichtung
16
,
16
' Detektoreinrichtung
T1 n-Kanal-MOS-Feldeffekttransistor
T2 p-Kanal-MOS-Feldeffekttransistor
I1, I2 Inverter
S1, S2 gesteuerte Schalter
A Ausgang
bFPUP Erstes Initialisierungssignal
FPUN Zweites Initialisierungssignal
F Fuse
L Latch
Vint Versorgungsspannung

Claims (9)

1. Anordnung zur Fuseinitialisierung, mit mindestens einer Fusebank (5 bis 12), die mehrere Fuses (F) aufweist, in denen Redundanzinformation gespeichert ist, die durch ein erstes und ein zweites durch eine Generatoreinrichtung (15) erzeug­ tes Initialisierungssignal (bFPUP, FPUN) in jeweils ein jeder Fuse (F) zugeordnetes Latch (L) auslesbar ist, dadurch gekennzeichnet, dass das erste Initialisierungssignal auf einer ersten Leitung (14) und das zweite Initialisierungssignal auf einer zweiten Leitung (14') zu den Fuses (F) geführt ist.
2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das zweite Initialisierungssignal (FPUN) auf der zweiten Lei­ tung (14') zurückgeschickt ist (Fig. 2).
3. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass an dem der Generatoreinrichtung (15) gegenüberliegenden Ende der Leitungen (14, 14') jeweils eine einen (z. B. F1) Wechsel des ersten bzw. zweiten Initialisierungssignales detektieren­ de und das Signal verzögert (vgl. F2) zurücksendende De­ tektoreinrichtung (16, 16') vorgesehen ist (Fig. 3).
4. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass durch die Generatoreinrichtung (15) die zwei Initialisie­ rungssignale (bFPUP, FPUN) zeitlich verzögert erzeugt sind.
5. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass ein Speicherzellenfeld (Q1 bis Q4) in vier Quadranten vorge­ sehen ist und dass längs einander benachbarten Rändern dieser Quadranten (Q1 bis Q4) jeweils eine Fusebank (5 bis 12) liegt.
6. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass jedes Initialisierungssignal (bFPUP, FPUN) seriell durch die Leitungen (14) der einzelnen Fusebänke (5 bis 12) geführt und am Beginn und Ende jeder Leitung einer Fusebank zeitlich ver­ zögert ist.
7. Anordnung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass jedes Initialisierungssignal (bFPUP, FPUN) zeitlich verzögert durch die Generatoreinrichtung (15) in die jeweilige Leitung jeder Fusebank (5 bis 12) eingespeist wird.
8. Anordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass das erste Initialisierungssignal (bFPUP) auf der ersten Lei­ tung (14) zu einer am Ende dieser Leitung vorgesehenen ersten Detektoreinrichtung (16) gespeist ist und dass eine am Ende der zweiten Leitung (14') angeordnete zweite Detektor- und Generatoreinrichtung (16') nach Eintreffen des ersten Signa­ les (bFPUP) bei der ersten Detektoreinrichtung (16) das zwei­ te Initialisierungssignal (FPUN) auf der zweiten Leitung (14') zu der Generatoreinrichtung (15) sendet.
9. Anordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Detektoreinrichtungen (16, 16') eine erste Flanke im er­ sten bzw. zweiten von der Generatoreinrichtung gelieferten Initialisierungssignal (bFPUP, FPUN) detektieren und dann eine zweite Flanke desselben Initialisierungssignales auf derselben Leitung zurücksenden.
DE10051167A 2000-10-16 2000-10-16 Anordnung zur Fuseinitialisierung Expired - Fee Related DE10051167B4 (de)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10051167A DE10051167B4 (de) 2000-10-16 2000-10-16 Anordnung zur Fuseinitialisierung
US09/978,398 US6603699B2 (en) 2000-10-16 2001-10-16 Configuration for fuse initialization

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10051167A DE10051167B4 (de) 2000-10-16 2000-10-16 Anordnung zur Fuseinitialisierung

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE10051167A1 true DE10051167A1 (de) 2002-04-25
DE10051167B4 DE10051167B4 (de) 2007-10-25

Family

ID=7659918

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE10051167A Expired - Fee Related DE10051167B4 (de) 2000-10-16 2000-10-16 Anordnung zur Fuseinitialisierung

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6603699B2 (de)
DE (1) DE10051167B4 (de)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5970000A (en) * 1998-02-02 1999-10-19 International Business Machines Corporation Repairable semiconductor integrated circuit memory by selective assignment of groups of redundancy elements to domains
DE19823687A1 (de) * 1998-05-27 1999-12-09 Siemens Ag Fuselatch-Schaltung

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5574689A (en) * 1995-07-11 1996-11-12 Micron Technology, Inc. Address comparing for non-precharged redundancy address matching
US6081463A (en) * 1998-02-25 2000-06-27 Micron Technology, Inc. Semiconductor memory remapping
US6118306A (en) * 1998-12-03 2000-09-12 Intel Corporation Changing clock frequency

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5970000A (en) * 1998-02-02 1999-10-19 International Business Machines Corporation Repairable semiconductor integrated circuit memory by selective assignment of groups of redundancy elements to domains
DE19823687A1 (de) * 1998-05-27 1999-12-09 Siemens Ag Fuselatch-Schaltung

Also Published As

Publication number Publication date
DE10051167B4 (de) 2007-10-25
US6603699B2 (en) 2003-08-05
US20020044492A1 (en) 2002-04-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3913219C3 (de) Integrierte Halbleiterschaltung mit mehreren Schaltungen, die logischen Tests unterworfen werden
DE3219379C2 (de)
DE3525575C2 (de)
DE19655409B4 (de) Halbleiterspeichervorrichtung
DE3623516C2 (de) Ausgangspufferschaltung
DE2335785B2 (de) Schaltungsanordnung zum Prüfen einer Matrixverdrahtung
DE3203825A1 (de) Signalverarbeitungsschaltung
DE60100612T2 (de) Synchrone Halbleiterspeichervorrichtung
DE19654577B4 (de) Verfahren zum Ansteuern von Wortleitungen in Halbleiter-Speichervorrichtungen
EP0628832B1 (de) Integrierte Schaltung mit Registerstufen
DE69322599T2 (de) Takttreiber für Leseverstärker
DE3441473A1 (de) Halbleiterspeicher
DE4205578C2 (de) Adressübergangsdetektorschaltkreis zur Verwendung in einer Halbleiterspeichervorrichtung
DE4108996C2 (de) Halbleiterspeichereinrichtung
DE69030575T2 (de) Integrierte Halbleiterschaltung mit einem Detektor
DE68914073T2 (de) Integrierte Speicherschaltung mit parallelem und seriellem Ein- und Ausgang.
DE2646653A1 (de) Leseverstaerker fuer statische speichereinrichtung
DE69417393T2 (de) Integrierte Schaltung und Verfahren mit zentralisierter Steuerung der Dauer von Flankendetektionsimpulsen
DE69225366T2 (de) Nichtflüchtige Speicherschaltung
EP0822496A2 (de) Fuse-Refresh-Schaltung
DE2229123A1 (de) Dynamisch betriebene feldeffekttransistoranordnung
DE69321993T2 (de) Bitleitungsabtastung in Halbleiterspeicheranordnungen
DE69417949T2 (de) Adressenübergangsabfühlschaltung und Steuerungsverfahren
DE3333974A1 (de) Dynamischer mos-speicher mit wahlfreiem zugriff
DE19823687A1 (de) Fuselatch-Schaltung

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: QIMONDA AG, 81739 MUENCHEN, DE

8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee