CN210603176U - 用于传感器的新型厚膜应变片 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了用于传感器的新型厚膜应变片，包括基底，所述基底的顶部固定连接有厚膜敏感元件，所述厚膜敏感元件的顶部固定连接有多对电桥电极，所述电桥电极的输出端与厚膜敏感元件的输入端连接，所述基底的顶部固定连接有零位温度补偿元件，所述零位温度补偿元件的输出端与厚膜敏感元件的输入端连接，所述基底的顶部涂覆有外保护层。本实用新型采用集成桥式结构，可在制作时同时完成零点及零点温度补偿，有利于大批量生产中简化工艺，下降成本。
Description
技术领域
本实用新型涉及应变片技术领域，尤其涉及用于传感器的新型厚膜应变片。
背景技术
应变片是由敏感栅等构成用于测量应变的元件。电阻应变片的工作原理是基于应变效应制作的，即导体或半导体材料在外界力的作用下产生机械变形时，其电阻值相应的发生变化，这种现象称为“应变效应”。
但是现有的应变片一般采用箔式电阻应变片，其内阻交底、功耗较高，且灵敏度较低，从而提高了应变片的制造成本。
实用新型内容
本实用新型的目的是为了解决现有技术中应变片一般采用箔式电阻应变片，其内阻交底、功耗较高，且灵敏度较低的问题，而提出的用于传感器的新型厚膜应变片。
为了实现上述目的，本实用新型采用了如下技术方案：
用于传感器的新型厚膜应变片，包括基底，所述基底的顶部固定连接有厚膜敏感元件，所述厚膜敏感元件的顶部固定连接有多对电桥电极，所述电桥电极的输出端与厚膜敏感元件的输入端连接，所述基底的顶部固定连接有零位温度补偿元件，所述零位温度补偿元件的输出端与厚膜敏感元件的输入端连接，所述基底的顶部涂覆有外保护层。
优选地，所述基底为陶瓷基底，所述陶瓷基底为96％AL2O3陶瓷，且厚度为0.1mm。
优选地，所述基底为金属基底，所述金属基底为0.2mm的不锈钢，且所述金属基底顶部涂覆有绝缘釉层。
优选地，所述电桥电极的电阻为单面或双面元件。
优选地，所述外保护层与陶瓷基底通过应变胶610黏接。
优选地，所述外保护层与金属基底通过烧结连接。
有益效果：
1.利用厚膜工艺制作做一种与传统陶瓷膜片或悬梁弹性元件分离的单独(可带补偿)的厚膜测量电桥，其基底可以仍是陶瓷或是金属(不锈钢)陶瓷基底，采用胶粘或点焊方式便于安装于金属测力、压力、扭矩、振动、位移等多种结构形式弹性元件本体上；
2.与传统箔式电阻应变片相比具有高内阻、微功耗、高灵敏度的优点。本实用新型采用集成桥式结构，可在制作时同时完成零点及零点温度补偿，有利于大批量生产中简化工艺，下降成本。
附图说明
图1为本实用新型提出的用于传感器的新型厚膜应变片采用金属基底的结构示意图；
图2为本实用新型提出的用于传感器的新型厚膜应变片采用陶瓷基底的结构示意图；
图3为本实用新型提出的用于传感器的新型厚膜应变片的俯视结构示意图。
图中：1基底、2厚膜敏感元件、3电桥电极、4零位温度补偿元件、5外保护层、6绝缘釉层。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。
实施例1
参照图2和3，用于传感器的新型厚膜应变片，包括基底1，基底1的顶部固定连接有厚膜敏感元件2，厚膜敏感元件2的顶部固定连接有多对电桥电极3，电桥电极3的输出端与厚膜敏感元件2的输入端连接，基底1的顶部固定连接有零位温度补偿元件4，零位温度补偿元件4的输出端与厚膜敏感元件2的输入端连接，基底1的顶部涂覆有外保护层5。
本实施例中，基底1为陶瓷基底陶瓷基底为96％AL2O3陶瓷，且厚度为0.1mm，电桥电极3的电阻为单面或双面元件，外保护层5与陶瓷基底通过应变胶610黏接。
实施例2
参照图1和3，用于传感器的新型厚膜应变片，包括基底1，基底1的顶部固定连接有厚膜敏感元件2，厚膜敏感元件2的顶部固定连接有多对电桥电极3，电桥电极3的输出端与厚膜敏感元件2的输入端连接，基底1的顶部固定连接有零位温度补偿元件4，零位温度补偿元件4的输出端与厚膜敏感元件2的输入端连接，基底1的顶部涂覆有外保护层5；
基底1为金属基底，金属基底为0.2mm的不锈钢，且金属基底顶部涂覆有绝缘釉层，电桥电极3的电阻为单面或双面元件，外保护层5与陶瓷基底通过应变胶610黏接，外保护层5与金属基底通过烧结连接。
本实施例中，利用厚膜工艺制作做一种与传统陶瓷膜片或悬梁弹性元件分离的单独(可带补偿)的厚膜测量电桥，其基底可以仍是陶瓷或是金属(不锈钢)陶瓷基底，采用胶粘或点焊方式便于安装于金属测力、压力、扭矩、振动、位移等多种结构形式弹性元件本体。
以上所述，仅为本实用新型较佳的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，根据本实用新型的技术方案及其实用新型构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。
Claims (5)
1.用于传感器的新型厚膜应变片，包括基底(1)，其特征在于：所述基底(1)的顶部固定连接有厚膜敏感元件(2)，所述厚膜敏感元件(2)的顶部固定连接有多对电桥电极(3)，所述电桥电极(3)的输出端与厚膜敏感元件(2)的输入端连接，所述基底(1)的顶部固定连接有零位温度补偿元件(4)，所述零位温度补偿元件(4)的输出端与厚膜敏感元件(2)的输入端连接，所述基底(1)的顶部涂覆有外保护层(5)。
2.根据权利要求1所述的用于传感器的新型厚膜应变片，其特征在于：所述基底(1)为金属基底，所述金属基底为0.2mm的不锈钢，且所述金属基底顶部涂覆有绝缘釉层(6)。
3.根据权利要求1所述的用于传感器的新型厚膜应变片，其特征在于：所述电桥电极(3)的电阻为单面或双面元件。
4.根据权利要求2所述的用于传感器的新型厚膜应变片，其特征在于：所述外保护层(5)与陶瓷基底通过应变胶610黏接。
5.根据权利要求1所述的用于传感器的新型厚膜应变片，其特征在于：所述外保护层(5)与金属基底通过烧结连接。
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