DD298170A5

DD298170A5 - TRAITER ELEMENT WITH AT LEAST ONE INTEGRATED CIRCUIT, ESPECIALLY FOR INSTALLATION IN CHIP CARDS

Info

Publication number: DD298170A5
Application number: DD90343044A
Authority: DD
Inventors: Edgar Schneider
Original assignee: Kk
Priority date: 1989-07-24
Filing date: 1990-07-24
Publication date: 1992-02-06
Also published as: DE3924439A1; EP0484353B1; WO1991001533A1; EP0484353B2; ES2064741T5; DE59004053D1; EP0484353A1; ES2064741T3

Abstract

Ein Traegerelement fuer integrierte Schaltkreise bzw. Halbleiter-Chips bestehend aus einem Traegersubstrat in Form einer flexiblen Traegerfolie * auf deren Oberflaechen Kontaktflaechen * Leiterbahnen und Anschluszpunkte (6) fuer den Halbleiter-Chip (7) vorgesehen sind, wird mit einem Versteifungsring (8) versehen, dessen Biegesteifigkeit groeszer ist als die Biegesteifigkeit herkoemmlicher Chip-Karten in ISO-Norm. Diese Traegerelemente (1) lassen sich in Form von Flachbaendern vollautomatisch herstellen. In Chip-Karten (36) mit derartigen Traegerelementen (1) wirkt der Versteifungsring (8) im Verbund mit der flexiblen Traegerfolie (2) als verwendungssteife Zelle und schuetzt dadurch den Halbleiter-Chip (7) vor mechanischer Zerstoerung.{Traegerelement; Halbleiter-Chip; Oberflaechen; Kontaktflaechen}A Traegerelement for integrated circuits or semiconductor chips consisting of a carrier substrate in the form of a flexible Traegerfolie * on the surfaces Kontaktflaechen * tracks and Anschluszpunkte (6) are provided for the semiconductor chip (7) is provided with a stiffening ring (8) whose flexural rigidity is greater than the bending stiffness of conventional chip cards in ISO standard. These Traegerelemente (1) can be produced fully automatically in the form of flat strips. In chip cards (36) with such Traegerelementen (1) of the stiffening ring (8) in conjunction with the flexible Traegerfolie (2) acts as a rigid cell and thereby protects the semiconductor chip (7) from mechanical destruction. {Traegerelement; Semiconductor chip; Surfaces; Kontaktflaechen}

Description

Hierzu 3 Seiten ZeichnungenFor this 3 pages drawings

Field of application of the invention

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Trägerelement mit wenigstens einem integriertem Schaltkreis bzw. Halbleiter-Chip, insbesondere für den Einbau in sogenannte Chip-Karten.The present invention relates to a carrier element with at least one integrated circuit or semiconductor chip, in particular for installation in so-called chip cards.

Characteristic of the known state of the art

Chip-Karten finden immer breitere Verwendung als Identifikations-, Kredit- oder Buchungskarten und dergleichen. Um die Herstellung dieser Karten rationell und kostengünstig zu gestalten, wird als Trägerelement vorzugsweise ein Halbfabrikat verwendet, bei dem auf einer mit Leiterbahnen versehenen flexiblen Trägerfolie ein oder mehrere integrierte Schaltkreise in Form von Halbiere. r-Kristallen montiert sind. Die Kontaktierung der integrierten Schaltkreise bzw. Halbleiter-Chips mit entsprechenden Anschlußpunkten auf der flexiblen Trägerfolie geschieht üblicherweise entweder mittels Bond-Verfahren (z. B. DE-OS 3235650) oder mittels Direktkontaktierungs-Verfahren (z. B. DE-AS 2920012). Bei der Kartenherstellung werden diese Trägerelemente in passend geformte Aussparungen des Kartenmaterials eingesetzt. Beim Verpressen von Chipkartenlaminaten und Trägerelementen treten je nach verwendetem Verfahren Drücke bis zu 160bar auf. Dabei werden die empfindlichen integrierten Schaltkreise bzw. Halbleiter-Chips häufig beschädigt. Auch die beim Gebrauch von Chip-Karten auftretenden Verbiegungen und daraus resultierende Biegekräfte können zu einer Beschädigung der Halbleiter-Chips führen. Um derartige Beschädigungen zu vermeiden bzw. zu reduzieren, ist es beispielsweise aus der DE-OS 3639630 bekannt, den bereits mit dem Trägerelement verbundenen Halbleiter-Chip durch eine Schutzfolie aus einem Material mit hohem elastischen Deformierungsvermögen abzudecken.Chip cards are becoming more widely used as identification, credit, or booking cards, and the like. To make the production of these cards rational and inexpensive, a semifinished product is preferably used as a carrier element, in which one or more integrated circuits in the form of halves on a provided with interconnects flexible carrier film one or more integrated circuits. R crystals are mounted. The contacting of the integrated circuits or semiconductor chips with corresponding connection points on the flexible carrier foil usually takes place either by means of a bonding method (eg DE-OS 3235650) or by direct contacting method (eg DE-AS 2920012). In card making, these carrier elements are inserted into appropriately shaped recesses of the card material. When pressing chip card laminates and carrier elements, pressures of up to 160bar occur, depending on the method used. The sensitive integrated circuits or semiconductor chips are often damaged. The bending occurring during the use of chip cards and the resulting bending forces can also lead to damage of the semiconductor chips. In order to avoid or reduce such damage, it is known, for example from DE-OS 3639630, to cover the semiconductor chip already connected to the carrier element by a protective film of a material with a high elastic deformation capacity.

Durch die Verbiegungen beim Kartengebrauch kommt es auch immer wieder vor, daß an der Nahtstelle zwischen Halbleiter-Chip und Kartenmaterial Risse auftreten und unter extremen Bedingungen der gesamte Halbleiter-Kristall aus der Karte herausbricht. Um dies zu vermeiden ist es beispielsv/eise aus der EP-A 0211360 bekannt, zwischen Halbleiter-Chip und Kartenmaterial eine dünne verstärkende Schicht, beispielsweise aus einem dünnen Netzgeflecht, vorzusehen.Due to the bending in the use of cards, it also happens again and again that cracks occur at the interface between the semiconductor chip and the card material and, under extreme conditions, the entire semiconductor crystal breaks out of the card. In order to avoid this, it is known, for example from EP-A 0211360, to provide a thin reinforcing layer, for example of a thin network mesh, between the semiconductor chip and the card material.

Wenn die Halbleiter-Kristalle bzw. Halbleiter-Chips durch Bonden mit den entsprechenden Anschlußpunkten auf der flexiblen Trägerfolie verbunden werden, werden die Bond-Drähte und der Halbleiter-Chip üblicherweise mit einer Guß- bzw. Abdeckmasse versehen. Diese Guß- oder Abdeckmasse schützt natürlich nicht nur die Bond-Drähte, sondern auch den Halbleiter-Chip. Um diese Gußmasse im flüssigen bzw. halbflüssigen Zustand gezielt aufbringen zu können, ist es beispielsweise aus der DE-OS 3235650 bekannt, das Trägerelement mit einem dem Halbleiter-Chip samt Bond-Drähten umgebenden ringförmigen Begrenzungsrahmen zu versehen. Dieser Begrenzungsring für die Abdeckmasse besteht üblicherweise aus Glasepoxy oder PVC. Außer dem Ausgießen des Bereichs innerhalb des ringförmigen Begrenzungsrahmens mit Epoxydharz oder Silikonkautschuk weist die aus der DE-OS 3235650 bekannte Chip-Karte bzw. Trägerelement keinerlei weitere Vorkehrungen zum Schutz des Halbleiter-Kristalls auf. Es besteht daher die Gefahr, daß beim Verpressen der Trägerelemente mit den Chipkartenlaminat bzw. beim Gebrauch der fertigen Chip-Karte Beschädigungen des Halbleiter-Kristalls auftreten. Aus der DE-OS 2942422, von der der Anspruch 1 im Oberbegriff ausgeht, ist es bekannt, den Begrenzungsrahmen für die Verguß- bzw. Abdeckmasse gleichzeitig aus Vsrstärkungsrahmen für das Trägerelement auszubilden. Dieser Verstärkungsrahmen ist am Rande der Trägerplatte bzw. des Trägerelements angeordnet und dient dazu, die Trägerplatte als Ganzes genügend zu versteifen. Das heißt, die Trägerplatte wird durch den Versteifungsring nur soweit versteift, daß sie dennoch die „erforderliche Biegsamkeit" aufweist. Erforderliche Biegsamkeit heißt in diesem Zusammenhang, daß die durch die ISO/ DIN-Norm für die Chip-Karten geforderten Belastungen, insbesondere Biegebelastungen, nicht zu einer Zerstörung oder Funktionsbeeinträchtigung der Chip-Karte führen. Da die aus diesem Stand der Technik bekannten Versteifungsrahmen am Rande des Trägerelements bzw. der Trägerplatte angeordnet sind, ist es unvermeidlich, daß bei derartigen Biegungen die empfindlichen Halbleiterkristalle mechanisch beansprucht werden.When the semiconductor crystals are connected by bonding to the respective pads on the flexible support film, the bonding wires and the semiconductor chip are usually provided with a molding compound. Of course, this casting or covering compound not only protects the bond wires but also the semiconductor chip. In order to be able to selectively apply this casting compound in the liquid or semi-liquid state, it is known, for example from DE-OS 3235650, to provide the carrier element with an annular boundary frame surrounding the semiconductor chip together with bonding wires. This boundary ring for the covering compound is usually made of glass epoxy or PVC. Apart from the pouring of the area within the annular boundary frame with epoxy resin or silicone rubber, the chip card or carrier element known from DE-OS 3235650 has no further precautions for the protection of the semiconductor crystal. There is therefore a risk that during the pressing of the carrier elements with the chip card laminate or when using the finished chip card damage to the semiconductor crystal occur. From DE-OS 2942422, from which the claim 1 in the preamble proceeds, it is known to form the boundary frame for the potting or covering compound simultaneously from Vsrstärkungsrahmen for the support element. This reinforcing frame is arranged on the edge of the carrier plate or of the carrier element and serves to sufficiently stiffen the carrier plate as a whole. That is, the support plate is stiffened by the stiffening ring only to the extent that it nevertheless has the "required flexibility." Required flexibility in this context means that the loads required by the ISO / DIN standard for the chip cards, in particular bending loads, Since the stiffening frames known from this prior art are arranged on the edge of the carrier element or of the carrier plate, it is unavoidable that the sensitive semiconductor crystals are mechanically stressed during such bends.

Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es daher, ein Trägerelement für integrierte Schaltkreise sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung zu schaffen, bei der bzw. bei dem trotz rationeller und kostengünstiger Herstellung die empfindlichen Bauteile sehr gut gegen mechanische Belastungen geschützt sind. Weiter ist es Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine mit einem derartigen Trägerelement versehene Chip-Karte zu schaffenObject of the present invention is therefore to provide a support element for integrated circuits and a method for its production, in which or in spite of rational and cost-effective production, the sensitive components are very well protected against mechanical stress. It is a further object of the present invention to provide a chip card provided with such a carrier element

Die Lösung dieser Aufgabe erfolgt durch die Merkmale der Ansprüche 1 bzw. 12 bzw. 16. The solution of this object is achieved by the features of claims 1 and 12 and 16, respectively.

Dadurch, daß der Versteifungsring eine <· osentlich höhere bzw. größere Biegesteifigkeit aufweist als das flexible Trägersubstrat, d. h. der Versteifungsring im Vergleich zum Trägersubstrat völlig steif ist, können Biege- und Torsionsbeanspruchungen des Trägersubstrats nicht zur Beschädigung des von dem Versteifungsring umschlossenen Halbleiterkristalls führen. Der nur einen Teil der Fläche des Trägerelements einnehmende Verstärkungsring wirkt im Verbund mit dem flexiblen Trägersubstrat bei sämtlichen Biege- und Torsionsbeanspruchungen des Trägersubstrats als verwindungssteife Zelle und schützt dadurch den Halbleiter-Kristall vor mechanischen Beanspruchungen. Grundsätzlich sollte der Verstärkungsring den Halbleiterkristall möglichst eng umschließen, um den starren bzw. steifen Bereich möglichst klein zu halten. Der minimal notwendige Abstand zwischen dem Halbleiterkristall bzw. zwischen den Halbleiterkristallen und dem Innenrand des Verstärkungsringes wird durch den für die elektrische Verbindung des Halbleiterkristalls benötigten Raum bestimmt.Due to the fact that the stiffening ring has a considerably higher or greater flexural rigidity than the flexible carrier substrate, d. H. the stiffening ring is completely stiff compared to the carrier substrate, bending and torsional stresses of the carrier substrate can not lead to damage of the semiconductor crystal enclosed by the stiffening ring. The reinforcing ring, which occupies only part of the surface of the carrier element, cooperates with the flexible carrier substrate in all bending and torsional stresses of the carrier substrate as a torsion-resistant cell and thereby protects the semiconductor crystal against mechanical stresses. In principle, the reinforcing ring should enclose the semiconductor crystal as closely as possible in order to keep the rigid or rigid area as small as possible. The minimum necessary distance between the semiconductor crystal or between the semiconductor crystals and the inner edge of the reinforcing ring is determined by the space required for the electrical connection of the semiconductor crystal.

Die Biegesteifigkeit eines Körpers wird im wesentlichen durch seine geometrische Form und das Material bzw. genauer durch den Elastizitätsmodul des Materials bestimmt. Die ideale Form für den Verstärkungsring ist kreisringförmig, da dann die angreifenden Kräfte optimal von dem Verstärkungsring aufgenommen werden. Um in jedem Falle eine genügend hohe Biegesteifigkeit des Versteifungsringes zu gewährleisten, wird bei einer bevorzugten Ausführungsform Material mit einem Elastizitätsmodul von über 500N/mm² verwendet.The flexural rigidity of a body is determined essentially by its geometric shape and the material or more precisely by the modulus of elasticity of the material. The ideal shape for the reinforcing ring is circular, since then the attacking forces are optimally absorbed by the reinforcing ring. In order to ensure a sufficiently high bending stiffness of the stiffening ring in each case, in a preferred embodiment, material with a modulus of elasticity of over 500N / mm ^{2 is} used.

Eine genügend hohe Biegesteifigkeit kann durch die Verwendung von geeigneten Metallen bzw. Metall-Legierungen gewährleistet werden. Darüber hinaus weisen Metalle noch den Vorteil auf, daß sie gegenüber den bei der Kartenherstellung auftretenden Temperaturen und Drücken (ca. 160bar, ca. 180°C) unempfindlich sind. Insbesondere behalten Metalle bei den fraglichen Drücken und Temperaturen ihre Formstabilität, so daß der Halbleiterkristall während der Chip-Karten-Herstellung, d.h. während des Verpressens der verschiedenen Laminatschichten, sehr gut geschützt ist.A sufficiently high bending stiffness can be ensured by the use of suitable metals or metal alloys. In addition, metals still have the advantage that they are insensitive to the temperatures and pressures occurring during card production (about 160 bar, about 180 ° C). In particular, metals retain their dimensional stability at the pressures and temperatures in question such that during semiconductor chip manufacture, i. E. during the compression of the various laminate layers, is very well protected.

Darüber hinaus ist Metall fertigungstechnisch leicht zu handhaben. Als bevorzugte Materialien werden für den Ring die Legierungen CuSn6,195HV (HV = Härte nach Vikers) oder CrNi 17/7,220HV verwendet.In addition, metal manufacturing technology is easy to handle. As preferred materials for the ring, the alloys CuSn6,195HV (HV = Vikers hardness) or CrNi 17 / 7,220HV used.

Da der Versteifungsring gemäP Her vorliegenden Erfindung natürlich nach wie vor auch die Funktion eines Begronzungsrahmens für die Abdeckmasse erfüllt, sind damit keinerlei fertigungstechnische Nachteile bzw. Mehraufwand verbunden. Wird der Versteifungsring zusätzlich mit Marken für optische Erkennungssysteme, z. B. von Handhabungsautomaten und Bondmaschinen, versehen, wird zum einen die vollautomatische Positionierung des Versteifungsringes auf der flexiblen Trägerfolie erleichtert bzw. ermöglicht, und zum anderen dienen diese Marken bzw. Markierungen auch der Positionierung von vollautomatischen Bond-Maschinen bzw. Bond-Automaten. Diese Marken für optische Erkennungssysteme können beispielsweise in Form von in das Innere des Ringes vorspringende Zapfen ausgeführt sein. Das erfindungsgemäße Trägerelement ist besonders zum Einbau in sogenannte Chip-Karten geeignet. Das dünne Trägersubstrat läßt sich sehr gut mit dem den Kartenlaminaten verpressen, so daß ein unbeabsichtigtes Herauslösen des Halbleiterkristalls während des Gebrauchs der Karte nahezu ausgeschlossen ist. Das Trägerelement ist zumindest im Randbereich nach Arteines Sandwichs mit den Kartenlaminaten verbunden. Wird die Biegesteifigkeit des Verstärkungsringes so gewählt, daß sich bei Verbiegung der Chip-Karte - im Rahmen des üblichen Gebrauchs bzw. im Rahmen der ISO-Norm 7816 der Verstärkungsring nicht verbiegt, so wirkt das oder die in die Chip-Karte integrierten Trägerelemente weiterhin wie eine verwindungssteife Zelle und schützen den Halbleiterkristall zuverlässig. Bei der Chip-Karten-Herstellung als auch beim Kartengebr&uch auftretende Druck- und Scherkräfte werden im wesentlichen von dem Versteifungsring aufgenommen und somit vom Halbleiter-Chip ferngehalten.Since the stiffening ring according to the present invention, of course, still fulfills the function of a Begronzungsrahmens for the covering, so no manufacturing disadvantages or additional costs are connected. If the stiffening ring in addition with brands for optical detection systems, eg. B. of automatic handling machines and bonding machines provided, on the one hand, the fully automatic positioning of the stiffening ring on the flexible carrier film is facilitated or enabled, and on the other serve these brands or markers and the positioning of fully automatic bond machines or bond machines. These marks for optical recognition systems can be embodied for example in the form of protruding into the interior of the ring pin. The carrier element according to the invention is particularly suitable for installation in so-called chip cards. The thin carrier substrate can be very well with the press the card laminates, so that an unintentional detachment of the semiconductor crystal during use of the card is almost impossible. The carrier element is connected to the card laminates at least in the edge region in the manner of a sandwich. If the bending stiffness of the reinforcing ring chosen so that does not bend in bending the chip card - in the context of normal use or in the context of ISO standard 7816 of the reinforcing ring, so or the integrated chip card in the support elements continues to act as a torsion-resistant cell and reliably protect the semiconductor crystal. In the chip card manufacturing as well as the Kartengebr uch occurring pressure and shear forces are essentially absorbed by the stiffening ring and thus kept away from the semiconductor chip.

Bei dem erfindungsgemäßen Herstellungsverfahren nach Anspruch 15 wird das Material für den Versteifungsring in Form eines ersten Bandes bzw. Flachbandes bereitgestellt. Dieses aufgerollte Flachband wird abgewickelt und mit einer Klebeschicht versehen, so daß ein Kombiband entsteht. Die Klebeschicht kann als trägerloses Klebeband in Standardform durch Aufwalzen auf dem Kombiband erzeugt werden. Alternativ hierzu kann die Klebeschicht durch unmittelbares Aufsprühen auf das erste Band erzeugt werden. Das mit Klebeschicht versehene Kombiband wird automatisch einem Stanzwerkzeug zugeführt, durch das der Versteifungsring in der gewünschten Form aus dem Metall ausgestanzt wird, jedoch so, daß er in dem Band verbleibt. Das Kombiband mit dem ausgestanzten Versteifungsring wird mittels eines Handhabungsautomaten über das ebenfalls in Form eines Endlosbandes-zweites Band - automatisch zugeführte flexible Trägersubstrat positioniert und der Versteifungsring wird mit dem flexiblen Trägersubstrat verpreßt bzw. verklebt. In einem weiteren in der Zeichnung nicht näher dargestellten Verfahrensschritt wird das zwaite Band mit wenigstens einem integrierten Schaltkreis bestückt, der über die Anschlußpunkte elektrisch angeschlossen wird. Anschließend wird in einem ebenfalls nicht näher dargestellten Verfahrensschritt das Innere des Versteifungsrings mit einer Abdeckmaske ausgefüllt, so daß der Halbleiter-Kristall von der Abdeckmaske schützend umgeben ist. Die so entstehenden Trägerelemente liegen nach wie vor in Form eines Bandes vor und können somit ohne weiteres automatisch weiterverarbeitet werden.In the inventive manufacturing method according to claim 15, the material for the stiffening ring is provided in the form of a first band or flat band. This rolled-up ribbon is unwound and provided with an adhesive layer, so that a composite band is created. The adhesive layer can be produced as a carrierless adhesive tape in standard form by rolling on the combiband. Alternatively, the adhesive layer may be formed by directly spraying onto the first belt. The adhesive banded combiband is automatically fed to a punching tool which cuts out the stiffening ring in the desired shape from the metal, but so as to remain in the band. The combination band with the stamped stiffening ring is automatically positioned by means of a handling machine on the likewise in the form of an endless belt second band - automatically supplied flexible carrier substrate and the stiffening ring is pressed or glued to the flexible carrier substrate. In a further step, not shown in detail in the drawing, the zwaite band is equipped with at least one integrated circuit, which is electrically connected via the connection points. Subsequently, in a process step, also not shown, the interior of the stiffening ring is filled with a mask, so that the semiconductor crystal is surrounded by the protective mask protective. The resulting support elements are still in the form of a band and can thus be further processed automatically without further notice.

Die einzelnen Verfahrensschritte des erfindungsgemäßen Verfahrens sind im Sekundentakt ausführbar und erlauben somit eine kostengünstige Fertigung bei großen Stückzahlen.The individual process steps of the method according to the invention are executable every second and thus allow cost-effective production in large quantities.

Weitere Einzelheiten, Aspekte und Vorteile der vorliegenden Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung unter Bezugnahme auf die Zeichnungen. Es zeigenFurther details, aspects and advantages of the present invention will become apparent from the following description with reference to the drawings. Show it

Fig. 1: eine Schnittansicht einer bevorzugten Ausführungsform des Trägerelements mit IC;1 shows a sectional view of a preferred embodiment of the carrier element with IC;

Fig. 2: eine Aufsicht auf die Ausführungsform nach Fig. 1;Fig. 2: a plan view of the embodiment of Fig. 1;

Fig.3: eine schematische Darstellung einer ersten Variante eines Herstellungsverfahrens für die Trägerelemente nach Fig. 1;3 shows a schematic representation of a first variant of a production method for the carrier elements according to FIG. 1;

Fig. 4: eine zweite Variante eines Herstellungsverfahrens für die Trägerelemente nach Fig. 1;4 shows a second variant of a production method for the carrier elements according to FIG. 1;

Fig. 5: einen Schnitt durch eine erste Ausführungsform einer Chip-Karte mit dem Trägerelement nach Fig. 1 und5 shows a section through a first embodiment of a chip card with the carrier element according to FIG. 1 and FIG

Fig.6: einen Schnitt durch eine weitere Ausführungsform einer Chip-Karte mit dem erfindungsgemäßen Trägerelement.6 shows a section through a further embodiment of a chip card with the carrier element according to the invention.

Das erfindungsgemäße Trägerelement 1 weist ein flexibles Trägersubstrat in Form einer flexiblen Trägerfolie 2 auf, auf der ein- oder beidseitig nicht dargestellte Leiterbahnen vorgesehen sind. Das Trägersubstrat 2 kann aus Polyimid, faserverstärktem Epoxy (EPG) oder Polyester bestehen. Die Leiterbahnen stellen elektrische Verbindungen zwischen Kontaktflächen 4 undThe carrier element 1 according to the invention has a flexible carrier substrate in the form of a flexible carrier foil 2, on which conductor tracks, which are not shown on one or both sides, are provided. The carrier substrate 2 may be made of polyimide, fiber reinforced epoxy (EPG) or polyester. The interconnects provide electrical connections between contact surfaces 4 and

Anschlußpunkten 6 her. Über die Anschlußpunkte 6 wird mittels aufgebondeter Golddrähte 3 der elektrische Kontakt zu einem integrierten Schaltkreis bzw. Halbleiter-Chip 7 hergestellt. Über die Kontaktflächen 4 wird später beim Gebrauch der fertiggestellten Chip-Karte der Kontakt zu dem Halbleiter-Chip 7 hergestellt. In dem Trägerelement 1 nach Fig. 1 liegen die Kontaktflächen 4 auf der einen Seite der flexiblen Trägerfolie 2 und die Anschlußpunkte 6 auf der anderen Seite der flexiblen Trägerfolie. Auf der Seite mit den Anschlußpunkten 6 ist auch der Halbleiter-Chip bzw. -Kristall 7 auf der Trägerfolie 2 angeordnet. Auf dieser Seite der flexiblen Trägerfolie ist auch ein den Halbleiter-Chip bzw. Halbleiterkristall 7 umschließender Versteifungsring 8 befestigt. Der Versteifungsring 8 überdeckt lediglich einen Teil der Fläche des Trägersubstrats 2. Der Versteifungsring 8 besteht aus der Metall-Legierung CuSn6 mit einer Härte von 195HV. Die wesentlichen mechanischen Eigenschaften dieses Materials sind der nachfolgenden Tabelle zu entnehmen.Connection points 6 ago. About the connection points 6 of the electrical contact with an integrated circuit or semiconductor chip 7 is produced by means of bonded gold wires 3. Via the contact surfaces 4, the contact with the semiconductor chip 7 is produced later during use of the finished chip card. In the carrier element 1 according to FIG. 1, the contact surfaces 4 lie on one side of the flexible carrier film 2 and the connection points 6 on the other side of the flexible carrier film. On the side with the connection points 6, the semiconductor chip or crystal 7 is also arranged on the carrier foil 2. On this side of the flexible carrier film, a stiffening ring 8 enclosing the semiconductor chip or semiconductor crystal 7 is also fastened. The stiffening ring 8 covers only a part of the surface of the carrier substrate 2. The stiffening ring 8 consists of the metal alloy CuSn6 with a hardness of 195HV. The essential mechanical properties of this material are shown in the following table.

CuSn6CuSn6 harthard federhartspring hard doppelfederhartdouble spring hard Zugfestigkeit R_m in N/mm² Tensile strength R _m in N / mm ² 480-580480-580 550-650550-650 min 630min 630 0,2-%-Dehngrenze R_p0,2 in N/mm² 0.2% proof stress R _p 0.2 in N / mm ² min 450min 450 min510min510 min 600min 600 Bruchdehnung A₆ %min Am⁰/« minElongation at break A ₆ % min At ⁰ / min 20 1520 15 10 810 8 66 VickershärteVickers hardness 160-190160-190 180-210180-210 min 200min 200 BrinellhärteBrinell hardness 150-180150-180 170-200170-200 min 190min 190 Federbiegegrenza Rfb in N/mm² mind. 350 in N/mm² mind. 370Spring bending limit Rfb in N / mm ² min. 350 in N / mm ² min. 370 160-190160-190 180-210180-210

Der Versteifungsring 8 und der Halbleiterkristall 7 sind mittels einer Klebeschicht 10 auf der flexiblen Trägerfolie 2 befestigt. Das Innere des Versteifungsringes (8) ist mit einer Abdeckmasse 11 ausgefüllt, so daß die Halbleiter-Kristalle 7 samt Bonddrähten 3 von der Abdeckmasse 11 schützend umgeben sind.The stiffening ring 8 and the semiconductor crystal 7 are fixed by means of an adhesive layer 10 on the flexible carrier film 2. The interior of the stiffening ring (8) is filled with a covering compound 11, so that the semiconductor crystals 7 together with bonding wires 3 are surrounded by the covering compound 11 in a protective manner.

Fig. 2 zeigt das Trägerelement 1 von Fig. 1 von oben. Der Versteifungsring 8 weist eine Dicke von ca. 0,4 mm auf und kann somit ohne weiteres in Chip-Karten mit einer Normdicke von 0,76mm (ISO-Norm) integriert werden. Der Versteifungsring 8 ist in seiner Grundform kreisringförmig mit einem inneren Durchmesser von R1 = 4,5 mm und einem äußeren Durchmesser von R 2 = 6,0 mm. Der Versteifungsring 8 weist auf seiner Außenseito zwei einander gegenüberliegende gerade Bereiche 12 und 13 auf. Die geraden Bereiche 12 und 13 ermöglichen bzw. erleichtern die Orientierung des Versteifungsrings 8 auf der Trägerfolie 2, da sie als Marken bzw. Markierungen für optische Erkennungsysteme von Handhabungsautomaten dienen. Der Außendurchmesser Da des Versteifungsringes 8, gemessen an diesen geraden Bereichen 12 und 13, beträgt ca. 10,4mm, der Innendurchmesser Di des Versteifungsringes beträgt an diesen Stellen 8,4 mm. Auf der Innenseite des Versteifungsringes 8, den geraden Bereichen 12 und 13 gegenüberliegend, sind ebenfalls Marken für optische Erkennungssysteme in Form von rechteckförmigen Vorsprüngen 14 und 15 vorgesehen. Die Vorsprünge 14 und 15 dienen in erster Linie zur Orientierung von vollautomatischen Bond-Maschinen. Zusätzlich erhöhen die Vorsprünge 14 und 15 auch die Stabilität des in den geraden Bereichen 12 und 13 schmäleren Versteifungsrings 8. Das Außenmaß da ist durch die ISO-Norm vorgegeben. Die Tiefe T dieser Vorsprünge beträgt dabei ca. 0,5 mm und ihre Breite B ca. 1,4 mm. Die Form des Versteifungsringes 8 gemäß Fig. 2 weist um einen eine genügend hohe Biegesteifigkeit auf, und zum anderen ist diese Form für den Einsatz in Chip-Karten nach ISO-Norm optimiert. In dem Versteifungsring 8 gemäß Fig. 2 lassen sich Halbleiter-Chips bis zu einer Grundfläche bis zu 5,7 mm x 5,7 mm einsetzen. Das Vorsehen von Marken für optische Erkennungssysteme erlaubt eine rationelle Fertigung der Trägerelemente mit hohen Stückzahlen.Fig. 2 shows the carrier element 1 of Fig. 1 from above. The stiffening ring 8 has a thickness of about 0.4 mm and can thus be easily integrated into chip cards with a standard thickness of 0.76 mm (ISO standard). The stiffening ring 8 is annular in its basic form with an inner diameter of R1 = 4.5 mm and an outer diameter of R 2 = 6.0 mm. The stiffening ring 8 has on its Außenseito two opposing straight portions 12 and 13. The straight portions 12 and 13 facilitate or facilitate the orientation of the stiffening ring 8 on the carrier film 2, since they serve as marks or marks for optical detection systems of automatic handling machines. The outer diameter Da of the stiffening ring 8, measured at these straight portions 12 and 13, is approximately 10.4 mm, the inner diameter Di of the stiffening ring is 8.4 mm at these locations. On the inside of the stiffening ring 8, the straight portions 12 and 13 opposite, marks for optical detection systems in the form of rectangular projections 14 and 15 are also provided. The projections 14 and 15 serve primarily for the orientation of fully automatic bonding machines. In addition, the projections 14 and 15 also increase the stability of the narrower in the straight portions 12 and 13 stiffening ring 8. The external dimension there is given by the ISO standard. The depth T of these projections is approximately 0.5 mm and their width B is approximately 1.4 mm. The shape of the stiffening ring 8 according to FIG. 2 has a sufficiently high bending stiffness, and on the other hand, this shape is optimized for use in chip cards according to the ISO standard. In the stiffening ring 8 according to FIG. 2, semiconductor chips can be used up to a base area of up to 5.7 mm × 5.7 mm. The provision of marks for optical recognition systems allows a rational production of the carrier elements in high quantities.

Das erfindungsgemäße Trägerelement 1 nach Fig. 1 wird vorzugsweise in Bandform hergestellt, d.h., eine Mehrzahl von aufeinanderfolgenden Trägerelementen wird in Form eines Flachbandes bereitgestellt. Fig. 3 dient der Erläuterung einer ersten Variante eines Herstellungsverfahrens für die Trägerelemente nach Fig. 1. Die flexible Trägerfolie 2 mit aufkaschierten Leiterbahnen, Kontaktflächen 4 und Anschlußpunkten 6 liegt in Form eines ersten Bandes 16 vor. Ein doppelseitiges Klebeband 18 zur Bildung der Kelbeschicht 10 wird bereitgestellt. Eine Seite des Klebebandes 18 ist mit einer nicht dargestellten Schutzfolie überzogen. Beide Bänder liegen in Rollenform vor. Die beiden Bänder 16 und 18 werden abgerollt und einer Preßvorrichtung 20 zugeführt. Die Zusammenführung der beiden Bänder erfolgt dabei so, daß die Seite des Klebebandes 18, die keine Schutzfolie aufweist durch die Preßvorrichtung 20 mit dem ersten Band 16 verklebt wird. Das entstehende Kombi-Band 22 mit der Klebeschicht 10 kann entweder unmittelbar einer Ringstanze 24 zugeführt werden oder wieder aufgerollt und zu einem späteren Zeitpunkt weiter verarbeitet werden. Die Ringstanze 24 stanzt aus dem Kombi-Band den Versteifungsring 8 in der gewünschten Form aus. Die Ringstanze 22 ist jedoch so ausgebildet, daß der Versteifungsring 8 in dem Kombi-Band 22 verbleibt, so daß das Kombi-Band 22 mit dem Versteifungsring 8 weiterverarbeitet werden kann. In einem nächsten Verfahrensschritt wird die in Form eines zweiten Bandes 26 vorliegende flexible Trägerfolie 2 mit dem Kombi-Band 22 zusammengeführt, und die beiden Bänder 22 und 26 werden relativ zueinander in einer Positionier- und Preßvorrichtung 28 so positioniert, daß der Versteifungsring 8 in der gewünschten Lage über den Anschlußpunkten 6zu liegen kommt. In einem weiteren Verfahrensschritt wird der Versteifungsring 8 a us dem Kombi-Band 22 herausgedrückt und in der gewünschten Position mit den zweiten Band 26 verklebt. Dazu muß vorher, vorzugsweise zwischen Ringstanze 24 und dem Zuführen des zweiten Bandes 26, die noch auf dem Kombi-Band 22 befindliche Schutzfolie entfernt werden (nicht dargestellt). Das verbleibende Kombi-Band 22 ohne Versteifungsring 8 kann aufgesammelt werden, und die entstandenen Trägerelemente 1 mit Versteifungsring 8 in Form eines Endlosbandes können r- tweder ebenfalls aufgerollt werden oder unmittelbar der weiteren Verarbeitung, dem Bestücken mit dem Halbleiterkristall 7, zugeführt werden.The support element 1 according to the invention according to Fig. 1 is preferably made in strip form, that is, a plurality of successive support elements is provided in the form of a flat strip. FIG. 3 serves to explain a first variant of a production method for the carrier elements according to FIG. 1. The flexible carrier foil 2 with laminated conductor tracks, contact surfaces 4 and connection points 6 is in the form of a first band 16. A double-sided adhesive tape 18 for forming the Kelcoat 10 is provided. One side of the adhesive tape 18 is coated with a protective film, not shown. Both bands are in roll form. The two bands 16 and 18 are unrolled and fed to a pressing device 20. The merging of the two bands is carried out so that the side of the adhesive tape 18, which has no protective film is glued by the pressing device 20 with the first band 16. The resulting combination strip 22 with the adhesive layer 10 can either be fed directly to a ring punch 24 or rolled up again and processed at a later time. The ring punch 24 punches from the combi-band the stiffening ring 8 in the desired shape. However, the ring punch 22 is formed so that the stiffening ring 8 remains in the combi-band 22 so that the combi-band 22 can be further processed with the stiffening ring 8. In a next step, the present in the form of a second belt 26 flexible carrier film 2 is combined with the combination belt 22, and the two belts 22 and 26 are positioned relative to each other in a positioning and pressing device 28 so that the stiffening ring 8 in the desired location above the connection points 6 comes to rest. In a further method step, the stiffening ring 8 a is pressed out of the combination belt 22 and glued in the desired position with the second belt 26. For this purpose, before, preferably between ring punch 24 and the feeding of the second belt 26, the still located on the combi-tape 22 protective film must be removed (not shown). The remaining combi-band 22 without stiffening ring 8 can be collected, and the resulting support elements 1 with stiffening ring 8 in the form of an endless belt can also be rolled up or fed directly to further processing, the equipping with the semiconductor crystal 7.

Fig.4 zeigt eine zweite Variante eines Verfahrens zur Herstellung der Trägerelemente nach Fig. 1. In Fig.4 sind entsprechende Komponenten mit den gleichen Bezugszeichen versehen wie in Fig. 3. Das in Fig. 4 schematisch dargestellte Verfahren unterscheidet sich von dem Verfahren gemäß Fig. 3 lediglich dadurch, daß die Klebeschicht 10 nicht in Form eines doppelseitigen Klebebandes auf das erste Band aufgebracht wird, sondern unmittelbar mittels einer Klebestoff-Sprühvorrichtung 30 auf das erste Band 16 aufgebracht wird. Da die Klebeschicht 10 dann ohne Schutzfilm vorliegt, wird die Klebeschicht 10 erst nach dem Ausstanzen des Versteifungsrings 8 in der Ringstanze 24 durchgeführt. Das mit der Klebeschicht 10 versehene Kombi-Band 22 wird dann unmittelbar der Preß- und Positioniervorrichtung 28 zugeführt, der ebenfalls die flexible Trägerfolie 2 in Form des zweiten Bandes 26 zugeführt wird. Die weiteren Verfahrensschritte entsprechen dem Verfahren nach Fig. 3. Es sei betont, daß sämtliche Ve'iahrensschritte vollautomatisch ohne jegliche Handarbeit durchgeführt werden. Anstatt das Material für den Versteifungsring 8, die Trägerfolie etc. in Bandform zuzuführen, kann es auch mittels bekannter Magazinanordnungen zugeführt werden.4 shows a second variant of a method for producing the carrier elements according to FIG. 1. In FIG. 4, corresponding components are provided with the same reference numerals as in FIG. 3. The method shown schematically in FIG. 4 differs from the method according to FIG Fig. 3 only in that the adhesive layer 10 is not applied in the form of a double-sided adhesive tape on the first band, but is applied directly by means of a glue spray device 30 on the first band 16. Since the adhesive layer 10 is then present without a protective film, the adhesive layer 10 is performed only after the punching of the stiffening ring 8 in the ring punch 24. The combination belt 22 provided with the adhesive layer 10 is then fed directly to the pressing and positioning device 28, which is also fed to the flexible carrier film 2 in the form of the second belt 26. The further method steps correspond to the method according to FIG. 3. It should be emphasized that all driving steps are carried out fully automatically without any manual work. Instead of supplying the material for the stiffening ring 8, the carrier film, etc. in tape form, it can also be fed by means of known magazine arrangements.

Die nach dem Verfahren gemäß Fig.3 bzw. 4 hergestellten Trägerelemente 1 in Form eines Flachbandes werden dann ebenfalls vollautomatisch mit einem oder mehreren Halbleiter-Kristalle 7 bestückt und das Innere des Versteifungsrings 8 mit dem Halbleiter-Kristall 7 und Anschlußdrähten 3 wird dann mit der Abdeckmasse 11 ausgegossen. Wenn die Abdeckmasse 11 ausgehärtet ist, wird, sofern nötig, überschüssige Abdeckmasse abgeschliffen. Das Bestücken der Trägerfolie bzw. Trägersubstrate 2 mit den Halbleiterkristallen 7 geschieht mittels bekannter Verfahren bzw. mit bekannten vollautomatischen Bestückungsvorrichtungen und Bond-Maschinen. Auch das Ausgießen des Inneren des Versteifungsrings 8 mit der Guß- bzw. Abdeckmasse 11 geschieht in bekannter Weise. Diß so entstehenden, mit einem oder mehreren Halbleiter-Schaltkreisen bestückten Trägerelemente 1 können dann separiert und beispielsweise in Chip-Karten eingebaut werden. In vorteilhafter Weise erfolgt das Trennen der einzelnen fertigbestückten Trägerelemente erst unmittelbar vor bzw. beim Einbau in die Chip-Karten. Das vorstehend beschriebene Trägerelement nach Fig. 1 ist insbesondere für den Einbau in Chip-Karten nach ISO-Norm geeignet und ausgelegt. Die erfindungsgemäßen Trägerelemente lassen sich natürlich auch in andere Schaltungen und Vorrichtungen einbauen, die mechanischen Beanspruchungen ausgesetzt sind.The carrier elements 1 in the form of a flat strip produced according to the method according to FIGS. 3 and 4 are then also fully automatically equipped with one or more semiconductor crystals 7 and the interior of the reinforcing ring 8 with the semiconductor crystal 7 and connecting wires 3 is then connected to the Covering compound 11 poured out. When the covering compound 11 has hardened, if necessary, excess covering compound is abraded. The loading of the carrier film or carrier substrates 2 with the semiconductor crystals 7 by means of known methods or with known fully automatic placement devices and bonding machines. The pouring of the interior of the stiffening ring 8 with the casting or covering compound 11 is done in a known manner. The resulting carrier elements 1 equipped with one or more semiconductor circuits can then be separated and installed, for example, in chip cards. Advantageously, the separation of the individual pre-assembled carrier elements takes place only immediately before or during installation in the chip cards. The carrier element according to FIG. 1 described above is particularly suitable and designed for installation in chip cards according to the ISO standard. Of course, the carrier elements according to the invention can also be incorporated in other circuits and devices that are exposed to mechanical stresses.

Fig. 5 zeigt eine Schnittansicht einer ersten Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Chip-Karte 36. Die Chip-Karte 36 weist einen Kartenkörper 37 mit einem darin integrierten Trägerelement 1 auf, auf dem der integrierte Schaltkreis 7 aufgeklebt ist. Das Trägerelement 1 mitHalbleit r-Chip 7 ist in eine entsprechende Aussparung 38 des Kartenkörpers 37 eingebettet. Die Oberseite des Versteifungsrings 8 wird von einer Abdeckschicht 40, die Teil des Kartenkörpers 37 ist, überzogen. Die Unterseite des Trägerelements 1 bzw. der Trägerfolie 2 fluchtet mit einer Seite der Chip-Karte 36, so daß die Kontaktflächen 4 von dieser Seite der Chip-Karte 36 zugänglich sind.5 shows a sectional view of a first embodiment of a chip card 36 according to the invention. The chip card 36 has a card body 37 with a carrier element 1 integrated therein, on which the integrated circuit 7 is glued. The carrier element 1 with semiconductor r-chip 7 is embedded in a corresponding recess 38 of the card body 37. The top of the stiffening ring 8 is covered by a cover layer 40, which is part of the card body 37. The underside of the carrier element 1 or the carrier film 2 is aligned with one side of the chip card 36, so that the contact surfaces 4 are accessible from this side of the chip card 36.

Fig. 6 zeigt schematisch eine bevorzugte weitere Ausführungsform einer Chip-Karte 50. Auch die Chip-Karte 50 weist einen Kartenkörper 52 auf, in den das erfindungsgemäße Trägerelement 1 mit IC integriert ist. Der Kartenkörper 52 besteht aus vier Laminatschichten, einer oberen Deckschicht 54, einer Mittelschicht 55, einer Ausglöichsschicht 56 und einer unteren Deckschicht 57, die bei der Herstellung der Chip-Karte 50 unter Heißdruck zum Ku/tenkörper 52 verpreßt werden. Die Mittelschicht 55, die Ausgleichsschicht 56 und die untere Deckschicht 57 weisen Ausnehmungen auf, die zusammen eine Aussparung 5b bilden, den das Trägerelement 1 ausfüllt. Die obere Deckschicht 54 überdeckt den Verstärkungsring 8. Dann folgt als nächste Laminatschicht die Mittelschicht 55, dei en Dicke kleiner als die Höhe des Verstärkungsringes 8 ist und eine Ausnehmung aufweist, die dem Querschnitt des Verstärkungsringes 8 entspricht. Dann folgt die Ausgleichsschicht 56, deren Dicke gleich der Dicke des Trägersubstrats 2 ist. Die Ausg'.eichsschicht 56 weist eine Ausnehmung auf, die der Fläche des Trägerelements 1 entspricht und die somit größer ist als die Ausnehmung in der Mittelschicht 55. Schließlich folgt noch die untere Deckschicht 57, die die andere Seite des Trägerelements 1 und damit das Trägersubstrat 2 abdeckt und nur die Kontaktflächen 4 frei zugänglich läßt. Damit wird nicht nur das ganze Trägerelement 1 sandwichartig durch Laminatschichten eingeschlossen, sondern ebenso der nicht von dem Verstärkungsring 8 überdeckte Teil des flexiblen Trägersubstrats 2. Der Halt des Trägerelements 1 in dem Kartenkörper 52 wird zusätzlich noch dadurch verbessert, daß der nicht von dem Verstärkungsring 8 überdeckte Teil des Trägersubstrats 2 tiefer in dem fertigen Kartenkörper 52 angeordnet ist als der von dem Verstärkungsring 8 überdeckte Teil des Trägersubstrats 2. Damit bildet der von dem Versteifu .igsring 8 überdeckte Teil des Trägersubstrats 2 eine flache Mulde im nicht von dem Versteifungsring 8 überdeckten Teil des Trägersubstrats 2. Um die Anordnung nach Fig.6 zu ermöglichen, muß ein besonders flexibles Trägersubstrat 2 verwendet werden. Besonders geeignet ist hierfür eine Folie aus Polyimid wegen ihrer Temperaturstabilität bis 250°C und ihrer hohen Flexibilität. Die Dicke der verwendeten Folien liegt bei ca. 100μΓΠ.6 schematically shows a preferred further embodiment of a chip card 50. The chip card 50 also has a card body 52 into which the carrier element 1 according to the invention is integrated with IC. The card body 52 consists of four laminate layers, an upper cover layer 54, a middle layer 55, a Ausglöichsschicht 56 and a lower cover layer 57, which are pressed in the manufacture of the chip card 50 under hot pressure to Ku / tenkörper 52. The middle layer 55, the compensation layer 56 and the lower cover layer 57 have recesses which together form a recess 5b which the support element 1 fills. The upper cover layer 54 covers the reinforcing ring 8. Then follows as the next laminate layer, the middle layer 55, thi thickness is smaller than the height of the reinforcing ring 8 and has a recess corresponding to the cross section of the reinforcing ring 8. Then follows the compensating layer 56 whose thickness is equal to the thickness of the carrier substrate 2. The Ausg'icheichsschicht 56 has a recess which corresponds to the surface of the support member 1 and which is thus greater than the recess in the middle layer 55. Finally, there follows the lower cover layer 57, the other side of the support member 1 and thus the support substrate 2 covers and leaves only the contact surfaces 4 freely accessible. Thus, not only the entire support member 1 is sandwiched by laminate layers, but also the not covered by the reinforcing ring 8 part of the flexible support substrate 2. The support of the support member 1 in the card body 52 is further improved by the fact that not from the reinforcing ring covered part of the support substrate 2 is disposed deeper in the finished card body 52 than the part of the support substrate 2 covered by the reinforcing ring 8. Thus, the part of the support substrate 2 covered by the stiffener .igsring 8 forms a shallow recess in the not covered by the stiffening ring 8 part of the carrier substrate 2. To enable the arrangement of Figure 6, a particularly flexible carrier substrate 2 must be used. Particularly suitable for this purpose is a film of polyimide because of its temperature stability up to 250 ° C and its high flexibility. The thickness of the films used is about 100μΓΠ.

Zum Zugriff auf den in der Chip-Karte eingebetteten Halbleiterkristall kann anstelle des Zugriffs über Kontaktflächen auch über Induktionsschleifen zugegriffen werden. Dies hat den Vorteil, daß obere und untere Deckschichten keinerlei Ausnehmungen aufweisen müssen, d.h., das Trägerelement ist vollständig in den Kartenkörper eingebettet.To access the embedded in the chip card semiconductor crystal can be accessed instead of access via contact surfaces via induction loops. This has the advantage that upper and lower cover layers need not have any recesses, that is, the support element is completely embedded in the card body.

Es lassen sich auch mehrere Trägerelemente oder ein einzelnes Trägerelement mit mehreren nebeneinander angeordneten Versteifungsringen in eine Chip-Karte einbauen.It is also possible to install a plurality of carrier elements or a single carrier element with a plurality of juxtaposed stiffening rings in a chip card.

Claims

1. carrier element having at least one integrated circuit in the form of a semiconductor crystal, in particular for installation in chip cards, with a flexible carrier substrate, on the surfaces of which a plurality of contact surfaces are provided, which are connected via conductor tracks with connection points for the integrated circuit, and on the flexible support substrate mounted, annular stiffening ring, in the interior of the integrated circuits or are arranged, characterized in that the stiffening ring (8) encloses only a portion of the surface of the flexible support substrate (2) and that the stiffening ring (8) has a substantially has higher bending stiffness than the flexible carrier substrate (2), so that when bending of the flexible carrier substrate (2) of the stiffening ring (8) does not bend.

2. Support element according to claim 1, characterized in that the stiffening ring (8) is annular.

3. Carrier element according to one of the preceding claims, characterized in that the material of which the stiffening ring (8) consists, has a modulus of elasticity which is greater than 500 N / mm ² .

Carrier element according to one of the preceding claims, characterized in that the stiffening ring (8) consists of metal or a metal alloy.

5. Carrier element according to claim 4, characterized in that the stiffening ring (8) consists of CuSn6,195HV or CrNi 17 / 7,220HV.

6. Carrier element according to one of the preceding claims, characterized in that the stiffening ring (8) with the flexible carrier substrate (2) is glued.

7. Carrier element according to one of the preceding claims, characterized in that the stiffening ring (8) has marks (12, 14) for optical recognition systems.

8. Carrier element according to claim 7, characterized in that the marks (12,14) comprise peg-shaped projections (14) facing in the interior of the stiffening ring (8).

9. Support element according to claim 7 or 8, characterized in that the marks (12,14) comprise straight portions (12) on the outer edge of the stiffening ring (8).

10. Carrier element according to one of the preceding claims, characterized in that the flexible carrier substrate (2) consists of polyimide.

11. Chip card with at least one integrated circuit which is arranged on a carrier element, characterized by a carrier element (1) according to one of claims 1 to 10.

12. Chip card according to claim 11, characterized in that it is a chip card in ISO standard.

13. Chip card according to claim 11 or 12, characterized in that the bending stiffness of the stiffening ring (8) is higher than the flexural rigidity of conventional chip cards, so that when bending the chip cards, as they occur in normal use, the Stiffening ring (8) does not bend.

14. Chip card according to one of claims 11 to 13, characterized in that the part of the carrier substrate (2), which is covered by the stiffening ring (8) forms a shallow recess in the part of the carrier substrate (2), not is covered by the stiffening ring (8), so that the part of the support substrate (2) which is not covered by the stiffening ring (8) is arranged deeper in the chip card.

Process for producing a carrier element according to one of Claims 1 to 10 with the process steps:

a) providing the material for the stiffening ring (8) in the form of a first band (16);

b) providing the flexible carrier substrate (2) with interconnects, contact surfaces (4) and connection points (6) for integrated circuits in the form of a second band (26);

c) providing the first tape (16) with an adhesive layer (10) to form a combination tape (22);

d) punching the stiffening ring (8) from the combi-band (22) such that the stiffening ring (8) in the combi-band (22) remains;

e) merging the combination belt (22) with the punched out stiffening ring (8) and the second belt (26) and positioning the stiffening rings (8) in the combination belt (22) over the connection points (6) for integrated circuits on the second band (26);

f) separating the stiffening rings (8) from the combi-band (22) and bonding the positioned stiffening rings (8) to the second band (2ü);

g) equipping the second belt (26) with at least one integrated circuit (7) and establishing the electrical connections between the connection points (6) and the integrated circuit; and

h) filling the interior of the stiffening ring (8) with a covering compound (11).

16. The method according to claim 15, characterized in that the method steps c) and d) are reversed.

17. The method according to claim 15 or 16, characterized in that in step c) a double-sided adhesive tape (18) with the first band (16) is pressed.

18. The method according to claim 15 or 16, characterized in that in step c) the adhesive layer (10) is sprayed onto the first band.