DE1090769B - Process for the production of conductivity or pn transitions in semiconductor bodies by the melting process - Google Patents
Process for the production of conductivity or pn transitions in semiconductor bodies by the melting processInfo
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Description
DEUTSCHESGERMAN
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung von Leitfähigkeits- oder pn-Übergängen in Halbleiterkörpern nach dem Aufschmelzverfahren unter Verwendung von Begrenzungskörpern für die Schmelze. Dieses Verfahren wird insbesondere angewandt bei der Herstellung halbleitender Elektrodensysteme, z. B. Kristalldioden und Transistoren. Es ist bekannt, dazu auf den Halbleiterkörper mindestens einen Körper zu stellen, der aus einer wirksamen Verunreinigung besteht oder der eine solche Verunreinigung enthält und der nachstehend Aufschmelzkörper genannt wird, welche Körper mittels einer Matrize einander gegenüber fixiert und darauf erhitzt werden, in der Weise, daß nur der Aufschmelzkörper schmilzt und mit einem Teil des Halbleiterkörpers eine geschmolzene Legierung bildet. Die Matrize bildet dabei einen Begrenzungskörper für die Schmelze. Es ist auch üblich, zwei oder mehr solcher Aufschmelzkörper gleichzeitig auf einen Halbleiterkörper aufzuschmelzen, und schließlich kann auch ein Aufschmelzkörper zwischen zwei Halbleiterkörper eingeschmolzen werden.The invention relates to a method for producing conductivity or pn junctions in semiconductor bodies after the melting process using limiting bodies for the Melt. This process is used in particular in the manufacture of semiconducting electrode systems, z. B. crystal diodes and transistors. It is known to do this on the semiconductor body at least to provide a body that is made up of an effective impurity or that has such an impurity contains and which is referred to below as a fusible body, which body by means of a die are fixed opposite each other and heated thereon, in such a way that only the melting body melts and forms a molten alloy with a portion of the semiconductor body. The die forms a limiting body for the melt. It is also common to have two or more such melters to melt simultaneously onto a semiconductor body, and finally a melting body can also be melted between two semiconductor bodies will.
Ein solches Verfahren wird oft zur Herstellung von Legierungselektroden durchgeführt, wobei das Material des Aufschmelzkörpers, das nachstehend Aufschmelzmaterial genannt wird, mit dem halbleitenden Material eine Legierung bildet. Das halbleitende Material kristallisiert bei Kühlung wieder aus und wächst an das ursprüngliche Kristallgitter an. Die Eigenschaften dieses zugewachsenen Materials werden zum größten Teil durch die wirksame Verunreinigung im Aufschmelzmaterial oder durch dieses Material selbst bedingt, das mit dem halbleitenden Material in inniger Verbindung bleibt. Dabei entsteht ein Leitfähigkeits- oder pn-übergang zwischen dem ursprünglichen Halbleitermaterial und dem zugewachsenen Material.Such a process is often used for the manufacture of alloy electrodes, the Material of the melting body, which is hereinafter referred to as the melting material, with the semiconducting one Material forms an alloy. The semiconducting material crystallizes out again when cooled and grows onto the original crystal lattice. The properties of this overgrown material are largely due to the effective contamination in or from the melt material Material itself, which remains in intimate connection with the semiconducting material. This creates a conductivity or pn transition between the original semiconductor material and the overgrown one Material.
Es ist jedoch auch möglich, das Aufschmelzmaterial so zu wählen, daß weder Zusammenschmelzung noch Legierung stattfindet, sondern nur eine Diffusion der wirksamen Verunreinigung in das halbleitende Material eintritt; in diesem Fall kann das Aufschmelzmaterial nach Kühlung entfernt werden; der darunterliegende Teil des ursprünglichen Halbleiterkörpers hat sich dabei durch Diffusion geändert und bildet einen Leitfähigkeits- oder pn-übergang mit dem Rest des Körpers.However, it is also possible to choose the melting material so that neither melting together nor Alloy takes place, but only a diffusion of the effective impurity into the semiconducting material entry; in this case the melting material can be removed after cooling; the one below Part of the original semiconductor body has changed and is forming due to diffusion a conductivity or pn transition with the rest of the body.
Die Matrize muß aus feuerfestem Material hergestellt werden, unter dem hier ein Material zu verstehen
ist, das einer Erhitzung bis zur Schmelztemperatur des Aufschmelzmaterials oder den gegebenenfalls
höheren Temperaturen beim Aufschmelzen Widerstand leisten kann ohne Verlust an Formfestigkeit.
Solche Matrizen werden meistens aus sehr reinem Verfahren zur Herstellung
von Leitfähigkeits- oder pn-ÜbergängenThe die must be made of refractory material, which is to be understood here as a material that can withstand heating up to the melting temperature of the melting material or the possibly higher temperatures during melting without loss of dimensional stability. Such matrices are mostly made from very pure manufacturing processes
of conductivity or pn transitions
in Halbleiterkörpern
nach dem Aufschmelzverfahrenin semiconductor bodies
after the melting process
Anmelder:Applicant:
N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken,
Eindhoven (Niederlande)NV Philips' Gloeilampenfabrieken,
Eindhoven (Netherlands)
Vertreter: Dr. rer. nat. P. Roßbach, Patentanwalt,
Hamburg I1 Mönckebergstr. 7Representative: Dr. rer. nat. P. Roßbach, patent attorney,
Hamburg I 1 Mönckebergstr. 7th
Beanspruchte Priorität:
Belgien vom 9. Januar 1957Claimed priority:
Belgium 9 January 1957
Jan Koens
und Johannes Jacobus Asuerus Ploos Van Amstel,Jan Koens
and Johannes Jacobus Asuerus Ploos Van Amstel,
Eindhoven (Niederlande),
sind als Erfinder genannt wordenEindhoven (Netherlands),
have been named as inventors
Graphit hergestellt. Da mit Rücksicht auf die zum Fixieren der Aufschmelzkörper erforderliche Genauigkeit auch die Matrizen sehr hohen Anforderungen genügen müssen, und da weiter die Matrizen sich infolge der sehr hohen Temperaturen, denen sie ausgesetzt sind, stark abnutzen, kann eine solche Matrize nicht sehr oft benutzt werden, und deren Ersatz verursacht hohe Kosten und großen Zeitverlust. Außerdem lassen sich solche Matrizen praktisch nicht vollkommen an den Halbleiterkörper anschließen, so daß die Schmelze oft zwischen der Matrize und diesem Körper einfließen wird.Made of graphite. As with regard to the accuracy required to fix the melting body the matrices also have to meet very high requirements, and since the matrices continue to expand as a result The very high temperatures to which they are exposed can wear out such a die are not used very often, and their replacement is expensive and time-consuming. aside from that such matrices can practically not be completely connected to the semiconductor body, so that the melt will often flow in between the die and this body.
Bei dem Verfahren nach der Erfindung werden diese Nachteile vermieden. .These disadvantages are avoided in the method according to the invention. .
Bei diesem wird zunächst das Aufschmelzmaterial in der gewünschten Lage auf den Halbleiterkörper fixiert und dann von einer flüssigen, breiigen, zu einer feuerfesten Substanz erhärtbaren Masse umgeben, welche nach Erhärtung als Begrenzungskörper bei der nachfolgenden Schmelzbehandlung dient.In this case, the melting material is first placed on the semiconductor body in the desired position fixed and then surrounded by a liquid, pasty mass that can be hardened into a refractory substance, which, after hardening, serves as a delimiting body in the subsequent melt treatment.
Ein Körper aus Aufschmelzmaterial kann einfach gegen den halbleitenden Körper gedrückt werden; dasA body made of melting material can simply be pressed against the semiconducting body; the
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Material kann aber auch auf dem halbleitenden Körper bei einer so niedrigen Temperatur festgeschmalzen werden, daß das Material praktisch nicht ausfließt.However, material can also stick to the semiconducting body at such a low temperature that the material practically does not flow out.
Die flüssige, breiige Masse kann z. B. durch Trocknen und/oder eine chemische Reaktion gehärtet werden.The liquid, pasty mass can, for. B. cured by drying and / or a chemical reaction will.
Da die innere Form des feuerfesten Materials durch die ursprüngliche Form des Aufschmelzmaterials bedingt wird, wird eine gute Ausfüllung der zuerst genannten Form stets gewährleistet. Es ist zwar bereits bekannt, zunächst auf den halbleitenden Körper eine isolierende Form zu stellen, in die darauf Elektrodenmaterial gegossen wird (s. z. B. die niederländische Patentschrift 45 839, Fig. 1), jedoch ist dieses Verfahren weniger einfach als das Verfahren nach der Erfindung.Because the internal shape of the refractory material is conditioned by the original shape of the melting material a good filling of the first mentioned form is always guaranteed. It is already known to first put an insulating form on the semiconducting body, in the electrode material thereon is poured (see e.g. Dutch patent specification 45 839, Fig. 1), but this method is less simple than the method according to the invention.
Es wurde auch schon vorgeschlagen, beim Auflegieren von Elektroden auf Halbleiterkörper die verschiedenen Teile in Pulver einer mit diesen Teilen nicht reagierenden Substanz einzubetten und in diesem Zustand der Erhitzung bis zur Legierungsbildung auszusetzen. Die Teile werden bei diesem Verfahren zusammengepreßt, wobei von dem Pulver ein allseitiger Druck wie von einer Flüssigkeit ausgeübt wird. Bei diesem Verfahren wird also das Aufschmelzmaterial nicht vorher auf dem Halbleiterkörper fixiert, und das Pulver bildet keine durch Erhärten entstandene Begrenzungskörper.It has also already been proposed, when placing electrodes on semiconductor bodies, to use the various To embed parts in powder of a substance that does not react with these parts and in this To be exposed to the state of heating until the alloy is formed. The parts are made in this process pressed together, the powder exerting pressure on all sides like a liquid. In this method, the melting material is not previously fixed on the semiconductor body, and the powder does not form hardening boundary bodies.
Das Verfahren nach der Erfindung wird nachstehend an Hand einer Anzahl von Ausführungsbeispielen, näher erläutert, die in Figuren veranschaulicht sind.The method according to the invention is explained in more detail below with reference to a number of exemplary embodiments explained, which are illustrated in figures.
Diese Figuren zeigen halbleitende Elektrodensysteme in stark vergrößertem Maßstab in verschiedenen Stufen des Herstellungsprozesses.These figures show semiconducting electrode systems on a greatly enlarged scale in various Stages of the manufacturing process.
Die Fig. 1 und 3 bis 15 zeigen Schnitte, und Fig. 2 zeigt eine Draufsicht nach Fig. 1.FIGS. 1 and 3 to 15 show sections, and FIG. 2 shows a plan view of FIG. 1.
Die Figuren zeigen einfachheitshalber jeweils nur die Anbringung einer Elektrode auf einem halbleitenden Körper: die Anbringung mehrerer Elektroden geschieht in gleicher Weise.For the sake of simplicity, the figures only show the attachment of one electrode to a semiconducting one Body: several electrodes are attached in the same way.
In Fig. 1 ist der halbleitende Körper mit \, der Aufschmelzkörper ist mit 2 bezeichnet. Die Elemente, \rerbindungen oder Legierungen, aus denen sie zusammengesetzt sind werden nicht ausführlich erörtert. Grundsätzlich sind brauchbar alle Materialien, die zur Herstellung halbleitender Elektrodensysteme in Betracht kommen. Der Körperl besteht z.B. aus n-leitendem Germanium, der Körper 2 aus Indium.In FIG. 1, the semiconducting body is denoted by \, the fusible body is denoted by 2. The elements \ r onnectivity or alloys from which they are composed are not discussed in detail. In principle, all materials that can be used for the production of semiconducting electrode systems can be used. The body 1 consists, for example, of n-conducting germanium, the body 2 of indium.
Der Körper 2 hat zweckmäßig mindestens eine Seite, die sich gut an den halbleitenden Körper 2 anschließt. Bei den dargestellten Beispielen sind beide flach.The body 2 expediently has at least one side which adjoins the semiconducting body 2 well. In the examples shown, both are flat.
Der Körper 2 wird zunächst mittels zweier Halterungen 3 (Fig. 2) genau an die gewünschte Stelle gebracht und darauf von einem Stempel 4 festgehalten, während die Halterungen 3 weggenommen werden.The body 2 is first brought exactly to the desired location by means of two holders 3 (FIG. 2) and then held by a punch 4 while the holders 3 are removed.
Darauf wird eine Menge eines Breies 5 (Fig. 3) aufgebracht, welcher derart zusammengesetzt ist, daß er durch Erhärtung eine feuerfeste Masse bilden kann.A quantity of a pulp 5 (Fig. 3) is applied thereon, which is composed such that it can form a refractory mass by hardening.
Es ist z. B. ein Brei brauchbar, der aus 125 g Aluminiumoxyd, 20 ecm Äthylglycol und 10 ecm Butanol zusammengesetzt ist, in dem etwa Nitrozellulose gelöst ist. Sobald sich dieser Brei, in diesem Falle durch Trocknen, so weit gehärtet hat, daß eine Verschiebung des Körpers nicht mehr zu befürchten ist, kann der Stempel 4 entfernt werden. Im allgemeinen sind die Abmessungen halbleitender Elektrodensysteme so klein und somit auch die der durch die Entfernung des Stempels entstandene Öffnung 6, daß das geschmolzene Material nicht durch diese Öffnung wegfließen wird. Besteht diese Gefahr dennoch, so kann die Öffnung durch die Anbringung einer größeren Menge Brei geschlossen werden.It is Z. B. a pulp usable, which is composed of 125 g of aluminum oxide, 20 ecm of ethyl glycol and 10 ecm of butanol, in which about nitrocellulose is dissolved. As soon as this pulp, in this case by drying, has hardened to such an extent that a displacement of the body is no longer to be feared, the stamp 4 can be removed. In general, the dimensions of semiconducting electrode systems are so small, and thus also those of the opening 6 created by the removal of the punch, that the molten material will not flow away through this opening. If there is still this risk, the opening can be closed by applying a larger amount of paste.
Das Elektrodensystem wird dann auf an sich bekannte Weise erhitzt, wobei das Material des Körpers 2 schmilzt und eine kleine Menge des halbleitenden Materials 1 sich in dem Material des Körpers 2 löst. Nach Abkühlung kristallisiert das halbleitende Material wieder aus und wächst an dem Kristallgitter des Körpers 1 an. Die Eigenschaften dieses auskristallisierten Materials werden von einem gewissen Gehalt an wirksamen Verunreinigungen aus dem Material 2, in diesem Falle Indium, beeinflußt. Die dabei auftretenden Erscheinungen sind beschrieben von unter anderem E. W. Herold »British Journal of Applied Physics«, Bd. V (April 1954), S. 115 bis 126. Die Erhitzung und die Zusammensetzung des Elektrodenmaterials können auch so gewählt werden, daß die Eigenschaften der gebildeten Elektrode stark oder auch ganz durch in das halbleitende Material eindiffundierte wirksame Verunreinigungen bestimmt werden.The electrode system is then heated in a manner known per se, the material of the body 2 melting and a small amount of the semiconducting material 1 dissolving in the material of the body 2. After cooling, the semiconducting material crystallizes out again and grows on the crystal lattice of the body 1. The properties of this crystallized material are influenced by a certain content of effective impurities from the material 2, in this case indium. The phenomena that occur are described by EW Herold, among others, "British Journal of Applied Physics", Vol. V (April 1954), pp. 115 to 126. The heating and the composition of the electrode material can also be chosen so that the properties of the formed electrode can be determined strongly or entirely by effective impurities diffused into the semiconducting material.
In allen Figuren ist die Grenzfläche zwischen dem Material des Körpers 2 und dem halbleitenden Körper 1 flach vor der Durchführung der Erhitzung und konkav nach Beendigung dieses Vorganges angegeben.In all figures is the interface between the material of the body 2 and the semiconducting body 1 indicated flat before heating is carried out and concave after completion of this process.
Diese übliche, schematische Darstellungsweise ist jedoch nicht so gemeint, daß die wirkliche Grenzfläche gekrümmt sein soll. Im Gegenteil, es wird danach gestrebt, die wirkliche Grenzfläche gemäß einer der Hauptebenen des Kristallgitters verlaufen zu lassen.However, this usual, schematic representation is not meant to represent the actual interface should be curved. On the contrary, the aim is to establish the real interface according to one of the To run main planes of the crystal lattice.
Nach dem Schmelzen des Materials des Körpers 2 kann dieses sich infolge der Oberflächenspannung etwas aus den Ecken der von der Masse 5 gebildeten Umhüllung zurückziehen und in der Öffnung 6 emporsteigen (Fig. 4).After the material of the body 2 has melted, this can change as a result of the surface tension Pull back a little from the corners of the envelope formed by the mass 5 and climb up in the opening 6 (Fig. 4).
In das Aufschmelzmaterial kann darauf durch vorsichtige Erwärmung ein Zuführungsdraht 7 eingeführt werden; dabei kann die Umhüllung 5 verhüten, daß das Aufschmelzmaterial über die gebildete Grenzfläche ausfließt (Fig. 5). Die Umhüllung kann jedoch auch vorher entfernt werden, wobei auf übliche Weise vorsichtig ein Zuführungsdraht an dem Aufschmelzmaterial befestigt werden kann (Fig. 6).A feed wire 7 can then be introduced into the melting material by careful heating will; the casing 5 can prevent the melting material from passing over the interface formed flows out (Fig. 5). However, the covering can also be removed beforehand, being careful in the usual way a lead wire can be attached to the reflow material (Fig. 6).
Die aus dem Brei gebildete Umhüllung läßt sich z. B. durch Bürsten oder durch chemische Lösung oder durch beides entfernen. Die Umhüllung ist hinreichend formfest, um das gschmolzene Material an seiner Stelle festzuhalten, kann aber leicht durch Bürsten entfernt werden, ohne daß eine Beschädigung der Elektrode eintritt.The casing formed from the pulp can be z. B. by brushing or by chemical solution or by removing both. The envelope is sufficiently dimensionally stable to allow the molten material on its The spot sticking, but can easily be removed by brushing without damaging the Electrode enters.
Die Fig. 7 bis 11 beziehen sich auf ein Verfahren, bei dem das Aufschmelzmaterial mit dem halbleitenden Körper 10 mittels eines Klebmittels verbunden wird. Das letztere, welches z. B. aus einer Lösung von Harz in Alkohol oder einer Lösung von Nitrozellulose in Amylacetat bestehen kann, kann zunächst in Form einer dünnen Schicht 11 auf den halbleitenden Körper gebracht werden (Fig. 7), und darauf wird das Aufschmelzmaterial 12 darauf festgeklebt (Fig. 8). Man kann dieses Material jedoch auch unmittelbar auf den Körper bringen und mittels einer kleinen Menge eines Klebmittels festlegen. Darauf wird ein flüssiger Brei 13, dessen Zusammensetzung bereits angegeben wurde, über das Gebilde gebracht (Fig. 9), und das Material 12 wird geschmolzen. Das Klebmittel 11 ist derart gewählt, daß es bei der Wärmebehandlung vollkommen verschwindet. Der resultierende Raum 14 in der Form ist in Fig. 10 zwar gezeichnet, spielt aber praktisch keine Rolle, da er verschwindend klein ist. Schließlich7 to 11 relate to a method in which the melting material with the semiconducting Body 10 is connected by means of an adhesive. The latter, which z. B. from a solution of Resin in alcohol or a solution of nitrocellulose in amyl acetate can be made first in the form a thin layer 11 are applied to the semiconducting body (Fig. 7), and the melting material 12 glued to it (Fig. 8). However, this material can also be applied directly to the Bring the body and fix it with a small amount of adhesive. It becomes a liquid pulp 13, the composition of which has already been indicated, brought over the structure (Fig. 9), and the material 12 is melted. The adhesive 11 is selected so that it is perfect in the heat treatment disappears. The resulting space 14 in the mold is drawn in Fig. 10, but is practical does not matter, since it is vanishingly small. In the end
wird die Umhüllung entfernt und ein Zuführungsdraht 15 angebracht (Fig. 11). the sheath is removed and a lead wire 15 is attached (FIG. 11).
Das Verfahren nach der Erfindung schafft auch die Möglichkeit, den Elektroden eine Gestalt zu geben, die bisher schwierig zu verwirklichen war. Fig. 12 zeigt, auf welche Weise auf einen Körper 20 aus p-Typ-Germanium ein Draht 21 aus Blei mit 10 Gewichtsprozent oder mit 2 Gewichtsprozent Antimon gebracht wird. Dieser Draht wird bis zu einer Höhe von einigen Millimetern mit dem Brei 22 umgeben. Nach Erhärtung des letzteren wird der Draht 21 bei 23 abgeschnitten (Fig. 13).The method according to the invention also creates the possibility of giving the electrodes a shape that was previously difficult to achieve. Fig. 12 shows how a body 20 of p-type germanium a wire 21 made of lead with 10 percent by weight or with 2 percent by weight of antimony is brought. This wire is surrounded with the pulp 22 up to a height of a few millimeters. After hardening of the latter, the wire 21 is cut at 23 (Fig. 13).
Darauf folgt eine Wärmebehandlung, bei der das von dem Draht 21 gebildete Aufschmelzmatrial schmilzt. Schließlich wird die Umhüllung 22 wieder entfernt, worauf der Draht 21 mit einem Zuführungsdraht 24 versehen wird. Wenn dagegen der Draht 21 in einer üblichen Matrize, z. B. aus Graphit, geschmolzen wird, läßt sich diese Matrize praktisch nicht entfernen, ohne daß der Draht beschädigt wird. Außerdem können mit Hilfe des Verfahrens nach der Erfindung bequem Elektroden sehr kleiner Bemessung hergestellt werden.This is followed by a heat treatment in which the melted material formed by the wire 21 melts. Finally, the sheath 22 is removed again, whereupon the wire 21 is provided with a feed wire 24. On the other hand, if the wire 21 in a common die, e.g. B. graphite, is melted, this die can be practical do not remove without damaging the wire. In addition, with the help of the method according to the Invention conveniently made electrodes of very small size.
Bei den vorstehend angegebenen Beispielen wurden jeweils Legierungselektroden hergestellt. Die Fig. 16 und 17 veranschaulichen die Herstellung eines pn-Überganges durch Diffusion.In the examples given above, alloy electrodes were manufactured in each case. The Fig. 16 and FIG. 17 illustrate the production of a pn junction by diffusion.
Auf einen halbleitenden Körper 30 aus n-leitendem Silicium wird ein Draht 31 aus Indium gelegt und mit einem Brei 32, der wieder aus Aluminiumoxyd, etwas Nitrozellulose und einem Lösungsmittel bestehen kann, überzogen. Das Ganze wird nach Trocknen und Erhärten des Breies während 5 Stunden auf eine Temperatur von 1200° C erhitzt, wobei der Draht 31, der das Aufschmelzmaterial bildet, schmilzt. Durch Diffusion wird das untenliegende Silicium bis zu einer Tiefe von etwa 20 μ in den p-Leitfähigkeitstyp umgewandelt. Da die Lösungsfähigkeit von Silicium für Indium sehr gering ist, ist die Eindringtiefe infolge der Legierung vernachlässigbar. Nach Beendigung dieses Verfahrens werden die Umhüllung 32 und das Aufschmelzmaterial 31 entfernt, aber in dem Körper 30 ist dann ein p-Leitfähigkeitsgebiet 33 gebildet (Fig. 17), das auf an sich bekannte Weise mit einem Zuführungsdraht versehen werden kann oder auf dem andere Elektroden angebracht werden können.A wire 31 made of indium is placed on a semiconducting body 30 made of n-conductive silicon and with it a pulp 32, which again consist of aluminum oxide, a little nitrocellulose and a solvent can, overdone. The whole is after drying and hardening of the pulp for 5 hours at a temperature heated by 1200 ° C, the wire 31, which forms the melting material, melts. By diffusion the underlying silicon is converted into the p-conductivity type to a depth of about 20 μ. Since the solubility of silicon for indium is very low, the penetration depth is a consequence the alloy is negligible. Upon completion of this process, the enclosure 32 and the Reflow material 31 removed, but a p-type conductivity region 33 is then formed in body 30 (Fig. 17), which can be provided in a manner known per se with a feed wire or on the other electrodes can be attached.
Eine Abart der Befestigungsweise des Zuführungsdrahtes 7 nach den Fig. 5 und 6 besteht darin, daß dieser Zuführungsdraht bereits vor der Aufschmelzung des Aufschmelzmaterials an seiner Stelle angebracht und auch von der Umhüllung 5 umgeben wird. Wenn auf übliche Weise dafür gesorgt wird, daß der Draht und das erwähnte Aufschmelzmaterial sich verschmelzen, bleibt der Zuführungsdraht nach der Entfernung der Form steif mit der gebildeten Elektrode verbunden.A variant of the manner of attachment of the feed wire 7 according to FIGS. 5 and 6 is that this feed wire is already attached in its place before the melting of the melting material and is also surrounded by the envelope 5. If the usual means are taken to ensure that the Wire and the mentioned reflow material fuse, the lead wire remains after removal the shape rigidly connected to the electrode formed.
Claims (6)
Französische Patentschriften Nr. 1115 448,
088 007.Considered publications:
French patent specification No. 1115 448,
088 007.
Deutsches Patent Nr. 1 015 152.Legacy Patents Considered:
German Patent No. 1 015 152.
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