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DE1096501B - Legierungsbegrenzungsform zur Herstellung von Legierungskontakten an Halbleiterbauelementen - Google Patents

Legierungsbegrenzungsform zur Herstellung von Legierungskontakten an Halbleiterbauelementen

Info

Publication number
DE1096501B
DE1096501B DEI14685A DEI0014685A DE1096501B DE 1096501 B DE1096501 B DE 1096501B DE I14685 A DEI14685 A DE I14685A DE I0014685 A DEI0014685 A DE I0014685A DE 1096501 B DE1096501 B DE 1096501B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
alloy
inserts
anodized
holes
form according
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DEI14685A
Other languages
English (en)
Inventor
Georges Calon
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Micronas GmbH
Original Assignee
TDK Micronas GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TDK Micronas GmbH filed Critical TDK Micronas GmbH
Priority to DEI14685A priority Critical patent/DE1096501B/de
Publication of DE1096501B publication Critical patent/DE1096501B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H10P95/00
    • H10P95/50

Landscapes

  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Description

  • Legierungsbegrenzungsform zur Herstellung von Legierungskontakten an Halbleiterbauelementen Die Erfindung betrifft eine Legierungsbegrenzungsform zur Herstellung von Legierungskontakten, vorzugsweise zur gleichzeitigen Herstellung von Legierungskontakten auf einer Vielzahl von Halbleiter-Flächen-B-anelementen mit p-n-Übergängen.
  • Solche Legierungsbegrenzungsformen bestehen meist aus Ober- und Unterteil mit durch beide Teile verlaufenden Durchbohrungen oder -dem Unterteil endenden Sacklöchern. Die Durchbohrungen und Sacklöcher sind bei den bekannten Formen so ausgebildet, daß in diese das Halbleiterplättchen mit einer Legierungspille oder dem Legierungsdraht oder mit zwei Legierungspillen und dem Halbleiterkörper eingebracht werden kann und gleichzeitig durch sie die Legierungsfläche festgelegt wird. Diese bekannten Formen werden üblicherweise aus Graphit oder Stahl hergestellt. Formen aus Graphit nutzen sich jedoch schnell ab, weil der Graphit abbröckelt. Bei Stahlformen ist es dagegen schwierig, ein Ankleben bzw. Anlegieren der Legierungspillen an die Form zu vermeiden.
  • Demgegenüber werden bei .der Legierungsbegrenzungsform nach -der Erfindung diese Schwierigkeiten vermieden. Außerdem ist diese Form wirtschaftlich herzustellen und für verschiedene Halbleitermaterialien bzw. Legierungssubstanzen geeignet.
  • Gemäß der Erfindung zeichnet sich die Legierungsbegrenzungsform zur Herstellung von Legierungskontakten, auf Halbleiter-Flächen-Bauelementen, mit p-n-Übergängen, bestehend aus Ober- und Unterteil mit durch beide Teile gehenden Durchbohrungen oder im Unterteil endenden Sacklöchern, dadurch aus, daß die Durchbohrungen und die Sacklöcher beider Teile mit Einsätzen aus eloxiertem Metall versehen sind, und die Einsätze des Oberteiles Durchbohrungen vom Durchmesser der gewünschten Legierungsfläche zum Einbringen der Pille der Legierungssubstanz auf die jeweils unter dem Einsatz befindlichen Halbleiterplättchen besitzen. Die Form nach der Erfindung ist besonders zur gleichzeitigen Herstellung von Kontakten auf einer Vielzahl von Bauelementen geeignet.
  • In Legierungsbegrenzungsformen, mit denen Transistoren hergestellt werden sollen, besitzen die Einsätze des Unterteils Sacklöcher -zur Aufnahme der Legierungspillen für die Gegenseite des Halbleiterkörpers.
  • Die Legierungsform selbst kann aus Graphit, Stahl oder ebenfalls aus eloxiertem Metall bestehen. Die Wahl .des Materials für die Einsätze bzw. Formen richtet sich dabei nach der Legierungstemperatur, die unter der Schmelztemperatur des eloxierten Metalls liegen muß. Die Einsätze werden je nach dem Verwendungszweck angefertigt und anschließend nach dem bekannten elektrolytischen Oxydationsverfahren - z. B. Eloxal-Verfahren bei Aluminium, Elomag-Verfahren bei Magnesium - oxydiert. Für Germanium-Bauelemente, die unter 600° C legiert werden, können Einsätze aus eloxiertem Magnesium (Schmelzpunkt 650°C) oderAluminium (Schmelzpunkt658°C) verwendet werden. Oberhalb dieser Temperatur werden zweckmäßig eloxierte Einsätze aus Eisen, Vanadium, Nickel oder Silber oder deren Legierungen verwendet. Bei Verwendung von Aluminium ist möglichst reines Aluminium zu wählen, da dieses eine bessere Oxydschicht @in bezug auf Härte und Festigkeit liefert. Die Einzelheiten der Eloxierverfahren sind bekannt. Einsätze aus Aluminium werden z. B. in Kalilauge geätzt und anschließend 15 Minuten lang in 10°/aiger Schwefelsäure elektrolytisch eloxiert. Eloxierte Einsätze aus reinem Aluminium haben sich bei 'der Herstellung von Germanium-Transistoren bis zu einer Legierungstemperatur von etwa 600° C sehr gut bewährt.
  • Vorzugsweise werden ,die Einsätze für die Legierungsbegrenzungsform nach der Erfindung aus eloxiertem Tantal oder eloxierten Tantallegierungen hergestellt, die sich sowohl für Germanium- wie für Silizium-Bauelemente und die bei ihnen üblicherweise verwendeten Legierungssubstanzen eignen. Wegen der relativ schweren Bearbeitbarkeit von Tantal kann dieses auch in Form von eloxierten Tantalblechen verwendet werden, die zu den gewünschten Einsatzformen gepreßt sind. Die verwendeten Tantalbleche können beispielsweise eine Dicke von 0,5 mm haben. Alle Tantalteile, die mit leichthaftenden Metallen, wie z. B. Gold, in Berührung kommen, werden zweckmäßig an ihrer Oberfläche mrit einer Riffelung, z. B. in Waffelmusterform, versehen.
  • Weitere Einzelheiten der Legierungsbegrenzung-sform nach .der Erfindung werden an Hand der Figuren erläutert Fig.1 zeigt schematisch eine Legierungsbegrenzungsform für die gleichzeitige Herstellung von Legierungskontakten für mehrere Flächentransistoren in Draufsicht; Rig.2 zeigt schematisch einen Vertikalschnitt durch eine Legierungsbegrenzungsform für Dioden im Ausschnitt; Fig. 3, 4 ,und 5 zeigen schematisch Vertikalschnitte durch verschiedene Legierungsbegrenzungsformen für Transistoren im Ausschnitt.
  • Die Fig. 1 dient zur Veranschaulichung der Lage der Einsätze in einer Form 1. Die Bereiche 2 der einzelnen zu legierenden Halbleiter-Flächen-Bauelemente und damit der Einsätze sind durch Schraffur angedeutet. Ober- und Unterteil der Form wenden nach Einbringen aller erforderlichen Bauteile, wie z. B. des Einsatzes, einer Legierungspille, des Halbleiterplättchens, des Basisbleches und :des zweiten Einsatzes, mittels der Stifte 3 zusammengehalten. Die Figur zeigt eine übliche kleinere Form in natürlicher Größe.
  • In den Fsg.2 bis 5 sind vergrößerte nicht maßstabsgerechte Ausschnitte aus Vertikalschnitten durch Legierungsformen dargestellt. Bei der Legierungsform für Dioden weist -der Unterteil 4 ein Sackloch auf, in dem sich ein Einsatz 5 befindet, der eine Ausnehmung zur Aufnahme des Metallplättchens 6 für den Ohmschen Anschluß und des Halbleiterplättchens 7 besitzt. In der Durchbohrung des Oberteiles 8 befindet .sich ein Einsatz 9, dessen Durchbohrung um weniges weiter als der Durchmesser des in sie eingeführten Legierungsdrahtes 10 ist. Über dem Einsatz 9 des Oberteils ist ein Beschwerungsstück 11 für den Legierungsdraht 10 vorgesehen. Das Beschwerungsstück 11 hat einen kurzen Dorn 12, der in .die Durchbohrung des Einsatzes 9 hineinragt und den Draht 10 auf das Halbleiterplättchen 7 bzw. nach Aufschmelzen der Legierungszone in diese hineindrückt. Die Spitze des Dornes 12 wird vorzugsweise mit einer Schicht aus eloxiertem Metall, z. B. aus eloxiertem Tant-al, versehen. Ist der Halbleiter z. B. Silizium und sind damit das Metallplättchen 6 vorzugsweise aus Gold und :die Einsätze 5 und 9 .aus Tautal, so kann die an dem Goldplättchen liegende Oberfläche des Einsatzes 5 zur Vermeidung einer Haftung des Goldes an dem eloxierten Tautal mit einer Riffelung versehen werden.
  • Die Fig. 3 bis 5 zeigen verschiedene Ausführungen von Legierungsbegrenzungsformen für Transistoren gemäß der Erfindung. Während Tder Unterteil 13 der Form nach Fig. 5 Sacklöcher besitzt, haben die Unterteile 14 und 15 der Form nach Fig. 3 und 4 Durchbohrungen; beide können jedoch ebenso mit Sacklöchern hergestellt werden. An ihrer Oberkante haben die Unterteile 14, 15 und 13 die Durchbohrungen bzw. Sacklöcher erweiternde Aussparungen zur Aufnahme der Basisbleche 16, 17 und 18. Die in den Durchbohrungen der Unterteile 14 und 15 befindlichen Einsätze 19 und 20 sind mit einem Sackloch zur Aufnahme der zweckmäßig plättchenförmigen Legierungspillen 21 und 22 versehen. Die Oberseite des Einsatzes 19 der Form nach Fig. 3 ist im übrigen glatt. Auf den Einsatz 19 werden mach Einführen der Legierungspille 21 das Halbleiterplättchen 23 und das Basisblech 16 gebracht. Bei der Form nach Fig. 4 ist dagegen der obere Außenrand des Einsatzes 20 zur Aufnahme des Basisbleches 17 ausgespart. Die Durchbohrungen der Oberteile 24 und 25 der Frig. 3 und 4 sind an der Oberkante etwas weiter als in ihrem unteren Teil, so daß die entsprechend geformten Einsätze 26 und 27 auf -den Kanten 28 und 29 hängen. Der Einsatz 26 greift nach Fig. 3 mit seinem unteren Teil in die Durchbohrung des Unterteils 14 entsprechend der Höhe des Basisbleches 16 ein und. liegt auf dem Halbleiterplättchen 23 auf. Sein unterer Außenrand ist mit einer Aussparung entsprechend der Größe des Basisbleches 16 versehen. Die Unterfläche des Einsatzes 27 nach Fig. 4 ist dagegen nach außen glatt und liegt auf dem Halbleiterplättchen 30 auf. Durch die Durchbohrungen der Einsätze 26 und 27 werden die Legierungspillen 31 und 32 auf die Halbleiterplättchen 23 und 30 gebracht. Die Oberteile 24 und 25 haben Deckel 33 und 34, die mit ihnen fest verbunden werden können und die bei 35 und 36 die Durchbohrungen der Einsätze 26 und 27 frei lassen. Die Einsätze 26 bzw. 27 haben zwischen Deckel 33 bzw. 34 und Kante 28 bzw. 29 etwas Spiel zur Anpassung an unterschiedliche Dicken der Halbleiterplättchen. Die Einsätze der Form der Fig. 3 werden zweckmäßig aus massivem Metall, die der Fig. 4 aus massivem oder aus Metallblech, insbesondere aus Tantalblech, hergestellt.
  • Fig.5 zeigt eine Form gemäß der Erfindung mit aus eloxiertem Metallblech, vorzugswesse Tantalblech, hergestellten Einsätzen. Der Unterteil 13 ist mit Sacklöchern versehen, die in oder Mitte eine geeignet geformte Vertiefung aufweisen. Auf den Boden eines solchen Sackloches ist ein Blech aus eloxiertem Metall, z. B. ein Täntalblech, gepreßt, das den Einsatz 37 bildet. Die Vertiefung in der Mitte des Tantalbleches ist derart gestaltet, daß in sie die in diesem--Fall zweckmäßig kugelförmige Legierungspille 38 eingebracht werden kann und das Barübergelegte Halbleiterplättchen 39 dann möglichst breit auf dem Außenrand des Einsatzes 37 aufliegt. In die Durchbohrung des Oberteiles 40 ist ein eloxiertes Tantalblech als Einsatz 42 eingepreßt, durch dessen Durch= bohrung die Legierungspille 41 auf ,das Halbleiterplättchen 39 gebracht wird.
  • Im Gegensatz zu -den bekannten Legierungsbegrenzungsformen unterliegen die gemäß der Erfindung kaum einem Verschleiß. Gleichzeitig gewährleisten sie ein einwandfreies Legieren, ohne daß Infolge Haftgins von Legierungssubstanz und Form bei Herausnehmen ein Ausreißen einzelner Stücke aus dem Halbleiter-Flächen-Bauelement oder auch der Form erfolgt. Werden als Einsätze aus Materialgründen kostspieligere Metalle benutzt, so lassen sich die Herstellungskosten für die Form durch Verwendung von Blech, wie z. B. Tantalblech, für die Einsätze außerordentlich gering halten.

Claims (10)

  1. PATENTANSPRÜCHE: 1. Legierungsbegrenzungsform zur Herstellung von Legierungskontakten auf Halbleiter-Flächen-Bauelementen mit p-n-Übergängen, bestehend aus Ober- und Unterteil mit durch beide Teile gehenden Durchbohrungen oder im Unterteil endenden Sacklöchern, dadurch gekennzeichnet, daß die Durchbohrungen und die Sacklöcher beider Teile mit Einsätzen (5, 9; 19, 26; 20, 27; 37, 42) aus eloxiertem Metall versehen sind und die Einsätze des Oberteiles Durchbohrungen vom Durchmesser der gewünschten Legierungsfläche zum Einbringen der Pillen der Legierungssubstanz auf die jeweils unter dem Einsatz befindlichen Halbleiterplättchen besitzen.
  2. 2. Legierungsbegrenzungsform nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Einsätze aus eloxiertem Tantal oder eloxierten Tantallegierungen bestehen.
  3. 3. Legierungsbegrenzungsform nach Anspruch2, dadurch gekennzeichnet, ,daß die Einsätze aus eloxiertem Tantalblech bestehen.
  4. 4. Legierungs.begrenzungsform nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Einsätze aus eloxiertem Mg, Al, Fe, Va, Ni, Ag oder eloxierten Legierungen dieser Metalle bestehen.
  5. 5. Legierungshegrenzungsform nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Einsätze des Unterteiles eine Ausnehmung zur Aufnahme eines Metallplättchens für den Ohmschen Anschluß und des darübergelegten Halbleiterplättchens besitzen.
  6. 6. Legierungsbegrenzungsform nach Anspruch 5, gekennzeichnet durch über den Einsätzen des Oberteiles angeordnete Beschwerstücke (11) mit einem in die Durchbohrung des Einsatzes hineinragenden und auf die Legierungspille oder den Legierungsdraht drückenden Dorn (12) aus eloxiertem Metall, vorzugsweise aus eloxiertem Tantal. ?.
  7. Legierungsbegrenzungsform nach einem der Ansprüche 2 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Einsätze des Oberteils oder die des Unterteils an ihrem zwischen Ober- und Unterteil liegenden Rand eine Aussparung zur Aufnahme des Halbleiterkörpers besitzen. B.
  8. Legierungsbegtenzungsform nach einem der Ansprüche 2 bis 4 und 7 .dadurch gekennzeichnet, daß die Einsätze des Oberteiles durch einen mit dem Oberteil verbundenen, ihre Durchbohrungen frei lassenden Deckel (33, 34) ,gehaltert sind.
  9. 9. Legierungsbegrenzungsform nachAnspruch3, dadurch gekennzeichnet, .daß die aus Blech bestehenden Einsätze .des Unterteiles auf den Boden der Sacklöcher gepreßt und in der Mitte mit je einem zur Aufnahme einer zweckmäßig kugelförmigen Legierungspille geeigneten Sackloch versehen sind und daß die Einsätze des Oberteiles aus in das untere Ende -der Durchbohrungen des Oberteiles eingepreßtem Blech gebildet sind.
  10. 10. Legierungsbegrenzungsform nach einem der Ansprüche 3, 4 und 6 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß alle mit leichthaftenden Metallen, wie z. B. Au, in Berührung kommenden Tantalteile mit einer Riffelung, z. B. in Waffelmusterform, versehen sind. In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Patentschrift Nr. 955 624; französische Patentschrift Nr. 1 115 448.
DEI14685A 1958-04-12 1958-04-12 Legierungsbegrenzungsform zur Herstellung von Legierungskontakten an Halbleiterbauelementen Pending DE1096501B (de)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1177254B (de) * 1961-09-12 1964-09-03 Philips Nv Legierform und Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen
DE1196795B (de) * 1962-03-09 1965-07-15 Telefunken Patent Legierungsform
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