CN221529877U - 具基板清洁功能的连续式制作设备 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开一种具基板清洁功能的连续式制作设备,使用激光钻孔装置对基板进行激光钻孔作业以形成通孔,再使用除胶渣装置对基板的通孔处的胶渣进行除胶渣清洁作业。再者,使用贴膜装置对基板进行干膜的贴膜作业,再使用曝光与显影装置对基板的干膜进行曝光与显影作业。另外,使用剥膜与除胶渣装置以连续方式或在线方式按序对基板的干膜进行剥膜作业与对干膜的胶渣进行除胶渣清洁作业。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种用于基板的制作技术,特别涉及一种具基板清洁功能的连续式制作设备。
背景技术
在基板的制作与清洁方法中,一般会先于前端的除胶渣站对基板的通孔进行除胶渣(desmear)清洁,再按序进行基板的化学镀铜(简称“化铜”)作业、基板的干膜(driedfilm)的贴膜作业、干膜的曝光作业、干膜的显影作业与基板的电镀作业等,然后于后端的剥膜站对基板的干膜进行剥膜(stripping)作业。
而,对基板的干膜进行剥膜作业后,通常会产生基板的干膜有剥膜不洁或残留干膜的情形,故需通过第一次离线(off-line)方式将基板从后端的剥膜站移动至前端的除胶渣站以进行干膜的除胶渣清洁作业,再通过第二次离线(off-line)方式将基板从前端的除胶渣站移动至后端的微蚀站以进行基板的微蚀作业。
图1为现有技术中有关基板的制作与清洁方法的流程示意图,并包括下列步骤S01至步骤S11。
如步骤S01至步骤S02所示,先在基板中形成通孔,再于前端的除胶渣站对基板的通孔进行除胶渣清洁作业。
如步骤S03至步骤S07所示,按序进行基板的化学镀铜(化铜)作业、基板的干膜的贴膜作业、干膜的曝光作业、干膜的显影作业与基板的电镀作业等。
如步骤S08至步骤S09所示,于后端的剥膜站对基板的干膜进行剥膜作业,此时会产生基板的干膜有剥膜不洁或残留干膜的情形,故需通过第一次离线(off-line)方式将基板从后端的剥膜站移动至前端的除胶渣站,以在前端的除胶渣站中对基板进行干膜的除胶渣清洁作业(见步骤S02)。
如步骤S10至步骤S11所示,当完成干膜的除胶渣清洁作业时,再通过第二次离线(off-line)方式将基板从前端的除胶渣站移动至后端的微蚀站,以在后端的微蚀站进行基板的微蚀作业。
换言之,现有技术需在前端的除胶渣站分别对基板的通孔与干膜两者进行除胶渣清洁作业,故会导致前端的除胶渣站的除胶渣清洁作业的工作量爆增及处理速度缓慢。
再者,现有技术需将基板通过第一次离线(off-line)方式从后端的剥膜站移动至前端的除胶渣站以进行干膜的除胶渣清洁作业,再将基板通过第二次离线(off-line)方式从前端的除胶渣站移动至后端的微蚀站以进行基板的微蚀作业,导致基板的整体作业显得相当繁复、不顺畅且耗费大量移动时间。
另外,现有技术无法以连续方式或在线(on-line)方式迅速地制作与清洁基板,亦会提高基板在二次离线(off-line)的过程中可能发生折损、毁坏或遗失的风险,从而降低基板的制作良率。
因此,如何克服上述现有技术的种种问题,实已成为目前业界亟待克服的难题。
实用新型内容
鉴于上述现有技术的种种缺失,本实用新型提供一种具基板清洁功能的连续式制作设备,包括:激光钻孔装置与除胶渣装置,由激光钻孔装置对基板进行激光钻孔作业以形成通孔,再由除胶渣装置对基板的通孔处的胶渣进行除胶渣清洁作业;贴膜装置、曝光装置与显影装置,在除胶渣装置对基板的通孔处的胶渣进行除胶渣清洁作业后,由贴膜装置对基板进行干膜的贴膜作业,再由曝光装置与显影装置分别对基板的干膜进行曝光作业与显影作业;以及剥膜与除胶渣装置,在曝光装置与显影装置分别对基板的干膜进行曝光作业与显影作业后,由剥膜与除胶渣装置以连续方式或在线(on-line)方式按序对基板的干膜进行剥膜作业与对干膜的胶渣进行除胶渣清洁作业。
前述具基板清洁功能的连续式制作设备中,还包括在使用激光钻孔装置对基板进行激光钻孔作业以形成通孔前,使用增层装置或压合装置分别对基板的核心板进行增层作业或压合作业以形成多层板。
前述具基板清洁功能的连续式制作设备中,还包括在使用除胶渣装置对基板的通孔处的胶渣进行除胶渣清洁作业后,使用化学镀铜材料对基板或通孔进行化学镀铜作业以形成铜层。
前述具基板清洁功能的连续式制作设备中,还包括在使用曝光装置与显影装置对基板的干膜进行曝光作业与显影作业后,使用电镀装置对基板进行电镀作业以形成电镀层。
前述具基板清洁功能的连续式制作设备中,还包括在使用剥膜与除胶渣装置通过连续方式或在线(on-line)方式按序对基板的干膜进行剥膜作业与对干膜的胶渣进行除胶渣清洁作业后,使用微蚀装置对基板的表面进行微蚀作业。
由上可知,本实用新型所述的具基板清洁功能的连续式制作设备中,主要是将“对基板的干膜进行剥膜作业”与“对干膜的胶渣进行除胶渣清洁作业”两者设计在一个共同工艺或连续制作程序中,亦即使用剥膜与除胶渣装置以连续方式或在线(on-line)方式按序对基板的干膜进行剥膜作业与对干膜的胶渣进行除胶渣清洁作业,且在完成此共同工艺或连续制作程序后,才能使用微蚀装置对基板的表面进行微蚀作业,据此确保对基板的干膜的胶渣进行除胶渣清洁作业后不会有残留胶渣的问题。同时,本实用新型能有效率且迅速地制作与清洁基板,亦能提升对干膜的胶渣的除胶渣清洁作业的处理速度,也能有效地降低基板于制作与清洁过程中可能发生折损、毁坏或遗失的情形,进而提高基板的制作良率。
再者,本实用新型能使用激光钻孔装置自动地对基板进行激光钻孔作业以形成通孔,再使用除胶渣装置对基板的通孔处的胶渣进行除胶渣清洁作业,有利于迅速地清除基板的通孔处的胶渣。
另外,本实用新型能使用贴膜装置自动地对基板进行干膜的贴膜作业,再使用曝光装置与显影装置有效地对基板的干膜进行曝光作业与显影作业。
附图说明
图1为现有技术中有关基板的制作与清洁方法的流程示意图。
图2为本实用新型所述的具基板清洁功能的连续式制作设备的方框示意图。
图3为本实用新型所述的具基板清洁功能的连续式制作方法的流程示意图。
主要组件符号说明
10连续式制作设备
11增层装置
12 压合装置
13 激光钻孔装置
14 除胶渣装置
15 化学镀铜材料
16 贴膜装置
17 曝光装置
18 显影装置
19 电镀装置
20 剥膜与除胶渣装置
21 微蚀装置
30 基板
31 核心板
32 多层板
33 通孔
34 胶渣
35 铜层
36 干膜
37 电镀层
38 胶渣
S01至S11步骤
S21至S31步骤。
具体实施方式
以下借由特定的具体实施例说明本实用新型的实施方式,本领域技术人员可由本说明书所公开的内容轻易地了解本实用新型的其他优点及技术效果。
须知,本说明书所附附图所示出的结构、比例、大小等,均仅用以配合说明书所公开的内容,以供本领域技术人员的了解与阅读,并非用以限定本实用新型可实施的限定条件,故不具技术上的实质意义,任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整,在不影响本实用新型所能产生的技术效果及所能实现的目的之下,均应仍落在本实用新型所公开的技术内容得能涵盖的范围内。同时,本说明书中所引用的如“上”、“下”、“一”、“第一”及“第二”等用语,亦仅为便于叙述的明了,而非用以限定本实用新型可实施的范围,其相对关系的改变或调整,在无实质变更技术内容下,当亦视为本实用新型可实施的范围。
图2为本实用新型所述的具基板清洁功能的连续式制作设备10的方框示意图。如图所示,具基板清洁功能的连续式制作设备10可包括或按序包括至少一(如多个)增层装置11、一压合装置12、一激光钻孔装置13、一除胶渣装置14、至少一(如多个)化学镀铜材料15、一贴膜装置16、一曝光装置17、一显影装置18、一电镀装置19、一剥膜与除胶渣装置20以及一微蚀装置21,并能采用例如半加成技术(Semi-Additive Process;SAP)或改良半加成技术(Modified Semi-Additive Process;MSAP)来制作基板30。同时,本实用新型所述的“至少一”代表一个以上(如一、二、三或四个以上),且“多个”代表两个以上(如二、三、四或十个以上)。
详言之,具基板清洁功能的连续式制作设备10可同时包括基板制作功能与基板清洁功能,以在基板30的制作与清洁的整体过程中,能借由具基板清洁功能的连续式制作设备10迅速地以连续方式或在线(on-line)方式一并制作与清洁基板30,且此连续方式或线上(on-line)方式可为不中断方式、非离线(off-line)方式等。
增层装置11或压合装置12:可分别用于基板30的核心板31的增层作业或压合作业以形成多层板32。例如,增层装置11可借由涂布或喷涂增层原料形成增层膜(Build-upFilm;如ABF增层膜)或绝缘增层膜。压合装置12可为压合机、复材压合机等,以压合增层膜或绝缘增层膜,而所压合的增层膜或绝缘增层膜可为以膜材方式提供且直接压合者,或者是压合经涂布或喷涂增层原料形成的增层膜或绝缘增层膜。换言之,具基板清洁功能的连续式制作设备10可包括增层装置11及/或压合装置12。多层板32可为多层基板、多层印刷电路板(PCB)、多层线路结构等,且多层代表至少二层(如二、三、四或五层以上)。
激光钻孔装置13:可对基板30(如多层板32)进行激光钻孔作业以形成至少一(如多个)通孔33,且此激光钻孔装置13的激光钻孔作业会在基板30的通孔33处形成或残留胶渣34。例如,激光钻孔装置13可为激光钻孔机、激光微孔加工机等,且通孔33可为开孔、开口、导通孔、贯穿孔、盲孔、凹槽等。
除胶渣装置14:可设在前端的除胶渣站上,以由除胶渣装置14对基板30(如多层板32)的通孔33处的胶渣34进行除胶渣清洁作业。例如,除胶渣装置14可为除胶渣机、等离子体(plasma)除胶渣装置等。
化学镀铜材料15:可用于基板30(如多层板32)或其通孔33的化学镀铜(简称“化铜”)作业以形成铜层35及导电通孔或导电盲孔。例如,化学镀铜材料15可为化学镀铜溶液等,且铜层35可为铜箔、铜线、铜线路层等。
贴膜装置16:可在除胶渣装置14对基板30(如多层板)的通孔33处的胶渣34进行除胶渣清洁作业后,由贴膜装置16对基板30或其铜层35进行干膜36的贴膜作业(如压膜或覆盖作业)。例如,贴膜装置16可为贴膜机、自动贴膜机、(自动)压膜机等,且干膜36可为光阻层、干膜光阻、光刻胶干膜、蚀刻阻剂、负型光刻胶干膜、负型水溶性干膜光阻等。
曝光装置17与显影装置18:可按序对基板30的干膜36进行曝光作业与显影作业以形成图案化的干膜36。例如,曝光装置17可为曝光机、自动曝光机等,且显影装置18可为显影机、自动显影机、光阻显影机等。
在不同实施例中,曝光装置17与显影装置18两者可为不同装置,但两者亦可整合为同时具有曝光功能与显影功能的单一曝光显影装置。
电镀装置19:可对基板30进行电镀作业以形成电镀层37。例如,电镀装置19可为基板电镀装置等,且电镀层37可为电镀金层或电镀铜层等。
剥膜与除胶渣装置20:可设在后端的剥膜与除胶渣站上,以在曝光装置17与显影装置18按序对基板30的干膜36进行曝光作业与显影作业后,以连续方式或在线(on-line)方式由剥膜与除胶渣装置20按序对基板30的干膜36进行剥膜作业与对干膜36的胶渣38进行除胶渣清洁作业。因为剥膜与除胶渣装置20对基板30的干膜36进行剥膜作业后会形成或残留干膜36的胶渣38,故需再使用剥膜与除胶渣装置20对干膜36的胶渣38进行除胶渣清洁作业。例如,连续方式或在线(on-line)方式可为不中断方式、非离线(off-line)方式等。
在不同实施例中,剥膜与除胶渣装置20可为同时具有剥膜功能与除胶渣清洁功能的单一剥膜与除胶渣装置,亦可为一具有剥膜功能的剥膜装置与一具有除胶渣清洁功能的除胶渣装置两者的组合。例如,剥膜装置可为剥膜机、自动剥膜机、干膜剥膜剂等,除胶渣装置可为除胶渣机、等离子体(plasma)除胶渣装置等。
微蚀装置21:可设在后端的微蚀站上,以在剥膜与除胶渣装置20以连续方式或在线(on-line)方式按序对基板30的干膜36进行剥膜作业与对干膜36的胶渣38进行除胶渣清洁作业后,由微蚀装置21使用微蚀材料对基板30的表面进行微蚀作业,且此微蚀作业能清洁或去除基板30的表面的氧化物、污渍、油脂等。例如,微蚀材料可为微蚀剂、微蚀溶液等。
基板30:可为半导体基板、硅基板、铝基板、玻璃基板、陶瓷基板、铜箔基板、印刷电路板(PCB)、载板、硬板、软板、承载件等,且基板30的核心板31可为核心层、核心基板、单层板、双面板等。
要特别说明,基板30并非本实用新型的保护标的,故本实用新型未示出且未限定基板30的实际产品、结构、组成、元件、材料、特征或功能等,而仅以基板30的基本组件或常见元件(如核心板31、多层板32、通孔33、胶渣34、铜层35、干膜36、电镀层37、胶渣38等)加以说明。
另外,在实际应用上,本实用新型所述的基板30可包括各种不同的产品、结构、组成、元件、材料、特征或功能等,而非仅限定于本实用新型图2所示的基本组件或常见元件(如核心板31、多层板32、通孔33、胶渣34、铜层35、干膜36、电镀层37、胶渣38等),并予叙明。
图3为本实用新型所述的具基板清洁功能的连续式制作方法的流程示意图,并参阅图2一并说明。同时,具基板清洁功能的连续式制作方法的主要技术内容如下,其余技术内容相同于上方图2所示的具基板清洁功能的连续式制作设备10的详细说明,于此不再重复叙述。
具基板清洁功能的连续式制作方法可同时包括基板制作功能与基板清洁功能,以在基板30的制作与清洁的整个过程中,能借由具基板清洁功能的连续式制作方法迅速地以连续方式或在线(on-line)方式一并制作与清洁基板30,且此连续方式或在线(on-line)方式可为不中断方式、非离线(off-line)方式等。
具基板清洁功能的连续式制作方法可通过连续方式或在线(on-line)方式按序执行下列步骤S21至步骤S31,亦可依照不同需求或实际工艺调整与增减步骤S21至步骤S31的先后顺序及步骤数量。
如图3的步骤S21所示,提供基板30的核心板31。
如图3的步骤S22所示,使用增层装置11或由压合装置12使用压合工艺对基板30的核心板31进行增层作业或压合作业以形成多层板32。
如图3的步骤S23所示,由激光钻孔装置13使用激光钻孔工艺,以对基板30(如多层板32)进行激光钻孔作业以形成至少一(如多个)通孔33,且此激光钻孔装置13的激光钻孔作业会在基板30的通孔33处形成或残留胶渣34。
如图3的步骤S24所示,可由在前端的除胶渣站上的除胶渣装置14使用除胶渣工艺,以对基板30(如多层板32)的通孔33处的胶渣34进行除胶渣清洁作业。
如图3的步骤S25所示,使用化学镀铜材料15或化学镀铜工艺对基板30(如多层板32)或其通孔33进行化学镀铜(简称“化铜”)作业以形成铜层35。
如图3的步骤S26所示,由贴膜装置16使用贴膜工艺对基板30或其铜层35进行干膜36的贴膜作业(如压膜或覆盖作业)。
如图3的步骤S27至步骤S28所示,先由曝光装置17使用曝光工艺对基板30的干膜36进行曝光作业,再由显影装置18使用显影工艺对基板30的干膜36进行显影作业以形成图案化的干膜36。
如图3的步骤S29所示,由电镀装置19使用电镀工艺对基板30进行电镀作业以形成电镀层37。
如图3的步骤S30所示,可由在后端的剥膜与除胶渣站上的剥膜与除胶渣装置20使用剥膜与除胶渣工艺,以连续方式或在线(on-line)方式按序对基板30的干膜36进行剥膜作业与对干膜36的胶渣38进行除胶渣清洁作业。因为剥膜与除胶渣装置20的剥膜工艺对基板30的干膜36进行剥膜作业后会形成或残留干膜36的胶渣38,故需再使用剥膜与除胶渣装置20的除胶渣工艺对干膜36的胶渣38进行除胶渣清洁作业。
如图3的步骤S31所示,可由在后端的微蚀站上的微蚀装置21使用微蚀工艺,以对基板30的表面进行微蚀作业,且此微蚀作业能清洁或去除基板30的表面的氧化物、污渍、油脂等。
综上,本实用新型所述的具基板清洁功能的连续式制作设备至少具有下列特色、优点或技术技术效果。
一、本实用新型能使用激光钻孔装置自动地对基板进行激光钻孔作业以形成通孔,再使用除胶渣装置对基板的通孔处的胶渣进行除胶渣清洁作业,有利于迅速地清除基板的通孔处的胶渣。
二、本实用新型能使用贴膜装置自动地对基板进行干膜的贴膜作业,再使用曝光装置与显影装置有效地对基板的干膜进行曝光作业与显影作业。
三、本实用新型能将“对基板的干膜进行剥膜作业”与“对干膜的胶渣进行除胶渣清洁作业”两者设计在一个共同工艺或连续制作程序中,亦即使用剥膜与除胶渣装置以连续方式或在线(on-line)方式按序对基板的干膜进行剥膜作业与对干膜的胶渣进行除胶渣清洁作业,且在完成此共同工艺或连续制作程序后,才能使用微蚀装置对基板的表面进行微蚀作业,据此确保对基板的干膜的胶渣进行除胶渣清洁作业后不会有残留胶渣的问题。
四、现有技术需在前端的除胶渣站分别对基板的通孔与干膜两者进行除胶渣清洁作业,导致除胶渣站的除胶渣清洁作业的工作量爆增及处理速度缓慢。相对地,本实用新型直接在后端的剥膜与除胶渣站上使用剥膜与除胶渣装置,以连续方式或在线(on-line)方式对基板的干膜及其胶渣按序进行剥膜作业与除胶渣清洁作业,故能有效率且迅速地制作与清洁基板,亦能提升对干膜的胶渣的除胶渣清洁作业的处理速度。
五、现有技术需将基板通过第一次离线(off-line)方式与第二次离线(off-line)方式反复地在前端的除胶渣站与后端的剥膜站之间来回移动,导致基板的整体作业显得相当繁复、不顺畅且耗费大量移动时间。相对地,本实用新型直接使用剥膜与除胶渣装置,以连续方式或在线(on-line)方式对基板的干膜及其胶渣按序进行剥膜作业与除胶渣清洁作业,能使基板的整体作业显得相当顺畅,亦不会耗费基板的大量移动时间。
六、现有技术无法以连续方式或在线(on-line)方式迅速地制作与清洁基板,亦会提高基板在二次离线(off-line)的过程中可能发生折损、毁坏或遗失的风险,从而降低基板的制作良率。相对地,本实用新型直接使用剥膜与除胶渣装置,以连续方式或在线(on-line)方式对基板的干膜及其胶渣按序进行剥膜作业与除胶渣清洁作业,故能迅速地制作与清洁基板,亦能有效地降低基板于制作与清洁过程中可能发生折损、毁坏或遗失的情形,进而提高基板的制作良率。
七、本实用新型能在使用剥膜与除胶渣装置通过连续方式或在线方式按序对基板的干膜进行剥膜作业与对干膜的胶渣进行除胶渣清洁作业后,使用微蚀装置与微蚀材料对基板的表面进行微蚀作业,以利有效地清洁或去除基板的表面的氧化物、污渍、油脂等。
上述实施例用以例示性说明本实用新型的原理及其技术效果,而非用于限制本实用新型。本领域技术人员均可在不违背本实用新型的构思及范围下,对上述实施例进行修改。因此本实用新型的权利保护范围,应如权利要求书所列。
Claims (5)
1.一种具基板清洁功能的连续式制作设备,其特征在于,包括:
激光钻孔装置与除胶渣装置,由该激光钻孔装置对基板进行激光钻孔作业以形成通孔,再由该除胶渣装置对该基板的该通孔处的胶渣进行除胶渣清洁作业;
贴膜装置、曝光装置与显影装置,在该除胶渣装置对该基板的该通孔处的胶渣进行该除胶渣清洁作业后,由该贴膜装置对该基板进行干膜的贴膜作业,再由该曝光装置与该显影装置分别对该基板的该干膜进行曝光作业与显影作业;以及
剥膜与除胶渣装置,在该曝光装置与该显影装置分别对该基板的该干膜进行该曝光作业与该显影作业后,由该剥膜与除胶渣装置以连续方式或在线方式按序对该基板的该干膜进行剥膜作业与对该干膜的胶渣进行除胶渣清洁作业。
2.如权利要求1所述的具基板清洁功能的连续式制作设备,其特征在于,该连续式制作设备还包括增层装置或压合装置,在该激光钻孔装置对该基板进行该激光钻孔作业以形成该通孔前,借由该增层装置或该压合装置分别对该基板的核心板进行增层作业或压合作业以形成多层板。
3.如权利要求1所述的具基板清洁功能的连续式制作设备,其特征在于,该连续式制作设备还包括化学镀铜材料,在该除胶渣装置对该基板的该通孔处的胶渣进行该除胶渣清洁作业后,借由该化学镀铜材料对该基板或该通孔进行化学镀铜作业以形成铜层。
4.如权利要求1所述的具基板清洁功能的连续式制作设备,其特征在于,该连续式制作设备还包括电镀装置,在该曝光装置与该显影装置对该基板的该干膜进行该曝光作业与该显影作业后,由该电镀装置对该基板进行电镀作业以形成电镀层。
5.如权利要求1所述的具基板清洁功能的连续式制作设备,其特征在于,该连续式制作设备还包括微蚀装置,在该剥膜与除胶渣装置通过该连续方式或在线方式按序对该基板的该干膜进行该剥膜作业与对该干膜的胶渣进行该除胶渣清洁作业后,由该微蚀装置使用微蚀材料对该基板的表面进行微蚀作业。
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|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
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