DE10014940A1 - Verfahren und Anordnung zur Homogenisation von divergenter Strahlung - Google Patents
Verfahren und Anordnung zur Homogenisation von divergenter StrahlungInfo
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Abstract
Verfahren und Anordndung eines Laserdiodenarrays mit in einer gemeinsamen Ebene liegenden Strahlaustrittsflächen und einer optischen Vorrichtung zum Umformen des vom Laserdiodenarray ausgesandten Laserstrahlenbündels. Die optische Vorrichtung besteht aus einem in Strahlungsrichtung dem Laserarray nachgeordnetes Kollimationselement, auf das die Einzellaserstrahlen in Richtung senkrecht zum pn-Übergang kollimiert sowie aus einem Paar reflektierender Flächen, deren Flächennormale in der Ebene des pn-Übergangs liegt, so daß Bereiche der vom Laserdiodenarray emittierten Strahlung teilweise umgelenkt und mit anderen Bereichen der Laserstrahlung überlagert werden.
Description
Diodenlaser erobern sich in der Industrie und der
Medizintechnik immer neue Anwendungsgebiete. Insbesondere
durch die hohe elektrooptische Effizienz sind sie für
viele Zwecke eine kostengünstige Alternative zu anderen
Strahlquellen und Werkzeugen. Sie sind kostengünstig zu
produzieren und können in sehr kompakter Bauweise
hergestellt werden. Weitere Vorteile sind Wartungsfreiheit
und hohe Lebensdauer. Für verschiedene Anwendungen in der
Materialbearbeitung ist es erforderlich, homogene
Intensitätsverteilungen bereitzustellen. Insbesondere ist
die Erzeugung eines homogenen Linienfokus aus einem
Diodenlaserbarren erforderlich.
Zum allgemeinen Verständnis wird folgendes
Koordinatensystem verwendet:
x-Achse: Richtung parallel zum pn-Übergang und senkrecht zur Strahlausbreitungsrichtung eines Diodenlasers (allgemein mit slow-axis bezeichnet)
y-Achse: Richtung des pn-Übergangs eines Diodenlasers (Höhenachse, allgemein mit fast-axis bezeichnet)
z-Achse: Strahlausbreitungsrichtung direkt nach dem Diodenlaser
x-Achse: Richtung parallel zum pn-Übergang und senkrecht zur Strahlausbreitungsrichtung eines Diodenlasers (allgemein mit slow-axis bezeichnet)
y-Achse: Richtung des pn-Übergangs eines Diodenlasers (Höhenachse, allgemein mit fast-axis bezeichnet)
z-Achse: Strahlausbreitungsrichtung direkt nach dem Diodenlaser
Um eine Leistung von einigen 10 W aus einem Diodenlaser zu
realisieren, werden die einzelnen Emitter zu einem
sogenannten Barren zusammengefaßt. Die einzelnen Emitter
sind in einer Reihe in der Ebene parallel zur aktiven
Schicht angeordnet (entlang der x-Achse). Die aus einem
solchen Barren emittierte Strahlung besitzt in Richtung
des pn-Übergangs (fast-axis) eine annähernd
beugungsbegrenzte Strahlqualität, das Strahlprofil ist
annähernd gaußförmig. Um eine maximale Effizienz zu
erzielen, wird in der Ebene parallel zum pn-Übergang eine
maximale Modendichte abgeregt. Das Strahlprofil besitzt
einen entsprechenden multimodialen Charakter. Die
Strahlqualität beträgt in der slow-axis liegt etwa 3
Größenordnungen über der der fast-axis [F. Daiminger, F.
Dorsch, D. Lorenzen, "High power laser diodes, laser diode
modules and their applications", SPIE proc. 3682, pp
13-23].
Die Erfindung bezieht sich auf eine Strahlquelle
(vorzugsweise Laserbauelement mit mindestens einem
Laserbarren) und einer optische Vorrichtung zum Umformen
des von der Strahlquelle ausgesandten Strahlenbündels,
wobei die optische Vorrichtung eine Kollimationseinheit
für eine Strahlachse und mehrere in Strahlungsrichtung dem
Laserelement nachgeordnete optische Ablenkelemente
aufweist, welche zur Erzeugung einer homogenen
Intensitätsverteilung in Richtung der x-Achse verwendet
werden. Das Strahlprofil in Richtung der y-Achse bleibt
davon unbeeinflußt.
Eine solche Anordnung für Laser mit gaußförmiger und
höhermodiger Intensitätsverteilung in x- und y-Richtung
ist in US 4 793 694 beschrieben. Hierbei wird die
Strahlumordnung mit zwei Paaren von Spiegeln für jeweils
eine Richtung erreicht. Das Ergebnis ist eine über die
gesamte Fläche nahezu homogen verteilte
Intensitätsverteilung. Ein Nachteil dieser Erfindung ist
die Beschränkung der Funktion auf kollimierte
Strahlenbündel. Ein weiterer Nachteil besteht darin, daß
die Bündelbreite in der Arbeitsebene durch den minimalen
Abstand der Spiegel von der optischen. Achse vorgegeben
wird, und diese gleichzeitig entsprechend der Anordnung
der Spiegel kleinere Abmessungen als die verwendete
Strahlquelle hat. Ein weiteres Verfahren zur
Strahlhomogenisation ist beispielsweise in US 5 610 733
beschrieben. Der Nachteil dieser Erfindung liegt in der
Verwendung von holographischen Elementen, welche aufwendig
und teuer in der Herstellung sind. Ein weiteres Verfahren
zur Strahlhomogenisation ist beispielsweise in US 5 548 444
beschrieben. Der Nachteil dieser Erfindung liegt in
der Verwendung von aufwendig zu fertigenden Speziallinsen
und segmentierten Prismen. Ein weiteres Verfahren zur
Strahlhomogenisation ist beispielsweise in US 6 014 260
und US 5 414 559 beschrieben. Der Nachteil dieser
Erfindungen liegt in der Verwendung von aufwendig
herzustellenden Linsenarrays, welche durch die bei allen
Arrays vorkommenden Totzonen zwischen den Linsen deutliche
Strahlungsverluste aufweisen. Ein weiteres Verfahren zur
Strahlhomogenisation ist beispielsweise in US 5 864 430
beschrieben. Der Nachteil dieser Erfindung liegt in der
Verwendung von speziellen segmentierten Fourierlinsen,
welche in der Herstellung sehr aufwendig sind.
Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht demzufolge
darin, eine Strahlformung der eingangs genannten Art zu
entwickeln, die eine homogene Intensitätsverteilung aus
divergenter Diodenlaserstrahlung in Richtung der slow-axis
bereitstellt, wobei die Linienverteilung in Richtung der
slow-axis größere Ausdehnung als der Laserbarren besitzt.
Die Anordnung muß technisch einfach herstellbar sein,
keine hohen Forderungen an die Präzision stellen und
gleichzeitig vergleichsweise geringe Strahlungsverluste
aufweisen.
Diese Aufgabe wird durch eine Strahlformung und ein
Laserbauelement mit den Merkmalen des Patentanspruches 1
und 2 gelöst. Vorteilhafte Abwandlungen des
erfindungsgemäßen Laserbauelementes sind Gegenstand der
Unteransprüche 3 bis 6.
In Übereinstimmung mit den Aufgaben, wird ein optisches
System bereitgestellt, bei dem in einer Richtung (fast
axis) kollimierte und in der anderen Richtung (slow-axis)
divergente Strahlung mit Spiegeln deren Flächennormale in
der xz-Ebene liegt, umgeformt wird. Die Spiegel sind so
außerhalb des mittleren Bereiches lokalisiert angeordnet,
daß ein Teil der emittierten Strahlung ungehindert
zwischen Ihnen hindurchgeht und nur divergente Anteile des
Strahlungsfeldes umgelenkt werden. Die Randbereiche werden
über die Spiegel in der Weise abgelenkt, daß in der
Arbeitsebene eine Überlagerung mit dem mittleren Teil des
Strahlenbündels erfolgt, so daß unter Beachtung der
konkreten Intensitätsverteilung der Strahlungsquelle eine
homogenisierte Intensitätsverteilung entsteht. Eine
Ausführungsform beinhaltet die Verwendung eines
Laserdiodenarrays als Strahlungsquelle, wobei die
individuellen Bündel einer linearen Reihe von Diodenlasern
zunächst mit geeigneten optischen Elementen manipuliert
werden, so daß die individuellen Bündel in Richtung der x-
Achse kollimiert werden. Dies geschieht beispielsweise mit
einer fast-axis-collimation Linse, die üblicherweise als
zylindrisch wirkende Mikrolinse ausgeführt wird.
Eine weitere Ausführungsform der Erfindung beinhaltet
anstelle eines Barrens ein aus mehreren übereinander
gestapelten Laserdiodenbarren (Stack) bestehende
Laserquelle.
Eine weitere Ausführungsform der Erfindung beinhaltet, daß
statt der Planspiegel als Ablenkeinheit Prismen verwendet
werden.
Eine weitere Ausführungsform der Erfindung beinhaltet, daß
diffraktive Elemente zu Ablenkung der Strahlen verwendet
werden.
Eine weitere Ausführungsform der Erfindung beinhaltet, daß
zur Ablenkung ebenso konvex oder konkav gewölbte Spiegel
verwendet werden können.
Ausführungsbeispiele der Erfindung werden im folgenden
unter Bezugnahme auf die Zeichnungen näher beschrieben. Es
zeigen
Fig. 1 eine gesamte Ansicht der
Laserdiodenanordnung von oben
Fig. 2 Querschnitte der Intensitätsverteilungen in
definierten Ebenen
Fig. 3 eine weitere Ausführungsform mit Prismen.
Fig. 4 eine weitere Ausführungsform mit gewölbten
Spiegeln
Fig. 5 eine weitere Ausführungsform mit mehreren
Barren als Strahlungsquelle
Anhand eines Ausführungsbeispieles wird die Erfindung
näher erläutert. Die Fig. 1 zeigt eine erste
Ausführungsform der Erfindung, die ein Laserdiodenarray 1,
eine Kollimationseinheit 2 und ein Paar Ablenkeinheiten 3
aufweist. Das Laserdiodenarray 1 beinhaltet einige 10 von
einzelnen Emittern, die längs einer lateralen Länge
desselben angeordnet sind und die untereinander gleiche
oder ähnliche Abstrahlcharakteristiken bezüglich
Strahlungsfeld und -richtung aufweisen. Die
Kollimationseinheit 2 besteht aus einer zylindrisch
wirkenden Mikrolinse, die parallel zum Barren ausgerichtet
ist. Die Kollimationseinheit 2 ist in geringem Abstand
hinter der emittierenden Ebene des Laserbarrens
angeordnet, so daß die in y-Richtung emittierte Strahlung
in nahezu kollimierte Strahlung für diese Richtung
umgewandelt wird, die andere Richtung jedoch bis auf einen
Versatz nahezu unbeeinflußt läßt, wodurch in Ebene #2A eine
linienförmige Intensitätsverteilung mit unveränderter
Divergenz in x-Richtung entsteht.
Nachdem das Strahlungsfeld das Kollimationsmodul 2
verlassen hat, werden die äußeren divergenten Anteile des
Strahlungsfeldes von den strahlablenkenden Elementen 3 in
Richtung der optischen Achse reflektiert. In der
vorliegenden Ausführungsform bestehen die Elemente 3 aus
jeweils einem Planspiegel, dessen Flächennormale in der
xz-Ebene liegt. Die Spiegel sind so angeordnet, daß die in
x-Richtung linienförmige Intensitätsverteilung in 3 Teile
aufgeteilt wird, wobei der mittlere Teil unabgelenkt durch
den Bereich des strahlablenkenden Elementes 3 hindurch
tritt, und die äußeren Abschnitte nach innen reflektiert
werden. Die Anordnung ist daher so gewählt, daß der
Abstand bezüglich der x-Achse zwischen den Spiegelflächen
mit wachsender Entfernung vom Laserbarren abnimmt. Die
Anordnung und Dimensionierung der strahlablenkenden
Elemente 3 ist so gewählt, daß der optisch aktive Teil
zwischen Ebene #3A und Ebene #3B liegt. Die Ebene #3A ist
durch die maximale Divergenz des Lasers in x-Richtung und
den x-Abstand der Spiegel in dieser Ebene bestimmt. Es ist
ohne weiteres möglich, die strahlablenkenden Elemente 3
weiter in Richtung des Laserbarrens auszuführen, aber in
diesem Bereich haben sie keine optische Wirkung. Im
vorliegenden Ausführungsbeispiel ist der x-Abstand
zwischen den Spiegeln in der Ebene #3A etwa doppelt so
groß wie der Abstand zwischen den äußersten emittierenden
Einzellasern des Barrens. Damit ergibt sich bei einer
Divergenz in x-Richtung des Barrens von 100 mrad ein
Abstand von etwa 45 mm zwischen dem Barren und der Ebene
#3A. In der Ebene #3B ist der x-Abstand der Spiegel so
gewählt, daß mit dem dadurch eingestellten
Reflexionswinkel der strahlablenkenden Elemente 3 die
äußeren Bereiche so reflektiert werden, daß eine
Überlagerung mit dem mittleren Bereich in der Form
realisiert wird, daß die reflektierten Anteile sich im
Bereich der seitlichen Flanken der mittleren
Intensitätsverteilung mit diesen überlagern und so eine
größere Flankensteilheit und einen größeren Bereich einer
homogenen Intensitätsverteilung erzielt wird. Der x-
Abstand der Spiegel in der Ebene #3B ist größer als die
einfache Barrenbreite gewählt. Im vorliegenden Fall ist
der x-Abstand der Spiegel in der Ebene #3B etwa um den
Faktor 1,6 größer als die Barrenbreite. Der Abstand der
Ebenen #3A und #3B muß abhängig von der gewünschten
Linienbreite (Ausdehnung in x-Richtung) in der
Arbeitsebene und dem Abstand zur Arbeitsebene gewählt
werden. Im vorliegenden Ausführungsbeispiel ergibt sich
damit ein Winkel α für die strahlablenkenden Elemente 3
zur z-Achse von etwa 25 mrad. Die zugehörigen
Intensitätsverteilungen entlang der x-Achse sind in Fig. 2
dargestellt. Abhängig von der Divergenz der Laserquelle,
dem gewünschten Linienprofil und der gewünschten
Arbeitsebene ergeben sich entsprechend modifizierte
Geometrien für andere Anwendungszwecke.
Durch das Strahlformungssystem nach der Erfindung wie oben
beschrieben kann ein Strahlungsfeld mit divergenter
Strahlung in x-Achse sowohl wirtschaftlich als auch
effizient zu einem homogeneren Intensitätsprofil geformt
werden. Dadurch wird der nutzbare Bereich des
Strahlungsfeldes, wie z. B. beim Schweißen gefordert,
vergrößert.
Claims (6)
1. Verfahren zur Homogenisierung eines Strahlenbündels mit
gegebenem Intensitätsprofil, welches in x-Richtung
divergente und in y-Richtung kollimierte Strahlung
aufweist, gekennzeichnet dadurch, daß planare
Ablenkelemente deren Flächennormale in der xz-Ebene
liegt und deren kleinster Abstand in x-Richtung zur
optischen Achse größer als die halbe Breite der
Strahlungsquelle ist und deren Abstand von der
optischen Achse mit dem Abstand von der
Strahlungsquelle abnimmt, das Strahlenbündel in
Richtung der slow-axis derart aufgeteilen und
überlagern, daß in der Arbeitsebene eine sich über
einen bestimmten Bereich, welcher größere Dimensionen
hat als ein entsprechender Bereich des ursprünglichen
Strahlenbündels, erstreckende homogene
Intensitätsverteilung erzeugt wird.
2. Strahlformungssystem nach Anspruch 1 dadurch
gekennzeichnet, daß als Strahlungsquelle ein Array von
Laserdioden verwendet wird, die längs einer lateralen
Länge desselben angeordnet sind und die untereinander
gleiche oder ähnliche Abstrahlcharakteristiken
bezüglich Strahlungsfeld und -richtung aufweisen,
welchem ein Kollimationsmodul nachgeordnet wird,
welches aus einer zylindrisch wirkenden Mikrooptik zur
Kollimation der Strahlung in y-Richtung besteht,
welchen 2 planare Spiegelelemente derart nachgeordnet
sind, daß das Strahlungsfeld in x-Richtung in 3 Teile
zerlegt und die äußeren divergenten Anteile nach innen
reflektiert werden und sich in der Arbeitsebene so mit
dem nicht abgelenkten Anteil überlagern, daß ein
Bereich homogener Intensitätsverteilung entlang der x-
Achse entsteht, welcher größere Dimensionen als die
entsprechende Ausdehnung des Barrens in x-Richtung
besitzt, wobei die Spiegelelemente derart angeordnet
sind, das deren kleinster Abstand in x-Richtung zur
optischen Achse größer als die halbe Breite der
Strahlungsquelle ist und deren Abstand von der
optischen Achse mit dem Abstand von der
Strahlungsquelle abnimmt und die Flächennormale in der
xz-Ebene liegt.
3. Strahlformungssystem nach Anspruch 1 und 2 dadurch
gekennzeichnet, daß als Strahlungsquelle mehrere
Laserdiodenarrays verwendet werden, welche in y-
Richtung übereinander gestapelt werden und gleiche
Emissionsrichtung aufweisen und deren Ablenkung der von
den einzelnen zugehörigen Kollimationselementen
kollimierten Strahlungsbündeln in Richtung der y-Achse
durch Versatz von Linsen oder anderen refraktiven oder
diffraktiven optischen Elementen bewerkstelligt wird,
um die einzelnen Strahlenbündel in der Arbeitsebene zu
überlagern.
4. Strahlformungssystem nach Anspruch 1 und. 2 dadurch
gekennzeichnet, daß als Ablenkelemente ein Prismen
verwendet werden.
5. Strahlformungssystem nach Anspruch 1 und 2 dadurch
gekennzeichnet, daß als Ablenkelemente gewölbte Spiegel
verwendet werden.
6. Strahlformungssystem nach Anspruch 1 und 2 dadurch
gekennzeichnet, daß als Ablenkelemente diffraktive
Strukturen (Beugungsgitter) verwendet werden.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE10014940A DE10014940A1 (de) | 2000-03-25 | 2000-03-25 | Verfahren und Anordnung zur Homogenisation von divergenter Strahlung |
Applications Claiming Priority (1)
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| DE10014940A DE10014940A1 (de) | 2000-03-25 | 2000-03-25 | Verfahren und Anordnung zur Homogenisation von divergenter Strahlung |
Publications (1)
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|---|---|
| DE10014940A1 true DE10014940A1 (de) | 2001-09-27 |
Family
ID=7636393
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| DE10014940A Withdrawn DE10014940A1 (de) | 2000-03-25 | 2000-03-25 | Verfahren und Anordnung zur Homogenisation von divergenter Strahlung |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE10014940A1 (de) |
Cited By (2)
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|---|---|---|---|---|
| DE10323984A1 (de) * | 2003-05-27 | 2004-12-16 | Hentze-Lissotschenko Patentverwaltungs Gmbh & Co.Kg | Vorrichtung zur Transformation eines Lichtstrahls |
| EP1725903A4 (de) * | 2004-01-28 | 2009-09-02 | Creo Inc | Vorrichtung und verfahren zur beleuchtung von lichtventilen |
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2000
- 2000-03-25 DE DE10014940A patent/DE10014940A1/de not_active Withdrawn
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