DE1054543B - Halbleiterbauelement, dessen elektrischer Widerstand eine Funktion des ihn durchfliessenden Stromes ist - Google Patents
Halbleiterbauelement, dessen elektrischer Widerstand eine Funktion des ihn durchfliessenden Stromes istInfo
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- H03C1/00—Amplitude modulation
- H03C1/08—Amplitude modulation by means of variable impedance element
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- G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
- G05B24/00—Open-loop automatic control systems not otherwise provided for
- G05B24/02—Open-loop automatic control systems not otherwise provided for electric
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Description
Es sind Halbleiterbauelemente bekannt, deren Widerstand sich in Abhängigkeit von dem diese
durchfließenden elektrischen Strom infolge ihrer Temperaturänderung verändert. Insbesondere besitzen
diese Anordnungen vielfach eine negative Widerstands-Strom-Charakteristik.
Diese Bauelemente werden als Heißleiter bezeichnet. Sie sind im allgemeinen
aus oxydischen Halbleitern aufgebaut. Es gibt ferner Halbleiterwiderstände mit negativer Strom-Spannungs-Charakteristik,
welche in der deutschsprachigen Literatur im allgemeinen als Varistoren bezeichnet
werden und meistens auf der Grundlage von Siliziumcarbid aufgebaut sind.
Die Erfindung bezieht sich auf ein Halbleiterbauelement, dessen elektrischer Widerstand eine Funktion
des ihn durchfließenden Stromes ist und das als Regel-, Schalt- oder sonstiges Übertragungs- oder
Schwingungserzeugungsorgan verwendbar ist. Gemäß -der Erfindung ist vorgesehen, daß der Widerstand der
Anordnung durch den Gaußeffekt im Halbleiter ge- ao steuert ist, der durch das auf den Halbleiter rückgekoppelte,
durch den die Anordnung durchfließenden Strom hervorgerufene Magnetfeld erzeugt und bestimmt
ist. Durch geeignete Dimensionierung und Formgebung des Halbleiterkörpers sowie durch geeignete
Orientierung des Magnetfeldes zu ihm lassen sich gewünschte Strom-Widerstands-Charakteristiken
erzeugen.
Es sind zwar Verfahren zur Verstärkung und Umformung von Wechselströmen und zur Erzeugung
elektrischer Schwingungen bekannt, bei denen der sogenannte Halleffekt in der Weise benutzt wird, daß
das durch die zu verstärkenden Ströme in. einer Spule erzeugte Magnetfeld auf eine stromdurchflossene leitende
Fläche einer geeigneten Substanz wirkt und die dadurch erzeugte transversale, elektromotorische
Kraft den verstärkten Strom liefert. Auf diese Weise wird ein Sechspöl geschaffen. An zwei seiner Klemmen
'liegt ein zur Erzeugung des Halleffektes unbedingt erforderlicher, mit eigener, einen konstanten
Strom liefernden ■ Spannungsquelle" ausgestatteter
Hilfsstromkreis. Unabhängig davon liegt an einem weiteren-Klemmenpaar der - steuernde Wechselstrom,
so daß entsprechend seinen Schwankungen im eigens hierfür vorgesehenen Ausgangskreis dieser Schwankungen
entsprechende Wechselspannungen induziert werden. Bei Verwendung als Oszillator ist"eine'weitere
Oszillatorrückkopplung erforderlich.
Zum Unterschied hierzu wird gemäß der Erfindung ein neues, zweipoliges Bauelement angegeben,
das keine Fremdstromspeisung benötigt. Bei der Anordnung gemäß der Erfindung stellt sich
ein bestimmter Widerstand entsprechend der ge wählten Widerstands-Strom-Charakteristik, ähnlich
Halbleiterbauelement,
dessen elektrischer Widerstand
eine Funktion des ihn durchfließenden
Stromes ist
Anmelder:
Siemens & Halske Aktiengesellschaft,
Berlin und München,
München 2, Witteisbacherplatz 2
München 2, Witteisbacherplatz 2
Dr. Eberhard Groschwitz, München,
ist als Erfinder genannt worden
ist als Erfinder genannt worden
wie beispielsweise bei einer Heißleiter-oder Väristoranordnung,
ein. . '.
Gemäß einer besonderen Ausbildung der Erfindung wird nicht der gesamte den Halbleiter durchfließende
Sfrom, sondern nur. ein gegebenenfalls variabler Teil desselben zur Erzeugung des auf den Halbleiterkörper
"steuernd wirkenden" Magneffeides benutzt. Dabei kann
der zur Steuerung ausgenutzte.Teil: des "Stromes· durch
bekannte Schaltmittel, beispielsweise nach Art eines Potentiometers, verändert werden, oder .es können
selbsttätig wirkende Schaltmittel. in Form anderer Halbleiterbauelemente,· beispielsweise mittels einer
VaristorahoTdnuing, ■ einer Herßleiterano>rdnuinig und/
oder einer 'Transisforanofdnung,.; zu diesem Zweck
vorgesehen sein. Sofern der Halbleiter von" Wechselstrom
-durchflossen- "ist," kann^ unter Umständen ein
gleichgerichteter Strom zur Magnferfelderzeugung· benutzt-werden.
Ferner ist es auch möglich;, daß das magnetische Fel'd nur auf 'einen- -— gegebenenfalls
veränderbaren'—- Teil des Halbleiiterkörpers wirkt.
Das Halbleiterbauelement* nach der Erfindung ist in der Regeltechnik, Fernmeldetechnik und Schaltteehnik,
gegebenenfalls auch in der Starkstromtechnik anwendbar, vor allem in den Fällen, in denen die gewünschten Widerstands-Strom-Charakteristiken durch
einen Heißleiter oder eine Varistoranordnung nicht ohne weiteres hergestellt werden können. Die Anordnung
nach der Erfindung hat insbesondere den Vorteil, daß sie weitgehend unabhängig-von Temperatureffekten
ist, zumal dann, wenn das Magnetfeld primär von einem mit dem Halbleiterwiderstand zusammen-
r» 805 789/374
Claims (9)
1. Halbleiterbauelement, dessen elektrischer Widerstand eine Funktion des ihn durchfließenden
Stromes ist, als Regel-, Schalt- oder sonstiges Ubertragungs- oder Schwingungserzeugungsorgan,
dadurch gekennzeichnet, daß der Widerstand der Anordnung durch den Gaußeffekt im Halbleiter
gesteuert ist, der durch das auf den Halbleiter rückgekoppelte, durch den die Anordnung durchfließenden
Strom hervorgerufene Magnetfeld erzeugt und bestimmt ist.
2. Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß nur ein — gegebenenfalls variabler — Teil des den Halbleiter durchfließenden
Stromes zur Erzeugung des auf den Halbleiterkörper steuernd wirkenden Magnetfeldes ausgenutzt
ist.
3. Bauelement nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper mit
einem das Magnetfeld erzeugenden metallischen Leiter in Serie und/oder parallel geschaltet ist.
4. Bauelement nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen Leiter und Halbleiter
die Stromverteilung zwischen diesen beeinflussende Schaltelemente eingeschaltet sind.
5. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper
als dünnes Röhrchen oder dünne Platte bzw. Scheibe ausgebildet ist.
6. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis S, dadurch gekennzeichnet, daß ein stabförmiger
Leiter innerhalb eines röhrchenförmigen Halbleiters gegen dieses isoliert angeordnet und mit
diesem elektrisch derart hintereinander und/oder parallel geschaltet ist, daß die Stromrichtung in
beiden zueinander entgegengesetzt ist.
7. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß der als dünnes Röhrchen
oder dünner Draht ausgebildete Halbleiterkörper von einem mit ihm in Reihe und/oder parallel
liegenden und eine oder mehrere Drahtwindungen bildenden Leiter mit entgegengesetzt gerichteten
Magnetfeld umgeben ist.
8. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß ein — gegebenenfalls
radial durchflossener — scheibenförmiger Halbleiterkörper im Magnetfeld zwischen zwei leitenden
Spulen angeordnet ist, welche miteinander und mit dem Halbleiter in geeigneter Stromrichtung
zusammengeschaltet sind.
9. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß der magnetisch gesteuerte
Halbleiterteil gegen den steuernden Teil durch eine Ferritschicht getrennt ist.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Patentschrift Nr. 310 012.
Deutsche Patentschrift Nr. 310 012.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
© 809-789/374 3.59
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DES45193A DE1054543B (de) | 1955-08-16 | 1955-08-16 | Halbleiterbauelement, dessen elektrischer Widerstand eine Funktion des ihn durchfliessenden Stromes ist |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DES45193A DE1054543B (de) | 1955-08-16 | 1955-08-16 | Halbleiterbauelement, dessen elektrischer Widerstand eine Funktion des ihn durchfliessenden Stromes ist |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1054543B true DE1054543B (de) | 1959-04-09 |
Family
ID=7485445
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DES45193A Pending DE1054543B (de) | 1955-08-16 | 1955-08-16 | Halbleiterbauelement, dessen elektrischer Widerstand eine Funktion des ihn durchfliessenden Stromes ist |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE1054543B (de) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1118330B (de) | 1960-04-30 | 1961-11-30 | Siemens Ag | Halbleiteranordnung, die auf der Ausnutzung des magnetischen Widerstandseffekts beruht |
| DE1155519B (de) * | 1959-06-24 | 1963-10-10 | Siemens Ag | Steuerbare Widerstandsanordnung mit einem von einem Magnetfeld beeinflussten Halbleitersystem |
| DE1174410B (de) | 1958-09-09 | 1964-07-23 | Siemens Ag | Elektrische Halbleiteranordnung |
| FR2203125A1 (de) * | 1972-10-11 | 1974-05-10 | Ibm |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE310012C (de) * |
-
1955
- 1955-08-16 DE DES45193A patent/DE1054543B/de active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE310012C (de) * |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1174410B (de) | 1958-09-09 | 1964-07-23 | Siemens Ag | Elektrische Halbleiteranordnung |
| DE1155519B (de) * | 1959-06-24 | 1963-10-10 | Siemens Ag | Steuerbare Widerstandsanordnung mit einem von einem Magnetfeld beeinflussten Halbleitersystem |
| DE1118330B (de) | 1960-04-30 | 1961-11-30 | Siemens Ag | Halbleiteranordnung, die auf der Ausnutzung des magnetischen Widerstandseffekts beruht |
| FR2203125A1 (de) * | 1972-10-11 | 1974-05-10 | Ibm |
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