CN219832394U - 一种低损耗高直流偏置磁芯 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种低损耗高直流偏置磁芯，包括拼接磁芯，拼接磁芯的顶部和底部分别卡接有顶部卡环和底部卡环，拼接磁芯包括若干第一拼接片和第二拼接片，若干第一拼接片和若干第二拼接片依次卡接围成中部通孔，且第一拼接片和第二拼接片交替设置，第一拼接片顶部的两侧均固定连接有顶部卡柱，第一拼接片底部的两侧均固定连接有底部卡柱，第二拼接片顶部的两侧均开设有顶部卡槽，顶部卡环靠近拼接磁芯的一侧和底部卡环靠近拼接磁芯的一侧均等距固定连接有若干顶部插柱，本实用新型一种低损耗高直流偏置磁芯，可以中和铁镍磁粉材料和铁硅铝磁粉材料的性能，提高拼接磁芯自身的直流偏置能力，降低涡流损耗。
Description
技术领域
本实用新型涉及磁芯技术领域，具体为一种低损耗高直流偏置磁芯。
背景技术
磁芯是指由各种氧化铁混合物组成的一种烧结磁性金属氧化物。例如，锰-锌铁氧体和镍-锌铁氧体是典型的磁芯体材料。锰-锌铁氧体具有高磁导率和高磁通密度的特点，且具有较低损耗的特性。镍-锌铁氧体具有极高的阻抗率、不到几百的低磁导率等特性。铁氧体磁芯用于各种电子设备的线圈和变压器中。
铁镍磁粉芯具有最高的直流偏置能力，产品性能好，但是铁镍磁粉芯中还有50％的镍，价格高昂，生产成本高。铁硅铝磁粉芯具有非常低的磁芯损耗，频率特性较好又成本低廉，只是铁硅铝磁粉芯在较大电流下的直流偏置能力较差，所以使得铁硅铝磁粉芯的使用受到了限制，因此，本申请文件提出一种低损耗高直流偏置磁芯。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种低损耗高直流偏置磁芯，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种低损耗高直流偏置磁芯，包括拼接磁芯，所述拼接磁芯的顶部和底部分别卡接有顶部卡环和底部卡环，所述拼接磁芯包括若干第一拼接片和第二拼接片，若干所述第一拼接片和若干所述第二拼接片依次卡接围成中部通孔，且所述第一拼接片和第二拼接片交替设置，所述第一拼接片顶部的两侧均固定连接有顶部卡柱，所述第一拼接片底部的两侧均固定连接有底部卡柱，所述第二拼接片顶部的两侧均开设有顶部卡槽，所述第二拼接片底部的两侧均开设有底部卡槽，所述顶部卡环靠近拼接磁芯的一侧和底部卡环靠近拼接磁芯的一侧均等距固定连接有若干顶部插柱。
优选的，所述底部卡柱和底部卡槽相互卡接，所述顶部卡柱和顶部卡槽相互卡接，用于对第一拼接片和第二拼接片的拼接进行初次的卡接固定。
优选的，所述第一拼接片和第二拼接片的卡接处均粘接有绝缘层，且所述绝缘层由导热硅胶材料制成，导热硅胶具有良好的绝缘和导热性能。
优选的，所述第一拼接片的顶部和底部均开设有端部插槽，且所述插柱与端部插槽的内腔卡接，增强拼接磁芯纵向受力的承受能力。
优选的，所述第一拼接片由铁镍磁粉材料制成，所述第二拼接片由铁硅铝磁粉材料制成。
优选的，所述顶部卡环的表面和底部卡环的表面均等距开设有若干限位槽，对绕线进行限位。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：
1、通过将若干第一拼接片与第二拼接片拼接成磁芯，第一拼接片和第二拼接片之间通过绝缘层进行粘接绝缘，从而一方面减少第一拼接片和第二拼接片在整个拼接磁芯中的占比，另一方面可以直接削弱产生的涡流，直接降低整体的涡流损耗，且第一拼接片由铁镍磁粉材料制成，第二拼接片由铁硅铝磁粉材料制成，可以中和铁镍磁粉材料和铁硅铝磁粉材料的性能，提高拼接磁芯自身的直流偏置能力；
2、第一拼接片和第二拼接片之间首先通过顶部卡柱与顶部卡槽卡接，底部卡柱和底部卡槽卡接的方式进行基本拼接，再通过绝缘层进行粘接，从而提高第一拼接片和第二拼接片拼接的稳定性。
附图说明
图1为本实用新型的侧视图；
图2为本实用新型内芯的结构示意图；
图3为本实用新型第一拼接磁片和第二拼接磁片的拼接关系图；
图4为本实用新型卡环的俯视图；
图5为本实用新型卡环的仰视图。
图中：1、拼接磁芯；2、顶部卡环；3、底部卡环；4、第一拼接片；5、第二拼接片；6、绝缘层；7、中部通孔；8、顶部卡柱；9、底部卡柱；10、底部卡槽；11、顶部卡槽；12、插柱；13、限位槽；14、端部插槽。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
请参阅图1-5，本实用新型提供了一种低损耗高直流偏置磁芯，包括拼接磁芯1，拼接磁芯1的顶部和底部分别卡接有顶部卡环2和底部卡环3，拼接磁芯1包括若干第一拼接片4和第二拼接片5，若干第一拼接片4和若干第二拼接片5依次卡接围成中部通孔7，且第一拼接片4和第二拼接片5交替设置，第一拼接片4顶部的两侧均固定连接有顶部卡柱8，第一拼接片4底部的两侧均固定连接有底部卡柱9，第二拼接片5顶部的两侧均开设有顶部卡槽11，第二拼接片5底部的两侧均开设有底部卡槽10，顶部卡环2靠近拼接磁芯1的一侧和底部卡环3靠近拼接磁芯1的一侧均等距固定连接有若干顶部插柱12。
参阅图1-5，进一步的，底部卡柱9和底部卡槽10相互卡接，顶部卡柱8和顶部卡槽11相互卡接，对第一拼接片4和第二拼接片5之间进行拼接固定。
参阅图1-5，进一步的第一拼接片4和第二拼接片5的卡接处均粘接有绝缘层6，且绝缘层6由导热硅胶材料制成，对第一拼接片4和第二拼接片5的连接进行粘接固定，且导热硅胶材料具有良好的导热性和绝缘性。
参阅图1-5，进一步的第一拼接片4的顶部和底部均开设有端部插槽14，且插柱12与端部插槽14的内腔卡接，对拼接磁芯1的顶部和底部进行卡接，增强拼接磁芯1的纵向受力能力。
参阅图1-5，进一步的第一拼接片4由铁镍磁粉材料制成，第二拼接片5由铁硅铝磁粉材料制成，可以中和铁镍磁粉材料和铁硅铝磁粉材料的性能，提高拼接磁芯1自身的直流偏置能力。
参阅图1-5，进一步的顶部卡环2的表面和底部卡环3的表面均等距开设有若干限位槽13，用于对缠线进行限位。
具体使用时，首先将若干第一拼接片4和第二拼接片5叠加拼接组成一个环形结构，然并将第一拼接片4上的顶部卡柱8与第二拼接片5上的顶部卡槽11卡接，将第一拼接片4上的底部卡柱9与底部卡槽10进行卡接，然后通过绝缘层6对第一拼接片4和第二拼接片5的粘接处进行粘接固定，然后将顶部卡环2上的插柱12与第一拼接片4顶部的端部插槽14卡接，将底部卡环3上的插柱12与第一拼接片4底部的端部插槽14卡接，便可完成磁芯的安装，通过将若干第一拼接片4与第二拼接片5拼接成磁芯，第一拼接片4和第二拼接片5之间通过绝缘层6进行粘接绝缘，从而一方面减少第一拼接片4和第二拼接片5在整个拼接磁芯1中的占比，另一方面可以直接削弱产生的涡流，直接降低整体的涡流损耗，且第一拼接片4由铁镍磁粉材料制成，第二拼接片5由铁硅铝磁粉材料制成，可以中和铁镍磁粉材料和铁硅铝磁粉材料的性能，提高拼接磁芯1自身的直流偏置能力；第一拼接片4和第二拼接片5之间首先通过顶部卡柱8与顶部卡槽11卡接，底部卡柱9和底部卡槽10卡接的方式进行基本拼接，再通过绝缘层6进行粘接，从而提高第一拼接片4和第二拼接片5拼接的稳定性。
尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (6)
1.一种低损耗高直流偏置磁芯，包括拼接磁芯(1)，其特征在于：所述拼接磁芯(1)的顶部和底部分别卡接有顶部卡环(2)和底部卡环(3)，所述拼接磁芯(1)包括若干第一拼接片(4)和第二拼接片(5)，若干所述第一拼接片(4)和若干所述第二拼接片(5)依次卡接围成中部通孔(7)，且所述第一拼接片(4)和第二拼接片(5)交替设置，所述第一拼接片(4)顶部的两侧均固定连接有顶部卡柱(8)，所述第一拼接片(4)底部的两侧均固定连接有底部卡柱(9)，所述第二拼接片(5)顶部的两侧均开设有顶部卡槽(11)，所述第二拼接片(5)底部的两侧均开设有底部卡槽(10)，所述顶部卡环(2)靠近拼接磁芯(1)的一侧和底部卡环(3)靠近拼接磁芯(1)的一侧均等距固定连接有若干顶部插柱(12)。
2.根据权利要求1所述的一种低损耗高直流偏置磁芯，其特征在于：所述底部卡柱(9)和底部卡槽(10)相互卡接，所述顶部卡柱(8)和顶部卡槽(11)相互卡接。
3.根据权利要求1所述的一种低损耗高直流偏置磁芯，其特征在于：所述第一拼接片(4)和第二拼接片(5)的卡接处均粘接有绝缘层(6)，且所述绝缘层(6)由导热硅胶材料制成。
4.根据权利要求1所述的一种低损耗高直流偏置磁芯，其特征在于：所述第一拼接片(4)的顶部和底部均开设有端部插槽(14)，且所述插柱(12)与端部插槽(14)的内腔卡接。
5.根据权利要求1所述的一种低损耗高直流偏置磁芯，其特征在于：所述第一拼接片(4)由铁镍磁粉材料制成，所述第二拼接片(5)由铁硅铝磁粉材料制成。
6.根据权利要求1所述的一种低损耗高直流偏置磁芯，其特征在于：所述顶部卡环(2)的表面和底部卡环(3)的表面均等距开设有若干限位槽(13)。
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