CN211227318U - 氧化铟锡溅射设备的成膜装置和氧化铟锡溅射设备 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供一种氧化铟锡溅射设备的成膜装置和氧化铟锡溅射设备，氧化铟锡溅射设备的成膜装置包括氧化铟锡靶材以及安装在氧化铟锡靶材底部的驱动单元上的防着板，还包括围设在氧化铟锡靶材回镀区外围的遮蔽结构，且遮蔽结构与氧化铟锡靶材的外表面之间具有间隙，遮蔽结构与防着板连接，遮蔽结构用于对氧化铟锡靶材的回镀区进行遮挡，以防止镀膜时产生的杂质沉积在氧化铟锡靶材的回镀区，从而提高了防着板的使用寿命，降低了清洗成本，提高了设备的稼动率。

Description

氧化铟锡溅射设备的成膜装置和氧化铟锡溅射设备

技术领域

本实用新型涉及半导体领域，尤其涉及一种氧化铟锡溅射设备的溅射成膜装置。

背景技术

氧化铟锡溅射设备是进行氧化铟锡镀膜时常用的设备，氧化铟锡溅射设备包括成膜装置，成膜装置包括氧化铟锡靶材和安装在氧化铟锡靶材底部的驱动单元上的防着板。

现有技术中的氧化铟锡溅射设备的成膜装置在使用的过程中，由于靶材底部的回镀区容易累积氧化铟锡粉尘或者脱落的氧化铟锡膜，会引起异常放电频发，从而导致防着板的使用寿命低，清洗成本高，设备稼动率低。

实用新型内容

本实用新型提供一种氧化铟锡溅射设备的成膜装置和氧化铟锡溅射设备，以提高防着板的使用寿命，降低清洗成本，提高设备的稼动率。

第一方面，本实用新型提供一种氧化铟锡溅射设备的成膜装置，包括氧化铟锡靶材以及安装在所述氧化铟锡靶材底部的驱动单元上的防着板，还包括围设在所述氧化铟锡靶材回镀区外围的遮蔽结构，且所述遮蔽结构与所述氧化铟锡靶材的外表面之间具有间隙，所述遮蔽结构与所述防着板连接，所述遮蔽结构用于对所述氧化铟锡靶材的回镀区进行遮挡，以防止镀膜时产生的杂质沉积在所述氧化铟锡靶材的回镀区。

本实用新型提供的氧化铟锡溅射设备的成膜装置，通过在氧化铟锡靶材的回镀区外围围设遮蔽结构，以使遮蔽结构对氧化铟锡靶材的回镀区形成遮挡，从而能够防止镀膜时产生的杂质沉积在氧化铟锡靶材的回镀区，即，遮蔽结构的设置能够使镀膜时产生的导电膜层和氧化铟锡粉尘等杂质大部分沉积在遮蔽结构上，减少了沉积在氧化铟锡靶材回镀区的导电膜层和氧化铟锡粉尘等杂质的累积量，从而不仅减少了镀膜时异常放电发生的频率，提高了氧化铟锡溅射设备的成膜装置的成膜稳定性；而且延长了靶材的使用寿命，提高了氧化铟锡溅射设备的稼动率。由于沉积在氧化铟锡靶材回镀区的导电膜层和氧化铟锡粉尘等杂质的累积量减少，因此也减少了从氧化铟锡靶材上脱落至防着板与氧化铟锡靶材之间的缝隙内的导电膜层和氧化铟锡粉尘等杂质，从而可以降低对防着板进行保养清洗的频率，既节省了清洗成本，又提高了防着板的使用寿命。同时，将遮蔽结构连接在防着板上，且使遮蔽结构与氧化铟锡靶材的外表面之间具有间隙，从而防止遮蔽结构剐蹭到氧化铟锡靶材，在对氧化铟锡靶材的回镀区形成遮挡的同时，不会影响氧化铟锡靶材的转动。

如上所述的氧化铟锡溅射设备的成膜装置，可选的，所述遮蔽结构包括遮蔽板，所述遮蔽板为环形遮蔽板；

或者，所述遮蔽板包括至少两个弧形子遮蔽板，至少两个所述弧形子遮蔽板沿所述氧化铟锡靶材的周向依次首尾连接。

如上所述的氧化铟锡溅射设备的成膜装置，可选的，所述氧化铟锡靶材被所述遮蔽结构遮挡的部分的高度范围为8mm～10mm。

如上所述的氧化铟锡溅射设备的成膜装置，可选的，还包括用于调整所述遮蔽板与所述氧化铟锡靶材的外表面之间的间隙大小的调节件。

如上所述的氧化铟锡溅射设备的成膜装置，可选的，所述调节件包括顶丝；

所述遮蔽板上开设有可供所述顶丝穿过的螺纹孔，所述顶丝的一端抵顶在所述防着板的外壁上。

如上所述的氧化铟锡溅射设备的成膜装置，可选的，所述调节件至少为两个，至少两个所述调节件沿所述遮蔽板的周向间隔排布。

如上所述的氧化铟锡溅射设备的成膜装置，可选的，所述防着板上具有第一连接部，所述遮蔽板上具有可与所述第一连接部匹配连接的第二连接部。

如上所述的氧化铟锡溅射设备的成膜装置，可选的，所述第一连接部至少为两个，所述第二连接部至少为一个，至少两个所述第一连接部在沿所述防着板的底部至所述防着板的顶部的方向上依次间隔排布；所述第二连接部可与任一所述第一连接部匹配连接，以使所述遮蔽板所在的高度可调；

和/或，所述第一连接部和所述第二连接部的其中一者为卡槽，所述第一连接部和所述第二连接部的其中另一者为可卡入所述卡槽中的卡凸。

如上所述的氧化铟锡溅射设备的成膜装置，可选的，所述遮蔽结构与所述防着板一体成型。

第二方面，本实用新型提供一种氧化铟锡溅射设备，可选的，包括如上任一项所述的氧化铟锡溅射设备的成膜装置。

本实用新型提供的氧化铟锡溅射设备，通过在其成膜装置的氧化铟锡靶材的回镀区外围围设遮蔽结构，以使遮蔽结构对氧化铟锡靶材的回镀区形成遮挡，从而能够防止镀膜时产生的杂质沉积在氧化铟锡靶材的回镀区，即，遮蔽结构的设置能够使镀膜时产生的导电膜层和氧化铟锡粉尘等杂质大部分沉积在遮蔽结构上，减少了沉积在氧化铟锡靶材回镀区的导电膜层和氧化铟锡粉尘等杂质的累积量，从而不仅减少了镀膜时异常放电发生的频率，提高了氧化铟锡溅射设备的成膜装置的成膜稳定性；而且延长了靶材的使用寿命，提高了氧化铟锡溅射设备的稼动率。由于沉积在氧化铟锡靶材回镀区的导电膜层和氧化铟锡粉尘等杂质的累积量减少，因此也减少了从氧化铟锡靶材上脱落至防着板与氧化铟锡靶材之间的缝隙内的导电膜层和氧化铟锡粉尘等杂质，从而可以降低对防着板进行保养清洗的频率，既节省了清洗成本，又提高了防着板的使用寿命。同时，将遮蔽结构连接在防着板上，且使遮蔽结构与氧化铟锡靶材的外表面之间具有间隙，从而防止遮蔽结构剐蹭到氧化铟锡靶材，在对氧化铟锡靶材的回镀区形成遮挡的同时，不会影响氧化铟锡靶材的转动。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术的氧化铟锡溅射设备的成膜装置的结构示意图；

图2为本实用新型实施例一提供的氧化铟锡溅射设备的成膜装置的结构示意图；

图3为本实用新型实施例一提供的氧化铟锡溅射设备的成膜装置的遮蔽板的结构示意图；

图4为本实用新型实施例一提供的氧化铟锡溅射设备的成膜装置的遮蔽板的安装示意图；

图5为本实用新型实施例二提供的氧化铟锡溅射设备的成膜装置的遮蔽板和防着板的结构示意图一；

图6为本实用新型实施例二提供的氧化铟锡溅射设备的成膜装置的遮蔽板和防着板的结构示意图二。

附图标记说明：

1-氧化铟锡靶材；

2-防着板；

21-弧形子防着板；

3-遮蔽结构；

31-环形遮蔽板；

32-弧形子遮蔽板；

4-间隙；

5-顶丝；

6-对位螺钉。

具体实施方式

为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

氧化铟锡溅射镀膜的原理是：在真空环境中，利用直流电源将通入的氩气解离形成等离子体，等离子体中的氩离子在阴极(即氧化铟锡靶材)与阳极之间的电场的作用下做加速运动，从而使具有很高速度的氩离子轰击在氧化铟锡靶材上，使氧化铟锡靶材溅射出氧化铟锡分子并附着于目标基板上形成薄膜。

图1为现有技术的氧化铟锡溅射设备的成膜装置的结构示意图。参照图1所示，在镀膜的过程中，氧化铟锡靶材1底部的回镀区容易有氧化铟锡导电膜层的沉积以及氧化铟锡粉尘的累积，从而导致异常放电频发，一方面不仅会影响成膜稳定性，而且会降低靶材的使用寿命，进而降低氧化铟锡溅射设备的稼动率；另一方面，沉积在氧化铟锡靶材1上的导电膜层和氧化铟锡粉尘会脱落累积在氧化铟锡靶材1和防着板2之间的缝隙内，导致防着板2的使用寿命低，需要进行频繁的保养清洗，耗费清洗成本。

为了解决上述问题，本实用新型提供一种氧化铟锡溅射设备的成膜装置和氧化铟锡溅射设备，氧化铟锡溅射设备的成膜装置上设置有遮蔽结构，遮蔽结构能够使镀膜时产生的氧化铟锡导电膜层和氧化铟锡粉尘大部分沉积在遮蔽结构上，减少了沉积在氧化铟锡靶材回镀区的导电膜层和氧化铟锡粉尘，从而不仅减少了镀膜时异常放电发生的频率，而且提高了氧化铟锡靶材的使用寿命，进而提高了氧化铟锡溅射设备的稼动率；同时，也减少了脱落至氧化铟锡靶材和防着板之间的缝隙内的氧化铟锡导电膜层和氧化铟锡粉尘，从而提高了防着板的使用寿命，降低了防着板保养清洁的频率。

下面将通过具体的实施例对本实用新型的氧化铟锡溅射设备的成膜装置和氧化铟锡溅射设备进行详细说明：

实施例一

图2为本实用新型实施例一提供的氧化铟锡溅射设备的成膜装置的结构示意图。图3为本实用新型实施例一提供的氧化铟锡溅射设备的成膜装置的遮蔽板的结构示意图。图4为本实用新型实施例一提供的氧化铟锡溅射设备的成膜装置的遮蔽板的安装示意图。本实施例提供一种氧化铟锡溅射设备的成膜装置。

该氧化铟锡溅射设备的成膜装置包括氧化铟锡靶材1以及安装在氧化铟锡靶材1底部的驱动单元上的防着板2，防着板2能够包裹着氧化铟锡靶材1底部的驱动单元，以对氧化铟锡靶材1底部的驱动单元形成保护。

该氧化铟锡溅射设备的成膜装置还包括围设在氧化铟锡靶材1回镀区外围的遮蔽结构3，且遮蔽结构3与氧化铟锡靶材1的外表面之间具有间隙4，以防止遮蔽结构3剐蹭到氧化铟锡靶材1，同时遮蔽结构3与防着板2连接，以使遮蔽结构3能够对氧化铟锡靶材1的回镀区形成遮挡，从而能够防止镀膜时产生的杂质沉积在氧化铟锡靶材1的回镀区。

其中，镀膜时产生的杂质可以包括镀膜时产生的氧化铟锡导电膜层和氧化铟锡粉尘等。

具体实现时，围设在氧化铟锡靶材1回镀区外围的遮蔽结构3，能够对氧化铟锡靶材1的回镀区起到一定的遮蔽作用，从而能够使镀膜时产生的氧化铟锡导电膜层或者氧化铟锡粉尘等大部分沉积在遮蔽结构3的外表面上，而不会全部沉积在氧化铟锡靶材1的回镀区，从而不仅能够减少镀膜时异常放电发生的频率，提高氧化铟锡溅射设备的成膜装置的成膜稳定性，而且，延长了靶材的使用寿命，提高了氧化铟锡溅射设备的稼动率；并且，由于沉积在氧化铟锡靶材1回镀区的导电膜层的厚度和氧化铟锡粉尘的累积量减少了，因此也减少了从氧化铟锡靶材1上脱落至防着板2与氧化铟锡靶材1之间的缝隙内的导电膜层和氧化铟锡粉尘，从而可以降低对防着板2进行保养清洁的频率，既节省了保养成本，又提高了防着板2的使用寿命。

本实施例提供的氧化铟锡溅射设备的成膜装置，通过在氧化铟锡靶材1的回镀区外围围设遮蔽结构3，以使遮蔽结构3对氧化铟锡靶材1的回镀区形成遮挡，从而能够防止镀膜时产生的杂质沉积在氧化铟锡靶材1的回镀区，即，遮蔽结构3的设置能够使镀膜时产生的导电膜层和氧化铟锡粉尘等杂质大部分沉积在遮蔽结构3上，减少了沉积在氧化铟锡靶材1回镀区的导电膜层和氧化铟锡粉尘等杂质的累积量，从而不仅减少了镀膜时异常放电发生的频率，提高了氧化铟锡溅射设备的成膜装置的成膜稳定性，而且，延长了靶材的使用寿命，提高了氧化铟锡溅射设备的稼动率。并且，由于沉积在氧化铟锡靶材1回镀区的导电膜层和氧化铟锡粉尘等杂质的累积量减少，因此也减少了从氧化铟锡靶材1上脱落至防着板2与氧化铟锡靶材1之间的缝隙内的导电膜层和氧化铟锡粉尘等杂质，从而可以降低对防着板2进行保养清洗的频率，既节省了清洗成本，又提高了防着板2的使用寿命。同时，将遮蔽结构3连接在防着板2上，且使遮蔽结构3与氧化铟锡靶材1的外表面之间具有间隙4，从而防止遮蔽结构3剐蹭到氧化铟锡靶材1，在对氧化铟锡靶材1的回镀区形成遮挡的同时，不会影响氧化铟锡靶材1的转动。

具体的，遮蔽结构3包括遮蔽板，遮蔽板的形状可以综合考虑氧化铟锡靶材1的形状以及防着板2的形状等确定。

参照图3所示，一种可行的实现方式为：遮蔽板为环形遮蔽板31，由于常用的氧化铟锡靶材1为柱状，为了使遮蔽板围设在柱状的氧化铟锡靶材1底部后能够全方位的遮挡柱状氧化铟锡靶材的回镀区，因此，较为优选的，可以将遮蔽板设置为与柱状氧化铟锡靶材匹配的环形遮蔽板31，从而能够更好的阻挡镀膜时产生的氧化铟锡粉尘和氧化铟锡导电膜层落在氧化铟锡靶材1的回镀区，以减少沉积在氧化铟锡靶材1回镀区的氧化铟锡粉尘和氧化铟锡导电膜层，进而不仅降低了异常放电发生的频率，提高成膜稳定性，而且，延长了靶材的使用寿命，提高了氧化铟锡溅射设备的稼动率；同时，还减少了从氧化铟锡靶材1回镀区脱落至氧化铟锡靶材1和防着板2之间的缝隙内的氧化铟锡粉尘和氧化铟锡导电膜层，从而降低了保养清洁防着板2的频率，提高了防着板2的使用寿命。

其中，环形遮蔽板31的形状可以是圆环形，也可以方环形，还可以是其他形状的环形，具体应用时，可以根据氧化铟锡靶材1的截面形状来确定环形遮蔽板31的形状。

例如，在具体实现时，可以设置环形遮蔽板31为圆环形遮蔽板，圆环形遮蔽板的厚度可以设置为7.5mm至12mm，圆环形遮蔽板的内圈直径可以设置为158mm至161mm，外圈直径可以设置为165.5mm至173mm，圆环形遮蔽板的高度可以设置为25mm至45mm。

另一种可行的实现方式为：遮蔽板包括至少两个弧形子遮蔽板32，至少两个弧形子遮蔽板32沿氧化铟锡靶材1的周向依次首尾连接后，形成为围设在氧化铟锡靶材1回镀区的周向上的遮蔽板，以实现遮蔽氧化铟锡靶材1回镀区的目的，从而降低异常放电发生的频率，提高成膜稳定性，并提高氧化铟锡溅射设备的稼动率，同时，降低保养清洁防着板2的频率，提高防着板2的使用寿命；此外，至少两个弧形子遮蔽板32依次首尾连接后围设在氧化铟锡靶材1回镀区的周向上的实现方式，一方面，便于遮蔽板的安装，另一方面，便于对遮蔽板与氧化铟锡靶材1之间的间隙4进行调节。

参照图4所示，例如，在具体实现时，可以设置两个弧形子遮蔽板32依次首尾连接后形成为一个环形遮蔽板围设在氧化铟锡靶材1回镀区的周向上，具体的，两个弧形子遮蔽板32可以通过对位螺钉6连接在一起形成为一个环形遮蔽板，也可以通过其他方式连接在一起形成为一个环形遮蔽板。

在其他实施例中，弧形子遮蔽板32的数量也可以根据实际需要设置三个、四个或者更多个。

进一步的，为了能够使沉积在遮蔽板的外表面上的氧化铟锡导电膜层或者氧化铟锡粉尘不易脱落，可以设置遮蔽板的至少部分外表面为粗糙面，且粗糙面的粗糙度大于氧化铟锡靶材1的外表面的粗糙度。

其中，遮蔽板的至少部分外表面为粗糙面可以理解为：遮蔽板的外表面中的一部分为粗糙面，或者，遮蔽板的外表面全部为粗糙面，实际应用时，可以根据具体情况确定粗糙面在遮蔽板的外表面上的大小和位置，此处不做具体限制。

具体实现时，围设在氧化铟锡靶材1回镀区的遮蔽板能够阻挡镀膜时产生的氧化铟锡粉尘和氧化铟锡导电膜层落在氧化铟锡靶材1的回镀区，以减少沉积在氧化铟锡靶材1回镀区的氧化铟锡粉尘和氧化铟锡导电膜层，进而不仅降低了异常放电发生的频率，提高成膜稳定性，而且，延长了靶材的使用寿命，提高了氧化铟锡溅射设备的稼动率；同时，还减少了从氧化铟锡靶材1回镀区脱落至氧化铟锡靶材1和防着板2之间的缝隙内的氧化铟锡粉尘和氧化铟锡导电膜层，从而降低了保养清洁防着板2的频率，提高了防着板2的使用寿命；此外，将遮蔽板的至少部分外表面设置为粗糙面，能够使沉积在遮蔽板的外表面上的氧化铟锡导电膜层和氧化铟锡粉尘不易脱落，从而能够降低镀膜过程中，氧化铟锡导电膜层和氧化铟锡粉尘等杂质对成膜稳定性的干扰，进而提高了成膜稳定性和产品良率。

具体的，氧化铟锡靶材1被遮蔽结构3遮挡的回镀区的高度范围为8mm～10mm。即，遮蔽结构3能够遮蔽住氧化铟锡靶材1从底部向上8mm至10mm的高度范围，以防止镀膜时产生的氧化铟锡导电膜层或者氧化铟锡粉尘沉积在氧化铟锡靶材1的底部向上8mm至10mm的高度范围内，从而有效的降低了累积在氧化铟锡靶材1回镀区的杂质量，进而降低了异常放电发生的频率，提高了防着板的使用寿命，降低了清洗成本，提高了设备的稼动率。

在其他实施例中，遮蔽结构3遮挡氧化铟锡靶材1回镀区的高度也可以是8mm以下，或者，遮蔽结构3遮挡氧化铟锡靶材1回镀区的高度在10mm以上，遮蔽结构3遮挡氧化铟锡靶材1回镀区的具体高度可以根据实际应用的需要进行确定。

本实施例的氧化铟锡溅射设备的成膜装置，还包括用于调整遮蔽板与氧化铟锡靶材1表面之间的间隙4大小的调节件；也就是说，通过调整调节件即可实现调整遮蔽板与氧化铟锡靶材1表面之间的间隙4的大小的目的，从而便于调整间隙4的大小以适应不同的应用需求。

较为优选的，调节件可以选用顶丝5，同时，遮蔽板上开设有可供顶丝5穿过的螺纹孔，顶丝5的一端抵顶在防着板2的外壁上。具体的，顶丝5可以从遮蔽板的背离氧化铟锡靶材1的一侧表面穿入螺纹孔后并从遮蔽板的朝向氧化铟锡靶材1的一侧表面穿出并继续延伸，直到顶丝5的朝向氧化铟锡靶材1的一端抵顶在防着板2的外壁上。

具体实现时，可以通过旋转顶丝5调整遮蔽板的朝向氧化铟锡靶材1的一侧表面与氧化铟锡靶材1表面之间的间隙4大小，从而使遮蔽板与氧化铟锡靶材1之间的间隙4保持合适的大小，避免遮蔽板和氧化铟锡靶材1之间的间隙4过大，使遮蔽板无法有效的遮蔽氧化铟锡靶材1的回镀区，同时避免遮蔽板和氧化铟锡靶材1之间的间隙4过小，使遮蔽板剐蹭到氧化铟锡靶材1。

在其他实施例中，调节件也可以是螺钉，还可以是其他能够调整遮蔽板与氧化铟锡靶材1表面之间的间隙4大小的零件或者组件等。

为了便于沿周向调整遮蔽板和氧化铟锡靶材1之间的间隙4大小，并且使遮蔽板和氧化铟锡靶材1之间的间隙4能够沿周向分布均匀，可以设置至少两个调节件，且设置至少两个调节件沿遮蔽板的周向间隔排布。

较为优选的，参照图4所示，调节件的数量可以是三个，且三个调节件沿遮蔽板的周向等间隔排布，从而能够通过调整遮蔽板的周向上的三个调节件以达到调整遮蔽板和氧化铟锡靶材1之间的间隙4大小，并且，三个调节件沿周向等间隔排布也便于将遮蔽板和氧化铟锡靶材1之间的间隙4大小调整到沿周向均匀分布。

在其他实施例中，三个调节件也可以根据需要设置为沿遮蔽结构3的周向不等间隔排布。调节件的数量也可以根据需要设置两个、四个或者更多个，两个、四个或者更多个调节件可以沿遮蔽板的周向等间隔排布或者不等间隔排布。具体的，调节件可以是顶丝5、螺钉或者其他能够调整遮蔽板和氧化铟锡靶材1之间的间隙4大小的零、组件等。

进一步的，防着板2上具有第一连接部，遮蔽板上具有可与第一连接部匹配连接的第二连接部，从而能够使防着板2和遮蔽板通过第一连接部和第二连接部实现连接。

其中，第一连接部和第二连接部的具体实现方式包括但不限于以下两种可能的实现方式：

一种可能的实现方式为：第一连接部和第二连接部各有一个，通过将一个第一连接部和一个第二连接部匹配连接，从而能够将防着板2和遮蔽板连接在一起。

另一种可能的实现方式为：第一连接部至少为两个，第二连接部至少为一个，至少两个第一连接部在沿防着板2的底部至防着板2的顶部的方向上依次排布，第二连接部可与任一第一连接部匹配连接，以使遮蔽板所在的高度可调，从而不仅能够将防着板2和遮蔽板连接在一起，而且能够根据实际需要灵活调整遮蔽板遮挡氧化铟锡靶材1回镀区的高度。

较为优选的，第一连接部为卡槽，第二连接部为可卡入卡槽内的卡凸，当第一连接部和第二连接部各有一个时，即，卡槽和卡凸各有一个，通过将卡凸与卡槽卡合即可实现防着板2与遮蔽板的连接。

当第一连接部至少为两个，第二连接部至少为一个时，即卡槽至少为两个，卡凸至少为一个，例如，可以设置五个卡槽，且五个卡槽沿着防着板2的侧壁从上往下间隔排列，同时，在遮蔽板上设置一个卡凸，卡凸可以卡入五个卡槽中的任意一个卡槽内，以使遮蔽板与防着板2实现连接；此外，当遮蔽板上的卡凸卡入防着板2的最下方的卡槽内时，遮蔽板所在的高度最低，当遮蔽板上的卡凸向上移动并卡入防着板2的最上方的卡槽内时，遮蔽板所在的高度最高，具体实现时，可以根据遮蔽板遮挡氧化铟锡靶材1回镀区的高度调整卡凸卡入卡槽的位置。

或者，第二连接部可以为卡槽，第一连接部可以为可卡入卡槽中的卡凸，其具体实现方式参见第一连接部为卡槽，第二连接部为可卡入卡槽中的卡凸的描述，此处不再赘述。

在其他实施例中，第一连接部可以是第一螺孔，第二连接部可以是与第一螺孔对应的第二螺孔，通过将螺钉穿设进第一螺孔和第二螺孔即可实现防着板2和遮蔽板之间的连接。

此外，遮蔽板也可以是通过焊接的方式连接在防着板2上。

实施例二

图5为本实用新型实施例二提供的氧化铟锡溅射设备的成膜装置的遮蔽板和防着板的结构示意图一。图6为本实用新型实施例二提供的氧化铟锡溅射设备的成膜装置的遮蔽板和防着板的结构示意图二。参照图5与图6所示，在上述实施例的基础上，本实施例提供另一种氧化铟锡溅射设备的成膜装置，本实施例的氧化铟锡溅射设备的成膜装置与实施例一的不同之处在于：

遮蔽结构3与防着板2一体成型，也就是说，在制作防着板2时，在防着板2上一体形成遮蔽结构3。

具体的，当遮蔽结构3包括遮蔽板，当遮蔽板为环形遮蔽板31时，防着板2与环形遮蔽板31一体成型(参照图5所示)；当遮蔽板包括至少两个弧形子遮蔽板32时，防着板2也可以包括至少两个弧形子防着板21，且每个弧形子防着板21与对应的弧形子遮蔽板32一体成型(参照图6所示)。

一体成型的遮蔽结构3和防着板2可以通过将防着板2安装在氧化铟锡靶材1底部的驱动单元上，从而达到将一体成型的遮蔽结构3和防着板2整体安装到位的目的，省去了调整遮蔽板与氧化铟锡靶材1之间的间隙4大小以及遮蔽板遮挡氧化铟锡靶材1回镀区的高度，使一体成型的遮蔽结构3和防着板2的拆装更加简洁，从而提高了保养清洁的效率；此外，一体成型的遮蔽板和防着板2能够在随着氧化铟锡靶材1旋转的过程中减少杂质的产生，从而进一步改善了镀膜的环境。

其他技术特征与实施例一相同，并能达到相同或类似的技术效果，在此不再一一赘述，具体可参照实施例一的描述。

实施例三

本实施例提供一种氧化铟锡溅射设备，该氧化铟锡溅射设备包括成膜装置。

本实施例中的成膜装置与上述任一实施例提供的氧化铟锡溅射设备的成膜装置的结构相同，并能带来相同或者类似的技术效果，在此不再一一赘述，具体可参照上述实施例的描述。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种氧化铟锡溅射设备的成膜装置，包括氧化铟锡靶材以及安装在所述氧化铟锡靶材底部的驱动单元上的防着板，其特征在于，还包括围设在所述氧化铟锡靶材回镀区外围的遮蔽结构，且所述遮蔽结构与所述氧化铟锡靶材的外表面之间具有间隙，所述遮蔽结构与所述防着板连接，所述遮蔽结构用于对所述氧化铟锡靶材的回镀区进行遮挡，以防止镀膜时产生的杂质沉积在所述氧化铟锡靶材的回镀区。

2.根据权利要求1所述的氧化铟锡溅射设备的成膜装置，其特征在于，所述遮蔽结构包括遮蔽板，所述遮蔽板为环形遮蔽板；

或者，所述遮蔽板包括至少两个弧形子遮蔽板，至少两个所述弧形子遮蔽板沿所述氧化铟锡靶材的周向依次首尾连接。

3.根据权利要求2所述的氧化铟锡溅射设备的成膜装置，其特征在于，所述氧化铟锡靶材被所述遮蔽结构遮挡的部分的高度范围为8mm～10mm。

4.根据权利要求2或3所述的氧化铟锡溅射设备的成膜装置，其特征在于，还包括用于调整所述遮蔽板与所述氧化铟锡靶材的外表面之间的间隙大小的调节件。

5.根据权利要求4所述的氧化铟锡溅射设备的成膜装置，其特征在于，所述调节件包括顶丝；

所述遮蔽板上开设有可供所述顶丝穿过的螺纹孔，所述顶丝的一端抵顶在所述防着板的外壁上。

6.根据权利要求4所述的氧化铟锡溅射设备的成膜装置，其特征在于，所述调节件至少为两个，至少两个所述调节件沿所述遮蔽板的周向间隔排布。

7.根据权利要求2或3所述的氧化铟锡溅射设备的成膜装置，其特征在于，所述防着板上具有第一连接部，所述遮蔽板上具有可与所述第一连接部匹配连接的第二连接部。

8.根据权利要求7所述的氧化铟锡溅射设备的成膜装置，其特征在于，所述第一连接部至少为两个，所述第二连接部至少为一个，至少两个所述第一连接部在沿所述防着板的底部至所述防着板的顶部的方向上依次间隔排布；所述第二连接部可与任一所述第一连接部匹配连接，以使所述遮蔽板所在的高度可调；

和/或，所述第一连接部和所述第二连接部的其中一者为卡槽，所述第一连接部和所述第二连接部的其中另一者为可卡入所述卡槽中的卡凸。

9.根据权利要求1至3任一项所述的氧化铟锡溅射设备的成膜装置，其特征在于，所述遮蔽结构与所述防着板一体成型。

10.一种氧化铟锡溅射设备，其特征在于，包括如权利要求1至9任一项所述的氧化铟锡溅射设备的成膜装置。

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