CN203871330U - 抗应力图像传感器件 - Google Patents
抗应力图像传感器件 Download PDFInfo
- Publication number
- CN203871330U CN203871330U CN201420256712.5U CN201420256712U CN203871330U CN 203871330 U CN203871330 U CN 203871330U CN 201420256712 U CN201420256712 U CN 201420256712U CN 203871330 U CN203871330 U CN 203871330U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- image sensor
- sensor chip
- image sensing
- stress
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 230000002180 anti-stress Effects 0.000 title claims abstract description 14
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 21
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims abstract description 13
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 13
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 14
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 4
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000003796 beauty Effects 0.000 description 1
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000036299 sexual function Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
本实用新型公开一种抗应力图像传感器件，包括图像传感芯片、透明盖板，支撑围堰与图像传感芯片之间通过胶水层粘合，图像传感芯片下表面的四周边缘区域分布有若干个盲孔，图像传感芯片下表面和盲孔侧表面具有钝化层，此盲孔底部具有图像传感芯片的引脚焊盘，钝化层与图像传感芯片相背的表面和盲孔内具有与引脚焊盘电连接的具有金属导电图形层，一防焊层位于金属导电图形层与钝化层相背的表面，此防焊层上开有若干个通孔，一焊球通过所述通孔与金属导电图形层电连接，金属导电图形层由钛层、铜层、镍层和钯层依次叠放组成，钛层与钝化层接触。本实用新型有效缓冲盲孔两侧金属在冷热环境下所发生的应力形变，防止产品在恶劣环境下失效。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种抗应力图像传感器件，属于半导体封装技术领域。
背景技术
晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能之IC 产品。现有晶圆级芯片封装结构主要存在以下技术问题：
（1）现有的在晶圆上的盲孔内填充的金属良率有一定的局限性，应力大，可靠性水平低，暴露环境中，极易被氧化腐蚀，导致产品失效，化学性质稳定差，且随着晶圆级封装通孔硅互连技术朝高深宽比的方向发展，法满足高深宽比的深孔内金属层连续覆盖孔内壁的要求，其次，危害，对环境有污染。所以需要找到一种对环境友好，功能上可以与镀金层媲美的金属镀层来替代镀金；
（2）现有封装结构中围堰边缘与感应芯片感光区都需要保留一定的距离，防止在玻璃滚胶、压合的过程中，胶体溢到感应芯片感光区，影响成像品质。由于溢胶的限制，围堰的宽度纯在比较大的局限性，直接影响到CIS产品的可靠性，容易出现分层的问题。
发明内容
本实用新型目的是提供一种抗应力图像传感器件，该抗应力图像传感器件有效缓冲盲孔两侧金属在冷热环境下所发生的应力形变，防止产品在恶劣环境下失效，不易被氧化腐蚀，能满足高深宽比的深孔内金属层连续覆盖孔内壁的要求。
为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种抗应力图像传感器件，包括图像传感芯片、透明盖板，此图像传感芯片的上表面具有感光区，所述透明盖板边缘和图像传感芯片的上表面边缘之间具有支撑围堰从而在透明盖板和图像传感芯片之间形成空腔，此支撑围堰与图像传感芯片之间通过胶水层粘合，图像传感芯片下表面的四周边缘区域分布有若干个盲孔，所述图像传感芯片下表面和盲孔侧表面具有钝化层，此盲孔底部具有图像传感芯片的引脚焊盘，所述钝化层与图像传感芯片相背的表面和盲孔内具有与引脚焊盘电连接的具有金属导电图形层，一防焊层位于金属导电图形层与钝化层相背的表面，此防焊层上开有若干个通孔，一焊球通过所述通孔与金属导电图形层电连接，所述金属导电图形层由钛层、铜层、镍层和钯层依次叠放组成，所述钛层与钝化层接触。
上述技术方案中进一步改进的方案如下：
上述方案中，所述盲孔中心处具有防焊柱。
由于上述技术方案运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点和效果：
本实用新型抗应力图像传感器件，其钝化层与图像传感芯片相背的表面和盲孔内具有与引脚焊盘电连接的金属导电图形层，此金属导电图形层由钛层、铜层、镍层和钯层依次叠放组成，所述钛层与钝化层接触，缓解了应力，可靠性高，暴露环境中，不易被氧化腐蚀，化学性质稳定好，且能满足高深宽比的深孔内金属层连续覆盖孔内壁的要求；其次，盲孔中心处具有防焊柱有效缓冲盲孔两侧金属在冷热环境下所发生的应力形变，防止产品在恶劣环境下失效。
附图说明
附图1为本实用新型抗应力图像传感器件结构示意图；
附图2为本实用新型抗应力图像传感器件中局部结构示意图。
以上附图中：1、图像传感芯片；2、透明盖板；3、感光区；4、支撑围堰；5、胶水层；6、盲孔；7、钝化层；8、引脚焊盘；9、金属导电图形层；10、防焊层；11、通孔；12、焊球；13、空腔；14、钛层；15、铜层；16、镍层；17、钯层；18、防焊柱。
具体实施方式
下面结合实施例对本实用新型作进一步描述：
实施例：一种抗应力图像传感器件，包括图像传感芯片1、透明盖板2，此图像传感芯片1的上表面具有感光区3，所述透明盖板2边缘和图像传感芯片1的上表面边缘之间具有支撑围堰4从而在透明盖板2和图像传感芯片1之间形成空腔13，此支撑围堰4与图像传感芯片1之间通过胶水层5粘合，图像传感芯片1下表面的四周边缘区域分布有若干个盲孔6，所述图像传感芯片1下表面和盲孔6侧表面具有钝化层7，此盲孔6底部具有图像传感芯片1的引脚焊盘8，所述钝化层7与图像传感芯片1相背的表面和盲孔6内具有与引脚焊盘8电连接的具有金属导电图形层9，一防焊层10位于金属导电图形层9与钝化层7相背的表面，此防焊层10上开有若干个通孔11，一焊球12通过所述通孔11与金属导电图形层9电连接，所述金属导电图形层9由钛层14、铜层15、镍层16和钯层17依次叠放组成，所述钛层17与钝化层7接触。
上述盲孔6中心处具有防焊柱18。
采用上述图像传感器件时，其钝化层与图像传感芯片相背的表面和盲孔内具有与引脚焊盘电连接的金属导电图形层，此金属导电图形层由钛层、铜层、镍层和钯层依次叠放组成，所述钛层与钝化层接触，缓解了应力，可靠性高，暴露环境中，不易被氧化腐蚀，化学性质稳定好，且能满足高深宽比的深孔内金属层连续覆盖孔内壁的要求；其次，盲孔中心处具有防焊柱有效缓冲盲孔两侧金属在冷热环境下所发生的应力形变，防止产品在恶劣环境下失效。
上述实施例只为说明本实用新型的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本实用新型的内容并据以实施，并不能以此限制本实用新型的保护范围。凡根据本实用新型精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。
Claims (2)
1. 一种抗应力图像传感器件，其特征在于：包括图像传感芯片（1）、透明盖板（2），此图像传感芯片（1）的上表面具有感光区（3），所述透明盖板（2）边缘和图像传感芯片（1）的上表面边缘之间具有支撑围堰（4）从而在透明盖板（2）和图像传感芯片（1）之间形成空腔（13），此支撑围堰（4）与图像传感芯片（1）之间通过胶水层（5）粘合，图像传感芯片（1）下表面的四周边缘区域分布有若干个盲孔（6），所述图像传感芯片（1）下表面和盲孔（6）侧表面具有钝化层（7），此盲孔（6）底部具有图像传感芯片（1）的引脚焊盘（8），所述钝化层（7）与图像传感芯片（1）相背的表面和盲孔（6）内具有与引脚焊盘（8）电连接的具有金属导电图形层（9），一防焊层（10）位于金属导电图形层（9）与钝化层（7）相背的表面，此防焊层（10）上开有若干个通孔（11），一焊球（12）通过所述通孔（11）与金属导电图形层（9）电连接，所述金属导电图形层（9）由钛层（14）、铜层（15）、镍层（16）和钯层（17）依次叠放组成，所述钛层（17）与钝化层（7）接触。
2. 根据权利要求1所述的抗应力图像传感器件，其特征在于：所述盲孔（6）中心处具有防焊柱（18）。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201420256712.5U CN203871330U (zh) | 2014-05-20 | 2014-05-20 | 抗应力图像传感器件 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201420256712.5U CN203871330U (zh) | 2014-05-20 | 2014-05-20 | 抗应力图像传感器件 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN203871330U true CN203871330U (zh) | 2014-10-08 |
Family
ID=51652255
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201420256712.5U Expired - Lifetime CN203871330U (zh) | 2014-05-20 | 2014-05-20 | 抗应力图像传感器件 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN203871330U (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104659048A (zh) * | 2015-02-15 | 2015-05-27 | 苏州科阳光电科技有限公司 | 图像传感器件的制造工艺 |
| CN111650787A (zh) * | 2020-06-11 | 2020-09-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制作方法、显示装置 |
-
2014
- 2014-05-20 CN CN201420256712.5U patent/CN203871330U/zh not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104659048A (zh) * | 2015-02-15 | 2015-05-27 | 苏州科阳光电科技有限公司 | 图像传感器件的制造工艺 |
| CN111650787A (zh) * | 2020-06-11 | 2020-09-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制作方法、显示装置 |
| US12156418B2 (en) | 2020-06-11 | 2024-11-26 | Ordos Yuansheng Optoelectronics Co., Ltd. | Display substrate and manufacturing method therefor, and display device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW201644024A (zh) | 晶片封裝結構及其製造方法 | |
| US20150014848A1 (en) | Semiconductor device and fabrication method thereof | |
| CN102456648B (zh) | 封装基板的制法 | |
| US20150069605A1 (en) | Semiconductor device and fabrication method thereof and semiconductor structure | |
| CN103956366B (zh) | 晶圆级芯片封装结构 | |
| CN108281397A (zh) | 芯片封装结构及封装方法 | |
| CN103050466B (zh) | 半导体封装件及其制法 | |
| CN103956367A (zh) | 新型封装结构的半导体器件 | |
| CN105845585A (zh) | 一种芯片封装方法及芯片封装结构 | |
| CN203871330U (zh) | 抗应力图像传感器件 | |
| TWI528469B (zh) | 半導體封裝件及其製法 | |
| CN203721709U (zh) | 键合结构 | |
| CN103887183B (zh) | 金/硅共晶芯片焊接方法及晶体管 | |
| CN202423264U (zh) | 半导体芯片的柱状凸块打线构造 | |
| CN203871332U (zh) | 新型封装结构的半导体器件 | |
| CN207800586U (zh) | 芯片封装结构 | |
| CN203871333U (zh) | 晶圆级芯片封装结构 | |
| CN203871331U (zh) | 高可靠性光传感模块的封装结构 | |
| KR20210020640A (ko) | 반도체 패키지 | |
| TW201417231A (zh) | 封裝基板及晶片封裝構件 | |
| CN203690289U (zh) | 芯片构件与芯片封装体 | |
| CN205039156U (zh) | 低应力晶圆级图像芯片封装结构 | |
| TWI389296B (zh) | 可堆疊式封裝結構及其製造方法及半導體封裝結構 | |
| US9289846B2 (en) | Method for fabricating wire bonding structure | |
| CN204538011U (zh) | 高可靠性指纹锁器件 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: 215143, No. 568, Fang Qiao Road, Lake Industrial Park, Xiangcheng Economic Development Zone, Jiangsu, Suzhou Patentee after: Suzhou Keyang Semiconductor Co.,Ltd. Address before: 215143, No. 568, Fang Qiao Road, Lake Industrial Park, Xiangcheng Economic Development Zone, Jiangsu, Suzhou Patentee before: SUZHOU KEYANG PHOTOELECTRIC SCIENCE & TECHNOLOGY Co.,Ltd. |
|
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder | ||
| CX01 | Expiry of patent term |
Granted publication date: 20141008 |