DE10037970A1 - Niederinduktive Verschienung für einen Matrixumrichter - Google Patents
Niederinduktive Verschienung für einen MatrixumrichterInfo
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Abstract
Niederinduktive Verschienung für einen Matrixumrichter umfassend mehrere in einer 3x3-Matrix angeordnete Schaltelemente, insbesondere Halbleiterschalter, wobei der Matrixumrichter netzseitig mit mehreren Kondensatorelementen, über die drei Eingangsspannungspotentiale an den Matrixumrichter geführt sind, verschient ist, wobei die Verschienung aus mehreren Verschienungsabschnitten (V¶1¶, V¶2¶, V¶3¶, V¶4¶) besteht, die voneinander isoliert in zwei Ebenen angeordnet sind.
Description
Die Erfindung betrifft eine niederinduktive Verschienung für
einen Matrixumrichter umfassend mehrere in einer 3 × 3-Matrix
angeordnete Schaltelemente, insbesondere Halbleiterschalter,
wobei der Matrixumrichter netzseitig mit mehreren Kondensa
torelementen, über die drei Eingangsspannungspotentiale an
den Matrixumrichter führbar sind, verschient sind.
Bei einen Matrixumrichter handelt es sich bekanntermaßen um
einen selbstgeführten Direktumrichter, der es ermöglicht, ein
starres Drehstromnetz in ein System mit variabler Spannung
und Frequenz umzuformen. Bekannte Matrixumrichter besitzen
mehrere elektrische Schaltelemente, insbesondere Halbleiter
schalter (z. B. Insulated-Gate-Bipolar-Transistoren (IGBT)),
die in einer Schaltermatrix angeordnet sind. Die leistungs
elektronischen Schalter sind in einer 3 × 3-Matrix angeordnet,
so dass jede der drei Ausgangsphasen elektrisch mit einer
Eingangsphase verbunden werden kann. Netzseitig ist der
Matrixumrichter bzw. sind die eingangsseitigen Anschlüsse mit
Kondensatorelementen verbunden, die für die schaltenden Ele
mente für stabile Spannungsverhältnisse sorgen. Da drei Ein
gangsphasen bzw. Eingangsspannungen anliegen sind auch drei
entsprechende Kondensatorelemente vorgesehen. Die Verbindung
erfolgt mittels der niederinduktiven Verschienung. Erst durch
das Vorhandensein der Kondensatorelemente und der niederin
duktiven Verschiebung ist es den Halbleiterschaltern im
Matrixumrichter möglich, ohne übermäßige Überspannungen zu
kommutieren, so dass eine ohm'sche induktive Last, z. B. ein
Motor betrieben werden kann. Beim Matrixumrichter müssen drei
Potentiale der Eingangsspannung von den Eingangskondensator
elementen zu dem Halbleitermodul, das die 3 × 3-Schaltermatrix
bildet (oder den Modulen bei einer Konfiguration, bei der die
Matrix in drei Phasen mit jeweils drei Schaltern umfassenden
Modulen realisiert ist) niederinduktiv verschient werden.
Bekannte Verschienungen besitzen mehrere Verschienungs
abschnitte, die in drei Ebenen angeordnet und gegen einander
isoliert sind, wozu entsprechende Isolationsschichten zwi
schen den einzelnen Verschienungsebenen vorgesehen sind. Ins
gesamt wird eine dreilagige Verschienung realisiert. Die Nie
derinduktivität wird dadurch erreicht, dass die Verschie
nungsebenen möglichst nahe beieinander liegen und die Ver
schienungsabschnitte entsprechend großflächig sind.
Die bekannte Verschienungsform mit drei Lagen ist im Hinblick
auf die Induktivität jedoch insofern nachteilig, als der Ab
stand zwischen den beiden äußeren Verschienungsabschnitten
die maximale Streuinduktivität bestimmt. Ferner ist die Küh
lung des inneren Leiters sehr schwierig, da dieser weitgehend
zwischen den beiden anderen Verschienungsabschnitten einge
bettet ist. Außerdem ist die Fertigung aufwendig.
Der Erfindung liegt damit das Problem zugrunde, eine Ver
schienung anzugeben, die eine möglichst geringe Streuindukti
vität bei gleichzeitig einfachem Aufbau besitzt.
Zur Lösung dieses Problems ist eine niederinduktive Verschie
nung der eingangs genannten Art vorgesehen, welche aus mehre
ren Verschienungsabschnitten besteht, die voneinander iso
liert in zwei Ebenen angeordnet sind.
Die Erfindung geht ab von der bisherigen dreilagigen Ver
schienung und sieht vorteilhaft eine lediglich zweilagige
Verschienung vor. Die beiden Ebenen mit den verschiedenen
Verschienungsabschnitten können entsprechend nah bezüglich
einander angeordnet werden (es befindet sich dazwischen le
diglich die Isolierlage), so dass die Streuinduktivität noch
weiter erniedrigt werden kann. Die zur Bildung der jeweiligen
Schienenpaare nötigen Verschienungsabschnitte, die zur Kommu
tierung entsprechend dem jeweiligen Schaltzustand der Schal
termatrix erforderlich sind, sind entsprechend geformt bzw.
ausgebildet und innerhalb der Ebenen verteilt angeordnet.
Auch ergeben sich keine Kühlprobleme, da nur zwei Leiterebe
nen vorgesehen sind, die problemlos von außen gekühlt werden
können. Ein weiterer beachtlicher Vorteil ist die vereinfach
te Herstellungsmöglichkeit einer derartigen erfindungsgemäßen
Verschienung. Denn die Verschienungsabschnitte können auf
einfache Weise auf eine entsprechend ausgebildete bzw. dimen
sionierte Isolierlage als flächige, metallische Leiterschich
ten aufgebracht werden. Besonders bevorzugt ist es dabei,
wenn die Leiterschichten auf eine Platine kaschiert werden.
Das Kaschieren von Leitern auf Platinen ist eine weithin be
kanntes Verfahren, dessen sicher handzuhabende Technik auch
zur Herstellung der erfindungsgemäßen niederinduktiven Ver
schienung vorteilhaft genutzt werden kann.
Für jedes Eingangspotential ist erfindungsgemäß mindestens
ein Verschienungsabschnitt vorgesehen. Abhängig von der Posi
tionierung der Verschienungsabschnitte in den beiden Ebenen
und im Hinblick darauf, dass die Verschienung insgesamt mög
lichst niederinduktiv sein soll, sind unterschiedliche Lay
outs hinsichtlich der Verteilung der Verschienungsabschnitte
denkbar, die, worauf im Folgenden noch eingegangen wird, ent
weder für jedes Eingangspotential nur einen Verschienungsab
schnitt erfordern, oder aber für das eine oder das andere
Eingangspotential mehrere Verschienungsabschnitte erfordern.
Nach einer ersten Erfindungsausgestaltung kann dabei vorgese
hen sein, dass in der ersten Ebene ein erster großflächiger
Verschienungsabschnitt für das erste Eingangspotential und in
der zweiten Ebene zweite und dritte, vom ersten Verschie
nungsabschnitt zumindest teilweise überdeckte Verschienungs
abschnitte für das zweite und dritte Eingangspotential vorge
sehen ist. Bei dieser Ausführungsform werden zwei Verschie
nungsabschnittspaare, zwischen denen die Spannung kommutiert,
nebeneinander geführt, wobei die an einem Paar beteiligten
Potentiale in den beiden Lagen übereinander liegen. Die nie
derinduktive Kommutierung im dritten Spannungspaar, welches
bei dieser Ausführungsform in der zweiten Ebene liegt, d. h.,
die beiden Verschienungsabschnitte, zwischen denen die Span
nung kommutiert, sind hier nebeneinander angeordnet, wird
durch Wirbelstrombildung in der Leitungsführung des großflä
chigen ersten Verschienungsabschnitts in der ersten Ebene er
zielt. Bei dieser Erfindungsausgestaltung wird also für diese
Kommutierung ein dritter Verschienungsabschnitt eingebunden.
Im Hinblick auf eine möglichst weitgehende Erniedrigung der
Streuinduktivität ist es von Vorteil, wenn der erste Ver
schienungsabschnitt jeweils zumindest 75% der Fläche der bei
den anderen Verschienungsabschnitte überdeckt, bevorzugt
sollte aber der Überdeckungsgrad so groß wie möglich sein.
Nach einer weiteren Erfindungsalternative kann vorgesehen
sein, dass in der ersten und der zweiten Ebene jeweils für
jedes Eingangspotential ein zugeordneter Verschienungsab
schnitt vorgesehen ist. Bei dieser Erfindungsalternative wer
den alle drei möglichen Verschienungsabschnittspaare, zwi
schen denen die Spannung kommutiert, nebeneinander geführt,
wobei jeweils ein Verschienungsabschnitt in der ersten und
der andere in der zweiten Ebene darunterliegend angeordnet
ist. Die Verschienungsabschnitte sollten dabei so angeordnet
sein, dass die jeweiligen Verschienungsabschnitte der ersten
und der zweiten Ebene, die ein Kommutierungsspannungspaar
bilden, einander direkt gegenüber liegen und einander mög
lichst großflächig überdecken.
Eine dritte Erfindungsalternative sieht schließlich vor, dass
in der ersten Ebene ein dem ersten und ein dem zweiten Ein
gangspotential zugeordneter Verschienungsabschnitt vorgesehen
ist, und dass in der zweiten Ebene ein dem zweiten und ein
dem dritten Eingangspotential zugeordneter Verschienungsab
schnitt vorgesehen ist, wobei die Verschienungsabschnitte
derart angeordnet und ausgebildet sind, dass die ein Kommu
tierungspaar bildenden Verschienungsabschnitte einander ge
genüber liegen bzw. einander zumindest teilweise überdecken.
Bei dieser Alternative sind pro Ebene zwei jeweils einem unterschiedlichen
Eingangspotential zugeordnete Verschienungs
abschnitte vorgesehen, wobei jeweils einer dieser Verschie
nungsabschnitte deutlich größerflächig ausgebildet ist. Hier
durch wird erreicht, dass sich auch diese in verschiedenen
Ebenen befindlichen größerflächigen Verschienungsabschnitte,
die jeweils unterschiedlichen Potentialen zugeordnet sind und
mithin ebenfalls ein Kommutierungsspannungspaar bilden, ein
ander überdecken können. Die Fläche, mit welchen sich die
Verschienungsabschnitte jeweils überdecken, sollte im Wesent
lichen gleich groß sein.
Eine vierte Erfindungsalternative sieht schließlich vor, dass
in der ersten Ebene jeweils für jedes Eingangspotential ein
zugeordneter Verschienungsabschnitt und in der zweiten Ebene
eine großflächige, eine Gegenfläche bildender Verschienungs
abschnitt vorgesehen ist, der auf keinem der drei Potentiale
liegen muss und der die Verschienungsabschnitte der ersten
Ebene überdeckt. Bei dieser Erfindungsausgestaltung kommt ein
Verschienungsabschnitt zum Einsatz, der an keinem bestimmten
Potential liegt, und der in den jeweiligen Kommutierungspfad
eingebunden wird. Die Kommutierung erfolgt auch hier durch
Wirbelstrombildung in dem die Gegenfläche bildenden Verschie
nungsabschnitt, der bevorzugt an Masse liegt. Die jeweiligen
Abschnitte sind dabei derart bemessen, dass die potentialfüh
renden Verschienungsabschnitte vom gegenüber liegenden Ver
schienungsabschnitt vollständig überdeckt sind. Alternativ
ist es denkbar, den die Gegenfläche bildenden Verschienungs
abschnitt auf eines der drei Potentiale zu legen.
Neben der niederinduktiven Verschienung selbst betrifft die
Erfindung ferner eine Schaltungsanordnung bestehend aus einem
Matrixumrichter und mindestens drei Kondensatorelementen, die
über eine niederinduktive Verschienung der vorbeschriebenen
Art miteinander verbunden sind.
Weiter kann vorgesehen sein, dass der Matrixumrichter aus
mehreren separat ausgebildeten und angeordneten Ausgangsphasenmodulen
besteht, die über die Verschienung mit den Konden
satorelementen verbunden sind. Bei dieser Ausgestaltung ist
der Matrixumrichter also nicht ein einteiliges Bauelement,
vielmehr besteht er aus separaten Phasenmodulen, bevorzugt
drei Phasenmodulen, von denen jedes eine separate Ausgangs
phase führt. Die Verschienung ist hier so ausgebildet, dass
die Kondensatorelemente mit den entsprechenden Phasenmodulen
kontaktiert werden. Dabei kann nach einer ersten Erfindungs
ausgestaltung vorgesehen sein, dass den Phasenmodulen ein ge
meinsamer, aus den mehreren Kondensatorelementen bestehender
Kondensatorblock zugeordnet ist, der über die Verschienung
mit den einzelnen Modulen kontaktiert ist. Alternativ kann
vorgesehen sein, dass jedem Phasenmodul ein eigener, aus meh
reren Kondensatorelementen bestehender Kondensatorblock zuge
ordnet ist.
Weitere Vorteile, Merkmale und Einzelheiten der Erfindung er
geben sich aus den in folgendem beschriebenen Ausführungsbei
spielen so wie anhand der Zeichnung:
Fig. 1 eine Prinzipdarstellung im Schnitt zur Dar
stellung der Anordnung der Verschienungsab
schnitte gemäß einer ersten erfindungsgemäßen
Verteilung,
Fig. 2 eine Layoutdarstellung der Verschienung gemäß
Fig. 1 in Aufsicht als Prinzipskizze,
Fig. 3 eine Prinzipdarstellung im Schnitt zur Dar
stellung der Anordnung der Verschienungsab
schnitte gemäß einer zweiten erfindungsgemä
ßen Verteilung,
Fig. 4 eine Layoutdarstellung der Verschienung gemäß
Fig. 3 in Aufsicht als Prinzipskizze,
Fig. 5 eine Prinzipdarstellung im Schnitt zur Dar
stellung der Anordnung der Verschienungsab
schnitte gemäß einer dritten erfindungsgemä
ßen Verteilung,
Fig. 6 eine Layoutdarstellung der Verschienung gemäß
Fig. 5 in Aufsicht als Prinzipskizze,
Fig. 7 eine Prinzipdarstellung im Schnitt zur Dar
stellung der Anordnung der Verschienungsab
schnitte gemäß einer vierten erfindungsgemä
ßen Verteilung,
Fig. 8 eine Layoutdarstellung der Verschienung gemäß
Fig. 7 in Aufsicht als Prinzipskizze, und
Fig. 9 und 10 zwei verschiedene Ausführungen erfindungsge
mäßer Schaltungsanordnungen.
Fig. 1 zeigt in Form einer Prinzipskizze eine Schnittansicht
durch eine erfindungsgemäßen Verschienung einer ersten Aus
führungsform. Gezeigt ist eine Isolierschicht 1, im gezeigten
Beispiel eine Platine, auf die ober- und unterseitig Ver
schienungsabschnitte V1, V2, V3 als großflächige metallische
Leiterflächen (z. B. aus Aluminium) aufgebracht, vornehmlich
aufkaschiert sind. Jeder der Verschienungsabschnitte ist in
diesem Ausführungsbeispiel einen bestimmten Eingangsspan
nungspotential, das über in Fig. 2 noch näher zu beschreiben
de Kondensatorelemente geliefert wird, zugeordnet. Im gezeig
ten Beispiel ist der obere Verschiebungsabschnitt V1 dem Po
tential P1 und die beiden unteren V2 und V3 den Potentialen P2
und P3 zugeordnet. Es ist bereits hier darauf hinzuweisen,
dass die jeweilige Zuordnung der Eingangspotentiale zu den
jeweiligen Verschienungsabschnitten beliebig ist, d. h., die
Potentiale können auch in beliebiger Weise vertauscht sein.
Dies gilt für sämtliche nachfolgend noch beschriebene Ausfüh
rungsbeispiele.
Ersichtlich ist der obere Verschienungsabschnitt V1 wesent
lich breiter als die unteren Verschienungsabschnitte V2, V3
ausgeführt. Diese sind so bemessen und positioniert, dass sie
vom oberen Verschienungsabschnitt V1 weitestgehend überdeckt
werden. Der Überdeckungsgrad sollte möglichst groß sein, und
wenigstens 75% betragen. Dies ist auch in der in Fig. 2 ge
zeigten Layoutdarstellung in Form einer Aufsicht ersichtlich.
Die gestrichelten Flächen, die jeweils Verschienungsabschnit
te darstellen, sind in der oberen Ebene, die durchgezogenen,
ebenfalls Verschienungsabschnitte darstellenden Flächen sind
in der unteren Ebene angeordnet. Ersichtlich überdeckt der
Verschienungsabschnitt V1 die beiden Verschienungsabschnitte
V2, V3 großflächig.
Insgesamt sind drei Kommutierungsspannungspaare, also Ver
schienungsabschnittspaare, zwischen denen Strom und Spannung
kommutiert, gebildet. Das erste Kommutierungsspannungspaar
besteht aus den Verschienungsabschnitt V1 und V2, das zweite
Paar besteht aus den Abschnitten V1 und V3. Ersichtlich sind
diese Kommutierungsspannungspaare nebeneinander angeordnet,
wobei die jeweiligen im Rahmen der Kommutierung beteiligten
Abschnitte einander gegenüber liegen und über die Isolations
lage getrennt sind. Das dritte Kommutierungsspannungspaar V2
-V3 liegt nebeneinander. Die Kommutierung in diesem Span
nungspaar wird durch Wirbelströme, die im Verschienungsab
schnitt V1 erzeugt werden, erzielt.
Fig. 2 zeigt ferner die Verschienung der Kondensatorelemente
und der jeweiligen Anschlüsse am Matrixumrichter. Insgesamt
sind drei Kondensatorelemente K1, K2 und K3 vorgesehen. Im ge
zeigten Ausführungsbeispiel sind die Kondensatorelemente von
oben auf die in Fig. 2 gezeigte Konfiguration aufgesetzt. Das
Kondensatorelement K1 ist am Verschienungsabschnitt V1 und am
Verschienungsabschnitt V2 angeschlossen, wobei zur Kontaktie
rung des Verschienungsabschnitts V2 eine geeignete Durchbre
chung 2 am Verschienungsabschnitt V1 vorgesehen ist. In ent
sprechender Weise ist das Kondensatorelement K2 am Verschie
nungsabschnitt V1 und am Verschienungsabschnitt V3 kontak
tiert. Mit dem zweiten Kontakt liegen beide Kondensatorele
mente K1 und K2 an einem gemeinsamen Kontaktpunkt am Ver
schienungsabschnitt V1. Schließlich ist das Kondensatorele
ment K3 an den beiden Verschienungsabschnitten V2, V3 ange
schlossen, wobei hier bei Kontaktierungsanschlüsse durch entsprechende
Durchbrechungen 2 in Verschienungsabschnitt V1 ge
führt sind.
Weiterhin ist jeder Verschienungsabschnitt V1, V2, V3 an je
weils einen der Anschlüsse L1, L2, L3 angeschlossen. Die An
schlüsse L1, L2, L3 sind Teil des hier nur exemplarisch darge
stellten Matrixumrichters 3.
Ein weiteres Ausführungsbeispiel zeigt Fig. 3. Auch hier sind
die Verschienungsabschnitte in zwei Ebenen auf der Isolati
onslage 1 als großflächige metallische Leiterflächen aufka
schiert. Insgesamt kommen hier sechs Verschienungsabschnitte
zum Einsatz, wobei in jeder Ebene jeweils ein Verschienungs
abschnitt V1, V2 und V3 vorgesehen ist. Jedem der Verschie
nungsabschnitte V1, V2, V3 ist auch hier wieder ein bestimmtes
Eingangspotential P1, P2, P3 zugeordnet. Aus der Schnittdar
stellung in Fig. 3 ist ersichtlich, dass bei dieser Ausfüh
rungsform drei nebeneinander liegende Kommutierungsspan
nungspaare gebildet sind, nämlich das Paar V1-V2, das Paar
V2-V3, und das Paar V3-V1, jeweils über die Isolationslage
1 getrennt. Die jeweils in einer Ebene befindlichen Verschie
nungsabschnitte sind voneinander zu Isolationszwecken etwas
beabstandet, das heißt, die Isolierung in horizontaler Ebene
erfolgt über die Luftstrecke.
Fig. 4 zeigt eine Aufsicht auf die in Fig. 3 gezeigte Ver
schienungsmodifikation. Auch hier sind die jeweils in der o
beren Ebene liegenden Verschienungsabschnitte gestrichelt und
die in der unteren Ebene befindlichen Verschienungsabschnitte
durchgezogen dargestellt. Die jeweiligen Kondensatorelemente
K1, K2, K3 sind auch hier an den jeweiligen Verschienungsab
schnitten kontaktiert, wobei auch hier zur Durchkontaktierung
entsprechende Durchbrechungen im jeweiligen Verbindungsab
schnitt vorgesehen sind. Da hier in jeder Ebene jeweils ein
einem bestimmten Potential P1, P2, P3 zugeordneter Verschie
nungsabschnitt geführt ist, müssen beide Verschienungsab
schnitte an einen gemeinsamen Anschluss L1, L2, L3 geführt
werden, was eine entsprechende Ausbildung der Verschienungs
abschnitte erfordert. Die in der unteren Ebene verlaufenden
Verschienungsabschnitte V1, V2, V3 sind jeweils geradlinig an
den jeweiligen Leiteranschluss L1, L2 bzw. L3 geführt, die En
den der oberen Verschienungsabschnitte V1, V2, und V3 sind
entsprechend gewinkelt ausgebildet und zum jeweiligen Leiter
anschluss L1, L2 und L3 geführt. Im gezeigten Beispiel sind
die beiden Verschienungsabschnitte V1 am Leiteranschluss L1,
die Verschienungsabschnitte V2 am Leiteranschluss L2 und die
Verschienungsabschnitte V3 am Leiteranschluss L3 kontaktiert.
Die Modifikation gem. Fig. 3 zeigt insgesamt sieben Isolati
onsstellen auf, nämlich die Isolierung zwischen den oberen
und unteren Verschienungsabschnitten (drei Isolationsstellen)
sowie die jeweiligen Isolationsstrecken zwischen den in einer
Ebene liegenden Verschienungsabschnitten (insgesamt vier Iso
lationsstellen). Eine mit einem geringeren Isolationsaufwand
auskommende Verschienung zeigt Fig. 5. Dort sind in jeder E
bene jeweils zwei Verschienungsabschnitte vorgesehen, in der
oberen Ebene die Verschienungsabschnitte V1 und V2, in -der
unteren Ebene die Verschienungsabschnitte V2 und V3. Der Ver
schienungsabschnitt V1 der oberen Ebene und der Verschie
nungsabschnitt V3 der unteren Ebene sind jeweils sehr breit
ausgebildet, so dass sicher gestellt ist, dass dieser sich im
mittleren Abschnitt überlappen. Auch bei dieser Ausführungs
form sind insgesamt drei nebeneinander angeordnete Kommutie
rungsspannungspaare gebildet. Die Anzahl der Isolationsstel
len lässt sich hier auf insgesamt fünf verringern, da in je
der Ebene nur zwei Verschienungsabschnitte vorgesehen sind.
Das entsprechende Layout dieser Verschienung zeigt Fig. 6.
Der eine Verschienungsabschnitt V1 und der eine Verschie
nungsabschnitt V3 liegen jeweils am Leitungsanschluss L1 bzw.
L3, die beiden Verschienungsabschnitte V2 liegen ober- und
unterseitig am gemeinsamen Leitungsanschluss L2. Die Konden
satorelemente K1, K2, K3 sind auch hier in bekannter Weise
entsprechende angeschlossen.
Schließlich zeigt Fig. 7 eine vierte erfindungsgemäße Ausfüh
rungsform. In der unteren Ebene sind drei Verschienungsab
schnitte V1, V2, V3 angeordnet, in der oberen Ebene ist ein
einziger sehr großflächiger Verschienungsabschnitt V4 vorge
sehen. Während die Verschienungsabschnitte V1, V2, V3 auf je
weils einem zugeordneten Potential P1, P2 und P3 liegen, liegt
der Verschienungsabschnitt V4 auf keinem bestimmten Potenti
al. bevorzugt liegt er an Masse. Die jeweiligen Kommutie
rungsspannungspaare werden bei dieser Ausführungsform unter
Einbeziehung des oberen eine metallische Gegenfläche bilden
den Verschienungsabschnitts V4, der die darunter liegenden
Verschienungsabschnitte weitestgehend überdeckt, gebildet.
Denn beim Kommutieren werden in dem Verschienungsabschnitt V4
Wirbelströme erzeugt, so dass die Kommutierung ermöglicht
wird. Wenngleich der Verschienungsabschnitt V4 nicht an einem
bestimmten Potential geführt sein muss, ist es zweckmäßig,
ihn auf Masse zu legen, da er auf diese Weise gleichzeitig
als Entstörung dient.
Das entsprechende Layout ist in Fig. 8 gezeigt. Ersichtlich
ist jeder Verschienungsabschnitt V1, V2, V3 an einem Leitungs
anschluss L1, L2 und L3 angeschlossen, untereinander sind die
Verschienungsabschnitte mit den entsprechenden Kondensatoren
K1, K2, K3 verbunden. Die Kondensatorelemente sind alle von
oben auf die Modifikation aufgesetzt, weshalb in dem Ver
schienungsabschnitt V4 entsprechend viele Durchbrechungen 2
zur Durchkontaktierung vorgesehen sind.
Insgesamt ermöglichen sämtliche Modifikationen einen Ver
schienungsaufbau in zwei Ebenen, so dass die eingangs genann
ten Nachteile eines dreilagigen Aufbaus vorteilhaft vermieden
werden können. Darüber hinaus ist es mit dieser zweilagigen
Konfiguration möglich, die Verschienung in sehr kostengünsti
ger Weise durch Aufkaschieren der Verschienungsabschnitte auf
einer Platine zu realisieren.
Schließlich zeigt Fig. 9 eine Prinzipskizze einer ersten Aus
führungsform einer erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung mit
getrennt realisierten Ausgangsphasen des Matrixumrichters.
Gezeigt sind drei Phasenmodule 4, 5, 6, die jeweils bestimm
ten Phasen zugeordnet sind. Den Phasenmodulen 4, 5, 6 ist ein
gemeinsamer Kondensatorblock 7 bestehend aus drei einzelnen
Kondensatorelementen zugeordnet, wobei die Kondensatorelemen
te über die gezeigte Verschienung 8 mit den entsprechenden
Phasenmodulen 4, 5, 6, die in ihrer Gesamtheit den Matrixum
richter bilden, verschient sind.
Eine zweite Möglichkeit einer Ausführung einer Schaltungsan
ordnung mit separaten Phasenmodulen zeigt Fig. 10. Auch hier
sind wieder drei separate Phasenmodule 4, 5, 6 vorgesehen,
denen im gezeigten Ausführungsbeispiel jeweils ein Kondensa
torblock 7 mit mehreren Kondensatorelementen zugeordnet ist.
Die einzelnen Kondensatorelemente sind hier über die gezeigte
Verschienung wie auch bei der Ausführung gemäß Fig. 9 nieder
induktiv verschient.
Claims (16)
1. Niederinduktive Verschienung für einen Matrixumrichter
umfassend mehrere in einer 3 × 3-Matrix angeordnete Schaltele
mente, insbesondere Halbleiterschalter, wobei der Matrixum
richter netzseitig mit mehreren Kondensatorelementen, über
die drei Eingangsspannungspotentiale an den Matrixumrichter
führbar sind, verschient ist, dadurch gekenn
zeichnet, dass die Verschienung aus mehreren Ver
schienungsabschnitten (V1, V2, V3, V4) besteht, die voneinan
der isoliert in zwei Ebenen angeordnet sind.
2. Niederinduktive Verschienung nach Anspruch 1, da
durch gekennzeichnet, dass für jedes
Eingangspotential (P1, P2, P3) mindestens ein Verschienungsab
schnitt (V1, V2, V3) vorgesehen ist.
3. Niederinduktive Verschienung nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet, dass in der
ersten Ebene ein erster großflächiger Verschienungsabschnitt
(V1) für das erste Eingangspotential (P1) und in der zweiten
Ebene zweite und dritte, vom ersten Verschienungsabschnitt
(V1) zumindest teilweise überdeckte Verschienungsabschnitte
(V2, V3) für das zweite und dritte Eingangspotential (P2, P3)
vorgesehen ist.
4. Niederinduktive Verschienung nach Anspruch 3, da
durch gekennzeichnet, dass der erste
Verschienungsabschnitt (V1) jeweils zumindest 75% der Fläche
der beiden anderen Verschienungsabschnitte (V2, V3)über
deckt.
5. Niederinduktive Verschienung nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet, dass in der
ersten und der zweiten Ebene jeweils für jedes Eingangspoten
tial (P1, P2, P3) ein zugeordneter Verschienungsabschnitt (V1,
V2, V3) vorgesehen ist.
6. Niederinduktive Verschienung nach Anspruch 5, da
durch gekennzeichnet, dass die Ver
schienungsabschnitte (V1, V2, V3) derart angeordnet sind, dass
die jeweiligen Verschienungsabschnitte (V1-V2, V1-V3, V2-V3)
der ersten und der zweiten Ebene, die ein Kommutierungsspan
nungspaar bilden einander gegenüberliegen.
7. Niederinduktive Verschienung nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet, dass in der
ersten Ebene ein dem ersten und ein dem zweiten Eingangspo
tential (P1, P2) zugeordneter Verschienungsabschnitt (V1, V2)
vorgesehen ist, und dass in der zweiten Ebene ein dem zweiten
und ein dem dritten Eingangspotential (P2, P3) zugeordneten
Verschienungsabschnitt (V2, V3) vorgesehen ist, wobei die
Verschienungsabschnitte (V1, V2, V3) derart angeordnet und
ausgebildet sind, dass die ein Kommutierungsspanungspaar bil
denden Verschienungsabschnitte (V1-V2, V1-V3, V2-V3) einander
gegenüber liegen bzw. einander zumindest teilweise überde
cken.
8. Niederinduktive Verschienung nach Anspruch 7,
dadurch gekennzeichnet, dass die Flächen, mit welchen sich die Verschienungsabschnitte (V1-V2, V1-
V3, V2-V3) überdecken, im Wesentlichen gleich groß sind.
9. Niederinduktive Verschienung nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet, dass in der
ersten Ebene jeweils für jedes Eingangspotential (P1, P2, P3)
ein zugeordneter Verschienungsabschnitt (V1, V2, V1) und in
der zweiten Ebene eine großflächiger, eine Gegenfläche bil
dender Verschienungsabschnitt (V4) vorgesehen ist, und der
die Verschienungsabschnitte (V1, V2, V3) der ersten Ebene
überdeckt.
10. Niederinduktive Verschienung nach Anspruch 9,
dadurch gekennzeichnet, dass der die
Gegenfläche bildende Verschienungsabschnitt (V4) auf keinem
der drei Potentiale (P1, P2, P3) oder auf einem der drei Po
tentiale (P1, P2, P3) liegt.
11. Niederinduktive Verschienung nach Anspruch 10,
dadurch gekennzeichnet, dass der die
Gegenfläche bildende Verschienungsabschnitt (V4) an Masse
liegt.
12. Niederinduktive Verschienung nach einem der vorangehen
den Ansprüche, dadurch gekennzeich
net, dass die Verschienungsabschnitte (V1, V2, V3, V4)
als auf eine Isolierlage (1) aufgebrachte flächige metalli
sche Leiterschichten ausgebildet sind.
13. Niederinduktive Verschienung nach Anspruch 12,
dadurch gekennzeichnet, dass die Lei
terschichten auf eine die Isolierlage (1) bildende Platine
kaschiert sind.
14. Schaltungsanordnung bestehend aus einem Matrixumrichter
und mindestens drei Kondensatorelementen, die über eine nie
derinduktive Verschienung nach einem der Ansprüche 1 bis 13
miteinander verbunden sind.
15. Schaltungsanordnung nach Anspruch 14, dadurch
gekennzeichnet, dass der Matrixumrichter aus
mehreren separaten Phasenmodulen (4, 5, 6) besteht, die über
die Verschienung (8) mit den Kondensatorelementen verbunden
sind.
16. Schaltungsanordnung nach Anspruch 15, dadurch
gekennzeichnet, dass den Phasenmodulen (4, 5,
6) ein gemeinsamer, aus den mehreren Kondensatorelementen be
stehender Kondensatorblock (7) zugeordnet ist, oder dass je
dem Phasenmodul (4, 5, 6) ein eigener, aus mehreren Kondensa
torelementen bestehender Kondensatorblock (7) zugeordnet ist.
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