CN223518167U - 半导体清洁装置以及具有清洁装置的半导体工艺设备 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供了一种半导体清洁装置以及具有清洁装置的半导体工艺设备，所述半导体清洁装置包括：第一远程等离子体源清洁系统以及第二远程等离子体源清洁系统。所述第一远程等离子体源清洁系统以及第二远程等离子体源清洁系统与一反应腔连接，所述反应腔的内部具有基座、顶部具有第一进气口、侧壁具有第二进气口；所述第一远程等离子体源清洁系统连通所述第一进气口；所述第二远程等离子体源清洁系统连通所述第二进气口；所述第二进气口到所述反应腔的底部的垂直高度小于所述基座的下表面到所述反应腔的底部的垂直高度；所述第二远程等离子体源清洁系统共用所述第一远程等离子体源清洁系统的清洁气体源。

Description

半导体清洁装置以及具有清洁装置的半导体工艺设备

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及半导体工艺设备的腔室清洁结构。

背景技术

在工艺腔室中已进行沉积、蚀刻等工序步骤后，工艺腔室需要进行清洁以移除可能已形成在腔室壁上的工艺气体残余物。例如，在现有的化学气相沉积(CVD)或者等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)薄膜制程中，由于工艺气体具有扩散特性，导致不仅会在晶圆表面形成薄膜，也会在喷淋板的表面、反应腔的侧壁、加热盘的底部、排气系统内部等形成沉积。

因此，在工艺结束后需要进行反应腔清洁，常用的方法是使用远程等离子体源(Remote Plasma Source，RPS)进行腔室清洁。远程等离子体源(RPS)也称为远程高密度等离子发生器，它是半导体、芯片制造过程中的核心装备。远程等离子体源(RPS)通过射频或微波来激发气体，产生等离子体。气体被激发后所产生的自由基(活性化后的气体分子)能有效清洁沉积在芯片结构内部的硅粉尘或颗粒物。

远程等离子体源(RPS)通过远程传输通道将等离子体输送至工艺腔室的上端的进气口，流经喷淋板后均匀扩散，以充分清洁反应腔、加热盘等。

然而，这种结构的缺陷是基座下方往往存在清洁死区，清洁空气无法有效清除基座下方的粉尘或者颗粒物。此外，被排气系统抽走的气体通常是掺杂有各种杂质或者颗粒物的污染气体，时间久了，容易在排气系统的真空管或者真空泵内沉积有各种气体残余物，严重的时候甚至会造成真空泵卡死。

实用新型内容

为了改善腔室的清洁效果，本实用新型提供了一种半导体清洁装置以及具有该半导体清洁装置的半导体工艺设备。

该半导体清洁装置包括第一远程等离子体源清洁系统以及第二远程等离子体源清洁系统。

所述第一远程等离子体源清洁系统以及第二远程等离子体源清洁系统与一反应腔连接，所述反应腔的内部具有基座、顶部具有第一进气口、侧壁具有第二进气口。

所述第一远程等离子体源清洁系统连通所述第一进气口。

所述第二远程等离子体源清洁系统连通所述第二进气口。

所述第二进气口到所述反应腔的底部的垂直高度小于所述基座的下表面到所述反应腔的底部的垂直高度；所述第二远程等离子体源清洁系统共用所述第一远程等离子体源清洁系统的清洁气体源。

在一个实施例中，所述第二远程等离子体源清洁系统共用所述第一远程等离子体源清洁系统的第一远程等离子体源。

在一个实施例中，所述第一远程等离子体源清洁系统包括所述清洁气体源、第一清洁气体输送管路、所述第一远程等离子体源、第一等离子体输送管路；所述清洁气体源通过所述第一清洁气体输送管路连接所述第一远程等离子体源，所述第一远程等离子体源对所述清洁气体源进行激发，产生激发后的清洁气体；所述第一远程等离子体源通过所述第一等离子体输送管路连接至所述反应腔的所述第一进气口；所述激发后的清洁气体通过所述第一等离子体输送管路从所述第一进气口被输送至所述反应腔内。

在一个实施例中，所述第二远程等离子体源清洁系统包括第二等离子体输送管路，所述第二等离子体输送管路具有进气端和出气端，所述进气端与第一远程等离子体源的输出端连接，所述出气端连通所述反应腔的侧壁上的所述第二进气口；所述第一远程等离子体源产生的激发后的清洁气体通过所述第二等离子体输送管路被输送到基板的下方区域。

本实用新型还提供了一种半导体清洁装置，所述半导体清洁装置包括：第一远程等离子体源清洁系统以及第二远程等离子体源清洁系统。

所述第一远程等离子体源清洁系统以及第二远程等离子体源清洁系统与一反应腔连接。

所述反应腔的内部具有基座、顶部具有第一进气口、底部连接有真空管。

所述第一远程等离子体源清洁系统连通所述第一进气口。

所述第二远程等离子体源清洁系统连通所述真空管的一侧壁进气口。

所述第二远程等离子体源清洁系统共用所述第一远程等离子体源清洁系统的清洁气体源。

在一个实施例中，所述第一远程等离子体源清洁系统包括所述清洁气体源、第一清洁气体输送管路、第一远程等离子体源、第一等离子体输送管路；所述清洁气体源通过所述第一清洁气体输送管路连接所述第一远程等离子体源，所述第一远程等离子体源对所述清洁气体源进行激发，产生激发后的清洁气体；所述第一远程等离子体源通过所述第一等离子体输送管路连接至所述反应腔的所述第一进气口；所述激发后的清洁气体通过所述第一等离子体输送管路从所述第一进气口被输送至所述反应腔内。

在一个实施例中，所述第二远程等离子体源清洁系统包括第二远程等离子体源、第二清洁气体输送管路、第二等离子体输送管路。

在一个实施例中，所述第二等离子体输送管路的一端连接所述清洁气体源，另一端连接所述第二远程等离子体源的输入端；所述清洁气体源通过所述第二清洁气体输送管路连接所述第二远程等离子体源；所述第二远程等离子体源对所述清洁气体源进行激发，产生激发后的清洁气体；所述第二等离子体输送管路的一端连接所述第二远程等离子体源的输出端，另一端连接所述真空管的侧壁进气口；所述第二远程等离子体源产生的激发后的清洁气体通过所述第二等离子体输送管路被输送到所述真空管内部。

在一个实施例中，所述第二远程等离子体源清洁系统还包括第三等离子体输送管路，所述反应腔的底部或者侧壁具有第三进气口；所述第三等离子体输送管路的一端连接所述第二远程等离子体源的输出端，另一端连接所述第三进气口。

本实用新型提供的具有清洁装置的半导体工艺设备包括如前述的半导体清洁装置以及与前述半导体清洁装置连接的所述反应腔。

本实用新型的半导体清洁装置以及半导体工艺设备结构简单，并能够有效清洁基座下方的死区位置。此外，本实用新型的半导体清洁装置以及半导体工艺设备还能同时改善排气系统的清洗效果，提升排气系统的使用寿命。

附图说明

本实用新型的以上实用新型内容以及下面的具体实施方式在结合附图阅读时会得到更好的理解。需要说明的是，附图仅作为所请求保护的实用新型的示例。在附图中，相同的附图标记代表相同或类似的元素。

图1示出现有技术中的半导体工艺设备；

图2示出根据本实用新型一实施例的具有清洁装置的半导体工艺设备；

图3示出根据本实用新型一实施例的具有清洁装置的半导体工艺设备；

图4示出根据本实用新型一实施例的具有清洁装置的半导体工艺设备。

具体实施方式

以下在具体实施方式中详细叙述本实用新型的详细特征以及优点，其内容足以使任何本领域技术人员了解本实用新型的技术内容并据以实施，且根据本说明书所揭露的说明书、权利要求及附图，本领域技术人员可轻易地理解本实用新型相关的目的及优点。虽然本实用新型的描述将结合优选实施例一起介绍，但这并不代表此实用新型的特征仅限于该实施方式。恰恰相反，结合实施方式作实用新型介绍的目的是为了覆盖基于本实用新型的权利要求而有可能延伸出的其它选择或改造。为了提供对本实用新型的深度了解，以下描述中将包含许多具体的细节。本实用新型也可以不使用这些细节实施。此外，为了避免混乱或模糊本实用新型的重点，有些具体细节将在描述中被省略。

在本实用新型的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

另外，在以下的说明中所使用的“上”、“下”、“左”、“右”、“顶”、“底”、“水平”、“垂直”应被理解为该段以及相关附图中所绘示的方位。此相对性的用语仅是为了方便说明之用，其并不代表其所叙述的装置需以特定方位来制造或运作，因此不应理解为对本实用新型的限制。

能理解的是，虽然在此可使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来叙述各种部件、通道、组件、区域、层和/或部分，这些部件、通道、组件、区域、层和/或部分不应被这些用语限定，且这些用语仅是用来区别不同的部件、通道、组件、区域、层和/或部分。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

如本申请和权利要求书中所示，除非上下文明确提示例外情形，“一”、“一个”、“一种”和/或“该”等词并非特指单数，也可包括复数。一般说来，术语“包括”与“包含”仅提示包括已明确标识的步骤和元素，而这些步骤和元素不构成一个排它性的罗列，方法或者设备也可能包含其他的步骤或元素。

一些实施例中使用了描述成分、属性数量的数字，应当理解的是，此类用于实施例描述的数字，在一些示例中使用了修饰词“大约”、“近似”或“大体上”来修饰。除非另外说明，“大约”、“近似”或“大体上”表明所述数字允许有±20％的变化。相应地，在一些实施例中，说明书和权利要求中使用的数值参数均为近似值，该近似值根据个别实施例所需特点可以发生改变。在一些实施例中，数值参数应考虑规定的有效数位并采用一般位数保留的方法。尽管本申请一些实施例中用于确认其范围广度的数值域和参数为近似值，在具体实施例中，此类数值的设定在可行范围内尽可能精确。

同时，本申请使用了特定词语来描述本申请的实施例。如“一个实施例”、“一实施例”、和/或“一些实施例”意指与本申请至少一个实施例相关的某一特征、结构或特点。因此，应强调并注意的是，本说明书中在不同位置两次或多次提及的“一实施例”或“一个实施例”或“一替代性实施例”并不一定是指同一实施例。此外，本申请的一个或多个实施例中的某些特征、结构或特点可以进行适当的组合。

图1示出现有技术中的半导体工艺设备，尤其是使用等离子体处理的工艺设备。所述半导体工艺设备包含一反应腔100，反应腔100具有一腔室以容置用于各种处理的装置及部件。腔室内部具有基座102和喷淋组件103，顶部具有进气口。反应腔100的顶部通过顶部进气口与一气体供应系统连接，该气体供应系统配置以提供反应气体或清洁气体至腔室中。喷淋组件103用于将顶部进气口进入的气体均匀地输送到基座102上方。反应腔100的底部与一马达101连接，马达101控制基座102在腔室中的升降。基座102可以承载基板。反应腔100下方还连接一排气系统104。该排气系统104具有真空管(Foreline)以及真空泵。真空泵的前端通过真空管与反应腔100连接。所述排气系统104经配置以抽取反应腔100内的反应气体或清洁气体。

该气体供应系统包含一远程等离子体源122及一气体源120。如图1所示，远程等离子体源122通过等离子体输送管路连接反应腔100的顶部进气口。远程等离子体源122将气体源120进行激发，激发后的等离子体通过等离子体输送管路被输送到顶部进气口，并流经喷淋板后均匀扩散。

在一个实施例中，该气体源120可以是清洁气体。清洁气体经远程等离子体源122被激发，形成激发后的清洁气体，经喷淋板扩散到反应腔100内部。

如图1的结构所示，清洁气体很难到达基座102的下方，因此支撑部件下方或者基板下方很难被清洁到，时间久了容易沉积不希望的颗粒物，成为清洁死区。

此外，排气系统104的真空管内很容易发生工艺气体残留，工艺气体发生反应后产生颗粒物，容易造成真空管内部堵塞甚至造成真空泵卡死。因此，对真空管进行充分有效地清洁，能够有效提升真空管甚至是真空泵地使用寿命。

图2示出根据本实用新型一实施例的半导体工艺设备。该半导体工艺设备包括反应腔100以及与反应腔100连接的半导体清洁装置。该半导体清洁装置包括第一远程等离子体源清洁系统(第一RPS清洁系统)和第二远程等离子体源清洁系统(第二RPS清洁系统)。

反应腔100具有一腔室以容置用于各种工艺处理的装置及部件。腔室内部具有基座102，顶部具有第一进气口，侧壁具有第二进气口。反应腔100的顶部通过第一进气口与第一RPS清洁系统连接。该第一RPS清洁系统被配置成提供清洁气体至腔室中进行清洁。

该第一RPS清洁系统包括清洁气体源120、第一清洁气体输送管路201、第一远程等离子体源122、第一等离子体输送管路121。

清洁气体源120通过第一清洁气体输送管路201连接第一远程等离子体源122。第一远程等离子体源122对清洁气体源120进行激发，产生激发后的清洁气体。

第一远程等离子体源122通过第一等离子体输送管路121连接至反应腔100。第一远程等离子体源122产生的激发后的清洁气体通过第一等离子体输送管路121被输送至反应腔100的顶部的第一进气口，从而进入反应腔100内部进行清洁工艺。

本实用新型的半导体工艺设备还包括第二RPS清洁系统。该第二RPS清洁系统共用第一RPS清洁系统的清洁气体源120以及第一远程等离子体源122。在图2的实施例中，该第二RPS清洁系统包括第二等离子体输送管路202。该第二等离子体输送管路202具有进气端和出气端。进气端与第一远程等离子体源122的输出端连接。出气端连通反应腔100的侧壁上的第二进气口。该第二进气口到反应腔100底部的垂直高度小于基座下表面到反应腔100底部的垂直高度。第一远程等离子体源122产生的激发后的清洁气体通过第二等离子体输送管路202被输送到基板下方位置，以便对基板下方的清洁死角进行清洁。清洁完成后的混杂有粉尘或颗粒物的清洁气体被下方的排气系统123抽走。

本实用新型的第二RPS清洁系统共用了第一RPS清洁系统的清洁气体源120以及远程等离子体源122，能够清洗基座下方不容易清洁到的死区位置，不但结构简单，而且极大提升了清洁效果。

图3示出根据本实用新型一实施例的半导体工艺设备。该半导体工艺设备包括反应腔100、真空管303以及与反应腔100和真空管303连接的半导体清洁装置。该半导体清洁装置包括第一远程等离子体源清洁系统(第一RPS清洁系统)和第二远程等离子体源清洁系统(第二RPS清洁系统)。

反应腔100具有一腔室以容置用于各种工艺处理的装置及部件。反应腔100的顶部具有第一进气口。反应腔100通过第一进气口与第一RPS清洁系统连接。该第一RPS清洁系统配置以提供反应气体或清洁气体至腔室中。

该第一RPS清洁系统包括清洁气体源120、第一清洁气体输送管路201、第一远程等离子体源122、第一等离子体输送管路121。

清洁气体源120通过第一清洁气体输送管路201连接第一远程等离子体源122。第一远程等离子体源122对清洁气体120进行激发，产生激发后的清洁气体。

第一远程等离子体源122通过第一等离子体输送管路121连接至反应腔100。第一远程等离子体源122产生的激发后的清洁气体通过等离子体输送管路121被输送至反应腔100的顶部进气口，从而进入反应腔100内部进行清洁工艺。

反应腔100下方还连接真空管(Foreline)303。真空管303位于真空泵的前端，与反应腔100连接。真空管303内很容易发生工艺气体残留，工艺气体发生反应后产生颗粒物，容易造成真空管内部堵塞甚至造成真空泵卡死。因此，对真空管进行充分有效地清洁，能够有效提升真空管甚至是真空泵地使用寿命。

本实用新型的半导体工艺设备还包括第二RPS清洁系统。本实用新型的真空管侧壁开口一进气口，即侧壁进气口，用于接收来自第二RPS清洁系统的清洁气体。在图3的实施例中，该第二RPS清洁系统包括第二远程等离子体源302、第二清洁气体输送管路301、第二等离子体输送管路304。

该第二等离子体输送管路301的一端连接清洁气体源120，另一端连接第二远程等离子体源302的输入端。

清洁气体源120通过第二清洁气体输送管路301连接第二远程等离子体源302。第二远程等离子体源302对清洁气体120进行激发，产生激发后的清洁气体。

第二等离子体输送管路304的一端连接第二远程等离子体源302的输出端，另一端连接真空管303。经第二远程等离子体源302激发后的清洁气体通过第二等离子体输送管路304进入真空管303的侧壁进气口，以便对真空管内壁以及内部的阀门进行清洁。

在一个实施例中，该第二远程等离子体源为一个小型的远程等离子体源。

在一个实施例中，当存在多个反应腔时，多个反应腔可以共用该第二远程等离子体源，也可以两个反应腔共用一个该第二远程等离子体源。

本实用新型的第二RPS清洁系统共用了第一RPS清洁系统的清洁气体源120，能够清洁真空泵前端的真空管内部堆积的粉尘，不但结构简单，而且极大提升了清洁效果。

图4示出根据本实用新型一实施例的半导体工艺设备。该半导体工艺设备包括反应腔100、真空管303以及与反应腔100和真空管303连接的半导体清洁装置。该半导体清洁装置包括第一远程等离子体源清洁系统(第一RPS清洁系统)和第二远程等离子体源清洁系统(第二RPS清洁系统)。

反应腔100具有一腔室以容置用于各种工艺处理的装置及部件。反应腔100的顶部具有第一进气口，底部具有第三进气口。反应腔100通过第一进气口与第一RPS清洁系统连接。该第一RPS清洁系统配置以提供反应气体或清洁气体至腔室中。

该第一RPS清洁系统包括清洁气体源120、第一清洁气体输送管路201、第一远程等离子体源122、第一等离子体输送管路121。

清洁气体源120通过第一清洁气体输送管路201连接第一远程等离子体源122。第一远程等离子体源122对清洁气体120进行激发，产生激发后的清洁气体。

第一远程等离子体源122通过第一等离子体输送管路121连接至反应腔100。第一远程等离子体源122产生的激发后的清洁气体通过等离子体输送管路121被输送至反应腔100的顶部进气口，从而进入反应腔100内部进行清洁工艺。

反应腔100下方还连接真空管(Foreline)303。真空管303位于真空泵的前端，与反应腔100连接。真空管303内很容易发生工艺气体残留，工艺气体发生反应后产生颗粒物，容易造成真空管内部堵塞甚至造成真空泵卡死。因此，对真空管进行充分有效地清洁，能够有效提升真空管甚至是真空泵地使用寿命。

此外，反应腔100内的基板(参见图2)下部很难通过第一RPS清洁系统被清洁到，时间久了容易沉积不希望的颗粒物，成为清洁死区。

因此，本实用新型的半导体工艺设备还包括第二RPS清洁系统。该第二RPS清洁系统能够同时清洁基板下方的死区，也能够清洁真空管。

在图4的实施例中，该第二RPS清洁系统包括第二远程等离子体源302、第二清洁气体输送管路301、第二等离子体输送管路304、第三等离子体输送管路401。

该第二等离子体输送管路301的一端连接清洁气体源120，另一端连接第二远程等离子体源302的输入端。

清洁气体源120通过第二清洁气体输送管路301连接第二远程等离子体源302。第二远程等离子体源302对清洁气体120进行激发，产生激发后的清洁气体。

第二等离子体输送管路304的一端连接第二远程等离子体源302的输出端，另一端连接真空管303的侧壁进气口。

第三等离子体输送管路401的一端连接第二远程等离子体源302的输出端，另一端连接反应腔100的底部的第三进气口。

经第二远程等离子体源302激发后的清洁气体能分别通过第二等离子体输送管路304进入真空管303，以及通过第三等离子输送管路401进入反应腔100内的基座下方空间，以便既能对真空管内部进行清洁，又能对基座下方进行清洁。

在一个实施例中，该第二远程等离子体源为一个小型的远程等离子体源。

在一个实施例中，当存在多个反应腔时，多个反应腔可以共用该第二远程等离子体源，也可以两个反应腔共用一个该第二远程等离子体源。

本实用新型的第二RPS清洁系统共用了第一RPS清洁系统的清洁气体源120，并利用第二远程等离子体源实现同时清洁真空泵前端的真空管内部以及清洁基座下方。结构简单，而且极大提升了清洁效果。

作为图4的变型，第三进气口还可以开设在反应腔室的侧壁上，并与第三等离子体输送管路401连接。其中，该第三进气口到反应腔100底部的垂直高度小于基座下表面到反应腔100底部的垂直高度。

上文采用的术语和表述方式只是用于描述，本实用新型并不应局限于这些术语和表述。使用这些术语和表述并不意味着排除任何示意和描述(或其中部分)的等效特征，应认识到可能存在的各种修改也应包含在权利要求范围内。其他修改、变化和替换也可能存在。相应的，权利要求应视为覆盖所有这些等效物。

同理，应当注意的是，为了简化本申请披露的表述，从而帮助对一个或多个实用新型实施例的理解，前文对本申请实施例的描述中，有时会将多种特征归并至一个实施例、附图或对其的描述中。但是，这种披露方法并不意味着本申请对象所需要的特征比权利要求中提及的特征多。

同样，需要指出的是，虽然本实用新型已参照当前的具体实施例来描述，但是本技术领域中的普通技术人员应当认识到，以上的实施例仅是用来说明本实用新型，在没有脱离本实用新型精神的情况下还可做出各种等效的变化或替换，因此，只要在本实用新型的实质精神范围内对上述实施例的变化、变型都将落在本申请的权利要求书的范围内。

Claims (10)

1.一种半导体清洁装置，其特征在于，所述半导体清洁装置包括：

第一远程等离子体源清洁系统以及第二远程等离子体源清洁系统；

所述第一远程等离子体源清洁系统以及第二远程等离子体源清洁系统与一反应腔连接，所述反应腔的内部具有基座、顶部具有第一进气口、侧壁具有第二进气口；

所述第一远程等离子体源清洁系统连通所述第一进气口；

所述第二远程等离子体源清洁系统连通所述第二进气口；

所述第二进气口到所述反应腔的底部的垂直高度小于所述基座的下表面到所述反应腔的底部的垂直高度；所述第二远程等离子体源清洁系统共用所述第一远程等离子体源清洁系统的清洁气体源。

2.如权利要求1所述的半导体清洁装置，其特征在于，所述第二远程等离子体源清洁系统共用所述第一远程等离子体源清洁系统的第一远程等离子体源。

3.如权利要求2所述的半导体清洁装置，其特征在于，所述第一远程等离子体源清洁系统包括所述清洁气体源、第一清洁气体输送管路、所述第一远程等离子体源、第一等离子体输送管路；所述清洁气体源通过所述第一清洁气体输送管路连接所述第一远程等离子体源，所述第一远程等离子体源对所述清洁气体源进行激发，产生激发后的清洁气体；所述第一远程等离子体源通过所述第一等离子体输送管路连接至所述反应腔的所述第一进气口；所述激发后的清洁气体通过所述第一等离子体输送管路从所述第一进气口被输送至所述反应腔内。

4.如权利要求3所述的半导体清洁装置，其特征在于，所述第二远程等离子体源清洁系统包括第二等离子体输送管路，所述第二等离子体输送管路具有进气端和出气端，所述进气端与第一远程等离子体源的输出端连接，所述出气端连通所述反应腔的侧壁上的所述第二进气口；所述第一远程等离子体源产生的激发后的清洁气体通过所述第二等离子体输送管路被输送到基板的下方区域。

5.一种半导体清洁装置，其特征在于，所述半导体清洁装置包括：

第一远程等离子体源清洁系统以及第二远程等离子体源清洁系统；

所述第一远程等离子体源清洁系统以及第二远程等离子体源清洁系统与一反应腔连接；

所述反应腔的内部具有基座、顶部具有第一进气口、底部连接有真空管；

所述第一远程等离子体源清洁系统连通所述第一进气口；

所述第二远程等离子体源清洁系统连通所述真空管的一侧壁进气口；

所述第二远程等离子体源清洁系统共用所述第一远程等离子体源清洁系统的清洁气体源。

6.如权利要求5所述的半导体清洁装置，其特征在于，所述第一远程等离子体源清洁系统包括所述清洁气体源、第一清洁气体输送管路、第一远程等离子体源、第一等离子体输送管路；所述清洁气体源通过所述第一清洁气体输送管路连接所述第一远程等离子体源，所述第一远程等离子体源对所述清洁气体源进行激发，产生激发后的清洁气体；所述第一远程等离子体源通过所述第一等离子体输送管路连接至所述反应腔的所述第一进气口；所述激发后的清洁气体通过所述第一等离子体输送管路从所述第一进气口被输送至所述反应腔内。

7.如权利要求6所述的半导体清洁装置，其特征在于，所述第二远程等离子体源清洁系统包括第二远程等离子体源、第二清洁气体输送管路、第二等离子体输送管路。

8.如权利要求7所述的半导体清洁装置，其特征在于，所述第二等离子体输送管路的一端连接所述清洁气体源，另一端连接所述第二远程等离子体源的输入端；所述清洁气体源通过所述第二清洁气体输送管路连接所述第二远程等离子体源；所述第二远程等离子体源对所述清洁气体源进行激发，产生激发后的清洁气体；所述第二等离子体输送管路的一端连接所述第二远程等离子体源的输出端，另一端连接所述真空管的侧壁进气口；所述第二远程等离子体源产生的激发后的清洁气体通过所述第二等离子体输送管路被输送到所述真空管内部。

9.如权利要求8所述的半导体清洁装置，其特征在于，所述第二远程等离子体源清洁系统还包括第三等离子体输送管路，所述反应腔的底部或者侧壁具有第三进气口；所述第三等离子体输送管路的一端连接所述第二远程等离子体源的输出端，另一端连接所述第三进气口。

10.一种具有清洁装置的半导体工艺设备，其特征在于，所述半导体工艺设备包括如权利要求1至9中任一项所述的半导体清洁装置以及与所述半导体清洁装置连接的所述反应腔。