[go: up one dir, main page]

DE1043392B - Electronic storage device - Google Patents

Electronic storage device

Info

Publication number
DE1043392B
DE1043392B DEB41555A DEB0041555A DE1043392B DE 1043392 B DE1043392 B DE 1043392B DE B41555 A DEB41555 A DE B41555A DE B0041555 A DEB0041555 A DE B0041555A DE 1043392 B DE1043392 B DE 1043392B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
diode
voltage
amplifier
pulse
reading
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DEB41555A
Other languages
German (de)
Inventor
Raymond Bird
Brian Taylor
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
British Tabulating Machine Co Ltd
Original Assignee
British Tabulating Machine Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from GB2483855A external-priority patent/GB813743A/en
Application filed by British Tabulating Machine Co Ltd filed Critical British Tabulating Machine Co Ltd
Publication of DE1043392B publication Critical patent/DE1043392B/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/26Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using discharge tubes
    • G11C11/28Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using discharge tubes using gas-filled tubes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine elektronische Speichereinrichtung für Daten, Informationen u. dgl. Sie bezweckt die Schaffung eines einfach aufgebauten binären Speichers mit gasgefüllten Dioden, bei dem die gespeicherten Informationen schnell zugänglich sind. Sie soll ferner eine erhöhte Betriebssicherheit und Stabilität bei einer solchen Einrichtung ermöglichen, wobei das Einführen und Ablesen von Informationen bei dem Speicher mit Hilfe eines für beide Zwecke verwendbaren Verstärkers vorgenommen werden kann.The invention relates to an electronic storage device for data, information and the like. Its purpose is to create a simply structured binary memory with gas-filled diodes, in which the stored information is quickly accessible. It is also intended to increase operational reliability and enable stability in such a device, with the introduction and reading of information can be made in the memory with the aid of an amplifier which can be used for both purposes can.

Es ist bereits bekannt, Gasdioden als Speicherelemente zum Speichern von Informationen zu verwenden. Im einfachsten Fall kann dabei je ein Widerstand an die beiden Elektroden einer solchen Diode angeschlossen werden, und die freien Enden der Widerstände werden dann an zwei Spannungsleitungen angeschlossen. Die Spannung zwischen den beiden Leitungen ist dabei größer als diejenige Spannung, die sich bei Stromfluß über der Diode einstellt, jedoch niedriger als die Zündspannung, so daß sich die Diode normalerweise in nichtleitendem Zustand befindet. Wenn ein Impuls entsprechender Polarität an eine der beiden Elektroden^ angelegt wird, kann die über der Diode abfallende Spannung gleich der Zündspannung gemacht werden, so daß die Diode ionisiert wird und eine binäre »Eins« registriert. Die angelegte Spannung ist dabei so hoch zu bemessen, daß die Diode nach der Ionisierung im leitenden Zustand bleibt. Der leitende oder nichtleitende Zustand der Diode kann dabei visuell, photoelektrisch oder in anderer geeigneter Weise festgestellt werden. Die Löschung der Information erfolgt dadurch, daß die Spannung abgeschaltet wird, so daß die Röhre entionisiert werden kann.It is already known to use gas diodes as storage elements for storing information. In the simplest case, a resistor can be connected to each of the two electrodes of such a diode and the free ends of the resistors are then connected to two voltage lines. The voltage between the two lines is greater than the voltage that occurs when current flows across the diode, but is lower than the ignition voltage, so that the diode normally in a non-conductive state. If a pulse of the corresponding polarity is sent to one of the both electrodes ^ is applied, the voltage drop across the diode can be equal to the ignition voltage can be made so that the diode is ionized and registers a binary "one". The applied voltage must be dimensioned so high that the diode remains in the conductive state after ionization. The chief or non-conductive state of the diode can be visual, photoelectrically or in some other suitable way Way to be determined. The information is deleted by switching off the voltage so that the tube can be deionized.

Wenn nun eine größere Zahl binärer Werte zu speiehern ist, können mehrere Dioden in Reihen und Spalten einer Matrix angeordnet werden. Dabei wird eine Spannung an alle Dioden einer Reihe gemeinsam angelegt, jedoch nicht als kontinuierlicher Spannungswert, sondern in Form kurzer »treibender« Impulse, wobei die Zeit zwischen aufeinanderfolgenden Impulsen kürzer als die Entionisierungszeit der Dioden ist. Wenn dann eine geeignete Spannung an eine Leitung angelegt wird, die gemeinsam mit entsprechenden Elektroden aller Dioden einer Spalte verbunden ist, wird nur diejenige Diode ionisiert werden, die beide Spannungen erhält. Wenn die angelegten Spannungsimpulse aufhören, wird in der entsprechenden Diode der Entionisierungsvorgang eingeleitet, jedoch wird sie durch den nächsten treibenden Impuls wieder ionisiert; in entsprechender Weise wird der Vorgang bei den weiteren Impulsen fortgesetzt. Wenn eine Diode zunächst ionisiert worden ist, wird sie durch anschließend folgende treibende Impulse in einem teilweise Elektronische SpeichereinrichtungIf now to store a larger number of binary values several diodes can be arranged in rows and columns of a matrix. This is a Voltage applied to all diodes in a row together, but not as a continuous voltage value, but in the form of short "driving" impulses, the time between successive pulses being shorter than the deionization time of the diodes. When a suitable voltage is then applied to a line, it is shared with the corresponding Electrodes of all diodes of a column are connected, only that diode will be ionized, both of them Tensions received. When the applied voltage pulses cease, the corresponding diode is turned on the deionization process is initiated, but it is ionized again by the next driving impulse; the process is continued in a corresponding manner with the further pulses. If a diode is initially ionized, it is partially transformed into one by subsequent driving impulses Electronic storage device

Anmelder:Applicant:

The British Tabulating Machine
Company Limited, London
The British Tabulating Machine
Company Limited, London

Vertreter:Representative:

Dipl.-Ing. W. Cohausz und Dipl.-Ing. W. Florack,
Patentanwälte, Düsseldorf, Schumannstr. 97
Dipl.-Ing. W. Cohausz and Dipl.-Ing. W. Florack,
Patent attorneys, Düsseldorf, Schumannstr. 97

Beanspruchte Priorität:
Großbritannien vom 30. August 1955
Claimed priority:
Great Britain 30 August 1955

Raymond Bird, Letchworth, Hertfordshire,
und Brian Taylor, Amesbury, Wiltshire
Raymond Bird, Letchworth, Hertfordshire,
and Brian Taylor, Amesbury, Wiltshire

(Großbritannien),
sind als Erfinder genannt worden
(Great Britain),
have been named as inventors

ionisierten Zustand gehalten werden. Die Löschung der gespeicherten Information erfolgt in der Weise, daß die Impulse unterdrückt werden, so daß in den Dioden der Entionisierungsvorgang abgeschlossen werden kann. Die in einer Diodenreihe gespeicherte Information wird dadurch abgefragt, daß an die entsprechende Reihenleitung ein Impuls angelegt wird, dessen Amplitude so hoch ist, daß eine erneute Ionisation der im teilweise ionisierten Zustand erhaltenen Dioden durch die treibenden Impulse erfolgt.ionized state. The stored information is deleted in such a way that that the pulses are suppressed, so that the deionization process is completed in the diodes can be. The information stored in a row of diodes is queried by sending the corresponding Row line a pulse is applied, the amplitude of which is so high that re-ionization of the diodes obtained in the partially ionized state is carried out by the driving pulses.

Ein erheblicher Nachteil einer solchen Schaltung einer Matrix ist, daß die gesamte von der Matrix aufgenommene Leistung von der Impulsquelle der treibenden Impulse aufzubringen ist. Da diese Impulse verhältnismäßig kurz sind, sind die entsprechenden Einrichtungen zur Aufbringung der Leistung bei einer verhältnismäßig großen Matrix erheblich komplizierter und aufwendiger, als wenn eine entsprechende Gleichstromquelle verwendet würde. Ein weiterer Nachteil ist, daß die Information bei einer Reihe gleichzeitig abgefragt oder gelöscht werden muß, und der Löschvorgang bedingt ein Schalten der verhältnismäßig starken treibenden Impulse.A significant disadvantage of such a circuit of a matrix is that all of the material taken up by the matrix Power is to be applied by the pulse source of the driving pulses. Because these impulses are relatively short, the corresponding facilities for providing the service are at a relatively large matrix considerably more complicated and expensive than if a corresponding one DC power source would be used. Another disadvantage is that the information is in a number must be queried or deleted at the same time, and the deletion process requires switching the proportionately strong driving impulses.

Die Erfindung bezweckt, diese Nachteile zu beheben.The invention aims to remedy these disadvantages.

Gemäß der Erfindung' ist eine elektronische Infor-According to the invention 'is an electronic information

tm 678/144 tm 678/144

mationsspeichereinrichtung vorgesehen, welche eine gasgefüllte Diode aufweist, mit deren einer Elektrode eine Spannungsquelle über eine Belastungsimpedanz verbunden ist, und deren zweite Elektrode drei Eingangsverbindungen aufweist, von denen die erste mit zwei Verriegelungsleitungen über einen Widerstand und zwei nur in einer Richtung leitenden und entgegengesetzt geschalteten Schaltelementen verbunden ist, wobei die Spannungen an den Verriegelungsleitungen die zweite Elektrode gegenüber der ersten normalerweise auf einem solchen Potential halten, daß die Diode bei der Zündung in leitendem und bei Sperrung in gesperrtem Zustand gehalten wird, wobei die Verriegelungsspannungen jedoch derart umschaltbar sind, daß die zweite Elektrode freigegeben wird und sich ihr Potential dann entsprechend einer Potentialsteuerung auf der zweiten der drei Eingangsverbindungen so ändert, daß die Diode je nach Art des einzuspeichernden Informationselements zum Zünden oder Sperren veranlaßt wird, sowie ferner eine Einrichtung zur Einführung eines Ableseimpulses in die dritte Eingangsverbindung, wobei der Impuls gegenüber der Entionisierungszeit der Diode kurz ist, so daß ein Impuls über der Belastungsimpedanz bei gezündeter Diode erscheint, ohne daß der gezündete Zustand unterbrochen wird. Nach einer bevorzugten Ausführungsform sind dabei mehrere solcher Speicher derart geschaltet, daß sie eine Reihe bilden, und sie können parallel zu einem Ablese-Aufzeichnungs-Verstärker zusammengefaßt sein, wobei ein Speicher zum Ablesen oder Einführen gewählt wird durch Anlegen der Ableseimpulse bzw. Aufhören der Verriegelungsimpulse. mationsspeicheinrichtung provided which has a gas-filled diode, with one electrode a voltage source is connected across a load impedance, and its second electrode has three input connections has, the first of which with two locking lines via a resistor and two switching elements that are only conductive in one direction and connected in opposite directions are connected, the voltages on the interlocking leads normally the second electrode opposite the first Maintain at such a potential that the diode is conductive when ignited and when it is blocked is held in the locked state, but the locking voltages can be switched in such a way that that the second electrode is released and its potential then changes in accordance with a potential control on the second of the three input connections changes in such a way that the diode depends on the type of input to be stored Information element is caused to ignite or block, as well as a device for introducing a reading pulse into the third input connection, the pulse being opposite to the Deionization time of the diode is short, so that a pulse over the load impedance when ignited The diode appears without interrupting the ignited state. According to a preferred embodiment several such memories are connected in such a way that they form a row, and they can be combined in parallel to a read-record amplifier, with a memory for reading or Insertion is selected by applying the reading pulses or stopping the locking pulses.

Es können mehrere solcher Reihen vorgesehen sein, wobei die Teile der Reihen zu Spalten zusammengefaßt sind und eine Spalte zur Anlegung von Ableseimpulsen oder zum Abschalten von Verriegelungsimpulsen gewählt wird. Es können Verstärker an Schaltkreise angeschlossen werden, und diese können ein Schieberegister bilden. Als Schaltkreis sei eine Einrichtung bezeichnet, die z. B. über Kreuz gekoppelte Röhren, Transistoren oder ähnliche Schaltelemente enthält, so daß sie zwei stabile Schaltzustände hat. Der Schaltkreis kann durch entsprechende Impulse aus dem einen Schaltzustand in den anderen versetzt werden, und er kann ein Gleichstrompotential liefern, das seinen Schaltzustand angibt.A plurality of such rows can be provided, the parts of the rows being combined to form columns and a column for applying reading pulses or for switching off locking pulses is selected. There can be amplifiers on Circuits are connected, and these can form a shift register. The circuit is a Means the z. B. cross-coupled tubes, transistors or similar switching elements so that it has two stable switching states. The circuit can be triggered by appropriate pulses can be transferred from one switching state to the other, and it can supply a direct current potential, that indicates its switching status.

Erfindungsgemäß ist also im Gegensatz zu den erwähnten bekannten Speichern eine Schaltung vorgesehen, bei der die Leistung für die Diode von einer Gleichstromquelle aufgebracht wird, die nicht abgeschaltet zu werden braucht, um die Entionisierung einer Diode sicherzustellen. Eine Elektrode der Diode ist dabei mit einer Gleichspannungsquelle verbunden. Die zweite Elektrode ist über einen Widerstand und zwei entgegengesetzt gepolte Halbleiter-Dioden mit zwei Spannungsquellen verbunden. Diese Dioden sorgen normalerweise dafür, daß über der Gasdiode eine Spannung liegt, die ausreicht, die Diode im leitenden Zustand zu halten, wenn die Diode ionisiert ist, die aber nicht die Ionisation einleiten kann. Die zweite Elektrode ist über einen weiteren Widerstand mit der Anode einer Einstellröhre verbunden. Die Verriegelungswirkung der Halbleiter-Dioden verhindert, daß die Einstellröhre in unerwünschter Weise auf die Gasdiode einwirkt, jedoch wird durch Änderung der Spannung der Spannungsquellen und entsprechende Änderung der Verriegelungsspannung die Spannung bei der zweiten Elektrode je nach dem Zustand der Einstellröhre derart geändert, daß die Gasdiode entweder ionisiert oder entionisiert wird. Auf diese Weise wird durch eine geeignete Einstellung der Einstellröhre sowohl der Leit- als auch der Sperrzustand der Gasdiode gesteuert. Die Verriegelungsspannungen werden nur dann geändert, wenn die gespeicherte Information geändert werden soll und die Dauer der Änderung die Ionisationszeit übersteigt, so daß die Änderung durch verhältnismäß einfache Schalteinrichtungen, z. B. die Kontakte eines elektromagnetischen Relais, vorgenommen werden kann.According to the invention, in contrast to the known memories mentioned, a circuit is provided, in which the power for the diode is provided by a direct current source that is not switched off needs to be to ensure the deionization of a diode. One electrode of the diode is connected to a DC voltage source. The second electrode is across a resistor and two oppositely polarized semiconductor diodes connected to two voltage sources. These diodes take care normally for the fact that there is a voltage across the gas diode which is sufficient to keep the diode conductive Maintain state when the diode is ionized but cannot initiate ionization. The second Electrode is connected to the anode of an adjustment tube via a further resistor. The locking effect the semiconductor diodes prevents the adjustment tube from hitting the gas diode in an undesirable manner acts, however, by changing the voltage of the voltage sources and corresponding change the locking voltage is the voltage at the second electrode depending on the state of the adjustment tube changed so that the gas diode is either ionized or deionized. That way will through a suitable setting of the setting tube, both the conductive and the blocking state of the gas diode controlled. The locking voltages are only changed when the stored information is changed should be and the duration of the change exceeds the ionization time, so that the change through relatively simple switching devices, e.g. B. the contacts of an electromagnetic relay made can be.

Um die Abfrage vorzunehmen, wird ein Impuls von kurzer Dauer an die zweite Elektrode der Gasdiode angelegt. Wenn die Diode leitet, wird dieser Impuls von der Diode weitergegeben, und er kann an das Gitter der Einstellröhre zur Verstärkung weitergegeben werden.To make the query, a short pulse is sent to the second electrode of the gas diode created. When the diode conducts, this pulse is passed on by the diode and it can be sent to the grid the adjustment tube for amplification.

Mehrere Gasdioden dieser Art können mit einer einzigen Einstellröhre verbunden werden, und die Einstellröhre kann dann nur auf eine Diode einwirken, bei der die Verriegelungsspannungen geändert worden sind. Auf diese Weise ist es möglich, daß die eine Röhre die Einstellung beliebiger gewählter Dioden steuern kann oder aber alle Dioden in einer gewählten Reihenfolge. Es können auch weitere Einstellröhren vorgesehen sein, so daß man eine Matrix von Gasdioden erhält, von denen jede einzeln einstellbar ist.Several gas diodes of this type can be connected to a single adjustment tube, and the adjustment tube can then only act on a diode in which the locking voltages have been changed are. In this way it is possible for one tube to set any selected diodes can control or all diodes in a selected order. Further adjustment tubes can also be used be provided so that a matrix of gas diodes is obtained, each of which is individually adjustable.

Weitere Merkmale und Ausführungsbeispiele der Erfindung ergeben sich aus der Beschreibung, den Ansprüchen und den Zeichnungen. Ausführungsbeispiele der Erfindung werden an Hand der Zeichnungen beschrieben. Further features and exemplary embodiments of the invention emerge from the description and the claims and the drawings. Embodiments of the invention are described with reference to the drawings.

Fig. 1 zeigt im Blockschaltbild Speicher, die als Matrize mit Ablese/Aufzeichnungsverstärkern und -schaltern verbunden sind;Fig. 1 shows a block diagram of memories as a matrix with reading / recording amplifiers and switches are connected;

Fig. 2 zeigt ein Ausführungsbeispiel eines Speichers nach Fig. 1 ;FIG. 2 shows an embodiment of a memory according to FIG. 1;

Fig. 3 zeigt die Ablese/Aufzeichnungsverstärker nach Block 13 bis 16 der Fig. 1 und die Schaltkreise nach 17 bis 20 der Fig. 1;Fig. 3 shows the reading / recording amplifiers according to blocks 13 to 16 of Fig. 1 and the circuitry after 17 to 20 of Fig. 1;

Fig. 4 zeigt Schwingungsformen in bestimmten Punkten der Schaltungen nach Fig. 2 und 3, wobei die entsprechenden Spannungen und Zeiten beispielsweise angegeben sind;Fig. 4 shows waveforms at certain points in the circuits of Figs. 2 and 3, with the corresponding Voltages and times are given, for example;

Fig. 5 zeigt eine Impulssperre.Fig. 5 shows a pulse inhibitor.

Das Blockschaltbild der Fig. 1 zeigt eine aus Speichern aufgebaute Matrize, die zur Speicherung von drei Wörtern aus je vier binären Elementen geeignet ist. Die Speicherelemente 1, 4, 7 und 10 speichern ein Wort, die Speicherelemente 2, 5, 8 und 11 ein zweites Wort und die Speicherelemente 3, 6, 9, 12 ein drittes Wort. Aus den dargestellten Unterbrechungen der Leitungen ist erkennbar, daß weitere Spalten hinzugefügt werden können, um die Wortkapazität zu erhöhen, oder daß die Spaltenlänge vergrößert werden kann, um die Speicherelemente in einem Wort zu vermehren.The block diagram of FIG. 1 shows a matrix made up of memories which is used for storing three words from four binary elements each is suitable. The memory elements 1, 4, 7 and 10 store a Word, the memory elements 2, 5, 8 and 11 a second word and the memory elements 3, 6, 9, 12 a third Word. From the interruptions in the lines shown, it can be seen that additional columns have been added to increase the word capacity, or that the column length can be increased by the To multiply memory elements in one word.

Informationen werden den Schaltern 17, 18, 19 und 20 zugeführt und unter der Steuerung von Eingangsverstärkern 13, 14, 15 und 16 in eine der drei Spalten eingeführt; eine solche wird durch Entriegelungsspannungen gewählt, die paarweise an alle Elemente der gewählten Spalte angelegt werden, also an die Leitungen 21 und 22 oder 23 und 24 oder 25 und 26. Die Spannung, die von jedem, der Verstärker unter der Steuerung des mit ihm verbundenen Schalters geliefert wird, wird an die Reihen angelegt; Verstärker 13 liefert also diese Spannung über Leitung 27 an die Speicher 1, 2 und 3; Verstärker 14 über Leitung 28 an die Speicher 4, 5 und 6; Verstärker 15 über Leitung 29 an die Speicher 7, 8 und 9Λ und Verstärker 16 über Leitung 30 an die Speicher 10, Il und 12.Information is fed to switches 17, 18, 19 and 20 and introduced into one of the three columns under the control of input amplifiers 13, 14, 15 and 16; such is chosen by unlocking voltages applied in pairs to all elements of the selected column, i.e. to lines 21 and 22 or 23 and 24 or 25 and 26. The voltage applied by each of the amplifiers under the control of the one connected to it Switch is supplied, is applied to the rows; Amplifier 13 therefore supplies this voltage via line 27 to memories 1, 2 and 3; Amplifier 14 via line 28 to memories 4, 5 and 6; Amplifier 15 via line 29 to memories 7, 8 and 9 Λ and amplifier 16 via line 30 to memories 10, II and 12.

Die Ablesung eines Wortes erfolgt dadurch, daß eine der drei Leitungen 31, 32 und 33 und ebenso Leitung 53 einen Impuls erhält. Dann liefert jedes Speicherelement, das einen Impuls erhält und gerade leitet, einen Impuls an den in der Reihe mit ihm verbundenen Verstärker über die Leitungen 34, 35, 36 und 37 und wirkt auf die Verstärker, die ihrerseits die mit ihnen verbundenen Schalter 17, 18, 19 und 20 entsprechend betätigen. Fig. 2 zeigt Einzelheiten eines Speichers 1 Eh 1 bi i diThe reading of a word takes place in that one of the three lines 31, 32 and 33 and also line 53 receives an impulse. Then every storage element that receives a pulse and is currently conducting delivers a pulse to the amplifier connected to it in series via lines 34, 35, 36 and 37 and acts on the amplifier, which in turn controls the switches 17, 18, 19 and 20 connected to them accordingly actuate. Fig. 2 shows details of a memory 1 Eh 1 bi i di

Ein negativer Ableseimpuls auf der Primärseite 38 des Impulstransformators erzeugt einen positiven Impuls auf der Sekundärseite 42. Dieser Impuls gelangtA negative reading pulse on the primary side 38 of the pulse transformer generates a positive pulse on the secondary side 42. This pulse arrives

Schalter auf »0« geschaltet ist, wird das Gitter dieses Verstärkers auf »Nichtleitung« durch ein Potentiometer gehalten, das aus den Widerständen 45 und 46Switch is set to "0", the grid of this amplifier is set to "non-conduction" by a potentiometer held from the resistors 45 and 46

Leitung 27 hoch ist, würde eine gezündete Röhre zum Erlöschen gebracht.Line 27 is high, an ignited tube would be extinguished.

Der linke Teil der Fig. 3 zeigt einen Verstärker 13 der Fig. 1. Die Einrichtungen 14, 15 und 16 sind wie 5 13 aufgebaut. Der rechte Teil der Fig. 3 zeigt einen Schaltkreis entsprechend Block 17 in Fig. 1, der in an sich bekannter Weise als kathodengekoppelter Kippkreis ausgebildet ist. Die Einrichtungen 18, 19 und 20The left part of Fig. 3 shows an amplifier 13 of Fig. 1. The devices 14, 15 and 16 are like 5 13 built. The right part of FIG. 3 shows a circuit corresponding to block 17 in FIG is designed in a known manner as a cathode-coupled tilting circle. Facilities 18, 19 and 20

g g g sind wie 17 aufgebaut. Vor dem Ablesen werden dieg g g are structured like 17. Before reading, the

der Fig. 1. Die Einrichtungen 1 bis 12 weisen die io Schalter jeweils auf »0« gestellt, indem negative Imgleiche Bauart auf. pulse dem rechten Gitter 60 zugeführt werden, so daß Die gasgefüllte Diode ist vorzugsweise eine Neon- die linke Röhre leitet; Leitung 51 führt daher ihre diode. Die Anode ist über eine Leitung 34 an eine posi- niedrigere Spannung, wobei kein Signal aus den Speitive Spannung von z. B. 200 Volt gelegt, und zwar cherröhren abgelesen wird, wenn sie gesperrt sind, über die Primärwicklung 38 eines Impulstransforma- 15 Unter dieser Voraussetzung wird daher »0« auch dators, wie er in Fig. 3 in einem Ausführungsbeispiel des durch dargestellt, daß kein Eingangsimpuls aus dem Blocks 13 der Fig. 1 dargestellt ist. Die Kathode der Impulstransformator zum Schalter gelangt. Ein AbDiode ist über einen Widerstand 39 mit zwei entgegen- leseimpuls am Impulstransformator 42 bewirkt, daß gesetzt geschalteten Dioden verbunden. An diese ein negativer Impuls durch den Ablese/Aufzeichnungs-Dioden werden die Verriegelungs/Entriegelungsspan- 20 verstärker zum Schalter gelangt und ihn in den Zunungen über die Leitungen 21, 22 angeschlossen, die stand »1« versetzt, zur Wahl der Speicherelemente bei Einführung von
Daten dienen und auch zur Abschirmung unerwünscht
ter Schaltvorgänge zu anderen Zeiten. Die Kathode ist
ferner über einen hochohmigen Widerstand 40 mit der 25 über eine Absperrdiode 43 zum Gitter der Triode Leitung 27 verbunden, an die der Verstärker des 44 des Ablese/Aufzeichnungsverstärkers. Wenn der Blocks 13 die Aufzeichnungsspannung anlegt.
1. The devices 1 to 12 have the io switches each set to "0", with negative Im the same design. pulses are fed to the right grid 60 so that the gas-filled diode is preferably a neon- the left tube conducts; Line 51 therefore carries its diode. The anode is connected to a positive lower voltage via a line 34, with no signal from the speitive voltage of z. B. 200 volts, and that cherröhren is read when they are blocked, via the primary winding 38 of a pulse transformer no input pulse from block 13 of FIG. 1 is shown. The cathode of the pulse transformer goes to the switch. An AbDiode is connected via a resistor 39 to two counter-reading impulses on the pulse transformer 42, causing set-switched diodes. To this one negative pulse through the reading / recording diodes, the locking / unlocking voltage amplifiers are passed to the switch and connected to the switch in the tongues via lines 21, 22, which were offset by "1", for the selection of the memory elements when introducing
Data are used and also undesirable for shielding
ter switching operations at other times. The cathode is
also connected via a high-ohmic resistor 40 to the 25 via a cut-off diode 43 to the grid of the triode line 27, to which the amplifier of the 44 of the reading / recording amplifier. When the block 13 applies the recording voltage.

Die dritte Verbindungsleitung zur Kathode verläuft
über eine Kapazität 41 zur Ableseimpulsleitung 31. g
The third connection line to the cathode runs
Via a capacitance 41 to the reading pulse line 31. g

Wenn die Neondiode gesperrt ist und die Leitungen 21 30 besteht. Widerstand 45 liegt an der —150-Volt-Lei- und 22 auf ungefähr 100 Volt gehalten werden, ist die tung; Widerstand 46 ist mit der Anode der linken Spannung zu niedrig, um die Diode zu zünden. Wenn Triode des auf »0« gestellten Schalters verbunden, der die Diode leitet, fallen etwa 70 Volt über der Diode also die niedrigere Spannung führt, und etwa 30 Volt über dem Widerstand 39 ab; die Der an das Gitter angelegte positive Impuls bewirkt,When the neon diode is blocked and the lines 21 30 exist. Resistor 45 is on the —150 volt line and 22 held at about 100 volts is the device; Resistor 46 is left to the anode Voltage too low to ignite the diode. If the triode of the switch set to "0" is connected, the the diode conducts, about 70 volts fall across the diode so the lower voltage leads, and about 30 volts across the resistor 39; which the positive momentum applied to the grid causes,

Diode wird dabei weiterhin leitend bleiben und nicht 35 daß Röhre 44 leitend wird und einen entsprechenden durch den kleinen, durch den Widerstand 40 fließenden negativen Impuls über Kapazität 47 und die Diode 48 Strom beeinflußt werden. Nimmt man an, daß die ge- an das linke Gitter des Schalters legt, so daß die linke zündete Röhre einen bestimmten Wert repräsentiert Röhre sperrt. An der Verbindung der Kapazität 47 und die gesperrte Röhre »0« bedeutet, so wird beim und der Diode 48 ist ein Widerstand 49 angesehilcBsen, Anlegen eines kurzen negativen Ableseimpulses an die 40 dessen andere Seite geerdet ist. Ferner ist eine Diode Leitung 31 der über dem Transformator 38 auftretende 50 angeschlossen. Außer beim Auftreten eines AbIese-Impuls groß sein, wenn die Diodenimpedanz niedrig ist, impulses wird diese Diode auf einem höheren positiven also die Diode gezündet ist, und sie wird sehr klein sein, Potential als das linke Gitter des mit der Anode der wenn die Diodenimpedanz hoch ist, also die Röhre ge- Diode 48 verbundenen Schalters gehalten, so daß keine sperrt ist. Dieser Ableseimpuls muß sehr kurz sein 45 negativen Impulse zum Schalter gelangen können. Die (Fig. 4, Schwingungsform 31), z. B. 5 MikroSekunden. Schwingungsform 53 der Fig. 4 zeigt, wie diese arretie-Der Impuls muß gegenüber der Entionisierungszeit rende Spannung in der Ableseperiode verringert wird, kurz sein, weil a), wenn die Neonröhre beim Ablesen so daß, wie beschrieben, negative Impulse den Schalter gesperrt ist, der Impuls nicht so lang sein darf, daß er erreichen können. Der Schalter kann in beliebiger die Zündung der betreffenden Röhre bewirkt, und b), 50 Weise als Kreis aufgebaut sein, der zwei stabile weil keine anderen leitenden oder nichtleitenden Röh- Schaltstellungen hat, wobei a) der Kreis durch einen ren, die gemeinsam über die Transformatorwicklung kurzen Impuls von einem Zustand in den anderen um-38 gesteuert werden, umgeschaltet werden dürfen. geschaltet werden kann und b) eine Spannung geliefertThe diode will continue to be conductive and not tube 44 will be conductive and a corresponding one by the small negative pulse flowing through resistor 40 via capacitance 47 and diode 48 Electricity can be influenced. Assume that the ge attaches to the left grid of the switch, so that the left ignited tube represents a certain value tube locks. At the connection of the capacitance 47 and the blocked tube means "0", a resistor 49 is used at and diode 48, Apply a short negative reading pulse to the 40 whose other side is grounded. There is also a diode Line 31 of the 50 occurring above the transformer 38 is connected. Except when a reading pulse occurs be large, if the diode impedance is low, impulses this diode will be at a higher positive so the diode is ignited and it will be very small, as the left grid of the with the anode of the potential when the diode impedance is high, so the tube connected to diode 48 is kept connected so that no is locked. This reading pulse must be very short 45 negative pulses can reach the switch. the (Fig. 4, waveform 31), e.g. B. 5 microseconds. Waveform 53 of Fig. 4 shows how this arretie-The The pulse must be reduced in the reading period compared to the deionization time, be short because a) when the neon tube is reading so that, as described, negative pulses the switch is blocked, the pulse must not be so long that it can reach. The switch can be in any causes the ignition of the tube in question, and b), 50 ways to be constructed as a circle, the two stable ones because no other conductive or non-conductive Röh switch positions, where a) the circle through a ren, the short pulse from one state to the other in order to -38 controlled, may be switched. can be switched and b) a voltage is supplied

Zur Aufzeichnung von Werten wird eine Einspeicher- werden kann, die für den Zustand des Schaltkreises schaltspannung, die lang gegenüber der Ionisationszeit 55 kennzeichnend ist.In order to record values, a storage can be made for the state of the circuit switching voltage, which is long compared to the ionization time 55.

ist, z. B. 600 Mikrosekunden, an die Leitung 27 durch Die Schalter können zum Einführen oder Ablesenis e.g. 600 microseconds, to line 27 through the switches can be inserted or read

den Ablese/Aufzeichnungsverstärker 13 angelegt, und von Werten entweder parallel oder in Serie geschaltet für die Dauer dieser Periode werden die Spannungen sein.is applied to the read / record amplifier 13, and values are connected either in parallel or in series for the duration of this period the tensions will be.

auf den Leitungen 21 und 22 auf »0« bezw. »200« ge- Bei der Parallelschaltung erhält jedes linke Gitteron lines 21 and 22 to "0" respectively. Each left grid is given "200" when connected in parallel

ändert, wobei die Kathode nun der Spannungsänderung 60 negative Impulse über eine Impulssperre zur Einfühunter der Steuerung der Spannung der Leitung 27 frei rung einer »1«, und jedes rechte Gitter für den Einfolgen kann. Geeignete Schwingungsformen sind in gang einer »0«. Die Ablesung kann entweder dadurch Fig. 4 dargestellt. Sie sind so wie die Leitungen be- erfolgen, daß alle Schalter auf den Zustand »0« zuzeichnet, an die sie angelegt werden. Die Schwingungs- rückgestellt werden und die Impulse von den linken formen 21 und 22 zeigen Verriegelungs- bzw. Ent- 65 Anoden abgenommen werden oder indem man eine Imriegelungsspannungen. Die Spannungsänderung an der pulssperre verwendet, die von jeder linken Anode be-Diodenkathode 52 ist durch die Schwingungsform 52 tätigt wird. Im Falle der Reihenschaltung erscheint der dargestellt, und zwar in bezug auf ein Potential auf Eingang in einem ersten Schalter, und die Impulsfolge Leitung 27, das niedrig genug ist (z.B. 0 Volt), um die wird dadurch eingeschoben, daß die Einstellung eines Röhre zu zünden. Wenn dagegen die Spannung der 70 Schalters auf den nächsten Schalter übertragen wird.changes, the cathode now the voltage change 60 negative pulses via a pulse block to the introduction the control of the voltage of the line 27 releases a "1", and every right grid for the following can. Suitable waveforms are usually a »0«. The reading can be done either by Fig. 4 shown. Like the lines, they are made so that all switches are set to the "0" state, to which they are applied. The vibrations are reset and the impulses from the left Shapes 21 and 22 show locking and unlocking 65 anodes being removed or by applying an in-locking voltage. The voltage change across the pulse barrier used that of each left anode be-diode cathode 52 is effected by the waveform 52. In the case of series connection, the appears shown, in relation to a potential on input in a first switch, and the pulse train Line 27, which is low enough (e.g. 0 volts) to be inserted by setting a Ignite tube. If, on the other hand, the voltage of the 70 switches is transferred to the next switch.

Die Ablesung wird dann durch wiederholte Verschiebung vorgenommen, wobei die Impulse von dem letzten Schalter abgenommen werden.The reading is then taken by repetitive shifting, taking the pulses from the last one Switches can be removed.

Man kann die Einstellung eines Schalters auf einen anderen dadurch übertragen, daß man eine durch negative Impulse gesteuerte Sperre zwischen jeder Anode eines ersten Schalters und dem entsprechenden Gitter des nächsten umzuschaltenden Schalters anordnet. Fig. 5 zeigt eine geeignete Impulssperre, die sowohl bei Serien- als auch bei Parallelschaltung anwendbar ist. Sie besteht aus einer Doppeltriode, deren rechtes Gitter mit einem Potentiometer verbunden ist, das zwischen der positiven Leitung 61 und Erde liegt. Das Potentiometer besteht aus den Widerständen 62 und 63 und hält das Gitter normalerweise auf einer Spannung von 110 Volt. Die rechte Anode ist mit der positiven Spannungsleitung und die gemeinsame Kathode über Widerstand 64 mit Erde verbunden, so daß die Kathode auf einer Spannung von etwas mehr als +110 Volt gehalten wird. Das linke Gitter ist mit einer Anode des vorgeschalteten Schalters verbunden.One can transfer the setting of one switch to another by changing one with negative Pulse-controlled barrier between each anode of a first switch and the corresponding grid of the next switch to be switched. Fig. 5 shows a suitable pulse inhibitor which has both can be used for series as well as parallel connection. It consists of a double triode, the right one Grid is connected to a potentiometer which is between the positive line 61 and ground. That Potentiometer consists of resistors 62 and 63 and normally keeps the grid at a voltage of 110 volts. The right anode is connected to the positive voltage line and the common cathode is across Resistor 64 connected to ground so that the cathode is kept at a voltage of slightly more than +110 volts. The left grid is with an anode of the connected upstream switch.

Die linke Anode ist an die positive Leitung 61 über Widerstand 65 angeschlossen und ist über Kondensator 67 kapazitiv mit dem linken Gitter des benachbarten Schalters verbunden, der die Einstellung des vorangehenden Schalters aufnimmt. Das rechte Gitter ist kapazitiv gekoppelt mit der Schiebeimpulsleitung 66. Die linke Anode eines vorangehenden Schalters ist mit einem linken Gitter eines nachfolgenden Schalters über eine solche Impulssperre verbunden; ebenso ist die rechte Anode eines vorgeschalteten Schalters mit dem rechten Gitter eines benachbarten Schalters verbunden. Auf diese Weise kann die Spannung des linken Gitters der Sperre niemals über 100 Volt steigen, so daß normalerweise die linke Hälfte der Sperre nichtleitend ist. Beim Anlegen eines negativen Impulses von ungefährThe left anode is connected to positive lead 61 via resistor 65 and is via capacitor 67 capacitively connected to the left grid of the adjacent switch, which controls the setting of the preceding Switch picks up. The right grid is capacitively coupled to the shift pulse line 66. The left anode of a preceding switch is over with a left grid of a succeeding switch such a pulse inhibitor connected; likewise is the right anode of an upstream switch with the connected to the right grid of an adjacent switch. This way the tension of the left grid of the barrier never rise above 100 volts, so normally the left half of the barrier is non-conductive. When applying a negative pulse of approximately

30 Volt an die Schiebeimpulsleitung 66 hat das Potential des rechten Gitters und der Kathode die Tendenz, auf etwa 80 Volt zu fallen. Wenn die Anode des vorgeschalteten Schalters eine Spannung von 100 Volt erhält, wird die Kathode durch den StromfLuß durch Widerstand 65 und die linke Hälfte der Sperre ungefähr auf dieser Höhe gehalten, und der Spannungsabfall über Widerstand 65 wird einen negativen Impuls auf dem Gitter des mit der Kapazität 67 verbundenen nachgeschalteten Schalters erzeugen.30 volts to the shift pulse line 66, the potential of the right grid and the cathode has the tendency to drop to about 80 volts. When the anode of the upstream switch has a voltage of 100 volts the cathode is approximated by the flow of current through resistor 65 and the left half of the barrier held at this level, and the voltage drop across resistor 65 will be negative Generate pulse on the grid of the downstream switch connected to capacitance 67.

Wenn die Anode des vorangehenden Schalters eine Spannung von weniger als 75 Volt führt, wird die linke Hälfte der Sperre weiterhin nichtleitend sein, wenn ihre Anode auf 80 Volt liegt, und es wird dann kein Ausgangsimpuls erzeugt.If the anode of the previous switch has a voltage of less than 75 volts, the left one will Half of the barrier will continue to be non-conductive when its anode is at 80 volts, and then it will not be Output pulse generated.

Ein Schaltrelais nach Fig. 3 kann auch verwendet werden, um die beiden Verriegelungs/Entriegelungs-Impulsformen zu erzeugen, indem man Gleichstromverbindungen zu jeder Anode vorsieht.A switching relay according to Fig. 3 can also be used to control the two locking / unlocking pulse shapes by providing DC connections to each anode.

Kurz zusammengefaßt, arbeitet die Einrichtung wie folgt: Zum Einführen von Informationen in eine gasgefüllte Diode werden den Leitungen 21 und 22 Schwingungsformen entsprechend Fig.4 zugeführt, die Diode wird freigegeben (entriegelt) und zündet oder sperrt je nach der auf der Leitung 27 vorhandenen Spannung. Diese wird wiederum von dem Verstärker bestimmt, der seinerseits über Leitung 51 von dem Schalter gesteuert wird. Bei der Registrierung liefert die Diode beim Auftreten eines Impulses auf LeitungBriefly summarized, the device works as follows: To introduce information into a gas-filled Diode are fed to the lines 21 and 22 waveforms as shown in FIG The diode is released (unlocked) and ignites or blocks depending on the one present on the line 27 Tension. This is in turn determined by the amplifier, which in turn via line 51 of the Switch is controlled. When registering, the diode delivers when a pulse occurs on line

31 einen entsprechenden Impuls zu demselben Verstärker, der zum Einführen der Information diente. Dieser Verstärker leitet einen Impuls weiter, der den entsprechenden Schalter einschaltet, wenn die Gasdiode zündete oder in der Stellung »1« war, vorausgesetzt, daß die Verriegelungsspannung auf Leitung 53 ebenfalls herabgesetzt wird, damit die Weitergabe zum Schalter erfolgen kann.31 a corresponding pulse to the same amplifier that was used to introduce the information. This amplifier passes on a pulse that turns on the corresponding switch when the gas diode ignited or was in the "1" position, provided that the locking voltage on line 53 also is reduced so that it can be passed on to the counter.

Informationen, die in die Schaltkreise entweder parallel oder in Serie eingeführt werden, werden parallel gespeichert und können parallel oder in Serie abgelesen werden. Bei der Paralleleinführung in den Speicher wird eine Zeit von etwa 600 MikroSekunden benötigt, jedoch kann die Ablesung in weniger als Vioo dieser Zeit erfolgen.Information that is introduced into the circuits either in parallel or in series becomes stored in parallel and can be read in parallel or in series. With the parallel introduction to the Memory takes about 600 microseconds, but the reading can be done in less than Vioo this time to be done.

Claims (9)

Patentansprüche:Patent claims: 1. Elektronische Informationsspeichereinrichtung, gekennzeichnet durch eine gasgefüllte Diode, mit deren einer Elektrode eine Spannungsquelle über eine Belastungsimpedanz (38) verbunden ist und deren zweite Elektrode drei Eingangsverbindungen aufweist, von denen die erste mit zwei Verriegelungsleitungen (21, 22) über einen Widerstand (39) und zwei nur in einer Richtung leitenden und entgegengesetzt geschalteten Schaltelementen verbunden ist, wobei die Spannungen an den Verriegelungsleitungen die zweite Elektrode gegenüber der ersten normalerweise auf einem solchen Potential halten, daß die Diode bei Zündung in leitendem und bei Sperrung in gesperrtem Zustand gehalten wird, wobei die Verriegelungsspannungen jedoch derart umschaltbar sind, daß die zweite Elektrode freigegeben wird und sich ihr Potential dann entsprechend einer Potentialsteuerung auf der zweiten (27) der drei Eingangsverbindungen so ändert, daß die Diode je nach Art des einzuspeichernden. Informationselements zum Zünden oder Sperren veranlaßt wird und durch eine Einrichtung zur Einführung eines Ableseimpulses in die dritte Eingangsverbindung (31), wobei der Impuls gegenüber der Entionisierungszeit der Diode kurz ist, so daß ein Impuls über der Belastungsimpedanz bei gezündeter Diode erscheint, ohne daß der gezündete Zustand unterbrochen wird.1. Electronic information storage device, characterized by a gas-filled diode, with one electrode of which a voltage source is connected via a load impedance (38) and the second electrode has three input connections, the first of which to two Locking lines (21, 22) via a resistor (39) and two only in one direction conductive and oppositely connected switching elements is connected, the voltages on The locking leads normally have the second electrode on one opposite the first Hold such a potential that the diode is conductive when ignited and blocked when it is blocked State is held, but the locking voltages are switchable such that the second electrode is released and its potential then changes in accordance with a potential control on the second (27) of the three input connections so that the diode depending on the type of the to be saved. Information elements for firing or blocking is caused and by a device for introducing a reading pulse into the third input connection (31), the pulse being short compared to the deionization time of the diode, so that a pulse is about the load impedance appears when the diode is ignited without the ignited state being interrupted will. 2. Einrichtung nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch einen Verstärker (z. B, 13) zur Aufnahme der von der Belastungsimpedanz gelieferten Impulse, der mit der zweiten Eingangsverbindung (27) derart zusammengescbaltet ist, daß er eine vom Zustand des Verstärkers (geöffnet oder gesperrt) abhängige Spannung liefert.2. Device according to claim 1, characterized by an amplifier (z. B, 13) for recording of the pulses delivered by the load impedance, the one with the second input connection (27) is connected in such a way that it depends on the state of the amplifier (open or locked) dependent voltage supplies. 3. Einrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Verstärker mit einem bistabilen Schaltkreis (z. B. 17) derart zusammenwirkt, daß er diesen beim Eingang eines Impulses umschaltet, wobei der Schaltkreis in seinem einen Schaltzustand den Verstärker' veranlaßt, eine Spannung von solcher Dauer und Amplitude zu liefern, daß die Diode gezündet wird, wenn eine Entriegelungsspannung an der ersten Eingangsverbindung liegt. 3. Device according to claim 2, characterized in that the amplifier with a bistable Circuit (z. B. 17) interacts in such a way that it does this when a pulse is received switches, wherein the circuit in its one switching state causes the amplifier ', a To supply a voltage of such duration and amplitude that the diode is triggered when a Unlocking voltage is applied to the first input connection. 4. Einrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Schaltkreis in seiner zweiten Schaltstellung den Verstärker veranlaßt, eine Spannung von solcher Dauer und Amplitude zu liefern, daß die Diode, falls gezündet, gelöscht wird, wenn eine Entriegelungsspannung an der ersten Eingangsverbindung liegt.4. Device according to claim 3, characterized in that the circuit in its second Switching position causes the amplifier to apply a voltage of such duration and amplitude provide that the diode, if ignited, is extinguished when an unlocking voltage is applied to the first input connection. 5. Einrichtung nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Belastungsimpedanz der Diode einen Umformer zur Impülsumkehrung enthält. '5. Device according to claim 3 or 4, characterized in that the load impedance of the Diode contains a converter for pulse reversal. ' 6. Einrichtung nach Anspruch 5, gekennzeichnet durch eine Arretierungsanordnung zwischen dem Verstärker und dem Schalter, um eine Weitergabe von Impulsen von dem Verstärker zum Schalter zu verhindern, wobei die Arretierung während eines kurzen Ableseimpulses aufgehoben wird.6. Device according to claim 5, characterized by a locking arrangement between the Amplifier and the switch to relay pulses from the amplifier to the switch to prevent, whereby the lock is released during a short reading pulse. 7. Schaltung mehrerer Reihen elektronischer Informationsspeichereinrichtungen nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Speicher einer Reihe parallel mit einem einzelnen Ablese/Aufzeichnungsverstärker verbunden sind und ein Glied jeder Reihe jeweils·: gewählt wenden kann, indem die dritten Eingangsverbindungen Ableseimpulse zur Lieferung von Ausspeicherimpulsen an die Ablese/Aufzeichnungsverstärker erhalten, und daß die Aufzeichnungsspannung aus jedem Verstärker gemeinsam an die Speicher jeder Reihe gelegt wird und die Entriegelungsspannun-7. Circuit of a plurality of rows of electronic information storage devices according to claim 2, characterized in that the memories of a row are in parallel with a single reading / recording amplifier are connected and one link of each row respectively ·: selected can turn by the third input connections Reading impulses for the delivery of storage impulses to the reading / recording amplifiers obtained, and that the recording voltage from each amplifier is shared to the memories each Row is laid and the unlocking voltage gen gemeinsam jeweils an ein Glied jeder Reihe gelegt werden, um den Eintritt von Impulsen zu ermöglichen.genes are placed together on one link in each row in order to prevent impulses from entering enable. 8. Schaltung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Ausgangsimpulse aus jedem Ablese/Aufzeichnungsverstärker an einen Schaltkreis gelegt werden und die Schalter jeweils den mit ihnen verbundenen Ablese/Aufzeichnungsverstärkern eine Spannung zuführen, die die Schalterstellung kennzeichnet.8. A circuit according to claim 7, characterized in that the output pulses from each reading / recording amplifier are connected to a circuit and the switches are connected to the reading / recording amplifiers Apply a voltage that indicates the switch position. 9. Schaltung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Schalter als Schieberegister verbunden sind.9. A circuit according to claim 8, characterized in that the switches are connected as a shift register are. In Betracht gezogene Druckschriften:
Tele-Tech and Electronic Industries, Juli 1955,
S. 61, 92, 93.
Considered publications:
Tele-Tech and Electronic Industries, July 1955,
Pp. 61, 92, 93.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings 80S 673/144 11.5«80S 673/144 11.5 «
DEB41555A 1955-08-30 1956-08-27 Electronic storage device Pending DE1043392B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB2483855A GB813743A (en) 1955-08-30 Improvements in or relating to data storage apparatus

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1043392B true DE1043392B (en) 1958-11-13

Family

ID=10218035

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEB41555A Pending DE1043392B (en) 1955-08-30 1956-08-27 Electronic storage device

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE1043392B (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1115300B (en) 1959-06-18 1961-10-19 Siemens Ag Bistable multivibrator with two transistors for setting up forward and backward counting electronic control devices, especially with binary counting circuits
DE1154157B (en) * 1960-06-22 1963-09-12 Ibm Deutschland Storage method

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
None *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1115300B (en) 1959-06-18 1961-10-19 Siemens Ag Bistable multivibrator with two transistors for setting up forward and backward counting electronic control devices, especially with binary counting circuits
DE1154157B (en) * 1960-06-22 1963-09-12 Ibm Deutschland Storage method

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2635028C2 (en) Storage system integrated on a semiconductor wafer
DE1045450B (en) Shift memory with transistors
EP0012796B1 (en) Memory device with simultaneous write and read addressed memory cells
DE1023613B (en) Binary trigger and counter circuits using magnetic memories
DE3203825C2 (en) Signal detector circuit
DE1038315B (en) Arrangement for controlling magnetic core memories with memory cores arranged in several levels in the form of matrices
DE1011181B (en) Matrix circuit
DE1058284B (en) Magnetic core matrix memory arrangement with at least one switching core matrix
DE2925925A1 (en) PRESET FOR INFORMATION STORAGE
DE1069405B (en) Arrangement for storage with capacitors
DE1474019C3 (en) Circuit arrangement for connection to a plurality of lines following one another in increasing range for determining the lowest-ranking of the lines to which a selected information signal is fed
DE2031038B2 (en)
DE1186509B (en) Magnetic memory with a magnetic core provided with holes perpendicular to each other
DE1043392B (en) Electronic storage device
DE1299035B (en) Circuit for writing into a matrix memory or for reading from a matrix memory
DE1574656C3 (en) Storage arrangement with a number of matrix fields
DE1054750B (en) Procedure for suppression of disturbance values in magnetic core memories
DE2416297A1 (en) PROCEDURE AND WIRING ARRANGEMENT FOR OPERATING A GAITER UNLOADING SCREEN
DE2912328C3 (en) Memory system with stable signal sampling circuit
DE1918667A1 (en) Data storage with diodes
DE1076976B (en) Transistor-controlled capacitor storage for binary electronic computing systems and data processing machines
DE1574759B2 (en) Magnetic core memory with common write and read lines
DE1574759C (en) Magnetic core memory with common write and read line
DE1474443C (en) Word organized memory
DE1292197B (en) Information storage circuit with wire storage elements