[go: up one dir, main page]

DE1054543B - Halbleiterbauelement, dessen elektrischer Widerstand eine Funktion des ihn durchfliessenden Stromes ist - Google Patents

Halbleiterbauelement, dessen elektrischer Widerstand eine Funktion des ihn durchfliessenden Stromes ist

Info

Publication number
DE1054543B
DE1054543B DES45193A DES0045193A DE1054543B DE 1054543 B DE1054543 B DE 1054543B DE S45193 A DES45193 A DE S45193A DE S0045193 A DES0045193 A DE S0045193A DE 1054543 B DE1054543 B DE 1054543B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
semiconductor
magnetic field
component according
conductor
current
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DES45193A
Other languages
English (en)
Inventor
Dr Eberhard Groschwitz
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens Corp
Original Assignee
Siemens Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Corp filed Critical Siemens Corp
Priority to DES45193A priority Critical patent/DE1054543B/de
Publication of DE1054543B publication Critical patent/DE1054543B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03CMODULATION
    • H03C1/00Amplitude modulation
    • H03C1/08Amplitude modulation by means of variable impedance element
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05BCONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B24/00Open-loop automatic control systems not otherwise provided for
    • G05B24/02Open-loop automatic control systems not otherwise provided for electric
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04MTELEPHONIC COMMUNICATION
    • H04M19/00Current supply arrangements for telephone systems
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N50/00Galvanomagnetic devices
    • H10N50/10Magnetoresistive devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Thermistors And Varistors (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)

Description

Es sind Halbleiterbauelemente bekannt, deren Widerstand sich in Abhängigkeit von dem diese durchfließenden elektrischen Strom infolge ihrer Temperaturänderung verändert. Insbesondere besitzen diese Anordnungen vielfach eine negative Widerstands-Strom-Charakteristik. Diese Bauelemente werden als Heißleiter bezeichnet. Sie sind im allgemeinen aus oxydischen Halbleitern aufgebaut. Es gibt ferner Halbleiterwiderstände mit negativer Strom-Spannungs-Charakteristik, welche in der deutschsprachigen Literatur im allgemeinen als Varistoren bezeichnet werden und meistens auf der Grundlage von Siliziumcarbid aufgebaut sind.
Die Erfindung bezieht sich auf ein Halbleiterbauelement, dessen elektrischer Widerstand eine Funktion des ihn durchfließenden Stromes ist und das als Regel-, Schalt- oder sonstiges Übertragungs- oder Schwingungserzeugungsorgan verwendbar ist. Gemäß -der Erfindung ist vorgesehen, daß der Widerstand der Anordnung durch den Gaußeffekt im Halbleiter ge- ao steuert ist, der durch das auf den Halbleiter rückgekoppelte, durch den die Anordnung durchfließenden Strom hervorgerufene Magnetfeld erzeugt und bestimmt ist. Durch geeignete Dimensionierung und Formgebung des Halbleiterkörpers sowie durch geeignete Orientierung des Magnetfeldes zu ihm lassen sich gewünschte Strom-Widerstands-Charakteristiken erzeugen.
Es sind zwar Verfahren zur Verstärkung und Umformung von Wechselströmen und zur Erzeugung elektrischer Schwingungen bekannt, bei denen der sogenannte Halleffekt in der Weise benutzt wird, daß das durch die zu verstärkenden Ströme in. einer Spule erzeugte Magnetfeld auf eine stromdurchflossene leitende Fläche einer geeigneten Substanz wirkt und die dadurch erzeugte transversale, elektromotorische Kraft den verstärkten Strom liefert. Auf diese Weise wird ein Sechspöl geschaffen. An zwei seiner Klemmen 'liegt ein zur Erzeugung des Halleffektes unbedingt erforderlicher, mit eigener, einen konstanten Strom liefernden ■ Spannungsquelle" ausgestatteter Hilfsstromkreis. Unabhängig davon liegt an einem weiteren-Klemmenpaar der - steuernde Wechselstrom, so daß entsprechend seinen Schwankungen im eigens hierfür vorgesehenen Ausgangskreis dieser Schwankungen entsprechende Wechselspannungen induziert werden. Bei Verwendung als Oszillator ist"eine'weitere Oszillatorrückkopplung erforderlich.
Zum Unterschied hierzu wird gemäß der Erfindung ein neues, zweipoliges Bauelement angegeben, das keine Fremdstromspeisung benötigt. Bei der Anordnung gemäß der Erfindung stellt sich ein bestimmter Widerstand entsprechend der ge wählten Widerstands-Strom-Charakteristik, ähnlich Halbleiterbauelement,
dessen elektrischer Widerstand
eine Funktion des ihn durchfließenden
Stromes ist
Anmelder:
Siemens & Halske Aktiengesellschaft,
Berlin und München,
München 2, Witteisbacherplatz 2
Dr. Eberhard Groschwitz, München,
ist als Erfinder genannt worden
wie beispielsweise bei einer Heißleiter-oder Väristoranordnung, ein. . '.
Gemäß einer besonderen Ausbildung der Erfindung wird nicht der gesamte den Halbleiter durchfließende Sfrom, sondern nur. ein gegebenenfalls variabler Teil desselben zur Erzeugung des auf den Halbleiterkörper "steuernd wirkenden" Magneffeides benutzt. Dabei kann der zur Steuerung ausgenutzte.Teil: des "Stromes· durch bekannte Schaltmittel, beispielsweise nach Art eines Potentiometers, verändert werden, oder .es können selbsttätig wirkende Schaltmittel. in Form anderer Halbleiterbauelemente,· beispielsweise mittels einer VaristorahoTdnuing, ■ einer Herßleiterano>rdnuinig und/ oder einer 'Transisforanofdnung,.; zu diesem Zweck vorgesehen sein. Sofern der Halbleiter von" Wechselstrom -durchflossen- "ist," kann^ unter Umständen ein gleichgerichteter Strom zur Magnferfelderzeugung· benutzt-werden. Ferner ist es auch möglich;, daß das magnetische Fel'd nur auf 'einen- -— gegebenenfalls veränderbaren'—- Teil des Halbleiiterkörpers wirkt.
Das Halbleiterbauelement* nach der Erfindung ist in der Regeltechnik, Fernmeldetechnik und Schaltteehnik, gegebenenfalls auch in der Starkstromtechnik anwendbar, vor allem in den Fällen, in denen die gewünschten Widerstands-Strom-Charakteristiken durch einen Heißleiter oder eine Varistoranordnung nicht ohne weiteres hergestellt werden können. Die Anordnung nach der Erfindung hat insbesondere den Vorteil, daß sie weitgehend unabhängig-von Temperatureffekten ist, zumal dann, wenn das Magnetfeld primär von einem mit dem Halbleiterwiderstand zusammen-
r» 805 789/374

Claims (9)

geschalteten temperaturutiabhängigen Leiter erzeugt wird. Grundsätzlich kann die Halbleiteranordnung nach der Erfindung aus einem aus mehreren Windungen bestehenden drahtförmigen Halbleiter bestehen, welche derart zueinander orientiert sind, daß sie miteinander magnetisch in der Weise rückgekoppelt sind, daß mindestens in einem Teil des Halbleiterdrahtes der Gaußeffekt wirksam wird. Gemäß einer besonderen Ausbildung der Erfindung ist der mindestens in einer Dimension sehr dünne Halbleiterkörper, welcher beispielsweise Röhrchenform oder die Gestalt einer dünnen Platte besitzt, mit einem metallischen Leiter derart zusammengeschaltet, daß der metallische Leiter das den Gaußeffekt im Halbleiterkörper erzeugende Magnetfeld liefert. In der Zeichnung sind einige Ausführungsformen des Bauelementes nach der Erfindung beispielsweise dargestellt, an Hand deren der Erfindungsgedanke näher erläutert sei. In Fig. 1 bedeutet 1 einen von einer Isolierschicht 2 aus Keramik, Kunststoff oder noch besser aus Ferrit umgebenen metallischen Leiter in Form eines Drahtes oder Kabels. Der Leiter 1 ist auf einem gewissen Teil seiner Länge von einem dünnen Mantel 3 aus einem halbleitenden Stoff, z. B. Germanium, Silizium oder einer A111 Bv-Verbindung, umgeben. Durch sperrfreie Kontakte sind der Leiter 1 und der Halbleiter 3 mittels einer leitenden Verbindung 4 hintereinandergeschaltet, und zwar so, daß sie in entgegengesetzten Richtungen, welche durch Pfeile angedeutet sind, vom 3" Strom durchflossen werden. Das magnetische Feld des metallischen Leiters 1 erzeugt in dem halbleitenden Mantel 3 einen merklichen Gaußeffekt, wenn der Mantel 3 nach Maßgabe der vorhandenen Stromstärken und Feldstärken geeignet dimensioniert ist. Der Widerstand des Halbleiters 3 wird auf diese Weise durch das magnetische Feld des Leiters 1 gesteuert. In dem Verbindungsweg 4 können unter Umständen erwähnte Schaltmittel, z. B. ein Varistor, Heißleiter und/oder veränderbarer ohmscher Widerstand, eingebaut sein, durch den die magnetische Steuerwirkung variiert werden kann. Bei der Anordnung gemäß Fig. 2 sind die Verhältnisse insofern umgekehrt, als der als dünnes Röhrchen oder dünner Draht ausgebildete Halbleiterkörper 5 von einem mit ihm in Reihe liegenden und mehrere Drahtwindungen bildenden Leiter 6 umgeben ist. Ein weiteres Ausführungsbeispiel zeigt Fig. 3. Hier ist ein radial durchflossener scheibenförmiger Halbleiter 7 im Magnetfeld zweier leitender Spulen 8 und 9 angeordnet, welche miteinander und mit dem Halbleiter in geeigneter Stromrichtung in Serie geschaltet sind. Durch die Anordnung nach der Erfindung lassen sich gewünschte, für die verschiedenen Anwendungszwecke geeignete, Widerstands-Strom-Charakteristiken bzw. entsprechende funktionale Abhänigkeiten erzeugen. Insbesondere ist es z. B. möglich, Anordnungen mit negativer Charakteristik herzustellen, die in geeigneter Oszillatorschaltung zur Schwingungserzeugung ausnutzbar sind. Patentansprüche:
1. Halbleiterbauelement, dessen elektrischer Widerstand eine Funktion des ihn durchfließenden Stromes ist, als Regel-, Schalt- oder sonstiges Ubertragungs- oder Schwingungserzeugungsorgan, dadurch gekennzeichnet, daß der Widerstand der Anordnung durch den Gaußeffekt im Halbleiter gesteuert ist, der durch das auf den Halbleiter rückgekoppelte, durch den die Anordnung durchfließenden Strom hervorgerufene Magnetfeld erzeugt und bestimmt ist.
2. Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß nur ein — gegebenenfalls variabler — Teil des den Halbleiter durchfließenden Stromes zur Erzeugung des auf den Halbleiterkörper steuernd wirkenden Magnetfeldes ausgenutzt ist.
3. Bauelement nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper mit einem das Magnetfeld erzeugenden metallischen Leiter in Serie und/oder parallel geschaltet ist.
4. Bauelement nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen Leiter und Halbleiter die Stromverteilung zwischen diesen beeinflussende Schaltelemente eingeschaltet sind.
5. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper als dünnes Röhrchen oder dünne Platte bzw. Scheibe ausgebildet ist.
6. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis S, dadurch gekennzeichnet, daß ein stabförmiger Leiter innerhalb eines röhrchenförmigen Halbleiters gegen dieses isoliert angeordnet und mit diesem elektrisch derart hintereinander und/oder parallel geschaltet ist, daß die Stromrichtung in beiden zueinander entgegengesetzt ist.
7. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß der als dünnes Röhrchen oder dünner Draht ausgebildete Halbleiterkörper von einem mit ihm in Reihe und/oder parallel liegenden und eine oder mehrere Drahtwindungen bildenden Leiter mit entgegengesetzt gerichteten Magnetfeld umgeben ist.
8. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß ein — gegebenenfalls radial durchflossener — scheibenförmiger Halbleiterkörper im Magnetfeld zwischen zwei leitenden Spulen angeordnet ist, welche miteinander und mit dem Halbleiter in geeigneter Stromrichtung zusammengeschaltet sind.
9. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß der magnetisch gesteuerte Halbleiterteil gegen den steuernden Teil durch eine Ferritschicht getrennt ist.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Patentschrift Nr. 310 012.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
© 809-789/374 3.59
DES45193A 1955-08-16 1955-08-16 Halbleiterbauelement, dessen elektrischer Widerstand eine Funktion des ihn durchfliessenden Stromes ist Pending DE1054543B (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES45193A DE1054543B (de) 1955-08-16 1955-08-16 Halbleiterbauelement, dessen elektrischer Widerstand eine Funktion des ihn durchfliessenden Stromes ist

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES45193A DE1054543B (de) 1955-08-16 1955-08-16 Halbleiterbauelement, dessen elektrischer Widerstand eine Funktion des ihn durchfliessenden Stromes ist

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1054543B true DE1054543B (de) 1959-04-09

Family

ID=7485445

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DES45193A Pending DE1054543B (de) 1955-08-16 1955-08-16 Halbleiterbauelement, dessen elektrischer Widerstand eine Funktion des ihn durchfliessenden Stromes ist

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE1054543B (de)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1118330B (de) 1960-04-30 1961-11-30 Siemens Ag Halbleiteranordnung, die auf der Ausnutzung des magnetischen Widerstandseffekts beruht
DE1155519B (de) * 1959-06-24 1963-10-10 Siemens Ag Steuerbare Widerstandsanordnung mit einem von einem Magnetfeld beeinflussten Halbleitersystem
DE1174410B (de) 1958-09-09 1964-07-23 Siemens Ag Elektrische Halbleiteranordnung
FR2203125A1 (de) * 1972-10-11 1974-05-10 Ibm

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE310012C (de) *

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE310012C (de) *

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1174410B (de) 1958-09-09 1964-07-23 Siemens Ag Elektrische Halbleiteranordnung
DE1155519B (de) * 1959-06-24 1963-10-10 Siemens Ag Steuerbare Widerstandsanordnung mit einem von einem Magnetfeld beeinflussten Halbleitersystem
DE1118330B (de) 1960-04-30 1961-11-30 Siemens Ag Halbleiteranordnung, die auf der Ausnutzung des magnetischen Widerstandseffekts beruht
FR2203125A1 (de) * 1972-10-11 1974-05-10 Ibm

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO1998006110A1 (de) In hybridtechnik hergestellte abgleichbare spannungsteiler-anordnung
DE102017223322A1 (de) Transformatorkern und Transformator
DE60304460T2 (de) Stromsensor mit einem einen Luftspalt aufweisenden Magnetkern und damit ausgerüstete Energieversorgungsschaltung
DE1054543B (de) Halbleiterbauelement, dessen elektrischer Widerstand eine Funktion des ihn durchfliessenden Stromes ist
DE3029295A1 (de) Elektrischer widerstand
DE3133036A1 (de) "motordrehzahl-steuersystem"
DE1134754B (de) Hallspannungserzeuger, insbesondere fuer Multiplikations-, Modulations- oder Frequenz-umwandlungszwecke
DE1261938C2 (de) Schaltungsanordnung zur regelung der feldstaerke eines elektromagneten
DE3152015C2 (de) Elektronische Zündvorrichtung für Brennkraftmaschinen
DE1187267B (de) Impulsbreitenmodulator
DE10028448C2 (de) Einrichtung zur galvanisch getrennten Messung eines in einem Leiter fließenden elektrischen Stromes unter Verwendung eines Hallelements
DE1187688B (de) Modulator mit Ausnutzung des Halleffektes
DE1105005B (de) Zweidrahtverstaerker-Station mit negativen Widerstaenden
DE3133044C2 (de) "Impulsleistungs-Steuersystem"
DE2641599C3 (de) Schaltungsanordnung zum Betrieb eines dreipoligen Hall-Effekt-Bauelementes
DE1255790B (de) Anordnung zur Phasenanschnittssteuerung steuerbarer elektrischer Ventile
DE1043393B (de) Elektronische Torschaltung
DE3008583A1 (de) Impulstransformator
DE2212286C3 (de) Vorrichtung zur Steuerung des Stromes im Lastkreis einer Gleichstromquelle
DE1040079B (de) Anordnung zur Rueckkopplung von eine magnetflusserzeugende Einrichtung enthaltenden elektrischen Stromkreisen
DE1438234B2 (de) Anordnung zur ueberwachung des fliessens von stroemen in stromkreisen
DE1011041B (de) Einrichtung, bei der ein in einem stromdurchflossenen Widerstandskoerper unter dem Einfluss eines Magnetfeldes auftretender Effekt ausgenutzt wird
DE1194448B (de) Magnetischer Oszillator in Form eines Multivibrators
EP0221324B1 (de) Signalwandler
DE1474504C3 (de) Integrierender Magnetkernimpulsspeicher