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Verfahren zur Herstellung von einkristallinen halbleitenden Verbindungen
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von einkristallinen halbleitenden
Verbindungen, insbesondere Verbindungen aus Elementen der III. und V. Gruppe des
Periodischen Systems der Elemente sowie intermetallischen Verbindungen aus anderen
Elementen, durch Bildung der halbleitenden Verbindung aus den Komponenten auf einem
erhitzten einkristallinen Trägerkörper, dessen Auffangfläche eine mit der entstehenden
halbleitenden Verbindung mindestens angenähert übereinstimmende Kristallstruktur
aufweist.
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Zum Niederschlagen von Bornitrid auf einen glühenden Körper ist ein
Verfahren bekannt, bei welchem eine Mischung von Stickstoff, Wasserstoff und Borbromid
über einen glühenden Körper geleitet wird. Dabei bildet sich auf dem als Glühdraht
ausgeführten Trägerkörper ein Niederschlag von Bornitrid. Auf diesem Wege hergestellte
Niederschläge weisen für Halbleiteranwendungen noch eine unzureichende Struktur,
Gitteranordnung und Reinheit auf. Für Halbleiterzwecke spielen nämlich bereits elektrisch
wirksame Verunreinigungen und Gitterstörungen, wie Gitterleerstellen und Zwischengittereinlagerungen,
mit einer so geringen Konzentration wie 10-6 bis 10-8 Atomprozent eine Rolle.
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Besondere Schwierigkeiten ergeben sich bei der Herstellung von halbleitenden
Verbindungen, z. B. halbleitenden Verbindungen aus Elementen der III. und V. Gruppe
des Periodischen Systems der Elemente. Störungen des Gitteraufbaues entstehen bei
diesen Halbleiterstoffen zusätzlich dadurch, daß auch Abweichungen der stöchiometrischen
Zusammensetzung in den genannten geringen Konzentrationen während der Herstellung
schwer zu vermeiden sind.
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Zur Erzeugung einer dünnen Germaniumschicht mit Einkristallstruktur
ist bekannt, Germaniumjodid in einer erhitzten Kammer über einem einkristallinen
Trägerkörper aus Germanium zu zersetzen, wobei sich auf diesem Germanium niederschlägt.
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Es ist weiterhin bekannt, durch thermische Zersetzung gasförmiger
Verbindungen von Wolfram, Molybdän und einigen ähnlichen Metallen an einem hocherhitzten
einkristallinen Wolframdraht eine einkristalline Abscheidung dieser Metalle zu erhalten.
Dagegen gelingt in dieser Weise die Herstellung einkristalliner Bedeckungen des
Wolframdrahtes mit weiteren wolframähnlichen Metallen, wie Vanadium, Chrom- und
gγEisen, nicht. Eine erfolgreiche Anwendung eines einkristallinen Trägerkörpers
bei einer Bildung einer halbleitenden Verbindung auf einem erhitzten Trägerkörper
war daher schon insoweit nicht zu erwarten, als die Anwendung eines einkristallinen
Trägerkörpers bereits bei der Herstellung von Niederschlägen von Metallen, also
chemischen Elementen, nicht bei jedem Metall zum Ziel führte.
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Bei dem bekannten Aufdampfen von Zinn oder Cadmium auf eine Glasunterlage
erhöhter Temperatur wird bei jedem dieser Stoffe lediglich ein Niederschlag aus
kleinen und kleinsten Kriställchen erhalten.
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Gemäß der Erfindung wird zur Herstellung einkristalliner halbleitender
Verbindungen so verfahren, daß die Komponenten der halbleitenden Verbindung durch
Aufdampfen mittels Dampfstrahlen im Vakuum auf einem Schichtträger von einer Temperatur
nahe unterhalb der Schmelztemperatur der halbleitenden Verbindung aufgebracht sowie
zur chemischen Reaktion gebracht werden, wobei durch Wahl der Temperatur, Anordnung
oder/und Führung der Verdampfungsöfen für die Komponenten die stöchiometrische Zusammensetzung
der entsprechenden halbleitenden Verbindung bewirkt wird.
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Bei der bekannten Handhabung des Aufdampfverfahrens ließen sich nun
noch keine Schichten halbleitender Verbindungen in einkristalliner Form herstellen.
Auch bei dem Aufdampfen von halbleitenden Verbindungen aus gut zu verdampfenden
Komponenten ergaben sich Aufdampfschichten, deren Kristallstruktur stark gestört
war. Die Aufdampfschichten der halbleitenden Verbindungen enthielten amorphe Anteile
und waren dementsprechend in ihrem elektrischen Verhalten wenig befriedigend.
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Das Verfahren nach der Erfindung ermöglicht die Herstellung von Schichten
aus halbleitenden Verbindungen mit einer für Halbleiterzwecke befriedigenden Gitterstruktur,
einer erforderlichen hohen Reinheit und ausreichend geringen Gitterstörungen.
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Im Gegensatz zu den Verfahren auf der Grundlage der thermischen Zerlegung
kann bei dem Aufdampfverfahren nach der Erfindung die Anwesenheit einer
störenden
Gasatmosphäre bei der Bildung der halbleitenden Verbindung vermieden werden. Das
Vakuumverfahren nach der Erfindung verhindert den Einbau von Gasen in das Kristallgitter
der entstehenden halbleitenden Verbindung und vermeidet daher diese Art Gitterstörungen.
Des weiteren können wegen der Abwesenheit eines Gaspolsters von Fremdstoffen für
den Kristallaufbau günstigere Auf dampfgeschwindigkeiten angewandt werden.
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Ein besonderer Vorteil des erfindungsgemäßen Verfahrens ist darin
zu sehen, daß das Aufdampfen mittels Dampfstrahlen ermöglicht, einkristalline Schichten
halbleitender Verbindungen mit großer Flächenausdehnung herzustellen, ohne dadurch
die guten Eigenschaften der Schichten für Halbleiterzwecke zu verlieren.
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Für die Herstellung von halbleitenden Verbindungen aus Elementen der
III. und V. Gruppe des Periodischen Systems der Elemente eignen sich Schichtträger,
welche Zinkblende-, Diamant- oder Wurtzitstruktur aufweisen. Viele halbleitende
Verbindungen dieser Zusammensetzung kristallisieren in der Zinkblendestruktur, die
nahe mit der Diamant- und Wurtzitstruktur verwandt ist.
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Beispielsweise kann zur Herstellung einer einkristallinen Schicht
aus Indiumantimonid als Schichtträger ein Kristall aus beispielsweise Cadmiumtallurid
genommen und eine gut ausgebildete Oberfläche dieses Kristalls als Auffangfläche
benutzt werden. Indiumantimonid kristallisiert nämlich wie Cadmiumtellurid mit einer
Gitterstruktur des Zinkblendetyps. Die Kantenlänge der Elementarzelle des Indiumantimonids
bebeträgt 6,45 ₧ 10-8 cm, die des Cadmiumtellurids 6,46 ₧ 10-8 cm.
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Wird zur Herstellung einer einkristallinen Schicht aus Indiumantimonid
als Schichtträger Germanium gewählt, so ist die Übereinstimmung der Kantenlänge
der Elementarzelle der beiden Gitter weniger gut, da die Kantenlänge der Elementarzelle
von Germanium 5,62 ₧ 10-8 cm beträgt. Die Güte der Übereinstimmung der Gitterkonstanten
wirkt sich auf die Dicke der zu erzielenden einkristallinen Halbleiterschicht aus.
Eine gute Übereinstimmung der Gitter ermöglicht, dickere Schichten guter Gitterordnung
herzustellen, als es bei einer weniger guten Übereinstimmung der Gitter der Fall
ist.
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Die Gitterordnung der Aufdampfschicht ist besonders durch die Aufdampfgeschwindigkeit
und durch die Temperatur des Schichtträgers zu beeinflussen. Mit einer Aufdampfgeschwindigkeit
von ungefähr 10 mg Substanz der Verbindung pro Quadratzentimeter und pro Minute
können Halbleiterschichten mit einem nur geringe Gitterstörungen enthaltenden Kristallgitter
erhalten werden. Neben der Aufdampfgeschwindigkeit trägt hierzu wesentlich die Wahl
der Temperatur des Schichtträgers gemäß der Erfindung bei.
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Besonders vorteilhaft wirkt sich diese hohe Temperatur aus, wenn halbleitende
Verbindungen aufgedampf werden, deren Komponenten eine Schmelztemperatur haben,
die niedriger als die Schmelztemperatur der Verbindung ist. Durch die hohe Temperatur
erhalten die Atome der entstehenden Halbleiterschicht genügend Energie zugeführt,
die es ihnen ermöglicht, ein Gitter mit guter Gitterordnung aufzubauen. Für den
Aufbau der Aufdampfschicht ist es wichtig, die Temperatur des Schichtträgers gut
konstant zu halten. Die Heizung des Schichtträgers wird beispielsweise durch einen
Strahler von der der Auffangfläche abgewandten Seite her besorgt. Um Schichten aus
halbleitenden Verbindungen mit der erforderlichen hohen Reinheit zu erhalten, muß
der einkristalline Schichtträger, insbesondere dessen Auffangfläche, eine hohe Reinheit
besitzen. Sonst würden bei der hohen Temperatur des Schichtträgers und derjenigen
Berührung von Schichtträger und Halbleiterschicht störende Verunreinigungen des
Schichtträgers in die Halbleiterschicht einwandern. Schichtträger, die sich in hoher
Reinheit herstellen lassen, sind beispielsweise Germanium und Silizium. Als Schichtträger
kommen weiterhin auch nur solche Stoffe in Frage, die auf der zum Aufdampfen einer
halbleitenden Verbindung erforderlichen Temperatur gehalten werden können. Vorteilhaft
ist die Verwendung von Schichtträgern, die selbst durch Aufdampfen hergestellt werden.
Derartig hergestellte Schichtträger sind verhältnismäßig einfach mit befriedigender
Reinheit und mit nur geringen Gitterstörungen zu erhalten. Viele Gitterstörungen
etwa nicht durch Aufdampfen hergestellter Schichtträger lassen sich vorzugsweise
durch eine thermische Behandlung des Schichtträgers beträchtlich vermindern. Das
Vakuum, bei dem die halbleitenden Verbindungen aufgedampft werden, soll zweckmäßig
einen Gasdruck von weniger als 10-3 mm Hg haben. Zum einwandfreien Aufdampfen ist
auf eine gute Fremdgasfreiheit des Vakuums zu achten. Beispielsweise muß für das
Aufdampfen von halbleitenden Antimoniden das Vakuum ausreichend von Sauerstoff und
Wasserstoff befreit werden.
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Zur Vereinfachung der Darstellung soll im folgenden nur von der erfindungsgemäßen
Herstellung äquiatomarer halbleitender Verbindungen gesprochen werden. Selbstverständlich
umfaßt das erfindungsgemäße Verfahren auch die Ausdehnung dieses Verfahrens auf
die Herstellung halbleitender Verbindungen nicht äquiatomarer Zusammensetzung. So
läßt sich beispielsweise das Verfahren zur Herstellung einer nicht äquiatomaren
zusammengesetzten halbleitenden Verbindung aus einem oder mehreren der nachfolgenden
Beispiele des erfindungsgemäßen Verfahrens zur Herstellung einer äquiatomaren Verbindung
ableiten, indem lediglich die Bestrahlungsstärke der Dampfstrahlen einer bestimmten
Komponente erhöht wird. Zum Beispiel kann die Bestrahlungsstärke durch eine Vergrößerung
der Zahl der Verdampfungsöfen der betreffenden Komponente oder durch eine Erhöhung
der Strahlungsdichte der betreffenden Verdampfungsöfen oder eventuell auch durch
eine Änderung der Entfernung der Verdampfungsöfen von der Auffangfläche erreicht
werden.
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Ein einfaches, zweckmäßiges Durchführungsbeispiel des erfindungsgemäßen
Verfahrens zur Herstellung äquiatomarer halbleitender Verbindungen besteht darin,
mindestens zwei Verdampfungsöfen auf einer solchen Temperatur zu halten und derart
anzuordnen, daß die von ihnen ausgehenden Dampfstrahlen sich auf der Auffangfläche
des Schichtträgers mit mindestens angenähert konstanter und gleicher Bestrahlungsstärke
überlagern. Hierbei ist besondere Sorgfalt auf eine gute Konstanz der Temperatur
der Verdampfungsöfen zu verwenden. Die Strahlungsdichte der Verdampfungsöfen wird
nämlich durch den Dampfdruck der zu verdampfenden Substanz bestimmt. Der Dampfdruck
ist wiederum von der Ofentemperatur abhängig, und zwar können kleine Temperaturschwankungen
bereits sehr störende Änderungen der Strahlungsdichte der Verdampfungsöfen ergeben.
Nach diesem Durchführungsbeispiel wird eine einkristalline Schicht einer halbleitenden
Verbindung erzeugt, deren Ausdehnung durch die Begrenzung der Dampfstrahlen bestimmt
ist.
Eine Vermischung der Komponenten der halbleitenden Verbindung tritt in diesem Beispiel
bereits im Dampfstrahl, also vor dem Auftreffen auf der Auffangfläche des Schichtträgers,
ein.
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In der Fig. 1 ist in schematischer Weise dieses Beispiel der Durchführung
des erfindungsgemäßen Verfahrens dargestellt. Von der Aufdampfvorrichtung zur Durchführung
des erfindungsgemäßen Verfahrens zum Herstellen einkristalliner Schichten halbleitender
Verbindungen wurden in Fig. 1 gezeichnet: der Schichtträger 1, seine Auffangfläche
2, die Auf dampfschicht 3 der halbleitenden Verbindung, zwei Verdampfungsöfen 4,
die zugehörigen Strahlblenden 5 und die Heizvorrichtung 6, die zur Heizung des Schichtträgers
1 dient. In Fig. 1 wurde die Begrenzung der Dampfstrahlen der Verdampfungsöfen eingetragen
und jeweils der Hauptstrahl der Dampfstrahlen durch eine gestrichelte Linie gezeichnet.
Ferner wurde in leicht erkennbarer Weise noch eine strichpunktierte Linie eingetragen.
Diese Linie gibt für eine eventuelle Bewegung der Verdampfungsöfen 4 bzw. des Schichtträgers
1 die Drehachse an und steht senkrecht zur Auffangfläche des Schichtträgers 1. Der
zur Drehachse gezeichnete gekrümmte Pfeil zeigt den im Beispiel gewählten Drehsinn
der Drehbewegung an. Es ist zweckmäßig, für die Verdampfungsöfen 4 bzw. für den
Schichtträger 1 eine Drehbewegung entsprechend Fig. 1 vorzusehen, denn durch eine
solche Drehbewegung lassen sich geringere Schwankungen der Bestrahlungsstärke der
Verdampfungsöfen 4 ausgleichen. Eine mindestens angenähert gleiche Bestrahlungsstärke
zweier Verdampfungsöfen 4 ist in diesem Durchführungsbeispiel dann zu erreichen,
wenn der Winkel, unter dem die Hauptstrahlen der beiden Verdampfungsöfen 4 sich
treffen, möglichst klein und die Entfernung der Verdampfungsöfen 4 von der Auffangfläche
2 möglichst groß gewählt wird. Die in diesem Durchführungsbeispiel vorgesehene Drehbewegung
dient nicht dazu, den von den Dampfstrahlen getroffenen Bereich der Auffangfläche
2 zu vergrößern.
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Entsprechend dem in Fig. 1 erläuterten Durchführungsbeispiel kann
ohne die dort angegebene Drehbewegung nach dem erfindungsgemäßen Verfahren eine
Halbleiterschicht größerer Ausdehnung erzeugt werden, wenn man die beiden Verdampfungsöfen
4 eine Translationsbewegung ausführen läßt. Der Schichtträger 1 ist dann vorteilhaft
als feststehend vorzusehen. Die Bewegung der Verdampfungsöfen 4 erfolgt zweckmäßig
periodisch und meist gleichförmig. Mit dieser Bewegung können die Dampfstrahlen
beispielsweise eine Bahn um die andere derart eine Fläche bedecken, die ein Vielfaches
der Ausdehnung der Bestrahlungsfläche ohne Führung der Verdampfungsöfen 4 beträgt.
Die Stärke der Aufdampfschicht kann nun dadurch erhöht werden, daß die Dampfstrahlen
mehrfach, insbesondere periodisch, über die Auffangfläche des Schichtträgers geführt
werden. Die Relativbewegung von Verdampfungsöfen 4 und Schichtträger 1 kann selbstverständlich
auch durch die Bewegung des Schichtträgers 1 bei, kurz gesagt, feststehenden Verdampfungsöfen
4 bewirkt werden. Feststehende Verdampfungsöfen 4 soll an dieser Stelle heißen,
daß die Verdampfungsöfen 4 keine Translationsbewegung ausführen sollen, wohl aber
gegebenenfalls eine Rotationsbewegung stattfinden kann. Zur Herstellung einer größeren
Fläche der einkristallinen Aufdampfschicht einer äquiatomaren halbleitenden Verbindung
wird zweckmäßig mehr als ein Ofenpaar zum Aufdampfen benutzt, wenn es sich bei der
äquiatomaren halbleitenden Verbindung um eine aus zwei Komponenten bestehende Verbindung
handelt..
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Eine vorteilhafte Durchführung des erfindungsgemäßen Herstellungsverfahrens
ergibt sich wie folgt: Die Fig. 1 kann wiederum zur Erläuterung dienen. Es wird
von einer Rotationsbewegung der Verdampfungsöfen 4 abgesehen. Die Verdampfungsöfen
4, deren Dampfstrahlen sich bereits vor dem Auftreffen auf der Auffangfläche 2 vermischen,
werden nunmehr in gerader Bahn, meist gleichförmig und periodisch über den Schichtträger
geführt. Weiterhin werden in diesem Durchführungsbeispiel die Verdampfungsöfen 4
als lange Verdampfungsschiffchen ausgebildet. Die Blenden 5 werden so ausgeführt,
daß ein gerader Streifen 3 auf der Auffangfläche 2 durch die Dampfstrahlen der Verdampfungsöfen
4 bedeckt wird. Derart wird durch die translatorische Bewegung der Verdampfungsöfen
4 auf einer breiten Fläche der Auffangfläche 2 eine ausgedehnte einkristalline Halbleiterschicht
erzeugt. Die Bewegung kann bis auf Anfang und Ende der geraden Bahn gleichförmig
erfolgen und wird nur an den Umkehrstellen der Ofenbewegung verzögert bzw. beschleunigt
werden. Es entstehen auf diese Weise ausgedehnte Halbleiterschichten guter Gleichmäßigkeit,
denn nur in dem Anfang- und Endbereich der Bahn der Verdampfungsöfen 4 sind Störungen,
z. B. auch der stöchiometrischen Zusammensetzung der Halbleiterschicht, zu erwarten.
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Eine weitere Gruppe von Durchführungsbeispielen des erfindungsgemäßen
Herstellungsverfahrens unterscheidet sich von den obigen Beispielen dadurch, daß
die Komponenten der halbleitenden Verbindung sich nicht bereits im Dampfstrahl vermischen,
sondern die Mischung der Komponenten erst auf der Auffangfläche erfolgt. Zu dieser
Gruppe von Beispielen gehört auch das nachfolgende Beispiel, dementsprechend die
Herstellung einer einkristallinen Schicht nach dem erfindungsgemäßen Verfahren dadurch
erfolgen kann, daß bei feststehendem Schichtträger 1 die Dampfstrahlen von mindestens
zwei Verdampfungsöfen über die Auffangfläche des Schichtträgers periodisch und meist
gleichförmig geführt werden und hierbei die von den Verdampfungsöfen der Komponenten
her kommenden und nach dem Passieren der Blenden auf der Auffangfläche auftreffenden
Dampfstrahlen auf der Auffangfläche Bereiche bedecken, die nebeneinander zu liegen
kommen. Die Verdampfungsöfen führen in diesem Beispiel während der Bedampfung der
Auffangfläche des Schichtträgers eine Bewegung aus, bei der die Bereiche der Dampfstrahlen
der einen Komponente von den Dampfstrahlen der anderen Komponente zeitlich später
bedeckt werden. Dies ist bei der Herstellung einer Schicht einer äquiatomaren, z.
B. aus zwei Komponenten bestehenden Verbindung durch eine einfache Translationsbewegung
von z. B. zwei hintereinander geführten Verdampfungsöfen zu bewerkstelligen. Um
bei diesem Durchführungsbeispiel des Herstellungsverfahrens eine größere Halbleiterschicht
zu erhalten, werden wiederum vorteilhaft mehrere Ofenpaare zur Bedampfung eingesetzt.
Auch dieses Durchführungsbeispiel eignet sich zur Herstellung von Halbleiterschichten
größerer Ausdehnung, da die Translationsbewegung hierzu nur über die vorgegebene
Fläche auszudehnen und so zu führen ist, daß die aufgedampften Bereiche sich lückenlos
zu einer größeren Fläche zusammenfügen. Was die Verwendung mehrerer Ofen bzw. mehrerer
Ofenpaare zur Erzeugung einer ausgedehnteren Aufdampfschicht anbetrifft, so ist
zu erwähnen, daß die Ofenanordnung nicht nur hinsichtlich der rascheren Bedeckung
einer
ausgedehnteren Aufdampffläche gewählt werden wird. Es wird
auch berücksichtigt werden, daß durch die Anordnung der Öfen bzw. der Ofenpaare
hintereinander die Schichtdecke schneller vergrößert werden kann.
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Dieses Durchführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Herstellungsverfahrens
ist in Fig. 2 in schematischer Weise dargestellt. Die Bedeutung der Ziffern ist
dieselbe wie in Fig. 1. Es bezeichnet also 1 den Schichtträger, 2 die Auffangfläche
des Schichtträgers, 3 die Aufdampfschicht der halbleitenden Verbindung, 4 zwei Verdampfungsöfen,
5 die zugehörigen Blenden und 6 die Heizung des Schichtträgers. Die Fig. 2 enthält
ebenfalls die Begrenzungslinien der beiden Dampfstrahlen und deren Hauptstrahlen.
Die Begrenzungslinien wurden als ausgezogene Linien und die Hauptstrahlen als gestrichelte
Linien gezeichnet und sind in ihrer Bedeutung ohne weiteres zu erkennen. Der in
Fig. 2 eingetragene Pfeil gibt eine beispielsweise Bewegungsrichtung der Translationsbewegung
an, bei der die beiden Dampfstrahlen der Komponenten der Verbindung nacheinander
über die Auffangfläche 2 hinweg laufen.
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Eine spezielle Gestalt der einkristallinen Halbleiterschicht läßt
sich oft durch eine zweckmäßige Ofenanordnung oder/und -führung erzeugen. Soll z.
B. eine kreisförmige Halbleiterschicht gemäß der Erfindung hergestellt werden, so
kann eine Ofenanordnung gewählt werden, wie sie durch Fig. 3 schematisch angegeben
ist. In Fig. 3 ist die kreisförmige Schicht der aufzudampfenden halbleitenden Verbindung
mit 7, jeder Verdampfungsofen mit 4 und jeder Bereich, den ein Verdampfungsofen
4 auf der Auffangfläche bei feststehendem Schichtträger 1 und ruhendem Verdampfungsofen
4 bedecken würde, mit 8 bezeichnet. Der gekrümmte Pfeil in Fig. 3 gibt eine beispielsweise
Bewegungsrichtung der Ofenreihe an. Aus der Fig.3 ist die Durchführung des Herstellungsverfahrens
ohne weiteres zu entnehmen, wenn noch gesagt wird, daß zur Herstellung einer äquiatomaren,
z. B. aus zwei Komponenten bestehenden Verbindung die Verdampfungsöfen der beiden
Komponenten beispielsweise abwechselnd aufeinander folgen sollen und die Kreisringschicht
7 und die Aufdampfbereiche 8 der Dampfstrahlen keineswegs maßstäblich aufzufassen
sind.
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Bei allen Durchführungsbeispielen des erfindungsgemäßen Verfahrens
ist noch zu beachten, daß die störstellenleitenden Verbindungen ihren Halbleitercharakter
durch eine geringe Abweichung von der streng stöchiometrischen Zusammensetzung bzw.
durch geringe Zusätze störstellenbildender Stoffe erhalten. Abweichungen von der
stöchiometrischen Zusammensetzung der halbleitenden Verbindungen treten bei den
bekannten Herstellungsverfahren leicht von selbst ein. Sie sind jedoch beim erfindungsgemäßen
Herstellungsverfahren ausreichend klein zu halten. Da es auf die Reinheit der halbleitenden
Verbindungen sehr ankommt, geht dem Aufdampfen der Komponenten der halbleitenden
Verbindung eine sorgfältige Reinigung der Komponenten voraus. Die störstellenbildenden
Stoffe werden bei der Herstellung der halbleitenden Verbindung meist zum Zeitpunkt
des Zusammenbringens der Komponenten zugegeben.
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Beim erfindungsgemäßen Verfahren kann das Zusetzen der störstellenbildenden
Stoffe vorteilhaft durch Aufdampfen mit weiteren Dampfstrahlen vorgenommen werden.
Die Verdampfungsöfen der beizumischenden Stoffe lassen sich in den Aufdampfprozeß
so einreihen, daß eine gute Gleichmäßigkeit der Verteilung der Zusätze erreicht
wird. In den Durchführungsbeispielen des erfindungsgemäßen Herstellungsverfahrens,
in welchen die Komponenten sich bereits als Strahlen mischen, können ein oder mehrere
Dampfstrahlen der Zusatzstoffe zweckmäßig so vorgesehen werden, daß sie sich ebenfalls
mit den Dampfstrahlen der Komponenten vor dem Auftreffen auf der Auffangfläche vermischen.
In den Durchführungsbeispielen, in denen die Vermischung der Komponenten auf der
Auffangfläche eintritt, werden die Dampfstrahlen der Zusatzstoffe wie die Dampfstrahlen
der Komponenten über die Auffangfläche geführt.