DE1086746B - Gegentakttransistorverstaerker fuer rechteckfoermige Wechselstroeme - Google Patents
Gegentakttransistorverstaerker fuer rechteckfoermige WechselstroemeInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine Verstärkervorrichtung
zum Verstärken von Spannungen mit rechteckiger Kurvenform, bei denen Transformatoren verwendet werden, deren magnetische Kerne eine im wesentlichen
rechteckförmige Magnetisierungskurve besitzen.
Zur Verstärkung einer Folge von Impulsen mit einer im wesentlichen rechteckigen Kurvenform ist es bekannt, einen Gegentaktverstärker mit einem transformatorgekoppelten
Eingang und einem transformatorgekoppelten Ausgang zu verwenden. Schaltvorrichtungen,
wie z. B. Transistorschalter, werden zwischen die Transformatoren zwischengeschaltet. Solch einebekannte
Anordnung ist in Fig. 1 veranschaulicht und wird ausführlicher nachstehend beschrieben.
In Verbindung mit solchen Vorrichtungen ist es vorteilhaft, ein Material mit einer rechteckförmigen Magnetisierungsschleife für den Ausgangstransformator
zu verwenden. Die Gründe hierfür sind, daß die Hystereseverluste im magnetischen Material durch die Verwendung
eines Werkstoffes mit rechteckförmiger Schleife gewöhnlich stark verringert werden und daß
es möglich ist, schärfere Ausgangsimpulse zu erzeugen, da das Material mit rechteckförmiger Schleife
sehr geringe magnetische Speicherwirkung zeigt.
Der hauptsächliche Grund, weswegen solche Verstärker nicht weitgehende \^erwendung gefunden
haben, ist der, daß der Mittelwert der zugeführten Impulse genau auf Null gehalten werden muß und daß die
Charakteristiken der Transformatoren sorgfältig einander angepaßt werden müssen. Sonst kann es nämlich
vorkommen, daß der Ausgangstransformator in der einen oder der anderen Stromrichtung in den Sättigungsbereich
gelangt, wodurch sein Scheinwiderstand auf einen äußerst niedrigen Wert absinkt und
die Gefahr besteht, daß die Transistoren durch die sich ergebende äußerst hohe Stromstärke zerstört werden.
Ein weiterer Grund ist der, daß mit großer Wahrscheinlichkeit die Transistoren bis zur völligen Zerstörung
beschädigt werden würden, wenn die Höhe der Betriebsspannung sich so verringern würde, daß ein
Betrieb im Gebiet der Verstärkerklasse A stattfinden würde. Die infolge davon auftretende Zunahme der
Erwärmung des Transistors würde fast unvermeidlich weit über seiner größten Belastbarkeit liegen.
Die Erfindung vermeidet diese Nachteile und erlaubt, einen Gegentakttransistorverstärker zu schaffen,
an dessen Ausgang Wechselspannungen mit rechteckiger Kurvenform entstehen und bei dem die Transistoren
nicht mehr gefährdet sind. Nach der Erfindung ist der Verstärker mit einem Ausgangstransformator
versehen, der ein magnetisches Kernmaterial mit einer rechteckigen Magnetisierungskurve aufweist, wobei
die Schaltvorrichtungen (Transistoren) vor unzu-Gegentakttransistorverstärker
für rechteckförmige Wechselströme
für rechteckförmige Wechselströme
Anmelder:
Westinghouse Electric Corporation,
East Pittsburgh, Pa. (V. St. A.)
East Pittsburgh, Pa. (V. St. A.)
Vertreter: Dr.-Ing. P. Ohrt, Patentanwalt,
Erlangen, Werner-von-Siemens-Str. 50
Erlangen, Werner-von-Siemens-Str. 50
Beanspruchte Priorität:
V. St. v. Amerika vom 4. November 1955
V. St. v. Amerika vom 4. November 1955
Riehard L. Bright, Adamsburg, Pa.,
und Richard O. Decker, Pittsburgh, Pa. (V. St. A.),
sind als Erfinder genannt worden
lässig hohen Strömen auch dann geschützt sind, wenn das Kernmaterial des Ausgangstransformators in den
Sättigungszustand gelangen sollte.
Die Erfindung hat einen Verstärker der Klasse C zum Gegenstand, bei dem Sperrschichttransistoren gegen
übermäßige Beanspruchung geschützt sind, wie sie bei Verstärkern im Bereich der Klasse yi in Erscheinung
treten würden. Die Erfindung ermöglicht außerdem, Transistorverstärker mit verbesserten Betriebscharakteristiken zu schaffen. Schließlich ermöglicht
die Erfindung noch, Ausgangsspannungen zu erzielen, deren Kurvenform einen weitgehend rechteckigen Verlauf
aufweist und bei einer Eingangsspannung von rechteckigem Kurvenverlauf diese Kurvenform nach
Möglichkeit noch in ihrer Exaktheit übertrifft.
Die Erfindung besteht darin, daß bei einem derartigen Gegentakttransistorverstärker jeder Steuerstromkreis
eine Rückkopplung aus dem Ausgangsstromkreis besitzt und zugleich in Reihe mit der
Steuerstrecke jedes Transistors je eine Diode mit entgegengesetzter Durchlaßrichtung gegenüber der des
Transistors (Zenerdiode) mit unterhalb des Scheitelwertes der wirksamen Steuerspannung liegender Zenerspannung
angeordnet ist, die bei Überschreiten bzw. Unterschreiten der Zenerspannung durch die Steuerspannung
derart plötzlich den Steuerstromfluß freigibt bzw. sperrt, daß in Zusammenwirken mit der Rückkopplung
Ausgangswechselspannungen mit weitgehend rechteckförmigem Verlauf entstehen. Bei Verwen-
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dung eines Ausgangstransförjnatorä kann je eine zu- nung mit einer nichtrechteckigen Kurvenform, wie
sätzliche Wicklung als Rückkopplungswicklung auf z. B. einer sinusförmigen, zu erzeugen verlangt wird,
dem Ausgangstransformator für jeden Transistor vor- Die Spannungsquelle 1 ist mit der Primärwicklung
gesehen sein, die mit dem Teil der Sekundärwicklung eines Transformator 3 gekoppelt, der eine in der Mitte
des Eingangstransformators in Reihe geschaltet ist, 5 angezapfte Sekundärwicklung 9 besitzt. Die äußeren
welche zur Spannungszuleitung an die Basiselektrode Klemmen der Sekundärwicklung 9 sind jeweils verdes
Schalttransistors dient. Die Rückkopplungswick- bunden mit den Basiselektroden 19 und 43 von den
lung ist dabei so zu polen, daß sie zur Erzielung einer p-n-p-Sperrschichttrarisistoren 15 und 39. Die Mittelpositiven
Rückkopplungswirkung die Steuerspannung anzapfung 9 ist verbunden mit der positiven Klemme
unterstützt. io der Vorspannungsquelle 11, deren negative Klemme
Durch die Rückkopplung läßt sich bewirken, daß, an die Emitterelektrode 17 und 45 der Transistoren
sobald der jeweilige Transistor stromdurchlässig zu 15 und 39 angeschlossen ist. Die Kollektorelektroden
werden beginnt, ein erhöhter Strom in der Primär- 21 und 45 der Transistoren 15 und 39 sind an der
wicklung des Ausgangstransformators fließt, so daß äußeren Klemme der Primärwicklung 29 des Ausdas
Kernmaterial des Transformators infolge der ver- 15 gangstransformators 35 angeschlossen. Die Mittelstärkenden
Wirkung der Rückkopplung in den Sätti- anzapfung der Wicklung 29 ist an die negative Klemme
gungszustand gerät. Ein Arbeiten des Transistors im der Vorspannung 31 angeschlossen, deren positive
Bereich der Klasse A läßt sich dadurch verhindern. Klemme mit der Emitterelektrode 17 und 45 verbun-
Eine weitere Wirkung der Rückkopplung bei Ver- den ist. Der Transformator 35 hat eine Sekundärwickwendung
eines Ausgangstransformators mit sättig- 20 lung 33, deren Klemmen die Ausgangsklemmen des
barem Kern besteht darin, den Strom durch den Tran- Verstärkers sind.
sistor zu begrenzen. Sobald nämlich die Sättigung ein- Wie schon erwähnt wurde, ist es vom Standpunkt
tritt, wird in der Rückkopplungswicklung keine Span- der erzielbaren Leistung aus erwünscht, daß der Kern
nung mehr induziert. Die Rückkopplungsspannung 23 des Transformators 35 aus Material mit nahezu
wird also Null und steuert den Transistor im Sinne 25 rechteckförmiger Magnetisierungsschleife hergestellt
einer Strombegrenzung. ist. Sollten jedoch die Charakteristiken der Transi-
Zur Erzielung einer Ausgangsspannung mit weit- stören 15 und 39 voneinander abweichen oder sollte die
gehend rechteckförmigem Kurvenverlauf sieht die Er- Kurvenform derSteuereingangsquellel unsymmetrisch
findung Maßnahmen vor, um die Schärfe des Über- sein, so daß ein größerer Kollektorstrom vom Tranganges
vom nichtleitenden zum leitenden Zustand und 3o sistor 39 (oder umgekehrt) abgeleitet wird, so würde
umgekehrt bei den Transistoren zu vergrößern. Die der Kern 23 im Laufe der Zeit in der einen Richtung
Erfindung macht dementsprechend von Zenerdioden (oder in der entgegengesetzten) in ^ Abhängigkeit vom
Gebrauch, wobei je eine solche Diode in Reihe mit der Abweichungssinn der Charakteristiken der Transisto-Steuerstrecke
jedem Transistor zugeordnet ist. Wich- ren oder von der Lage der Unsymmetrie der Kurventig
ist dabei, daß die Zenerspannung unterhalb des 35 form der Eingangsspannung gesättigt werden. Sollte
Scheitel wertes der wirksamen Steuerspannung liegt. dies vorkommen, so würde der Scheinwiderstand der
Wenn bei Anwachsen der Eingangsspannung diese eine Primärwicklung 29 plötzlich auf einen sehr kleinen
Größe erreicht, bei der die -Zenerspannung erreicht ist, Bruchteil seines im ungesättigten Zustand vorhandealso
ein Durchschlag in Sperrichtung auftritt, so nen Wertes verringert werden, so daß demzufolge der
treibt der plötzlich davon herrührende verhältnismäßig 4° Kollektorstrom auf eine solche Größe anwächst, bei
große Sprung des vorher hochohmigen und nunmehr der der eine oder der andere oder beide Transistoren
niederohmigen Widerstandsverhaltens der Zenerdiode zerstört würden.
schlagartig den Transistor in einen Bereich von hoher Unter Bezug auf den nunmehr in Fig. 2 dargestell-
Kollektorstromleitung, selbst wenn man die Wirkung ten Gegenstand unserer Erfindung wird die Steuerdes
positiven Rückkopplungsweges noch außer acht 45 Spannungsquelle 1 wieder gekoppelt mit der Primärläßt. Umgekehrt wird auch bei Unterschreiten der - wicklung 5 des Steuerspannungstransformators 3. Die
Zenerspannung schlagartig der Kollektorstrom auf Mittelanzapfung der Sekundärwicklung 9 ist wieder
einen Mindestwerk zurückgehen. Infolge des Zusam- verbunden mit der positiven Klemme der Vorspanmenwirkens
von Zenerdioden. einerseits und Rückkopp- nungsquelle11 der Emitterbasis, deren negative
lungseffekt andererseits ist es möglich, eine Kurven- 5° Klemme ihrerseits verbunden ist mit den Emittern 17
form der Ausgangsspannung!zu erhalten, die sich einer und 45 der Transistoren 15 bzw. 39. Die Kollektoren
Rechteckform sogar noch genauer nähert als dies bei 21 und 41 der Transistoren 15 und 39 sind wieder verder
Kurvenform der Eingangsspannung der Fall ist. bunden mit den äußeren Klemmen der Primärwick-
Die Wirkungsweise der Erfindung wird bei Be- lung 29 des Transformators 35. Die Mittelanzapfung
trachtung der nachstehenden Beschreibung ersichtlich, 55 der Primärwicklung 29 ist in gleicher Weise mit der
die im Zusammenhang mit den Zeichnungen erörtert negativen Klemme der' Emitter-Kollektor-Vorspanwird,
bei denen nungsquelle 31 der Transistoren 15 und 39 verbunden.
Fig. 1 ein schematisches Schaltbild einer Wechsel- Die positive Klemme der Spannungsquelle 31 ist mit
Stromverstärkervorrichtung; veranschaulicht, wie sie den Emittern 17 und 45 verbunden,
etwa dem Stand der Technik entspricht; 6o Dk äußere Klemme 8- der Wicklung 9 ist mit der
etwa dem Stand der Technik entspricht; 6o Dk äußere Klemme 8- der Wicklung 9 ist mit der
Fig. 2 ein schematisches Schaltbild der Erfindung Anode der Halbleiterdiode 13 verbunden, deren Kadarstellt.
thode ihrerseits mit der Basiselektrode 19 des Tran-
Unter Hinweis auf Fig. 1 kann die durch die Hin- sistors 15 über eine Rückkopplungswicklung 25 verweisziffer
1 gekennzeichnete Steuerspannungsquelle bunden ist, die auf einen Kern 23 gewickelt ist. In
irgendeine Anordnung zur Erzeugung einer recht- 65 ähnlicher Weise ist die andere äußere Klemme 10 der
eckigen Kurvenform sein, wie sie nach dem Stand der Wicklung 9 mit der Anode der Halbleiterdiode 51 verTechnik
gut bekannt ist...Wahlweise kann an ihrer bunden, deren Kathode ihrerseits mit der Basis 43 des
Stelle eine Anordnung zur Erzeugung für nicht- Transistors 39 über die auf dem Kern 23 gewickelte
fechteckige Kurvenformen treten, wenn die Spannung Rückkopplungswicklung 49 verbunden ist. Die Halbeiner
rechteckigen Kurvenform. aus einer Steuerspan- 7° leiterdioden 13 und 51 sind so ausgesucht, daß sie eine
Rückstromdurchschlagspannung oder Zenerdurchschlagspannung von geringerer Größe haben als die
höchste Spannung zwischen der Mittelanzapfung und den äußeren Klemmen der Sekundärwicklung 9, so daß
sich der sogenannte Zenerdurchschlag an einem vorher bestimmten Punkt während der Anstiegszeit ereignet.
Die Rückkopplungswicklungen 25 und 49 sind so gewickelt, daß sie eine positive Rückkopplungsspannung
an den Basisstromkreis der Transistoren einführen. In der Annahme, beispielsweise daß die Zenerdiodel3
durchgeschlagen ist und so den Transistor 15 leitend macht, wird der Strom durch die obere Hälfte der
Wicklung 29 anwachsen und die dadurch entstehende Veränderung des Magnetflusses im Kern 23 in der
Wicklung 25 eine Spannung induzieren, die die Basis 19 noch negativer in bezug auf den Emitter 17 macht
und den Strom im Kollektorkreis des Transistors vergrößert; in ähnlicher Weise wird bei wachsendem
Strom durch den Emitter-Kollektor-Stromleitungspfad des Transistors 39 und durch die untere Hälfte
der Wicklung 29 eine Spannung in der Wicklung 49 erzeugt, die die Basiselektrode des Transistors 39 noch
negativer in bezug auf dessen Emitter macht.
Die Wirkungsweise des Gegenstandes der Erfindung ergibt sich nun wie folgt:
Man nehme an, daß die Kurvenform der Eingangsspannung derart ist, daß die Klemme 8 ein wenig
negativ ist bezüglich der Mittelanzapfung der Sekundärwicklung 9, daß Klemme 10 ein wenig positiv ist
bezüglich der Mittelanzapfung und daß die Spannungsdifferenz zwischen ihnen wächst. Da die Basiselektrode
43 positiv bezüglich der Emitterelektrode gemacht wird, wird der Transistor 39 immer mehr in
seinen Abschaltbereich getrieben, und in seinen KoI-lektorkreis
fließt dann kein Strom. Sobald jedoch die Zenerspannung der Diode 13 erreicht worden ist, wird
die Diode durchschlagen, und es wird ein fast sofortiger Impuls des Emitterbasisstromes durch den Transistor
15 entstehen, der den Transistor bei einem hohen Wert des Kollektorstromes sofort leitend macht. Die in der
Wicklung 25 induzierte Spannung macht die Basis 19 in Hinsicht auf den Emitter 17 immer mehr und mehr
negativ und läßt auf diese Weise den Emitterstrom äußerst schnell anwachsen, bis die Sättigung des KoI-lektorstromes
erreicht worden ist. Bei der nächsten Halbperiode, die von der Steuerquelle 1 erzeugt wird,
wird der Stromfluß von Emitter 17 zur Basis 19 unterbrochen, sobald die Spannung zwischen der
Klemme 8 und der Mittelanzapfung 7 einen höheren Wert, und zwar von entgegengesetzter Polarität erreicht
wie die Spannung an den Klemmen der Wicklung 25. Sobald die Zenerspannung der Diode 51 erreicht
worden ist, wird die Diode durchschlagen, und die Reihenfolge des in bezug auf den Transistor 15,
Wicklung 25 und Diode 13 beschriebenen Vorganges wird sich in bezug auf die Diode 51, Wicklung 29 und
Transistor 35 wiederholen.
Im Falle einer Unausgeglichenheit in der Kurvenform der Eingangsspannung, durch die die Sättigung
des magnetischen Kernes 23 herbeigeführt wird, wird die an den Wicklungen 25 bzw. 49 induzierte Spannung,
durch die der Strom gerade in jenem Augenblick fließt, sofort auf einen sehr niedrigen Wert absinken,
und der durch den Transistor fließende Strom wird durch die Spannung in der Hälfte der Sekundärwicklung
9 vermindert, um den Spannungsabfall in der Zenerdiode zu kompensieren. Bei zweckmäßigem Aufbau
des Stromkreises wird dieser Strom nur ein kleiner Bruchteil des normalen Basisstromes sein und dadurch
den Kollektorstrom auf einen sicheren Wert begrenzen.
Als ein Ergebnis der anwachsenden Wirkung der Zenerdioden 13 und 51 und der Rückkopplungswickluugen
25 und 49 ergibt die an den Klemmen der Sekundärwicklung 33 des Transformators 35 auftretende
Ausgangsspannung eine rechteckige Kurvenform mit einer fast senkrechten Wellenstirn. Der plötzliche Impuls
des Basisstromes mit seinem äußerst hohen Wert nach einem Rückstromdurchschlag gewährleistet, daß
der Durchgang durch das untere Knie des Kollektorstromes über dem Basisstrom des Transistors von
äußerst kurzer Dauer sein wird und daß die sich ergebende Abweichung in der rechteckigen Kurvenform
der Ausgangsspannung auf das geringstmögliche Maß beschränkt ist.
Wie vorher bemerkt wurde, nähert sich die Ausgangsspannung kraft des guten Zusammenwirkens
zwischen der Zenerdiode und der Rückkopplungswicklung gewöhnlich stärker der Rechteckform, als es die
Kurvenform der Eingangsspannung tut, wenn der Stromkreis einigermaßen sorgfältig aufgebaut ist.
Die Erfindung soll nicht beschränkt sein auf die besonderen Konstruktionseinzelheiten, Anordnung der
Teile oder Schaltungen, die hier aufgeführt sind. Verschiedene Abänderungen sind im Rahmen der Erfindung
möglich.
Claims (4)
1. Gegentakttransistorverstärker als C-Verstärker zur Abgabe rechteckförmiger Wechselspannungen
mit konstant gehaltenem Nullpotential bei Veränderung der zugeführten Signalamplitude
unter Verwendung eines Ausgangstransformatorkerns mit rechteckiger Hystereseschleife und Aussteuerung
bis ins Sättigungsgebiet, dadurch gekennzeichnet, daß in jedem der beiden Steuerstromkreise
eine Rückkopplungsspannung aus dem Ausgangsstromkreis in Reihe mit der Steuerstrecke
des Transistors und einer Diode (Zenerdiode) mit entgegengesetzter Durchlaßrichtung gegenüber der
des Transistors mit einer unterhalb des Scheitelwertes der wirksamen Steuerspannung liegenden
Zenerspannung angeordnet ist, die bei Überschreiten bzw. Unterschreiten der Zenerspannung
durch die Steuerspannung den Steuerstromfluß plötzlich freigibt bzw. sperrt, derart, daß eine
Ausgangswechselspannung mit weitgehend rechteckförmigem Verlauf entsteht.
2. Verstärker nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Rückkopplungsspannung im
Steuerstromkreis kleiner als die Steuerspannung ist.
3. Verstärker nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß in jedem der Steuerstromkreise
die Reihenschaltung einer Hälfte der Sekundärwicklung des Eingangstransformators
mit der Rückkopplungswicklung des Ausgangsübertragers und einer für beide Steuerstromkreise
gemeinsamen Vorspannungsquelle für die Diode liegt.
4. Verstärker nach Anspruch 3, gekennzeichnet durch eine einstellbare Vorspannungsquelle.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
© 009 570/278 8.60
Applications Claiming Priority (2)
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1955
- 1955-11-04 US US544866A patent/US2785236A/en not_active Expired - Lifetime
-
1956
- 1956-10-11 DE DEW19894A patent/DE1086746B/de active Pending
- 1956-10-31 CH CH349300D patent/CH349300A/de unknown
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1152140B (de) * | 1960-08-25 | 1963-08-01 | Telefunken Patent | Transistorstufe zur Verstaerkung rechteckfoermiger Impulse |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CH349300A (de) | 1960-10-15 |
| CA550780A (en) | 1957-12-24 |
| US2785236A (en) | 1957-03-12 |
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