CN220265816U - 一种溅射钼环 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种溅射钼环，包括钼环本体，所述钼环本体上开设有端口，所述钼环本体外周面设置若干个柱状把手，其中靠近所述端口的两个所述柱状把手用于连接电源，用于连接电源的两个所述柱状把手靠近所述端口的边沿之间形成第一区域，所述钼环本体上除了所述第一区域的部分为第二区域，所述第一区域包括所述端口。本实用新型涉及半导体材料的技术领域。本实用新型具有使镀膜更加均匀的效果。
Description
技术领域
本实用新型涉及半导体材料的技术领域，尤其是涉及一种溅射钼环。
背景技术
钼是一种熔点为2625ºC的难熔金属，由于钼在高温下具有很强的抗张强度和抗蠕变强度，良好的导热、导电性能，以及良好的抗腐蚀性能等特征。因此，钼被广泛地应用于化学化工、冶金及航空航天工业等领域。随着高新技术的飞速发展，钼材料在许多方面得到了新的应用。 譬如高纯钼在微电子工业中的应用，目前，平面显示领域大量使用高纯钼作为配线材料。而在大规模集成电路领域，由于钼形成的薄膜应力小、高温稳定性好，导电性能良好，因此也有使用高纯钼作为配线材料的趋势。
一般而言，在大规模集成电路领域，钼薄膜采用物理气相沉积（PVD）方法进行制备。物理气相沉积（PVD）是半导体芯片生产过程中最关键的工艺之一，其目的是把金属或金属的化合物以薄膜的形式沉积到硅片或其他的基板上，并随后通过光刻与腐蚀等工艺的配合，最终形成半导体芯片中复杂的配线结构。物理气相沉积是通过溅射机台来完成的，溅射钼环件就是用于上述工艺中的一个非常重要的关键耗材。
其起到的作用主要有两点 ：1）约束溅射粒子的运动轨迹，起到聚焦的作用 ； 2）吸附溅射过程中产生的大的颗粒物，起到净化的作用。
但是现有的钼环在安装在设备上时，电流从钼环本体上的两个与电源线相连接的柱状把手处经过。因此在端口附近的等离子体的密度变大，更容易在溅射过程中造成大颗粒物的产生，这些大颗粒物沉积在硅片上的可能性增加，导致镀膜不均匀。
实用新型内容
根据现有技术存在的不足，本实用新型的目的是提供一种溅射钼环，具有使镀膜更加均匀的效果。
本实用新型的上述技术目的是通过以下技术方案得以实现的：
一种溅射钼环，包括钼环本体，所述钼环本体上开设有端口，所述钼环本体外周面设置若干个柱状把手，其中靠近所述端口的两个所述柱状把手用于连接电源，用于连接电源的两个所述柱状把手靠近所述端口的边沿之间形成第一区域，所述钼环本体上除了所述第一区域的部分为第二区域，所述第一区域包括所述端口；
所述第一区域表面粗糙度大于等于第二区域表面粗糙度。
通过采用上述技术方案，通过增大端口所处区域的粗糙度，使第一区域更加容易吸附较大的颗粒物，从而降低大颗粒物沉积在硅片上的可能性，使镀膜更加均匀。
本实用新型在一较佳示例中可以进一步配置为：所述第一区域表面粗糙度大于等于10微米；
所述第二区域表面粗糙度为5微米-8微米。
本实用新型在一较佳示例中可以进一步配置为：所述端口上两个端面相平行。
本实用新型在一较佳示例中可以进一步配置为：所述端口上两个端面与所述钼环本体侧面的夹角大于80度小于等于90度。
本实用新型在一较佳示例中可以进一步配置为：所述端口上两个端面的距离为5毫米-8毫米。
本实用新型在一较佳示例中可以进一步配置为：端面与所述钼环本体的侧面的连接处倒圆角，圆角半径为4毫米-8毫米。
本实用新型在一较佳示例中可以进一步配置为：所述钼环本体直径为345毫米-350毫米或383毫米-388毫米。
综上所述，本实用新型包括以下至少一种有益技术效果：
1.通过增大端口所处区域的粗糙度，使第一区域更加容易吸附较大的颗粒物，从而降低大颗粒物沉积在硅片上的可能性，使镀膜更加均匀。
附图说明
图1是本实施例的整体结构示意图。
图中，1、钼环本体；11、端口；12、柱状把手；2、第一区域；3、第二区域。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型作进一步详细说明。
实施例：
参照图1所示，本实用新型公开的一种溅射钼环，包括钼环本体，所述钼环本体上开设有端口，所述钼环本体外周面设置若干个柱状把手，在本实施例中，柱状把手的数量为七个。其中靠近所述端口的两个所述柱状把手用于连接电源。用于连接电源的两个所述柱状把手靠近所述端口的边沿之间形成第一区域。所述第一区域表面粗糙度大于等于第二区域表面粗糙度。
第一区域表面粗糙度大于等于10微米。在本实施例中，第一区域的表面粗糙度为11微米。所述第一区域包括所述端口。
钼环本体上除了所述第一区域的部分为第二区域。第二区域表面粗糙度为5微米-8微米。在本实施例中，第二区域表面粗糙度为7微米。
端口上两个端面相平行。端口上两个端面的距离为5毫米-8毫米。在本实施例中，两个端面之间的距离为7毫米。
端面与所述钼环本体的侧面的连接处倒圆角，圆角半径为4毫米-8毫米。在本实施例中，圆角半径为6毫米。
端口上两个端面与所述钼环本体侧面的夹角大于80度小于等于90度。在本实施例中，夹角度数为85度。
钼环本体直径为345毫米-350毫米或383毫米-388毫米。在本实施例中，钼环本体的直径为347毫米。
本具体实施方式的实施例均为本实用新型的较佳实施例，并非依此限制本实用新型的保护范围，故：凡依本实用新型的结构、形状、原理所做的等效变化，均应涵盖于本实用新型的保护范围之内。
Claims (7)
1.一种溅射钼环，包括钼环本体（1），所述钼环本体（1）上开设有端口（11），所述钼环本体（1）外周面设置若干个柱状把手（12），其中靠近所述端口（11）的两个所述柱状把手（12）用于连接电源，其特征在于，用于连接电源的两个所述柱状把手（12）靠近所述端口（11）的边沿之间形成第一区域（2），所述钼环本体（1）上除了所述第一区域（2）的部分为第二区域（3），所述第一区域（2）包括所述端口（11）；
所述第一区域（2）表面粗糙度大于等于第二区域（3）表面粗糙度。
2.根据权利要求1所述的一种溅射钼环，其特征在于：所述第一区域（2）表面粗糙度大于等于10微米；
所述第二区域（3）表面粗糙度为5微米-8微米。
3.根据权利要求1所述的一种溅射钼环，其特征在于：所述端口（11）上两个端面相平行。
4.根据权利要求3所述的一种溅射钼环，其特征在于：所述端口（11）上两个端面与所述钼环本体（1）侧面的夹角大于80度小于等于90度。
5.根据权利要求4所述的一种溅射钼环，其特征在于：所述端口（11）上两个端面的距离为5毫米-8毫米。
6.根据权利要求5所述的一种溅射钼环，其特征在于：端面与所述钼环本体（1）的侧面的连接处倒圆角，圆角半径为4毫米-8毫米。
7.根据权利要求1所述的一种溅射钼环，其特征在于：所述钼环本体（1）直径为345毫米-350毫米或383毫米-388毫米。
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2023
- 2023-07-25 CN CN202321970436.4U patent/CN220265816U/zh active Active
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