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DE1044283B - Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit Sperrschichtelektroden - Google Patents

Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit Sperrschichtelektroden

Info

Publication number
DE1044283B
DE1044283B DEN10948A DEN0010948A DE1044283B DE 1044283 B DE1044283 B DE 1044283B DE N10948 A DEN10948 A DE N10948A DE N0010948 A DEN0010948 A DE N0010948A DE 1044283 B DE1044283 B DE 1044283B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
semiconductor device
manufacturing
semiconducting body
junction electrodes
type
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DEN10948A
Other languages
English (en)
Inventor
Leonard Johan Tummers
Pieter Johannes Wilhel Jochems
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Gloeilampenfabrieken NV filed Critical Philips Gloeilampenfabrieken NV
Publication of DE1044283B publication Critical patent/DE1044283B/de
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D10/00—Bipolar junction transistors [BJT]
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
    • C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
    • H10D62/10—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D8/00—Diodes
    • H10D8/70—Tunnel-effect diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • H10P32/16—
    • H10P95/00—

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
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  • Materials Engineering (AREA)
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  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Description

DEUTSCHES
Die Erfindung behandelt die Herstellung einer Halbleiteranordnung, die einen halbleitenden Körper mit wenigstens einer Elektrode besitzt, die mit diesem Körper einen gleichrichtenden Kontakt bildet, insbesondere einer Kristalldiode oder eines Transistors.
Bei solchen Anordnungen, deren Wirkungsweise eng mit dem Vorhandensein sogenannter Minderheitsladungsträger im halbleitenden Körper verknüpft ist, wird die Wirkungsweise durch Rekombination dieser Ladungsträger mit den Mehrheitsladungsträgern im halbleitenden Material beeinträchtigt.
Diese Rekombination führt bei Transistoren z. B. einen niedrigeren Stromverstärkungsfaktor α herbei.
Der Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, daß an der Oberfläche eines halbleitenden Körpers von bestimmtem Leitfähigkeitstyp, entweder p- oder n-Typ, zumeist eine Schicht halbleitenden Materials von entgegengesetztem Leitfähigkeitstyp vorhanden ist.
Die Erfindung bezweckt, das Auftreten einer solchen Schicht zu verhüten.
Die Erfindung bezieht sich daher auf ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit Sperrschichtelektroden, bei der auf dem halbleitenden Körper, der eine bestimmte Verunreinigung vom einen Typus im Übermaß enthält, mindestens eine Legierungselektrode angebracht wird. Erfindungsgemäß wird eine Verunreinigung vom gleichen Typus direkt aus einem den halbleitenden Körper umgebenden Dampf einer Verbindung dieser Verunreinigung in die Oberflächenschicht durch Erhitzen eindiffundiert, und es wird dann mindestens eine gleichrichtende Legierungselektrode auf der Oberflächenschicht des halbleitenden Körpers angeschmolzen.
Es sei bemerkt, daß es an sich zwar bekannt ist, die Oberfläche eines halbleitenden Körpers derart zu behandeln, daß dieses Merkmal auftritt, aber in diesem Fall war die Schicht so dick, daß sie an den Elektroden intakt blieb. Die bekannte Maßnahme zielte auf Rauschverringerung eines Transistors hin.
Die Erfindung wird an Hand zweier in der Zeichnung dargestellter Ausführungsbeispiele näher erläutert.
Die Zeichnung zeigt einen gemäß dem Verfahren nach der Erfindung hergestellten Transistor in vergrößertem Maßstab.
Der Transistor nach Fig. 1 besteht aus einer Scheibe aus halbleitendem Material 1 vom η-Typ, z. B. antinionfaaltigem Germanium mit einem spezifischen Widerstand von 5 Ω cm. Die Mehrheitsladungsträger sind im vorliegenden Fall also freie Elektronen. Die Oberfläche 2 der Scheibe 1 weist einen stärkeren n-Typ auf. Die Konzentration der freien Elektronen ist hier also stärker. Dies ist dadurch bewirkbar, daß die Scheibe in einer Umgebung des Dampfes eines Verfahren zur Herstellung
einer Halbleiteranordnung
mit Sperrschichtelektroden
Anmelder:
N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken,
Eindhoven (Niederlande)
Vertreter: Dr. rer. nat. P. Roßbach, Patentanwalt,
Hamburg 1, Mönckebergstr. 7
Beanspruchte Priorität:
Niederlande vom 21. Juli 1954
Pieter Johannes Wilhelmus Jochems
und Leonard Johan Tummers,
Eindhoven (Niederlande),
sind als Erfinder genannt worden
Donators erhitzt wird, z. B. einer Antimonverbindung wie z. B. Sb Cl3. Beiderseits der Oberfläche werden anschließend eine Emitterelektrode 3 und eine Kollektorelektrode 4 aufgeschmolzen, die aus einer Legierung von Germanium und Indium bestehen. Beim Abkühlen bilden sich dünne, aus Germanium vom p-Typ bestehende Schichten 5 und 6. Wie aus der Zeichnung hervorgeht, durchdringen die Elektroden vollkommen die Oberflächenschicht 2.
Eine ohmsche Basiselektrode 7 ist seitlich von den Elektroden 3 und 4 an der Scheibe 1 festgelötet.
Der Transistor nach Fig. 2 entspricht im wesentlichen dem nach Fig. 1, ausgenommen, daß die Leitfähigkeitstypen der entsprechenden Teile entgegengesetzt sind. Der halbleitende Körper 1 besteht aus indiumhaltigem Germanium mit einem spezifischen Widerstand von 8 Ω cm; er wurde in einer Umgebung einer Borverbindung, wie z. B. B Cl3, erhitzt, um an der Oberfläche eine p+-Schicht zu erhalten. Die Mehrheitsladungsträger sind in diesem Fall »Löcher«. Die Emitterelektrode 3 und die Kollektorelektrode 4 bestehen aus einer Blei-Antimon-Legierung, die Schichten 5 und 6 aus Germanium vom n-Typ.

Claims (1)

  1. PATENTANSPRUCH:
    Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit Sperrschichtelektroden, bei der auf
    ;' 809 679/274
    dem halbleitenden Körper, der eine bestimmte Verunreinigung von einem Typus im Übermaß enthält, mindestens eine Legierungselektrode angebracht wird, dadurch gekennzeichnet, daß eine Verunreinigung vom gleidhen Typus direkt aus einem den halbleitenden Körper umgebenden
    Dampf einer Verbindung dieser Verunreinigung in die Oberflächenschicht durch Erhitzen eindiffundiert wird und daß dann mindestens eine gleichrichtende Legierungselektrode auf der Oberflächenschicht des halbleitenden Körpers angeschmolzen· -wird.
    Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
    @ «09 679/274 11.58
DEN10948A 1954-07-21 1955-07-16 Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit Sperrschichtelektroden Pending DE1044283B (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL334119X 1954-07-21

Publications (1)

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DE1044283B true DE1044283B (de) 1958-11-20

Family

ID=19784480

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEN10948A Pending DE1044283B (de) 1954-07-21 1955-07-16 Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit Sperrschichtelektroden

Country Status (7)

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US (1) US2868683A (de)
BE (1) BE539938A (de)
CH (1) CH334119A (de)
DE (1) DE1044283B (de)
FR (1) FR1137424A (de)
GB (1) GB783647A (de)
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Also Published As

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