CN212404278U - 一种等离子体增强化学气相沉积设备 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供一种等离子体增强化学气相沉积设备。本实用新型提供的等离子体增强化学气相沉积设备，包括反应腔，还包括设置在反应腔内的第一电极、第二电极和遮蔽框组件，第一电极的上表面具有承载区，待沉积薄膜的基板放置于承载区上，遮蔽框组件覆盖第一电极的位于基板外围的区域，且遮蔽框组件的内缘伸入至基板和第一电极之间，第二电极对应设置在第一电极的上方。本实用新型的等离子体增强化学气相沉积设备，能够减小成膜区域的局限性，满足产品的窄边框化发展需求。

Description

一种等离子体增强化学气相沉积设备

技术领域

本实用新型涉及等离子体处理技术领域，尤其涉及一种等离子体增强化学气相沉积设备。

背景技术

等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，简称：PECVD)系统是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，并利用等离子体化学活性强而很容易发生反应的特性，在基板上沉积出所期望的薄膜。

等离子体化学气相沉积利用低温等离子体作为能量源，基板置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电或另外设置发热体使基板升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体，气体通过一系列的化学反应和等离子体反应，从而在基板表面形成固态薄膜。PECVD设备的腔室内通常设置有遮蔽框，遮蔽框的内边缘搭接在基板上，通过遮蔽框遮盖支撑在基板下方的电极中未被基板覆盖的区域，以免电极遭受等离子体的轰击而引发异常放电，避免对电极造成破坏性影响。

但是，由于遮蔽框的限制，致使基板成膜时无法进行整面成膜，基板的被遮蔽框覆盖的边缘区域无法成膜，这在一定程度上对窄边框及拼接型产品的开发造成局限。

实用新型内容

本实用新型提供一种等离子体增强化学气相沉积设备，能够减小成膜区域的局限性，满足产品的窄边框化发展需求。

本实用新型提供一种等离子体增强化学气相沉积设备，该设备包括反应腔，还包括设置在反应腔内的第一电极、第二电极和遮蔽框组件，第一电极的上表面具有承载区，待沉积薄膜的基板放置于承载区上，遮蔽框组件覆盖第一电极的位于基板外围的区域，且遮蔽框组件的内缘伸入至基板和第一电极之间，第二电极对应设置在第一电极的上方。

在一种可能的实施方式中，遮蔽框组件包括遮蔽内框和遮蔽外框，遮蔽内框的内缘伸入至基板和第一电极之间，遮蔽外框的内缘与遮蔽内框的外缘连接。

在一种可能的实施方式中，遮蔽内框连接在第一电极上，遮蔽外框的内缘搭接在遮蔽内框上。

在一种可能的实施方式中，遮蔽内框与基板之间的重叠区域的宽度范围为4-8mm。

在一种可能的实施方式中，遮蔽内框为陶瓷材质，遮蔽外框为金属材质。

在一种可能的实施方式中，第一电极的上表面覆盖有绝缘膜，遮蔽外框的上表面也覆盖有绝缘膜。

在一种可能的实施方式中，绝缘膜的厚度为10-50μm。

在一种可能的实施方式中，该设备还包括气体扩散器，气体扩散器位于第一电极上方，且安装于第二电极下部。

在一种可能的实施方式中，遮蔽外框的外缘与反应腔的内侧壁之间具有8-12mm的间隙。

在一种可能的实施方式中，该设备还包括支撑部，支撑部设置在反应腔的内侧壁上，且支撑部位于遮蔽外框的朝向第一电极的一侧，支撑部用于在第一电极向背离第二电极的方向移动时支撑遮蔽外框。

本实用新型提供的等离子体增强化学气相沉积设备，通过在第一电极的位于基板外围的区域上覆盖遮蔽框组件，遮蔽框组件可对第一电极进行遮盖保护，降低第一电极发生异常放电的风险，保护第一电极不遭受破坏性影响；其中，通过遮蔽框组件的内缘伸入至基板和第一电极之间，一方面遮蔽框组件可完全覆盖第一电极的暴露在基板外围的区域，因而遮蔽框组件可以保护第一电极不受影响，另一方面，遮蔽框组件未对基板的边缘区域造成遮挡，基板的整个区域均暴露在反应腔内，因而基板的所有区域均能成膜，可以提高基板的成膜均一性，减小基板成膜的局限性，满足产品向窄边框化趋势发展的需求。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本实用新型的一些实施例。对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术中等离子体增强化学气相沉积设备的结构示意图；

图2为本实用新型实施例提供的等离子体增强化学气相沉积设备的结构示意图。

附图标记说明：

100-反应腔；200-电极；300-基板；400-遮蔽框；

1-反应腔；2-第一电极；21-承载区；3-第二电极；4-遮蔽框组件；41-遮蔽内框；42-遮蔽外框；5-基板；6-绝缘膜；7-气体扩散器；8-支撑部。

具体实施方式

为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

图1为现有技术中等离子体增强化学气相沉积设备的结构示意图。如图1所示，在利用等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，简称：PECVD)设备在基板300上沉积薄膜时，基板300通常放置在电极200上，在基板300四周的外围区域通常设置有遮蔽框400，通过遮蔽框400覆盖电极200的暴露在基板300外围的区域，通过遮蔽框400来保护基板300不受设备反应腔100内的等离子体的影响，以免电极200的未被遮盖的区域因此而引发异常放电，发生异常放电可对电极200造成永久的破坏性影响。

若遮蔽框400与电极200之间存在缝隙，位于缝隙内的电极区域仍然可能会受到等离子体的影响，以致使该区域内的电极200仍有较高风险发生异常放电，这样仍然会对电极200造成破坏性损伤。

因此，如图1所示，现有技术中，通常遮蔽框400的内边缘会延伸至搭接在基板300的边缘区域上，这样可以确保遮蔽框400能够覆盖电极200的暴露在基板300之外的全部区域，保证遮蔽框400和电极200之间不存在缝隙，以此保证遮蔽框400对电极200起到完全保护作用，进而保证电极200的表面区域不会暴露在薄膜沉积区域之内，从而有效降低电极200发生异常放电的风险，保护电极200不会遭受破坏性损伤。

应理解，在实际应用中，遮蔽框400和基板300之间在两者的厚度方向上仍然具有间隙，例如两者在厚度方向上可以具有0.5-1.3mm的间隙，以免遮蔽框400直接和基板300接触，对基板300造成压裂等损伤。

但是，由于基板300的边缘区域被遮蔽框400覆盖，因而基板300的边缘区域无法沉积薄膜，基板300上形成的薄膜仅能覆盖未被遮蔽框400遮盖的区域。以通过在基板300上沉积薄膜形成显示面板为例，具体以液晶显示面板为例，可以是在阵列基板上沉积金属薄膜、金属氧化物薄膜或非金属薄膜，薄膜无法覆盖基板300的边缘区域，则液晶显示面板的显示区域也因此会受到限制，基板300边缘未覆盖薄膜的区域为液晶显示面板的非显示区域，这样会导致液晶显示面板的边框区域(边缘非显示区域)无法进一步缩减，不利于显示面板向窄边框化的趋势发展。

有鉴于此，本实施例提供一种等离子体增强化学气相沉积设备，以减少遮蔽框对基板的影响，扩大基板上形成的薄膜的覆盖面积，使制作成的产品满足窄边框化需求。

图2为本实用新型实施例提供的等离子体增强化学气相沉积设备的结构示意图。如图2所示，本实施例提供一种等离子体增强化学气相沉积设备，该设备包括反应腔1，还包括设置在反应腔1内的第一电极2、第二电极3和遮蔽框组件4，第一电极2的上表面具有承载区21，待沉积薄膜的基板5放置于承载区21上，遮蔽框组件4覆盖第一电极2的位于基板5外围的区域，且遮蔽框组件4的内缘伸入至基板5和第一电极2之间，第二电极3对应设置在第一电极2的上方。

如图2所示，本实施例中，等离子体增强化学气相沉积设备(以下简称该设备)包括反应腔1，根据薄膜的沉积需求，反应腔1内部可以形成真空腔体，以满足反应腔1内气体反应所需的环境条件。

具体的，反应腔1内设置有第一电极2、第二电极3和遮蔽框组件4。其中，第一电极2和第二电极3相对设置，以反应气体进入反应腔1内由上至下的移动方向来定义，第一电极2位于第二电极3下方，反应气体由第二电极3向第一电极2移动。

通过设置第一电极2和第二电极3，通过第一电极2和第二电极3之间形成的电场能够将反应气体进行电离，反应气体在第一电极2和第二电极3之间的空间区域内形成等离子体，等离子体具有很强的化学活性，很容易发生反应，进而可以在基板5上沉积形成所期望的薄膜。

示例性的，第一电极2可以为阴极，而第二电极3可以为阳极。

第二电极3位于第一电极2上方，且反应气体被电离后形成的等离子体朝向第一电极2的方向移动，因而用于沉积薄膜的基板5可以放置在第一电极2上。第一电极2一方面与第二电极3配合作用使反应气体发生电离形成等离子体，第一电极2另一方面又可作为基板5的承载部件。

其中，第一电极2的上表面具有承载区21，基板5放置在第一电极2的承载区21上。可以理解的是，第一电极2的上表面的面积应大于基板5的面积，与之对应的，第二电极3的面积也应大于基板5的面积，这样第一电极2和第二电极3之间形成的区域可以覆盖整个基板5，可以保证第一电极2和第二电极3之间形成的空间区域内的等离子体可以覆盖在基板5表面的各区域，进而基板5表面各区域均能够沉积形成薄膜。

需要说明的是，第一电极2和第二电极3之间的空间区域内形成的等离子体朝向第一电极2移动，等离子体会轰击第一电极2的上表面，进而会对第一电极2的上表面造成影响，第一电极2受到等离子体轰击的区域会引发异常放电的风险，而异常放电会对第一电极2造成破坏性损伤。

第一电极2上表面的承载区21上由于覆盖有基板5，通过基板5的遮盖保护作用，第一电极2的承载区21不会受到等离子体的轰击，因而承载区21发生异常放电的风险较小。但第一电极2上表面的位于承载区21之外的区域，由于未被基板5覆盖，若暴露在反应腔1内，则可能会受到等离子体的轰击，具有较大的异常放电风险，可能会对第一电极2造成破坏性损伤。

为了防止第一电极2上表面的承载区21之外的区域，即第一电极2的未被基板5覆盖的区域受到等离子体的轰击，如图2所示，本实施例中，第一电极2的位于基板5外围的区域上覆盖有遮蔽框组件4，通过遮蔽框组件4对第一电极2上位于承载区21之外的区域的遮盖保护作用，可以避免第一电极2的位于承载区21之外的区域受到等离子体的轰击，这样第一电极2上表面的整个区域均被覆盖，因而可以保护整个第一电极2不受等离子体影响，进而有效降低第一电极2发生异常放电的风险，保护第一电极2不会遭受破坏性损伤。

其中，为了避免遮蔽框组件4与第一电极2之间存在缝隙，本实施例中，遮蔽框组件4的内缘伸入至基板5和第一电极2之间，这样遮蔽框组件4与基板5之间具有重叠区域，保证了遮蔽框组件4可以覆盖第一电极2的暴露在基板5之外的全部区域，遮蔽框组件4与第一电极2之间不存在缝隙，因而第一电极2不存在暴露区域，第一电极2的位于基板5之外的全部区域均得到遮蔽框组件4的保护，可以确保第一电极2不会受到等离子体轰击，可有效降低第一电极2整体发生异常放电的风险，进一步保护第一电极2不受损伤。

同时，通过将遮蔽框组件4的内缘伸入至基板5和第一电极2之间，遮蔽框组件4未遮挡基板5的边缘区域，不会对基板5产生影响，基板5的整个区域均暴露在反应腔1内，因而基板5的各区域均能够进行成膜，包括基板5的边缘区域也能够成膜，这样可以扩大基板5上形成的薄膜的覆盖面积。

通过薄膜在基板5上的覆盖面积，例如薄膜可以覆盖基板5的各区域，基板5四周的边缘区域也覆盖有薄膜，以制作而成的产品为显示面板为例，这可以减小显示面板的位于边缘区域的非显示区域的面积，而增大显示面板的位于非显示区域内侧的显示区域的面积，进而可以形成边框更窄(边缘的非显示区域的宽度更小)的显示面板。

如此，通过使遮蔽框组件4的内缘伸入至基板5和第一电极2之间，不仅可对第一电极2进行有效保护，可避免第一电极2的暴露在基板5外的区域受到等离子体轰击，有效降低第一电极2发生异常放电的风险，保护第一电极2不受到破坏；并且，遮蔽框组件4对基板5的成膜区域没有限制，可以使基板5整面成膜，进而满足窄边框及拼接型显示面板的需求。

可以理解的是，该设备上可以设置有进气口和出气口，进气口和出气口均与反应腔1连通，参与反应的气体可以通过进气口进入反应腔1内，反应后的剩余气体及产生的副产物等通过出气口排出至反应腔1外，如此可以维持反应腔1内的真空环境。其中，进气口可以位于反应腔1的顶部，而出气口可以位于反应腔1的底部，示例性的，反应腔1的底部还可以设置有与出气口连通的真空泵，通过真空泵将反应后的气体及副产物从出气孔抽出。

如图2所示，本实施例中，该设备还可以包括气体扩散器7，气体扩散器7位于第一电极2上方，且气体扩散器7安装于第二电极3下部。通过设置气体扩散器7，可以分散从进气口进入的反应气体，使反应气体在反应腔1内的分布更均匀，进而由反应气体电离而形成等离子体的分布也更均匀，以提高基板5上形成的薄膜的均匀性，同时也能够提高成膜效率。

具体的，气体扩散器7可以对应设置在基板5上方，气体扩散器7正对基板5设置，且气体扩散器7的横截面积可以大于基板5的横截面积。在一种具体实施方式中，气体扩散器7的面向基板5的一侧表面上可以均匀分布有多个出气孔，反应气体进入气体扩散器7后从各出气孔排出至气体扩散器7和基板5之间的空间，如此反应气体可以较为均匀的分布在基板5上方的空间内，进而提高基板5的成膜均匀性。

另外，气体扩散器7可以安装在第二电极3下部，例如气体扩散器7可通过螺栓或螺钉等连接件固定连接在第二电极3上，这样气体扩散器7和第二电极3形成一个整体，便于两者的组装。通过气体扩散器7将反应气体均匀化后，位于第一电极2和第二电极3之间的反应气体被电离形成等离子体。

在一种可能的实施方式中，遮蔽框组件4可以包括遮蔽内框41和遮蔽外框42，遮蔽内框41的内缘伸入至基板5和第一电极2之间，遮蔽外框42的内缘与遮蔽内框41的外缘连接。通过设置遮蔽内框41和遮蔽外框42组成遮蔽框组件4，便于遮蔽框组件4的设置和与第一电极2的连接。

其中，遮蔽内框41位于遮蔽外框42的内侧，且遮蔽内框41的内缘伸入至基板5和第一电极2之间，遮蔽外框42连接在遮蔽内框41外侧，遮蔽外框42的外缘延伸至第一电极2的外侧，遮蔽外框42的内缘和遮蔽内框41的外缘之间可以具有重叠部分，以确保遮蔽内框41和遮蔽外框42可以完全覆盖第一电极2的暴露在基板5外的部分。

本实施例中，遮蔽外框42和遮蔽内框41可以为一体成型件，通过设置遮蔽内框41，便于将遮蔽内框41伸入至基板5和第一电极2之间；或者，遮蔽外框42和遮蔽内框41单独成型，两者之间可以通过连接件或焊接固定连接，使遮蔽外框42和遮蔽内框41构成一个整体。

在实际应用中，基板5上沉积形成薄膜后，对于基板5与第一电极2的脱离，通常是第一电极2首先带动基板5一起向背离气体扩散器7的方向移动，即第一电极2连通基板5一起向反应腔1的底部移动。当第一电极2移动到预定位置停止后，第一电极2内设置的顶柱反向移动，即顶柱向上移动，通过顶柱顶起基板5，顶柱将基板5向上顶起一段距离，从而可以将基板5从第一电极2上取下。

在第一电机向下移动的过程中，遮蔽外框42可以固定不动，或遮蔽外框42仅向下移动较小的一段距离，而不会随第一电极2一起移动到第一电极2的预定位置，即第一电极2移动到位时已脱离与遮蔽外框42的连接。

对于此种情况，也可以将遮蔽内框41和遮蔽外框42之间设置为可分离的形式，具体的，遮蔽内框41可以连接在第一电极2上，遮蔽外框42的内缘可以搭接在遮蔽内框41上。通过将遮蔽内框41固定连接在第一电极2上，以确保遮蔽内框41可以稳定的位于第一电极2和基板5之间，遮蔽内框41的内缘嵌入基板5下方。

遮蔽外框42与遮蔽内框41之间不固定连接，而仅是遮蔽外框42的内缘搭接在遮蔽内框41的外缘上，如此设置，在第一电极2向下移动的过程中，遮蔽外框42固定不动或向下移动较小的一端距离，遮蔽外框42固定不动后，连接在第一电极2上的遮蔽内框41继续随第一电极2向下移动，遮蔽内框41与遮蔽外框42之间相互脱离，且不会相互干扰。

如此可避免遮蔽内框41与遮蔽外框42之间固定连接时，在遮蔽外框42固定不动后，遮蔽内框41也无法进一步向下移动，而由于遮蔽内框41的内缘嵌入基板5下方，若遮蔽内框41无法继续移动，而第一电极2继续向下移动时，则会将基板5从第一电极2上强行分离，这可能会对基板5造成损伤。

其中，对于遮蔽内框41与第一电极2的连接，遮蔽内框41可以粘贴在第一电极2上，或者，可以通过螺钉、铆钉等连接件将遮蔽内框41固定在第一电极2上，本实施例对此不做具体限制。

在一种可能的实施方式中，遮蔽内框41与基板5之间的重叠区域的宽度范围可以为4-8mm。通过将遮蔽内框41与基板5之间的重叠区域的宽度设置在4-8mm之间，以使遮蔽内框41与基板5具有足够的重叠区域，即使基板5在放置过程中出现微小的偏移，也能够保证基板5的边缘均搭接在遮蔽内框41上，以确保基板5和遮蔽内框41之间不存在缝隙，不会暴露出第一电极2的局部区域。

需要说明的是，在确保第一电极2遭受异常放电的风险相对较小的情况下，需尽可能扩大基板5在第一电极2的承载区21上的覆盖面积，以保证基板5在薄膜沉积时的温度均匀性，提升基板5边缘区域的成膜质量。

示例性的，遮蔽内框41与基板5之间的重叠区域的宽度可以为4mm、5mm、6mm、7mm或8mm。

另外，本实施例中，搭接在遮蔽内框41上的遮蔽外框42的整体高度可以高于基板5所在的平面，这样遮蔽外框42还可以具有对基板5的限位作用。一方面遮蔽外框42与遮蔽内框41搭接，保证了遮蔽框组件4可完全覆盖第一电极2的暴露在基板5外的区域，另一方面，通过遮蔽外框42的内缘围成的区域限定出基板5的放置区域，基板5即使发生偏移，也可保证基板5的边缘搭接在遮蔽内框41上。

同时，遮蔽外框42的高度不能过高，以免与气体扩散器7产生干涉，应确保在薄膜沉积时，第一电极2与气体扩散器7之间具有足够的间距。

由于遮蔽外框42和遮蔽内框41之间为可分离式设计，因而遮蔽外框42和遮蔽内框41可以通过不同的材料制作而成，在一种具体实施方式中，遮蔽内框41可以为陶瓷材质，遮蔽外框42可以为金属材质。

遮蔽内框41固定连接在第一电极2上，且遮蔽内框41的体积较小，因而遮蔽内框41可以由陶瓷材料制作而成。通过将陶瓷材质的遮蔽内框41连接在第一电极2上，可以增强遮蔽内框41的强度和可塑性，能够防止遮蔽内框41受到损伤；同时，陶瓷材质的遮蔽内框41具有良好的绝缘性能，因而可以有效减小遮蔽内框41覆盖部分的第一电极2发生异常放电的风险。

遮蔽外框42通常具有较大的体积，并且在第一电极2向下移动的过程中，遮蔽外框42会脱离与第一电极2的连接，即遮蔽外框42不再支撑在较大面积的支撑面上，而可能通过其他支撑面积较小的支撑件来支撑遮蔽外框42。因此，通过金属材料制作遮蔽外框42，可以提高遮蔽外框42的强度和刚度，提高遮蔽外框42的稳定性。

示例性的，遮蔽外框42可以为铝框，铝材制作而成的遮蔽外框42质地较轻，对第一电极2的压力较小，可相应提高第一电极2的稳定性和延长第一电极2的使用寿命，并且质量较小的遮蔽外框42便于支撑在其他支撑面积较小的支撑件上。

本实施例中，遮蔽外框42的首先需保证覆盖第一电极2的暴露在基板5和遮蔽内框41外的全部区域，而为了进一步提高反应腔1内气流分布的均匀性，在一种可能的实施方式中，遮蔽外框42的外缘与反应腔1的内侧壁之间可以具有8-12mm的间隙。

如图2所示，通过使遮蔽外框42的外缘延伸至与反应腔1的内侧壁接近，并且遮蔽外框42与反应腔1的内侧壁之间具有较小的间隙，如此可以保证遮蔽外框42覆盖第一电极2的暴露在基板5和遮蔽内框41外的全部区域，并且遮蔽外框42阻隔在气体扩散器7和第一电极2之间，这样在遮蔽外框42覆盖的区域，从气体扩散器7喷出的气流可以在竖直方向上较为均匀的吹向基板5。

由于遮蔽外框42的阻隔，遮蔽外框42覆盖的区域，气流不会受到出气口设置的真空泵的影响，因而不会存在有部分气流集中向出气口运动的现象，气体扩散器7与第一电极2之间可以形成分布较为均匀的气流场，反应气体更多在近似竖直的方向上由气体扩散器7运动至第一电极2，这可以提高基板5成膜的均匀性，并且可以提高反应腔1的自清洁能力。

通过使遮蔽外框42与反应腔1的内侧壁之间具有较小的间隙，不至于使遮蔽外框42完全和反应腔1的内侧壁接触，这样遮蔽外框42移动时，反应腔1的内侧壁不会对其造成阻碍。

如前所述，遮蔽外框42与第一电极2可分离设置，第一电极2在向下移动的过程中，遮蔽外框42可脱离与第一电极2的接触，遮蔽外框42可固定不动或向下移动较小的距离。在此过程中，为了实现对遮蔽外框42的支撑，本实施例中，该设备还可以包括支撑部8，支撑部8可以设置在反应腔1的内侧壁上，且支撑部8位于遮蔽外框42的朝向第一电极2的一侧，支撑部8用于在第一电极2向背离第二电极3的方向移动时支撑遮蔽外框42。

如图2所示，反应腔1内还设置有支撑部8，支撑部8连接在反应腔1的内侧壁上，且支撑部8位于遮蔽外框42的朝向第一电极2的一侧，在第一电极2向下移动的过程中，遮蔽外框42脱离与第一电极2的接触，此时遮蔽框可以支撑在支撑部8上，通过支撑部8固定遮蔽外框42的位置。

具体的，支撑部8的位置可以与遮蔽外框42在薄膜沉积时的原始位置对应，即在第一电极2未向下移动前，支撑部8抵接在遮蔽外框42的下表面，如此当第一电极2未移动时，第一电极2和支撑部8同时支撑遮蔽外框42，当第一电极2向下移动后，通过支撑部8对遮蔽外框42的支撑作用，支撑部8仍停留在原位置固定不动。

或者，支撑部8与遮蔽外框42在薄膜沉积时所处的原始位置之间具有一定的距离，这样在第一电极2向下移动后，遮蔽外框42会随第一电极2一起移动一段距离，当遮蔽外框42移动至与支撑部8抵接时，遮蔽外框42便脱离与第一电极2的接触，在支撑部8所在的位置固定部动。

其中，通过将支撑部8设置在与遮蔽外框42在薄膜沉积时所处的原始位置具有一定距离的位置，第一电极2下移后，遮蔽外框42会随第一电极2下移一段距离，相对应的，第一电极2上移回复原位的过程中，第一电极2移动至支撑部8的位置，遮蔽外框42会抵接在第一电极2上随第一电极2一起上移，如此可以确保遮蔽外框42与第一电极2连接的紧密性。

由于在基板5脱离第一电极2的过程中，遮蔽外框42和基板5会脱离对第一电极2的覆盖，如此第一电极2的未被覆盖部分会暴露在反应腔1内。在此过程中，反应腔1内仍具有气体等离子体，此部分气体等离子体用于去除基板5与第一电极2之间的静电，防止基板5因静电吸附在第一电极2上而导致基板5破损。但是，这部分气体等离子体可能会轰击暴露的第一电极2，第一电极2的暴露区域仍存在较大的异常放电风险。

因此，为了降低第一电极2发生异常放电的风险，本实施例中，第一电极2的上表面可以覆盖有绝缘膜6，如此，在遮蔽外框42及基板5与第一电极2脱离后，由于第一电极2的上表面覆盖了绝缘膜6，第一电极2具有良好的绝缘性能，因而可以有效降低等离子体轰击第一电极2的风险，进而避免第一电极2发生异常放电现象，保护第一电极2不受损伤。

其中，如前所述，遮蔽内框41由陶瓷材料制作而成，因而遮蔽内框41具有良好的绝缘性能，遮蔽内框41覆盖的第一电极2的区域可以不设置绝缘膜6，或者遮蔽内框41直接设置在绝缘膜6上。

另外，如前所述，遮蔽外框42可以为金属材质，为了避免等离子体对金属材质的遮蔽外框42造成影响，在遮蔽外框42上也可以覆盖绝缘膜6，以免等离子体轰击遮蔽外框42，以避免遮蔽外框42受到损伤。

示例性的，绝缘膜6可以为Al₂O₃薄膜。当然，绝缘膜6也可以为其他具有良好绝缘性能的薄膜，本实施例不作限制。

具体的，绝缘膜6的厚度可以为10-50μm。这样绝缘膜6具有足够的厚度，可以确保绝缘膜6起到良好的绝缘作用。

本实施例提供的等离子体增强化学气相沉积设备，通过在第一电极的位于基板外围的区域上覆盖遮蔽框组件，遮蔽框组件可对第一电极进行遮盖保护，降低第一电极发生异常放电的风险，保护第一电极不遭受破坏性影响；其中，通过遮蔽框组件的内缘伸入至基板和第一电极之间，一方面遮蔽框组件可完全覆盖第一电极的暴露在基板外围的区域，因而遮蔽框组件可以保护第一电极不受影响，另一方面，遮蔽框组件未对基板的边缘区域造成遮挡，基板的整个区域均暴露在反应腔内，因而基板的所有区域均能成膜，可以提高基板的成膜均一性，减小基板成膜的局限性，满足产品向窄边框化趋势发展的需求。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种等离子体增强化学气相沉积设备，包括反应腔，其特征在于，还包括设置在所述反应腔内的第一电极、第二电极和遮蔽框组件，所述第一电极的上表面具有承载区，待沉积薄膜的基板放置于所述承载区上，所述遮蔽框组件覆盖所述第一电极的位于所述基板外围的区域，且所述遮蔽框组件的内缘伸入至所述基板和所述第一电极之间，所述第二电极对应设置在所述第一电极的上方。

2.根据权利要求1所述的等离子体增强化学气相沉积设备，其特征在于，所述遮蔽框组件包括遮蔽内框和遮蔽外框，所述遮蔽内框的内缘伸入至所述基板和所述第一电极之间，所述遮蔽外框的内缘与所述遮蔽内框的外缘连接。

3.根据权利要求2所述的等离子体增强化学气相沉积设备，其特征在于，所述遮蔽内框连接在所述第一电极上，所述遮蔽外框的内缘搭接在所述遮蔽内框上。

4.根据权利要求3所述的等离子体增强化学气相沉积设备，其特征在于，所述遮蔽内框与所述基板之间的重叠区域的宽度范围为4-8mm。

5.根据权利要求3所述的等离子体增强化学气相沉积设备，其特征在于，所述遮蔽内框为陶瓷材质，所述遮蔽外框为金属材质。

6.根据权利要求5所述的等离子体增强化学气相沉积设备，其特征在于，所述第一电极的上表面覆盖有绝缘膜，所述遮蔽外框的上表面也覆盖有所述绝缘膜。

7.根据权利要求6所述的等离子体增强化学气相沉积设备，其特征在于，所述绝缘膜的厚度为10-50μm。

8.根据权利要求1-7任一项所述的等离子体增强化学气相沉积设备，其特征在于，还包括气体扩散器，所述气体扩散器位于所述第一电极上方，且安装于所述第二电极下部。

9.根据权利要求3-7任一项所述的等离子体增强化学气相沉积设备，其特征在于，所述遮蔽外框的外缘与所述反应腔的内侧壁之间具有8-12mm的间隙。

10.根据权利要求9所述的等离子体增强化学气相沉积设备，其特征在于，还包括支撑部，所述支撑部设置在所述反应腔的内侧壁上，且所述支撑部位于所述遮蔽外框的朝向所述第一电极的一侧，所述支撑部用于在所述第一电极向背离所述第二电极的方向移动时支撑所述遮蔽外框。

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