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Publication number: DE1066667B
Application number: DENDAT1066667D
Authority: DE
Publication date: 1959-10-08

Description

, IrcL Eigenem 2 B JÄH. 1960, IrcL own 2 B YEAR. 1960

DEUTSCHESGERMAN

T 15203 Vnic/21gT 15203 Vnic / 21g

ANMELDETAG: 27.MAI1958REGISTRATION DATE: MAY 27, 1958

BEKANNTMACHUNG DER ANMELDUNG UND AUSGABE DERNOTICE THE REGISTRATION AND ISSUE OF THE

AUSLEGESCHRIFT: 8. O KTO B E R 1959EDITORIAL: 8. O CTO B E R 1959

Die Erfindung bezieht sich auf Unipolar-Feldeffekttransistoren von Kegel- oder Pyramidenform in der Mitte des Halbleiterstabes sowie auf Verfahren zur Herstellung solcher Transistoren.The invention relates to unipolar field effect transistors of cone or pyramid shape in the Middle of the semiconductor rod as well as methods of making such transistors.

In der bisherigen Technik-kennt—man—Unipolar-Feldeffekttransistoren mit der Form eines Zylinders oder eines Rechtkants. Am weitesten verbreitet sind diejenigen mit Zylinderform. Diese Transistoren bestehen im wesentlichen aus einem Stäbchen aus einem Halbleiter eines gewissen Leitungstyps, mit einem zylindrischen Teil von beschränktem Durchmesser, zwei Elektroden mit ohmschem Kontakt an den Stirnseiten dieses Stäbchens und einer sogenannten Kontaktengenelektrode, welche den eingeschnürten Teil umgibt und mit dem Halbleiter einen polarisierten Gleichrichterkontakt in Sperrichtung bildet, d. h. in dem Sinne, der sich dem Durchgang des Stromes zwischen der Elektrode und dem Halbleiter entgegensetzt. Läßt man in dieses Halbleiterstäbchen einen Strom eintreten, dann wird derselbe durch Anlegen eines elektrischen Potentials an die Einschnürung mit der sich daraus ergebenden Bildung eines elektrischen Feldes quer zu der Stromrichtung moduliert. Nach den gegenwärtig anerkannten Hypothesen ergibt sich diese Wirkung aus der Bildung von Raumladungen, die von der Oberfläche des Halbleiters, welche mit der Kontaktengenelektrode in Berührung steht, nach dem Inneren des Halbleiters zu gerichtet sind. Das Ausmaß dieser Ladungen ist unter sonst gleichen Verhältnissen um so größer, je höher die Feldstärke an der Oberfläche des Halbleiters ist. Wenn die Abmessung des eingeschnürten Teils des Hälbleiterstäbchens in Richtung des Feldes größer ist als die Ausdehnung der Raumladungen, dann ist das Halbleiterstäbchen außerhalb dieser Ladungen elektrisch neutral, und das elektrische Feld ist dann praktisch gleich Null. Man sieht also, daß elektrisches Feld und Raumladungen sich gegenseitig beeinflussen, d.h., das elektrische Feld ruft die Entwicklung der Ladung hervor, und es ist das Ausmaß der letzteren, welches die Entwicklung des elektrischen Feldes gestattet. Zwischen der Außenseite des Halbleiterstäbchens und dem Inneren desselben bildet sich eine Potentialdifferenz.In the prior art, unipolar field effect transistors are known with the shape of a cylinder or a square. Most common are those with a cylindrical shape. These transistors essentially consist of a rod of one Semiconductors of a certain conductivity type, with a cylindrical part of limited diameter, two electrodes with ohmic contact on the front sides of this rod and a so-called contact electrode, which surrounds the constricted part and a polarized one with the semiconductor Rectifier contact forms in the reverse direction, d. H. in the sense of the passage of the stream opposed between the electrode and the semiconductor. If you let one in this semiconductor rod Current enter, then the same by applying an electrical potential to the constriction with modulates the resulting formation of an electric field transversely to the direction of the current. To According to the currently accepted hypotheses, this effect results from the formation of space charges, that of the surface of the semiconductor which is in contact with the contact electrode are directed towards the interior of the semiconductor. The extent of these charges is otherwise the same The higher the field strength on the surface of the semiconductor, the greater the ratios. If the dimension of the constricted part of the semiconductor rod in the direction of the field is greater than the extent of the space charges, then the semiconductor rod is electrically neutral outside of these charges, and the electric field is then practically zero. So you can see that the electric field and space charges affect each other, i.e. the electric field causes the charge to develop, and it is the extent of the latter which permits the development of the electric field. Between a potential difference is formed between the outside of the semiconductor rod and the inside thereof.

Die Modulierung durch das elektrische Feld des Leitkanal genannten leitenden Querschnitts des Stabchens und demzufolge des Widerstandes desselben, also des Stroms, welcher das Stäbchen bei an seine Endelektroden gelegter gegebener Spannung durchfließt, wird um so wirksamer sein, je größer, bei gleicher Potentialdifferenz und bei gleichem Halbleitertyp, die Ausdehnung der Raumladungen gegenüber dem Gesamtquerschnitt des eingeschnürten Teils ist. Wenn der eingeschnürte Teil des Stäbchens eine zylindrische Form hat, dann ist die Ausdehnung der Unipolar-Feldeffekttransistor mit einem ausgekehlten Halbleiterstab sowie Verfahren zu dessen HerstellungThe modulation by the electrical field of the conductive channel called the conductive cross section of the rod and consequently the resistance of the same, that is, of the current, which the rod at its The given voltage flowing through the end electrodes will be the more effective, the greater, at the same Potential difference and, with the same type of semiconductor, the expansion of the space charges is the total cross-section of the necked part. If the constricted part of the rod is a cylindrical Has shape then is the extension of the unipolar field effect transistor with a grooved semiconductor rod as well as processes for its production

Anmelder: Dr. Stanislas Teszner₁ ParisApplicant: Dr. Stanislas Teszner ₁ Paris

Vertreter: Dr. M. Eule, Patentanwalt, München 13, Kurfürstenplatz 2Representative: Dr. M. Eule, patent attorney, Munich 13, Kurfürstenplatz 2

Beanspruchte Priorität: Frankreicii vom 27. Mai und 6. November 1957Claimed priority: Frankreicii of May 27 and November 6, 1957

Dr. Stanislas Teszner₁ Paris, ist als Erfinder genannt wordenDr. Stanislas Teszner ₁ Paris, has been named as the inventor

Raumladungszone infolge eines gegebenen elektrischen Feldes um 1/2" größer als bei gleichem Feld für den Fall, daß dieser eingeschnürte Teil die Form eines Rechtkants habe. Ferner entspricht eine gegebene Änderung in der Tiefe der Raumladungen einer quadratischen Änderung des eingenommenen Querschnitts. Schließlich kann man bei einem Unipolar-FeldefTekttransistor mit einer Kontaktenge von zylindrischer Form einen gegebenen Grad der Modulierung des Ausgangsstroms des Transistors erhalten bei einer S teuer spannung in der Größenordnung von einem Drittel derjenigen, welche erforderlich wäre, um den gleichen Grad der Modulierung mit einem Transistor zu erhalten, dessen Steuerelektrode, anstatt aus einem Ring, welcher einen eingeschnürten zylindrischen Teil umgibt, zu bestehen, aus zwei Metallschichten an den großen Seiten eines eingeschnürten Teils in der Form eines Rechtkants zusammengesetzt ist.Space charge zone due to a given electric field by 1/2 "larger than with the same field in the event that this constricted part has the shape of a right edge. Furthermore, a given change in the depth of the space charges corresponds to a quadratic change in the occupied cross-section for a unipolar field effect transistor with a cylindrical shape of contact, a given degree of modulation of the output current of the transistor is obtained at an expensive voltage of the order of one third of that which would be required to obtain the same degree of modulation with one transistor whose control electrode, instead of consisting of a ring surrounding a constricted cylindrical part, is composed of two metal layers on the large sides of a constricted part in the shape of a square.

Die Kennlinienschar eines Unipolartransistors mit zylindrischer Kontaktengenelektrode, welcher bei verschiedenien Polarisationsspannungen der Kontaktenge den Anodenstrom als Funktion der Anodenspannung liefert, ist qualitativ ähnlich derjenigen einer Pentode klassischer Bauart, unterscheidet sich jedoch, quantitativ ganz erheblich. Bei einer Pentode ist nämlich die Gitterpolarisationsspannung z. B. von einigenThe family of characteristics of a unipolar transistor with a cylindrical contact electrode, which at different Polarization voltages of the contact tightness the anode current as a function of the anode voltage supplies, is qualitatively similar to that of a classic pentode, but differs quantitatively quite considerably. In the case of a pentode, the grid polarization voltage is z. B. of some

909 637/319909 637/319

Volt, welche notwendig ist, um den Anodenstrom zu sperren, im allgemeinen um' eine oder zwei Größenordnungen geringer als die normale Anodenspannung, z. B. einige hundert Volt, während ganz im Gegenteil bei einem Unipolartransistor mit zylindrischer Kontaktenge bzw. Einschnürung diese beiden Spannungen von der gleichen Größenordnung sind. Es folgt hieraus, daß bei gleichem Anodenstrom die Steilheit in dem letzteren Fall erheblich geringer ist als im ersteren.Volts, which is necessary to block the anode current, generally by an order of magnitude or two lower than the normal anode voltage, e.g. B. a few hundred volts, while quite the opposite in the case of a unipolar transistor with a cylindrical contact narrowing or constriction, these two voltages are of the same order of magnitude. It follows from this that with the same anode current, the slope in in the latter case is considerably less than in the former.

Ein weiterer lästiger Mangel der Transistoren mit zylindrischer Einschnürung ist der nichtlineare Verlauf der Kennlinie für den Anodenstfom als Funktion der Spannung der Kontaktenge, wodurch bei erheblichen Ausgangsleistungen eine merkliche Verzerrung des verstärkten Signals hervorgerufen werden könnte.Another annoying shortcoming of transistors with a cylindrical constriction is the non-linear course the characteristic curve for the anode current as a function of the voltage of the contact tightness, whereby at Considerable output power causes a noticeable distortion of the amplified signal could.

Dieser Unterschied in den Kennlinien der Pentode und des Unipolartransistors mit zylindrischer Einschnürung ist im wesentlichen eine Folge des Unterschiedes der physikalischen Mechanismen in den beiden Fällen.^ ^/vTnlind"bei^^e^r Pentc>d'e das Gitter wie eine Sperre wirkt, die sich zwischen Anodie und Kathode aufbaut, bewirkt bei einem Unipolartransistor mit zylindrischer Kontaktenge die letztere zunächst die Einschnürung des Leitkanals an einer Stelle und dann, mit zunehmender Polarisation, allmählich auf die ganze Länge desselben. Untersucht man jedoch die Betriebsweise eines solchen Transistors, mit konstantem Querschnitt der Enge oder mit symmetrischer Änderung des Querschnitts zu beiden Seiten der Mittelebene der Enge, näher, dann bemerkt man, daß diese Verhältnisse nicht rationell sind, denn die auf den Leitkanal ausgeübte elektrische Beanspruchung ist weit entfernt davon, auf die ganze Länge des Kanals gleichmäßig zu sein.This difference in the characteristics of the pentode and the unipolar transistor with a cylindrical constriction is essentially a consequence of the difference in physical mechanisms in the two Cases. ^ ^ / VTnlind "at ^^ e ^ r Pentc> d'e the grid acts like a barrier, which is between anode and cathode builds up, causes the latter initially in a unipolar transistor with cylindrical contact narrowing the constriction of the guide channel at one point and then, with increasing polarization, gradually open the whole length of it. However, if one examines the operation of such a transistor, with constant Cross-section of the narrowness or with symmetrical change in the cross-section on both sides of the Middle plane of the narrowness, closer, then you notice that these relationships are not rational, because the ones on The electrical stress exerted on the duct is far from being over the entire length of the Channel to be even.

. Man hat nunmehr festgestellt, daß diese Kennwerte beträchtlich verbessert werden können, wenn man der Kontaktenge einen Querschnitt gibt, der nicht konstant bleibt, sondern sich vielmehr von einem Ende zum anderen ändert, und zwar bei einem Stäbchen aus einem Halbleiter des η-Typs von der Kathode zur Anode, bei einem Stäbchen aus einem Halbleiter des p-Typs von der Anode zur Kathode zunimmt. Die Transistoren mit einer derartigen Kontaktenge werden mit Kegelkontaktengentransistoren bezeichnet.. It has now been found that these characteristics can be improved considerably by using the Contact tightness gives a cross-section that does not remain constant, but rather extends from one end on the other hand, in the case of a rod made of a semiconductor of the η-type from the cathode to Anode, in the case of a p-type semiconductor rod, increases from the anode to the cathode. the Transistors with such a contact narrowing are referred to as conical contact narrowing transistors.

Die Erfindung bezieht sich somit auf einen Unipolar^Feldeffekttransistor.-bestehend aus einem zylindrischen Stab aus Halbleitermaterial mit einer Auskehlung geringeren Durchmessers etwa in der Mitte des Stabes, zwei öhmschen Elektroden an den Endflächen des Stabes, welche die Kathode und die Anode bilden, einer ringförmigen rtichtohmschen Metallelektrode in der Auskehlung und einer solchen Polung der nichtohmschen Metallelektrode, daß kein Strom von dieser zu dem Halbleiterstab übertreten kann. Erfindungsgemäß hat die Auskehlung einen veränderlichen Querschnitt, der sich von einem Ende zu dem anderen gleichsinnig und stetig ändert, und die ringförmige nichtohmsche Metallelektrode ist am Boden sowie an den benachbarten Endteilen der Auskehlung angeordnet. The invention thus relates to a unipolar ^ field effect transformer consisting of a cylindrical rod made of semiconductor material with a groove of smaller diameter approximately in the middle of the rod, two Ohm electrodes on the end faces of the rod, which form the cathode and the anode, an annular rtichtohmschen metal electrode in the groove and such a polarity of the non-resistive metal electrode that no current can pass from this to the semiconductor rod. According to the invention, the groove has a variable cross-section which changes in the same direction and continuously from one end to the other, and the ring-shaped non-ohmic metal electrode is arranged on the bottom as well as on the adjacent end parts of the groove.

. Obwohl die vorliegende Erfindung besonders nützlich ist für die Umwandlung der Unipolartransistoren mit zylindrischer Kontaktenge in solche mit kegelförmiger Kontaktenge, ist sie doch ebenso anwendbar auf die Umwandlung von.Unipolartransistoren mit einer Kontaktenge in Form eines Rechtkants in solche mit einer Kontaktenge in der. Form einer Pyramide oder eines Sektors.. Although the present invention is particularly useful for converting the unipolar transistors with cylindrical contact narrowing to those with conical contact narrowing, it is equally applicable on the conversion of unipolar transistors with a contact narrowing in the form of a right edge into such with a tightness of contacts in the. Shape of a pyramid or a sector.

Die Erfindung soll nunmehr in den Einzelheiten unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben werden, in welchenThe invention will now be described in detail with reference to the drawings be in which

Fig. 1 einen Unipolartransistor zylindrischer Form dies bisherigen Typs darstellt;Fig. 1 illustrates a unipolar transistor of cylindrical shape of the prior type;

Fig:.2 zeigt, das Profil des Leitkanals eines Transistors zylindrischer Form unter gewissen Betriebsverhältnissen ; Fig. 2 shows the profile of the conduit of a transistor of cylindrical shape under certain operating conditions;

Fig. 3 und 4 zeigen die Verteilung der Potentialdifferenz zwischen Kontaktenge und Leitkanal des gleichen Transistors unter gewissen Betriebsverhältnissen; 3 and 4 show the distribution of the potential difference between the contact narrowing and the guide channel of the same transistor under certain operating conditions;

Fig. 5 zeigt einen Unipolar-Feldeffekttransistor mit kegelförmiger Kontaktenge;
Fig. 6 und 7 sind die Kennlinien des Transistors nach Fig. 5 bzw. desjenigen nach Fig. 1;5 shows a unipolar field effect transistor with a conical contact narrowing;
Figures 6 and 7 are the characteristics of the transistor of Figure 5 and that of Figure 1, respectively;

Fig. 8 bis 10 beziehen sich auf das Verfahren der Herstellung der Unipolar-FeldefFekttransistoren mit kegelförmiger Kontaktenge; schließlich beziehen sich die8 to 10 relate to the method of manufacturing the unipolar field effect transistors conical contact tightness; after all, they relate

Fig. 11 und 12 auf die Unipolar-Feldeffekttransistoren mit "pyramidenförmiger oder prismatischer Kontaktenge sowie auf deren Herstellungsverfahren. Die Fig. 1 gibt in einfachster Form das Schaltschema eines Spannungs- und Leistungsverstärkers in Gestalt eines Unipolartransistors wieder. In dieser Figur bedeutet 8 ein Halbleiterstäbchen mit einem eingeschnürten zylindrischen Teil 9. 1 ist die Kathode, 2 die Anode, 3 die Kontaktengenelektrode, 4 die Stromquelle für die Anodenspanniung, 5 die Ladungsimpedanz, 6 die Stromquelle für die Polarisation der Kontaktengenelektrode und 7 der Generator, welcher das zu verstärkende Signal erzeugt. Die Polarität der Polarisationsspannungsquelle 6 für die Kontaktengenelektrode wie auch die Schaltung dieser Quelle zwischen Kontaktengenelektrode und Kathode entsprechen dem Fall eines Halbleiters vom n-Typ, der hier als Beispiel genommen wird. Bei einem Halbleiter des p-Typs muß die Polarität der Stromquelle 6 umgekehrt sein, und diese letztere ist dann zwischen Kontaktengenelektrode und Anode zu schalten. Die Kontaktengenelektrode 3 ist ein kreisrunder Ring, und der eingeschnürte Teil 9 des Halbleiterstäbchens, besitzt einen kreisförmigen Querschnitt.FIGS. 11 and 12 to the unipolar field effect transistors "pyramidal or prismatic contact tightness as well as their method of preparation. Fig. 1 in einfachster form, the circuit diagram is a voltage and the power amplifier in the form of a unipolar transistor again in this figure 8, a semiconductor rod means with. a constricted cylindrical part 9. 1 is the cathode, 2 the anode, 3 the contact electrode, 4 the current source for the anode voltage, 5 the charge impedance, 6 the current source for the polarization of the contact electrode and 7 the generator, which generates the signal to be amplified. The polarity of the polarization voltage source 6 for the contact electrode as well as the connection of this source between contact electrode and cathode correspond to the case of an n-type semiconductor, which is taken here as an example. In the case of a p-type semiconductor, the polarity of the current source 6 must be reversed , and this latter is then to be switched between contact electrode and anode. The contact gene electrode 3 is a circular ring, and the constricted part 9 of the semiconductor rod has a circular cross section.

Die Fig. 2 zeigt das Profil des Leitkanals des Transistors nach Fig. 1. Die Kontaktenge hat eine Länge L und einen konstanten Querschnitt mit dem Durchmesser r₀ . Die Kurve 38 veranschaulicht die Änderung des DurchmessersHes^-Leitkanals zwischen r₀ und Null bei einer AnodenspannungF_a=J⁷¹ ₀, hierbei ist V₀ die Spannung bei völliger Abschnürung des Stroms, und einer Kontaktengenspannung V_g = O als Funktion der Abszisse χ eines Punktes des Leitkanals.FIG. 2 shows the profile of the conduction channel of the transistor according to FIG. 1. The contact narrowing has a length L and a constant cross section with the diameter r ₀ . The curve 38 illustrates the change in the DurchmessersHes ^- guiding channel between r ₀ and zero at a AnodenspannungF _a = J ⁷¹ _0, this case is V _0, the voltage in complete pinch-off of current, and a contact tightness voltage V _g = O, as a function of the abscissa χ of a point of the guide channel.

Fig. 3 zeigt die Verteilung des elektrischen. Potentials V längs des Leitkanals für den gleichen Transistor und unter den gleichen Verhältnissen, also V_a = V₀ und V_g = O. ' Fig. 3 shows the distribution of the electrical. Potential V along the guide channel for the same transistor and under the same conditions, i.e. V _a = V ₀ and V _g = O. '

Die Fig. 4 zeigt die Verteilung des Potentials V längs des Leitkanals für den gleichen Transistor, jedoch für V_a=V₀ ixnd V_g=-V₀, entsprechend der völligen Sperre des Stroms. Man bemerkt, daß man, um am Kathodenende ein Potential V₀ zu erhalten, gezwungen war, die elektrische Beanspruchiung am Anodenende unnütz zu verdoppeln.4 shows the distribution of the potential V along the conduction channel for the same transistor, but for V _a = V ₀ _{ixnd V g} = -V ₀ , corresponding to the complete blocking of the current. It is noted that in order to obtain a potential V ₀ at the cathode end, one was forced to uselessly double the electrical stress at the anode end.

In der Praxis ist der Querschnitt der Kontaktenge infolge der vorherrschenden Verhältnisse der Fertigung niemals gänzlich konstant; es liegt nämlich der geringste Querschnitt etwa in .der Mitte der Kontaktenge und der stärkste Querschnitt an den beiden Enden. Immerhin ist. diese Änderung des QuerschnittsIn practice, the cross-section of the contact narrowing is due to the prevailing conditions of manufacture never entirely constant; namely, the smallest cross-section lies approximately in the middle of the contact narrowing and the thickest cross-section at the two ends. After all, it is. this change in cross-section

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praktisch symmetrisch zu beiden Seiten der Median- der Mittelebene symmetrischen Formgebung- (k = 1)practically symmetrical on both sides of the median- the center plane symmetrical shape- (k = 1)

ebene der Kontaktenge, und der obenerwähnte Übel- ist erheblich.level of contact tightness, and the above-mentioned evil is considerable.

stand wird dadurch, wenn auch nur. wenig, gemildert. Um den Gedankengang an einem konkreten Beispiel Nun kann man aber die Ungleichmäßigkeit in der festzulegen, werden nachstehend, lediglich zur ErVerteilung des Potentials längs des Leitkanals gemäß 5 läuterung, die Daten der Ausfühnung eines Transider vorliegenden Erfindung noch weiter vermindern, stors mit nichtzylindrischer Kontaktenge sowie die wenn man den Unipolar-Feldeffekttransistor derart dabei erhaltenen Ergebnisse angegeben, im Vergleich ausführt, daß der Querschnitt der Kontaktenge von mit denjenigen eines ähnlichen Transistors, jedoch einem Ende zum anderen zunimmt, und zwar von der mit zylindrischer Kontaktenge, beide hergestellt aus Kathode zur Anode in dem betrachteten Fall des Halb- io einem Germaniumstäbchen des η-Typs mit einem leiters vom η-Typ, von der Anode zur Kathode bei spezifischen Widerstand von ρ = 8 Ohm · cm. einem Halbleiter vom p-Typ. Kennwerte für die Ausführung der Vorrichtung Im folgenden soll als Beispiel, und um die Begriffe mit einer Kontaktenge, deren Querschnitt von der festzulegen, der Fall eines Halbleiters vom n-Typ be- Kathode zur Anode zunimmt.it will stand, if only. little, tempered. To the thought of a concrete example Now one can, however, determine the unevenness in, are hereinafter, merely for ErVerteilung of the potential along the guiding channel of Figure 5 refining, further reduce the data of the Ausfühnung a Transider present invention stors with non-cylindrical contact tightness and when the unipolar field effect transistor is given the results obtained in this way, it compares that the cross-section of the contact thickness increases from that of a similar transistor, but from one end to the other, from that with cylindrical contact thickness, both made of cathode to anode in the case under consideration of the hemi-io of a germanium rod of the η-type with a conductor of the η-type, from the anode to the cathode with a specific resistance of ρ = 8 ohm · cm. a p-type semiconductor. Characteristic values for the implementation of the device In the following, as an example, and in order to define the terms with a contact narrowing whose cross-section differs from that of the case of an n-type semiconductor, the cathode to the anode increases.

handelt werden und die nachstehenden Ausführungen x_{5 Lä der K}ontaktengenelektrode 150 μand the following versions x _{5 length of the} contact electrode 150 μ

sol en auch fur den Fal eines Halbleiters vom p-Typ _Dur°_{hmesser der Eng} ⁵ _{e an der} Kathode ... 54 μsol en also for the Case of a semiconductor _{of the} p-type _Eng _major ° _hmesser ⁵ _{e at the} cathode 54 ... μ

Gültigkeit haben, natürlich unter der Voraussetzung, _{Durchmesser der En}|_{e an der Anode 85} £Are valid, of course, provided that the _{diameter of the En} | _{e at the anode} £ 85

daß die Schaltung der Kontaktenge geändert und die ^ö .that the circuit of the contact tightness changed and the ^ö .

Polarität der Polarisationsspannung umgekehrt wird. Kennwerte der Arbeitsweise:The polarity of the polarization voltage is reversed. Characteristic values of the mode of operation:

Die Fig. 5 zeigt das Profil eines derartigen Tran- so _{s n bd vöm} FIG. 5 shows the profile of such a tran- so _{sn bd vöm}

sistors, bei dem der Querschnitt der Kontaktenge von -Abschnürung V₀₁ = 40 Volt—sistor, in which the cross-section of the contact tightness of -crossing V ₀₁ = 40 volts-

einem Ende zum anderen zunimmt. In dieser Jbigur y^ul _ ^qO Voltincreasing from one end to the other. In this Jbigur y ^ul _ ^ qO volts

bezeichnet die Zahl 62 die Kathode, 63 die Anode und Normale Betriebs- °² The number 62 denotes the cathode, 63 the anode and normal operating ° ²

64 die in der Kehle 65 aufgetragene Kontaktengen- spannungen V_af = 60 bis 70 Volt 64 the contact residual voltages V _af = 60 to 70 volts applied in the groove 65

elektrode. 25 V= —10 Volt electrode. 25 V = -10 volts

Die Wirkung einer derartigen Formgebung ist ^gf leicht zu verstehen. Die Spannung völliger Abschnü- Die Fig. 6 zeigt die Schar der statischen Kennlinien rung — V₀ — ist nicht mehr auf die ganze Länge des für den Strom T_a als Funktion der Anodenspan-Leitkanals konstant, sondern ändert sich vielmehr nung V_a für verschiedene Spannungen V_g an der Kon- und wird zu V₀ (x), wobei χ der Abstand des jeweili- 30 taktenge. Die Geraden 65 und 66 sind zwei Gerade der gen Punktes des Leitkanals mit Bezug auf eines seiner Ladung, entsprechend den maximalen AusgangsEnden ist. Ieistungen in der Klasse^ mit praktisch zu vernach-The effect of such a shape is easy to understand ^gf. The voltage of complete cut-off The Fig. 6 shows the family of static characteristics tion - V ₀ - is no longer constant over the entire length of the current T _a as a function of the anode chip guide channel, but rather changes voltage V _a for different Voltages V _g at the con and becomes V ₀ (x), where χ is the distance of the respective 30 taktenge. The straight lines 65 and 66 are two straight lines of the general point of the guide channel with respect to one of its load, corresponding to the maximum output ends. Performances in class ^ with practically negligible

Damit bei normaler Betriebsweise die elektrische lässigender Verzerrung für die beiden Betriebsspan-Beanspruchung des Leitkanals absolut rationell ist, nungen, nämlichWith this, in normal operation, there is the electrical disruptive distortion for the two operational chip loads of the guide channel is absolutely rational, voltages, namely

muß das Verhältnis der Spannungen völliger Ab- 35 F₀, = 60 Volt bzw. P₀, = 70 Volt, schnürung — K₀₁ und K₀₂ — am Ende des Jueitkanalsmust be the ratio of the voltages completely off- 35 F ₀ , = 60 volts or P ₀ , = 70 volts, lacing - K ₀₁ and K ₀₂ - at the end of the Jueit Canal

neben der Kathode bzw. am Ende des Leitkanal« Die entsprechenden Ladungswiderstände belaufennext to the cathode or at the end of the guide channel «The corresponding charge resistances amount to

, , _A j · -.τ 1 ••I_i · 11. -Λ. u ^voi sich auf 18 bzw. 23 Kiloohm. neben der Anode, ein Verhältnis, welches mit A= -=— _Tr , . . _ . . , j · · _{,, A} j · -.τ 1 •• I _i · 11. -Λ. u ^v oi to 18 or 23 kilo ohms. next to the anode, a ratio which with A = - = - _Tr,. . _. . , j · ·

V₀₂ Diese Kurvenschar ist zu vergleichen mit derjeni- V ₀₂ This family of curves is to be compared with the one

bezeichnet werden soll, der nachstehenden Gleichung 40 gen nach der Fig. 7, welche einem ähnlichen Tranentsprechen: sistor bekannter Ausführung mit praktisch konstantem kreisförmigem Quierschnitt der Kontaktenge fega (1) entspricht.is to be designated, the following equation 40 according to FIG. 7, which correspond to a similar section: sistor of known design with a practically constant circular cross-section of the contact narrowing fega (1) corresponds.

"af ~i~ Vgf Dj_e Kennwerte für diesen Transistor sind die fol- "af ~ i ~ Vgf Dj _e characteristic values for this transistor are the following

45 genden: 45 areas:

In dieser Gleichung ist V _f die Anodenspannung am _{L def} Kontaktengenelektrode 150 μIn this equation, V _{f is} the anode voltage at the _{L def} contact narrowing electrode 150 μ

Arbeitspunkt und V _f die Polarisationsspannung der Mindestdurchmesser der Kontaktenge .... 70 μWorking point and V _f the polarization voltage of the minimum diameter of the contact gap .... 70 μ

entsprechenden„KQjqtakjtoigeneLektEode. Diese Bedin- — °_. Corresponding “KQjqtakjto i geneL ektEode. This condition- - ° _.

gung führt normalerweise zu verhältnismäßig gerin- KennwertederArbeitsweise:Normally leads to relatively low operating parameters:

gen Werten von k, da V_af etwa 5- bis IOmal großer 50 _s _{der völli} gen values of k, since V _{af is} about 5 to 10 times greater than 50 _{s of} _{the total}

sein muß als V_gf. . Striktion V₀= 68 Voltmust be _gf as V. . Striction V ₀ = 68 volts

Immerhin kann dieselbe nur angenähert sein, und Normale Betriebs-After all, it can only be approximate, and normal operating

die Begrenzung ergibt sich aus der folgenden ein- spannungen ..." V_af= 50 bis 60 Voltthe limitation results from the following voltages ... "V _af = 50 to 60 volts

schrankenden Bedingung: Bei einer Polansationsspan- ^r y ₌_i5VoItcabinet forming condition: In a Polansationsspan- ^r y ₌ _i5VoIt

nung von V_g = V₀₁ muß man die völlige Abschnürung 55 sf When V _g = V ₀₁ , the complete constriction 55 sf

des Leitkanals auf seiner ganzen Länge, mindestens Man bemerkt sofort die Überlegenheit des Tran-of the guide channel along its entire length, at least one notices immediately the superiority of the

an seinen beiden Enden sicherstellen. Daraus ergibt sistors mit nichtzylindrischer Kontaktenge, nämlichmake sure at both ends. This results in sistors with non-cylindrical contact tightness, namely

sich eine erhebliche Zunahmie — mehr als 50% — beia considerable increase - more than 50%

V₀₂ ^_ V_af + V₀₁ _6o Verstärkung der Spannung —^ψ- sowie der Steilheit V ₀₂ ^ _ V _af + V ₀₁ _6o amplification of the voltage - ^ ψ- and the slope

^und (o\ mP ^and (o \ mP

^ V₀₁ ^ ' ~dv~ ^e*^ne Zunahme der Ausgangsleistung und parallel ^ V ₀₁ ^ '~ dv ~ ^e * ^ne increase in output power and in parallel

^Tflf+ Poi dazu eine merkliche Verminderung der Verzerrung. '^% ^ Tflf + Poi in addition a noticeable reduction of the distortion. ' ^%

Hierbei beziehen sich m, M und P auf Punkte in den V_gf ist für den Betrieb in Klasse A kleiner als 65 Fig. 6 und 7. 0,5 V₀₁, und der Wert von k, der sich aus der Glei- Dieser Vorteil wird bestätigt, wenn man die Ar-Here, m, M and P relate to points in the V _gf is less than 65 Fig. 6 and 7 for operation in class A. 0.5 V ₀₁ , and the value of k that results from the equation. This advantage is confirmed when one

chung (2) ergibt, ist von der Größenordnung des beitsweise bei Hochfrequenz betrachtet und wenn man Doppelten desjenigen nach Gleichung (1). In der Tat parallel zu der Änderung des Widerstandes Anode— ist es nicht möglich, k über 0,25 hinaus noch weiter Kathode· die Änderung der. Kapazität Anode—Kazu verkleinern, und der Fortschritt gegenüber, der zu 70 thpde betrachtet. Es ist nämlich bekannt, -daß derchung (2) results is of the order of magnitude of the case of high frequency and if one doubles that according to equation (1). In fact, it is not parallel to the anode-change in resistance possible k over 0.25 · cathode addition, further the change of the. Downsize capacity anode — Kazu, and advance compared to considering to 70 thpde. It is known that the

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größere Teil dieser Kapazität bei einem Halbleiter des η-Typs in der Nachbarschaft der Kathode, bei einem Halbleiter des p-Typs in der Nachbarschaft der Anode lokalisiert ist, und man versteht daher, daß unter sonst gleichen Verhältnissen bei einer gegebenen Änderung der Spannung an der Kontaktenge die Änderung der Kapazität um so größer sein wird, je kleiner — bei einem Halbleiter des η-Typs — der Durchmesser der Kontaktenge an der Kathode oder in der Nähe der letzteren ist.larger part of this capacitance in the case of a semiconductor of the η-type in the vicinity of the cathode a p-type semiconductor is located in the vicinity of the anode, and hence it is understood that all other things being equal, for a given change in the voltage at the contact gap, the change the capacity will be the larger, the smaller - in the case of a semiconductor of the η-type - the Diameter of the contact narrowing at the cathode or in the vicinity of the latter.

Es soll nunmehr das Verfahren der Herstellung für Unipolar-Feldeffekttransistaren mit veränderlichem Querschnitt der Kontaktenge beschrieben werden.It is now the method of manufacture for unipolar field effect transistors with variable Cross-section of the contact tightness to be described.

Man hat festgestellt, daß, wenn man diem Profilierungsstrom einen das Stäbchen in nuir einer Richtung durchfließenden Steuerstrom überlagert, welcher genügend stark ist, um die Verteilung des Potentials längs des Stäbchens merklich zu modifizieren, eine Asymmetrie der die Kontaktenge bildenden Kehle erhalten wird. Überdies kann man die Asymmetrie praktisch nach Belieben einstellen,.indem man diesen Steuerstrom und somit die Steuerspannung an den Klemmen des Stäbchens beeinflußt.It has been found that when the amount profiling current superimposed on the one hand the rods in nuir one direction by flowing drive current which is sufficiently strong, it is hold an asymmetry of the contact tightness forming throat to the distribution of potential appreciably modify along the rod. In addition, the asymmetry can be adjusted practically at will, by influencing this control current and thus the control voltage at the terminals of the rod.

Das Gesamtschaltungsschema der elektrischen Stromkreise für die gesteuerte Profilierung ist der Fig. 8 zu entnehmen.The overall circuit diagram of the electrical circuits for the controlled profiling is the Fig. 8 can be seen.

Der gewöhnliche, nicht gesteuerte Profilierungsstromkreis setzt sich zusammen aus der Stromquelle 54, welche über das Potentiometer 55 und die Platinelektrode 53 die Düse 34 speist, welch letztere mittels des Strahls 67 das zu profilierende Stäbchen 68 angreift. Der Strom fließt zu beiden Seiten der Düse ab und durch das Stäbchen zu den Klemmen 45 und 46, von dort durch die Ausgleichs widerstände 51 und. 52 zu der gemeinsamen Klemme 50, welche an die positive Klemme der Stromquelle 54 angeschlossen ist. Der Steuerstromkreis umfaßt eine Stromquelle 69, welche über das Potentiometer 70 einen in nur einer Richtung fließenden Strom in das Stäbchen eintreten läßt, wobei der Strom in üblicher Weise von der Klemme 45 zu der Klemme 46 fließt. Das Stäbchen driefrt sich vor dem Strahl uim sich selbst.The usual, uncontrolled profiling circuit is composed of the current source 54, which feeds the nozzle 34 via the potentiometer 55 and the platinum electrode 53, the latter attacking the rod 68 to be profiled by means of the jet 67. The current flows on both sides of the nozzle and through the rod to the terminals 45 and 46, from there through the balancing resistors 51 and. 52 to the common terminal 50, which is connected to the positive terminal of the current source 54. The control circuit comprises a current source 69 which, via potentiometer 70, allows a current flowing in only one direction to enter the rod, the current flowing from terminal 45 to terminal 46 in the usual manner. The stick driefrt in front of the beam uim themselves.

Mari versteht, daß dlie Überlagerung des normalen Profilierungsstroms durch den Steuerstrom eine Modifikation in der Verteilung des Potentials in dem Stäbchen hervorruft. Insbesondere wird in der Figur der obere Teil von dem Strahl 67 zu der Klemmie 45 positiv, der untere Teil von dem..StrahL67_z.u_der Klemme 46 negativ polarisiert. Von da ab nimmt der Profilierungsstrom an jenem zu und an diesem ab. Mari understands that the superposition of the normal profiling current by the control current causes a modification in the distribution of the potential in the rod. In particular, in the figure the upper part of the beam 67 to the terminal 45 is polarized positively, the lower part of the beam 67_z.u_der terminal 46 is polarized negatively. From then on, the profiling flow increases and decreases on that one.

Das dabei erhaltene Resultat ist in der Fig. 9 dargestellt; hier zeigen die Pfeile 71 und 72 den in dem Stäbchen fließenden Strom, der sich aus der Überlagerung dies Profilierungstroms 73 mit dem Steuerstrom ergibt, an. Die Stromfäden des resultierenden Profilierungs troms werden angedeutet durch die Pfeile 74, deren Größe ungefähr proportional zu der Stärke dieses Stroms ist.The result obtained is shown in FIG. 9; here the arrows 71 and 72 show the in the Rods flowing current, which results from the superposition of this profiling current 73 with the control current he indicates. The stream threads of the resulting profiling stream are indicated by the arrows 74, the size of which is roughly proportional to the strength of this current.

Man bemerkt eine asymmetrische Verteilung des Stroms und infolgedessen eine ausgeprägte Asymmetrie der Kehle, deren Profil, anstatt zylindrisch zu sein, kegelstumpfförmig wird, ohne daß die Länge der Kehle zunimmt-und ohne daß die Qualität der Glättung beeinträchtigt wird. Ebenso bemerkt man in der Figur eine ausgesprochene Asymmetrie der Lippen 75 und 76 des Strahls 67. One notices an asymmetrical distribution of the flow and consequently a pronounced asymmetry of the throat, the profile of which, instead of being cylindrical, becomes frustoconical without increasing the length of the throat and without impairing the quality of the smoothing. A marked asymmetry of the lips 75 and 76 of the jet 67 is also noticeable in the figure.

Man kann in der Praxis den Grad der Steigung des Konus, also den Kegelwinkel, nach Belieben einstellen, indem man den Steuerstrom und' damit die Spannung an den Klemmen des Stäbchens beeinflußt. Indessen 667 In practice, the degree of slope of the cone, i.e. the cone angle, can be adjusted as desired by influencing the control current and thus the voltage at the terminals of the rod. Meanwhile 667

muß man hier bemerken, daß es, damit die Wirkung auch merklich wird, wesentlich ist, daß die Spannung, auf die halbe Länge des Stäbchens bezogen, genügend hoch ist, und zwar absolut als auch relativ mit Bezug auf den Spannungsabfall infolge des Profiiierungsstroms. Es folgen weiter unten genaue Zahlenangaben hierüber.it must be noted here that it is essential, so that the effect is also noticeable, that the tension based on half the length of the rod, is sufficiently high, both absolutely and relatively with Reference to the voltage drop due to the profiing current. Exact figures are given below about this.

Die elektrolytische Ablagerung der kegelförmigen Kontaktengenelektrode kann nach dem Verfahren erfolgen, wie es bereits beschrieben worden ist, und zwar ohne Überlagerung eines Steuerstroms. Will man jedoch die Metall ablagerung auf einen gewissen Teil des Kegels beschränken, dann kann dieselbe nach dem Verfahren erfolgen, für welches die Fig. 10 das Schaltschema angibt.The electrolytic deposition of the conical contact electrode can be carried out according to the method, as has already been described, without superimposing a control current. Want However, if the metal deposition is limited to a certain part of the cone, then the same can be achieved take place according to the method for which FIG. 10 indicates the shifting diagram.

Dieses Schaltscfaema ist ähnlich demjenigen von Fig. 8, jedoch sind die Polaritäten hier umgekehrt. Der elektrolytische Auftrag erfolgt mittels der Düse 35, und der Elektrolyt 77 wird dürch die Platinelektrode 56 unter Spannung gesetzt. Der Steuerstrom wirkt auf die Umrisse der Ablagerung ein,..denn durch die Polarisation der Oberfläche des Arbeitsstückes kann der elektrolytische Niedierschlag zvt einer Seite der Düse unterbunden werden und bildet sich dann nur an der anderen Seite. Nimmt man den Fall des zylindrischen Stäbchens nach Fig. 5 mit der kegelstumpfförmigen Kehle 65, wobei der Steilrand der Kehle an der Seite der Kehle 45 gelegen ist, dann wird der elektrolytische Niederschlag 64 durch die Regelung des Steuerstroms auf jede beliebige Strecke des Teils mit sanfter Neigung der Kehle beschränkt.This circuit diagram is similar to that of Fig. 8, but here the polarities are reversed. The electrolytic application takes place by means of the nozzle 35, and the electrolyte 77 is energized by the platinum electrode 56. The control current acts on the outline of the deposit, because the polarization of the surface of the work piece can prevent electrolytic precipitation on one side of the nozzle and then only forms on the other side. Taking the case of the cylindrical rod of Fig. 5 with the frustoconical groove 65 with the steep edge of the groove on the side of the groove 45, the electrodeposition 64 is softened by regulating the control current on any part of the part Limited inclination of the throat.

Um den Gedankengang festzulegen, wird nachstehend ein konkretes Ausführungsbeispiel für einen Transistor mit kegelförmiger Kontaktenge angegeben.In order to define the train of thought, a concrete exemplary embodiment for a Transistor indicated with conical contact tightness.

Stäbchen aus Germanium des η-Typs, mit einem spezifischen Widerstand von 4 Ohm · cm, 0,5 mm Durchmesser, 2 mm Länge, an beiden Enden mit angelöteten Metallzwingen versehten.Rods made of germanium of the η-type, with a specific resistance of 4 ohm · cm, 0.5 mm Diameter, 2 mm long, provided with soldered metal clamps at both ends.

Profilierung durch einen Strahl von 0,02 n-Schwefelsäure bei einem Profilierungsstrom von 1,5 Milliampere. Profiling by a jet of 0.02 N sulfuric acid at a profiling current of 1.5 milliamperes.

Düse mit einer Austrittsöffnung von 150 μ Durchmesser, welche eine Länge der Kehle von etwa 250 μ ergibt.Nozzle with an outlet opening of 150 μ diameter, which has a length of the throat of about 250 μ results.

Auftragsleistung des Elektrolyten: ungefähr 1 cm³/sec.Application rate of the electrolyte: approx. 1 cm ³ / sec.

Steuerstrom zwischen etwa 20 und 11 Milliampere schwankend, wobei die SpannungJbis-auf 20Jy_olt-_ansteigt. Von dem Augenblick an, in dem diese Spannung erreicht ist, hält man dieselbe konstant und läßt dann den Strom allmählich bis auf 11 Milliampere abfallen, worauf der Strom abgestellt wird; ungefähre Dauer des Vorganges: 8 Minuten.Control current fluctuates between about 20 and 11 milliamperes, with the voltage Jbis-increasing to 20 Jy_olt-_. From the moment this voltage is reached, it is kept constant and then the current is gradually allowed to drop to 11 milliamperes, whereupon the current is cut off; approximate duration of the process: 8 minutes.

Man erhält hierbei die allgemeine Form, wie sie in der Fig. 9 dargestellt ist, mit einem Durchmesser des Bodens der Kehle von 45 μ, einem Durchmesser des Kegels in einem Abstand von 100 μ von dem Boden der Kehle von etwa 120 μ und in einem Abstand von 50 μ von dem Boden der Kehle von etwa 75 μ.This gives the general shape as shown in FIG. 9, with a diameter of Bottom of the throat of 45μ, a diameter of the cone at a distance of 100μ from the bottom the throat of about 120μ and at a distance of 50μ from the bottom of the throat of about 75μ.

Der Gesamtwideristand des Stäbchens, der sich hauptsächlich auf die Kehle konzentriert, beläuft sich auf etwa 2500 Ohm, woraus sich bei Abwesenheit des Steuerstroms zu beiden Seiten der Düse ein Spannungsabfall vonThe total resistance of the stick, which is mainly focused on the throat, amounts to to about 2500 ohms, which results in a voltage drop on both sides of the nozzle in the absence of the control current from

1,5 · IQ-³ 2500 2 2 1.5 IQ- ³ 2500 2 2

ergibt, d. h. etwa 1 Volt, was gering ist im Verhältnis zu der halben Steuerspannung von 10 Volt.results, d. H. about 1 volt, which is low in relation to half the control voltage of 10 volts.

Claims

Electrolytic application also by the jet of an electrolyte in the form of a solution of In ₂ (SO ₄ ) ₃ with a concentration of 12 g / liter water with the addition of sulfuric acid, so that a P _a value of about 2.5 is achieved.

Nozzle with an outlet opening of 90 μ; Application rate of the electrolyte about 0.1 cm ³ / sec, with a galvanizing current of about 100 μΑ. Duration of the process: 2 minutes.

Control current with a strength of 1 milliampere at a voltage of about 2 volts. This gives the general shape according to FIG. 5, with a length of the applied indium ring of about 50 μ, equal to 40% of that obtained in the absence of the control line. ■ * 5

Fig. 11 shows a transistor of prismatic shape with a plate 10 in the shape of a right edge, in which a groove 11 in the shape of a truncated pyramid has been produced; at the At its narrowest point there is a well-delimited metal deposit 12 by electrolytic means

-appropriate

The transistor of Fig. 11 can be obtained by a method similar to that described by reference on FIGS. 8 and 10, but this is given to the plate instead of a Rotational movement as with the stick a reciprocating movement in front of the nozzle, parallel to the Pages 13 to 14. The transistor can also be manufactured using the following procedure in FIG. 12:

One takes an immovable plate 15 in the form of a right edge, its not to be treated Parts 16 are previously coated with a substance, for example with a cellulose varnish. The profiling stream is through the terminals 17 and 18 a ring 19, preferably made of platinum, which is to be hollowed out Part of the wafer surrounds, supplied; it flows through the electrodes 20 on both sides and 21 and through the balancing resistors 22 to the terminal 18, which is connected to the positive pole of an equal * ° power source is connected. The control current enters through terminal 23 and through terminal 24 the end.

The plate and the electrodes are immersed in a tub 25 filled with the electrolyte, in which the electrolyte is preferably circulated. The electrolyte can either be acidic, e.g. B. consist of the above-mentioned sulfuric acid, or also basic, z. B. KäliläTlge ^ hTiir a concentration of 0.02 to 0.05 n-KOH. 5 <>

The same applies to the electrolytic application, in which of course the electrolyte previously used has to be replaced by a solution of a salt of the metal to be applied, e.g. B. In ₂ (SO ₄ ) ₃ in the composition given above, and in which the polarities of both current sources are reversed and, of course, the current strength is set. It lowers the _pH value to about 2.1, then one can, moreover, the same electrolyte for profiling and use them for the electrolytic plating.

Patentansprüche:Patent claims:

I _i unipolar field effect transistorOT ', consisting of a cylindrical rod made of semiconductor material with a groove of smaller diameter approximately in the middle of the rod, two ohmic electrodes on the end faces of the rod, which form the cathode and the anode, a ring-shaped non-ohmic metal electrode in the groove and such a polarity of the non-resistive metal electrode that only a current, which can be neglected, can pass from it to the semiconductor rod, characterized in that the groove has a variable cross-section which changes in the same direction and continuously from one end to the other, and that the annular non-resistive metal electrode is arranged on the bottom as well as on the adjacent end portions of the groove.

2. Unipolar field effect transistor according to claim 1, characterized in that the groove cone fornr has:

3. Unipolar field effect transistor according to claim 1, characterized in that the groove Has a pyramid shape.

4. Unipolar field effect transistor according to claim 1, characterized in that the semiconductor material of the rod is of the η-type and that the cross-section of the groove from the cathode as seen in the direction of the anode increases.

5. Unipolar field effect transistor according to claim 1, characterized in that the semiconductor material of the rod is of the p-type and that the cross-section of the groove, seen from the anode, increases in the direction of the cathode.

6. A method for the production of unipolar field effect transistors according to claims 1 to 5, characterized in that two ohmic electrodes are soldered to the end faces of a semiconductor rod that when the rod is rotated around itself in front of a beam of a profiling and polishing electrolyte emerging from a nozzle, which has been brought to a potential negative to the rod, a profiling current is passed through the two halves of the rod on either side of the point of impact of the beam that by applying a controlling direct current with a current strength several times that of the profiling st roms between ^- "the two end electrodes of the rod in the rod a conical recess is created so that the jet of electrolyte is then brought to a positive potential with respect to the rod in order to electroform on the bottom of the recess and on the adjacent conical part same a metal electrode in in the form of a thin membrane.

Documents considered: German Patent No. 890 847.

For this purpose 2 sheets of drawings