CN203801109U - 最大亮度提升模块、可控硅调光led驱动电路及系统 - Google Patents
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Abstract
一种可控硅调光LED驱动电路，第二MOS晶体管的漏极接一功率开关MOS晶体管的源极，其源极连接一采样电阻；最大亮度提升模块的输出端通过其内部的第一MOS晶体管的漏极电学连接至峰值电流比较器第一输入端以及前馈电阻，第一MOS晶体管输出的电流信号流经前馈电阻产生直流偏压；峰值电流比较器第一输入端通过前馈电阻与采样电阻电学连接，其第二输入端与参考电压源的输出端电学连接，其输出端耦接至第二MOS晶体管的栅极，峰值电流比较器用于将前馈电阻及采样电阻的电压幅值之和与参考电压源的电压阈值比较，控制第二MOS晶体管的导通与关闭。本实用新型通过最大亮度提升模块提高了驱动电路连接可控硅调光器时的最大电流。
Description
技术领域
本实用新型涉及LED驱动领域，尤其涉及一种最大亮度提升的可控硅调光LED驱动电路及系统。
背景技术
参见图1，现有技术的可控硅调光LED驱动电路的简化示意图。 如图1所示，输入AC交流电源101串联一个可控硅调光器102，再连接到整流桥103的两个输入端。整流桥103将交流电整流后经电容器C1滤波，产生一整流后的正弦电压。电阻R4和电容器C2产生一低压直流电使控制芯片104启动。变压器T1有三个绕组，包括一个原边绕组T11，连接于电容器C1和功率开关MOS晶体管M1的漏极之间；一个副边绕组T12，连接于续流二极管D1和副边输出电容器C4之间；一个辅助绕组T13，连接于供电二极管D2与电路地之间。当电路启动后，辅助绕组T13为控制芯片104供电；同时辅助绕组T13还提供检测续流二极管D1电流过零和检测输出电压过压的信息。现有技术的可控硅调光LED驱动电路通常还包括一个泄放电阻R1和一个泄放开关M2，当反激变换器输入电流较小时，控制芯片104开通泄放开关M2，为可控硅调光器102提供足够的维持电流。
上述传统的反激LED驱动电路中存在如下两个缺点：
1）当所使用的可控硅调光器102最大导通角度较小时，驱动电路的输出电流比不使用调光器时的输出电流下降较多；
2）泄放电阻R1和泄放开关M2功耗较高，损失LED驱动电路效率并且温升较高，降低系统可靠性。
实用新型内容
本实用新型的目的在于，针对现有技术中可控硅调光LED驱动电路存在的问题，提供一种最大亮度提升模块、可控硅调光LED驱动电路及系统，通过最大亮度提升模块，可以提高驱动电路连接可控硅调光器时的最大电流，同时省去了泄放电路，使用开关变换器本身的输入电流来提供可控硅调光器的维持电流。
为实现上述目的，本实用新型提供了一种最大亮度提升模块，包括：一运算放大器、一第一MOS晶体管以及一基准电压源；所述运算放大器的第一输入端为所述最大亮度提升模块的输入端，用以接收一采样电压信号，其第二输入端与所述基准电压源的输出端电学连接，其输出端电学连接至所述第一MOS晶体管的栅极，所述运算放大器控制所述第一MOS晶体管的导通阻抗，所述运算放大器闭环工作时保证两个输入端电压相等；所述第一MOS晶体管的源极电学连接至所述运算放大器的第一输入端，其漏极为所述最大亮度提升模块的输出端，输出一电流信号用以控制一LED驱动电路的输出电流。
为实现上述目的，本实用新型还提供了一种可控硅调光LED驱动电路，包括：一第二MOS晶体管、一峰值电流比较器、一前馈电阻、一参考电压源以及本实用新型所述的最大亮度提升模块；所述第二MOS晶体管的漏极电学连接至一功率开关MOS晶体管的源极，所述第二MOS晶体管的源极电学连接一采样电阻；所述最大亮度提升模块的输出端通过所述第一MOS晶体管的漏极电学连接至所述峰值电流比较器第一输入端以及所述前馈电阻，所述第一MOS晶体管输出的电流信号流经前馈电阻产生直流偏压；所述峰值电流比较器第一输入端通过所述前馈电阻与采样电阻电学连接，其第二输入端与所述参考电压源的输出端电学连接，其输出端耦接至所述第二MOS晶体管的栅极，所述峰值电流比较器用于将所述前馈电阻及采样电阻的电压幅值之和与所述参考电压源的电压阈值比较，控制所述第二MOS晶体管的导通与关闭。
为实现上述目的，本实用新型还提供了一种可控硅调光LED驱动系统，包括一可控硅调光器、一整流桥、一母线电容、一采样电阻以及本实用新型所述的可控硅调光LED驱动电路；所述可控硅调光器与一交流输入源电学连接，通过调整其自身导通角度控制LED负载的亮度；所述整流桥分别与所述可控硅调光器以及交流输入源电学连接，用于将交流输入源的正弦信号整流为一幅值为正的电压信号；所述母线电容耦接至所述整流桥的两个输出端并与一功率开关MOS晶体管的漏极电学连接，用于为所述功率开关MOS晶体管提供高频电流通路；所述最大亮度提升模块的输入端分别与所述母线电容以及所述功率开关MOS晶体管的漏极电学连接；所述第二MOS晶体管的漏极与所述功率开关MOS晶体管的源极电学连接，所述第二MOS晶体管的源极与所述采样电阻电学连接；所述峰值电流比较器第一输入端通过所述前馈电阻与所述采样电阻电学连接；所述采样电阻通过一变压器或电感电学连接至LED负载。
本实用新型的优点在于：通过最大亮度提升模块，提高了驱动电路连接可控硅调光器时的最大电流；同时省去了泄放电路，使用开关变换器本身的输入电流来提供可控硅调光器的维持电流，提高了LED驱动电路效率以及系统可靠性。
附图说明
图1，现有技术的可控硅调光LED驱动电路的简化示意图；
图2，本实用新型所述的可控硅调光LED驱动电路的架构示意图；
图3，本实用新型所述的降压型可控硅调光LED驱动系统的示意图；
图4，本实用新型所述降压型可控硅调光LED驱动系统的工作典型波形图；
图5，本实用新型所述可控硅调光LED驱动系统的Vdim电压和Vcs峰值电压的关系图；
图6，本实用新型所述的升降压型可控硅调光LED驱动系统的示意图；
图7，本实用新型所述的反激型可控硅调光LED驱动系统的示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型提供的可控硅调光LED驱动电路及系统的实施方式做详细说明。
参考图2，本实用新型所述的可控硅调光LED驱动电路的架构示意图，所述驱动电路包括：一第二MOS晶体管M2、一峰值电流比较器209、一前馈电阻R6、一参考电压源ref1以及一最大亮度提升模块21。
所述最大亮度提升模块21包括：一运算放大器210、一第一MOS晶体管M3、一基准电压源ref2、一分压处理单元以及一滤波单元。
所述分压处理单元接收外部幅值为正的电压信号Vbus并进行处理。作为优选的实施方式，所述分压处理单元包括一上分压电阻R2以及一下分压电阻R3；所述上分压电阻R2一端接收外部幅值为正的电压信号Vbus，另一端与所述下分压电阻R3电学连接，所述下分压电阻R3另一端接地（例如芯片地）。上分压电阻R2以及下分压电阻R3可以通过对电压信号Vbus的处理，检测出外部可控硅调光器的切相角信息。
所述滤波单元分别电学连接至所述分压处理单元以及所述运算放大器210的第一输入端，所述滤波单元用于对经所述分压处理单元处理后的电压信号进行滤波，获取直流电压信号Vdim输出至所述运算放大器210的第一输入端。作为优选的实施方式，所述滤波单元包括一滤波电阻R4以及一滤波电容C3；所述滤波电阻R4一端耦接至所述上分压电阻R2和下分压电阻R3之间，另一端分别电学连接至所述滤波电容C3以及所述运算放大器210的第一输入端，所述滤波电容C3另一端接地。
所述运算放大器210的第一输入端接收直流电压信号Vdim，其第二输入端与所述基准电压源ref2的输出端电学连接，其输出端电学连接至所述第一MOS晶体管M3的栅极G，所述运算放大器210控制所述第一MOS晶体管M3的导通阻抗，所述运算放大器210闭环工作时保证两个输入端电压相等，从而有电流流经第一MOS晶体管M3。
其中，所述分压处理单元以及滤波单元为可选单元，所述述运算放大器210的第一输入端可以直接为所述最大亮度提升模块21的输入端，用以接收一采样电压信号，用以与所述基准电压源ref2的电压信号进行比较，所述采样电压信号可以为直流电压信号Vdim。
所述第一MOS晶体管的源极S电学连接至所述运算放大器210的第一输入端，其漏极D为所述最大亮度提升模块21的输出端，输出电流信号控制LED驱动电路的输出电流。所述最大亮度提升模块21的输出端通过所述第一MOS晶体管M3的漏极D电学连接至所述峰值电流比较器209第一输入端以及所述前馈电阻R6，所述第一MOS晶体管M3的漏极D输出电流信号注入到峰值电流比较器209的一输入端，由于峰值电流比较器209的输入阻抗很高，此电流全部流经前馈电阻R6并在R6上产生一直流偏置电压。
作为可选的实施方式，所述最大亮度提升模块21进一步包括一输入电阻R5；所述输入电阻R5串接在所述滤波电阻R4与所述运算放大器210的第一输入端之间，并与所述第一MOS晶体管M3的源极S电学连接，用于获取分压并输出至所述第一MOS晶体管M3。所述输入电阻R5可以省略，省略时所述输入电阻R5短接。运算放大器210控制第一MOS晶体管M3的导通阻抗，运算放大器210闭环工作时保证两个输入端电压相等，从而输入电阻R5两端可以得到一个电压，此电压为Vdim-Vref2；输入电阻R5上产生电流，其大小为（Vdim-Vref2）/R5；此电流流经第一MOS晶体管M3，并注入到峰值电流比较器209的输入端，由于峰值电流比较器209的输入阻抗很高，此电流全部流经前馈电阻R6并在R6上产生一直流偏置电压。
所述第二MOS晶体管M2的漏极D电学连接至一功率开关MOS晶体管M1的源极S，M2的源极S连接一采样电阻R7。
所述峰值电流比较器209第一输入端通过所述前馈电阻R6与采样电阻R7电学连接，其第二输入端与所述参考电压源ref1的输出端电学连接，其输出端耦接至第二MOS晶体管M2的栅极G。所述峰值电流比较器209用于将所述前馈电阻R6及采样电阻R7的电压幅值之和与所述参考电压源ref1的电压阈值比较，控制所述第二MOS晶体管M2的导通与关闭；若R6及R7的电压幅值之和达到参考电压源ref1的电压阈值，则峰值电流比较器209输出端翻转，关闭第二MOS晶体管M2。
作为优选的实施方式，所述可控硅调光LED驱动电路进一步包括一最大开通时间计时器207、一或逻辑门208以及一RS触发器205。
所述最大开通时间计时器207的一端分别电学连接至所述RS触发器205的输出端Q以及第二MOS晶体管M2的栅极G，所述最大开通时间计时器207的另一端电学连接至所述或逻辑门208的一输入端；所述或逻辑门208的另一输入端电学连接至所述峰值电流比较器209的输出端，所述或逻辑门208的输出端电学连接至所述RS触发器205的复位端R。当所述第二MOS晶体管M2的电流使所述峰值电流比较器209的输出端翻转时，或者所述最大开通时间计时器207检测到所述第二MOS晶体管M2的开通时间达到预设时间时，所述或逻辑门208输出信号使所述RS触发器205复位，从而关闭所述第二MOS晶体管M2。也即，在一个工频周期中，当Vbus电压较高时，峰值电流比较器209决定第二MOS晶体管M2的关断时刻；当Vbus电压较低时，最大开通时间计时器207决定第二MOS晶体管M2的关断时刻。
作为优选的实施方式，所述可控硅调光LED驱动电路进一步包括一退磁检测器204；所述退磁检测器204的输入端与所述功率开关MOS晶体管M1的源极S电学连接，其输出端电学连接所述RS触发器205的置位端S。所述退磁检测器204用于检测所述功率开关MOS晶体管M1的源极电压变化，并输出信号使所述RS触发器205置位，从而开通所述第二MOS晶体管M2。
作为可选的实施方式，所述可控硅调光LED驱动电路进一步包括一开关驱动模块206，其串接在RS触发器205的输出端Q与第二MOS晶体管M2栅极之间，并与最大开通时间计时器207电学连接（当电路没有设置最大开通时间计时器207时，开关驱动模块206与峰值电流比较器209的输出端电学连接）。开关驱动模块206根据RS触发器205的输出信号，使第二MOS晶体管M2关闭或导通。
参考图3，本实用新型所述的降压型可控硅调光LED驱动系统的示意图。所述可控硅调光LED驱动系统包括一可控硅调光器202、一整流桥203、一母线电容C1、一采样电阻R7以及本实用新型所述的可控硅调光LED驱动电路（如图2所示电路，相同组件符号表示相同或相似组件）。
所述可控硅调光器202与交流输入源201电学连接，通过调整其自身导通角度控制LED负载的亮度；所述整流桥203分别与所述可控硅调光器202以及交流输入源201电学连接，用于将交流输入源201的正弦信号整流为一幅值为正的电压信号Vbus；所述母线电容C1耦接至所述整流桥203的两个输出端并与一功率开关MOS晶体管M1的漏极D电学连接，用于为所述功率开关MOS晶体管M1提供高频电流通路；所述最大亮度提升模块21的输入端分别与所述母线电容C1以及所述功率开关MOS晶体管M1的漏极D电学连接；所述第二MOS晶体管M2的漏极D与所述功率开关MOS晶体管M1的源极S电学连接，所述第二MOS晶体管M2的源极S与所述采样电阻R7电学连接；所述峰值电流比较器209第一输入端通过所述前馈电阻R6与所述采样电阻R7电学连接；所述采样电阻R7通过一电感L1电学连接至LED负载。
功率开关MOS晶体管M1的栅极G进一步耦接至串联的供电电阻R1与供电电容C2之间，同时通过一稳压二极管ZD1接地。采样电阻R7与电感L1相接的一端进一步电学连接至一续流二极管D1的阴极，续流二极管D1的阳极连接母线电容C1的负端。LED负载两端并接一输出电容C4。在其他实施方式中，所述采样电阻R7也可以通过一变压器电学连接至LED负载。
作为优选的实施方式，所述可控硅调光LED驱动电路进一步包括一最大开通时间计时器207、一或逻辑门208以及一RS触发器205；所述最大开通时间计时器207的一端分别电学连接至所述RS触发器205的输出端Q以及第二MOS晶体管M2的栅极G，所述最大开通时间计时器207的另一端电学连接至所述或逻辑门208的一输入端；所述或逻辑门208的另一输入端电学连接至所述峰值电流比较器209的输出端，所述或逻辑门208的输出端电学连接至所述RS触发器205的复位端R。当所述第二MOS晶体管M2的电流使所述峰值电流比较器209的输出端翻转时，或者所述最大开通时间计时器207检测到所述第二MOS晶体管M2的开通时间达到预设时间时，所述或逻辑门208输出信号使所述RS触发器205复位，从而关闭所述第二MOS晶体管M2。
作为优选的实施方式，所述可控硅调光LED驱动电路进一步包括一退磁检测器204；所述退磁检测器204的输入端与所述功率开关MOS晶体管M1的源极S电学连接，其输出端接所述RS触发器205的置位端S。所述退磁检测器204用于检测所述功率开关MOS晶体管M1的源极电压变化，并输出信号使所述RS触发器205置位，从而开通所述第二MOS晶体管M2。
作为可选的实施方式，所述可控硅调光LED驱动电路进一步包括一开关驱动模块206，其串接在RS触发器205的输出端Q与第二MOS晶体管M2栅极之间，并与最大开通时间计时器207电学连接（当电路没有设置最大开通时间计时器207时，开关驱动模块206与峰值电流比较器209的输出端电学连接）。开关驱动模块206根据RS触发器205的输出信号，使第二MOS晶体管M2关闭或导通。
本实用新型的LED驱动电路使用源级驱动方式。采样电阻R7上的电流反映了第二MOS晶体管M2上的电流。采样电阻R7上的电压为CS信号，CS信号通过前馈电阻R6电学连接至峰值电流比较器209的第一输入端。当第二MOS晶体管M2开通时，功率开关MOS晶体管M1也导通；电感L1电流上升，采样电阻R7上的电压也上升；当采样电阻R7 上的电压和前馈电阻R6电压之和达到参考电压ref1阀值时，峰值电流比较器209的输出端翻转，或逻辑门208输出信号使RS触发器205复位，开关驱动模块206输出信号关闭第二MOS晶体管M2。M2关闭同时功率开关MOS晶体管M1也关闭，同时续流二极管D1开始导通，电感L1电流开始下降；当电感L1的电流下降到零时，功率开关MOS晶体管M1的漏极电压也开始下降；由于M1漏极和源极的电容耦合作用，M1的源极电压同时也开始下降；此时退磁检测器204检测到M1的源极电压变化并输出信号使RS触发器205置位，驱动开关驱动模块206使第二MOS晶体管M2再次开通。最大开通时间计时器207检测第二MOS晶体管M2的开通时间；当M2的开通时间大于系统预设阀值时，输出信号给或逻辑门208，使RS触发器205复位，驱动开关驱动模块206使第二MOS晶体管M2关闭。也即在一个工频周期中，当Vbus电压较高时，峰值电流比较器209决定第二MOS晶体管M2的关断时刻；当Vbus电压较低时，最大开通时间计时器207决定第二MOS晶体管M2的关断时刻。
以下结合附图3-5对本实用新型所述降压型可控硅调光LED驱动系统的工作原理进行说明。
参考图4，本实用新型所述降压型可控硅调光LED驱动系统的工作典型波形图，其中实线为不接可控硅调光器202时的电路工作波形，虚线是接可控硅调光器202时的电路工作波形。
结合图3、图4，当不接可控硅调光器202时，Vbus电压的平均值较高，经过上分压电阻R2和下分压电阻R3处理后的电压信号平均值也较高；此电压信号经过滤波电阻R4和滤波电容C3后得到一直流电压信号Vdim，同样，在不接可控硅调光器202时，此直流电压信号Vdim也较高。运算放大器210控制第一MOS晶体管M3的导通阻抗，运算放大器210闭环工作时保证两个输入端电压相等，从而输入电阻R5两端可以得到一个电压，此电压为Vdim-Vref2。输入电阻R5上产生电流，其大小为（Vdim-Vref2）/R5；此电流流经第一MOS晶体管M3，并注入到峰值电流比较器209的输入端。由于峰值电流比较器209的输入阻抗很高，此电流全部流经前馈电阻R6并在R6上产生一直流偏置电压，该直流偏置电压叠加到CS电压上，使CS电压的峰值VCS_TH降低，电感L1的峰值电流降低，从而使输出电流降低。
当接可控硅调光器202时，如果可控硅调光器202的最大导通角度较低，则Vbus电压的平均值也较低，如图3虚线所示。此电压信号经过上分压电阻R2、下分压电阻R3、滤波电阻R4和滤波电容C3处理后得到的直流电压信号Vdim也较低；从而输入电阻R5两端的电压Vdim-Vref2也较低；输入电阻R5上的电流流经第一MOS晶体管M3至前馈电阻R6，在R6上产生的直流偏置电压也较低，使得CS电压的峰值VCS_TH较高，使电感的峰值电流提高。从而使电路接可控硅调光器时的最大输出电流占不接可控硅调光器时的最大输出电流比例提高。
当可控硅调光器202的导通角度继续降低时，Vdim电压信号会继续下降，直至小于Vref2电压，此时，运算放大器210无法继续闭环工作，第一MOS晶体管M3关闭，输入电阻R5上没有电流流过，前馈电阻R6上也没有电流流过，此时前馈电路对电感L1峰值电流无影响，输出电流线性的跟随可控硅调光器的导通角度变化。
结合图3、图5，其中图5为本实用新型所述可控硅调光LED驱动系统的Vdim电压和Vcs峰值电压的关系图。当Vdim电压高于Vref2电压时，Vcs的峰值电压VCS_TH下降，电感L1的峰值电流也下降；当Vdim电压小于Vref2电压时，Vcs的峰值电压VCS_TH保持不变，电感L1的峰值电流也保持不变。
使用可控硅调光器202调光时，可控硅调光器202通过改变导通角度的方式提供调光信号。当可控硅调光器202阻断输入电压时，Vbus电压为输出电压Vout，电感L1电流也为零。当可控硅调光器202导通时，Vbus电压等于输入电压绝对值，LED驱动电路正常工作，为LED负载提供能量。通过改变可控硅调光器202的导通角度，LED负载的功率发生变化，实现调光的目的。通过最大亮度提升模块21，提高了驱动电路连接可控硅调光器202时的最大电流；同时省去了泄放电路，使用开关变换器本身的输入电流来提供可控硅调光器202的维持电流，提高了LED驱动电路效率以及系统可靠性。
本实用新型所述的可控硅调光LED驱动电路同样可以应用于升降压型可控硅调光LED驱动系统结构中以及反激型可控硅调光LED驱动系统结构中。参考图6、图7，其中图6为本实用新型所述升降压型可控硅调光LED驱动系统的示意图，图7为本实用新型所述的反激型可控硅调光LED驱动系统的示意图。其中，可控硅调光LED驱动系统的驱动原理和控制逻辑与图3所示降压型可控硅调光LED驱动系统类似，在此不再赘述。
以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。
Claims (10)
1.一种最大亮度提升模块，其特征在于，包括：一运算放大器、一第一MOS晶体管以及一基准电压源；
所述运算放大器的第一输入端为所述最大亮度提升模块的输入端，用以接收一采样电压信号，其第二输入端与所述基准电压源的输出端电学连接，其输出端电学连接至所述第一MOS晶体管的栅极，所述运算放大器控制所述第一MOS晶体管的导通阻抗，所述运算放大器闭环工作时保证两个输入端电压相等；
所述第一MOS晶体管的源极电学连接至所述运算放大器的第一输入端，其漏极为所述最大亮度提升模块的输出端，输出一电流信号用以控制一LED驱动电路的输出电流。
2.根据权利要求1所述的最大亮度提升模块，其特征在于，所述模块进一步包括：一分压处理单元以及一滤波单元； 所述分压处理单元接收外部幅值为正的电压信号并进行处理； 所述滤波单元分别电学连接至所述分压处理单元以及所述运算放大器的第一输入端，所述滤波单元用于对经所述分压处理单元处理后的电压信号进行滤波，获取采样电压信号输出至所述运算放大器的第一输入端。
3.根据权利要求2所述的最大亮度提升模块，其特征在于，所述分压处理单元包括一上分压电阻以及一下分压电阻，所述滤波单元包括一滤波电阻以及一滤波电容； 所述上分压电阻一端接收外部幅值为正的电压信号，另一端与所述下分压电阻电学连接，所述下分压电阻另一端接地； 所述滤波电阻一端耦接至所述上分压电阻和下分压电阻之间，另一端分别电学连接至所述滤波电容的一端以及所述运算放大器的第一输入端，所述滤波电容另一端接地。
4.根据权利要求3所述的最大亮度提升模块，其特征在于，所述模块进一步包括：一输入电阻； 所述输入电阻串接在所述滤波电阻与所述运算放大器的第一输入端之间，并与所述第一MOS晶体管的源极电学连接，用于获取分压并输出至所述第一MOS晶体管。
5.一种可控硅调光LED驱动电路，其特征在于，包括：一第二MOS晶体管、一峰值电流比较器、一前馈电阻、一参考电压源以及一权利要求1至4任意一项所述的最大亮度提升模块；
所述第二MOS晶体管的漏极电学连接至一功率开关MOS晶体管的源极，所述第二MOS晶体管的源极电学连接一采样电阻；
所述最大亮度提升模块的输出端通过所述第一MOS晶体管的漏极电学连接至所述峰值电流比较器第一输入端以及所述前馈电阻，所述第一MOS晶体管输出的电流信号流经前馈电阻产生直流偏压；
所述峰值电流比较器第一输入端通过所述前馈电阻与采样电阻电学连接，其第二输入端与所述参考电压源的输出端电学连接，其输出端耦接至所述第二MOS晶体管的栅极，所述峰值电流比较器用于将所述前馈电阻及采样电阻的电压幅值之和与所述参考电压源的电压阈值比较，控制所述第二MOS晶体管的导通与关闭。
6.根据权利要求5所述的可控硅调光LED驱动电路，其特征在于，所述电路进一步包括一最大开通时间计时器、一或逻辑门以及一RS触发器； 所述最大开通时间计时器的一端分别电学连接至所述RS触发器的输出端以及第二MOS晶体管的栅极，所述最大开通时间计时器的另一端电学连接至所述或逻辑门的一输入端； 所述或逻辑门的另一输入端电学连接所述峰值电流比较器的输出端，所述或逻辑门的输出端电学连接至所述RS触发器的复位端； 当所述第二MOS晶体管的电流使所述峰值电流比较器的输出端翻转，或者所述最大开通时间计时器检测到所述第二MOS晶体管的开通时间达到预设时间时，所述或逻辑门输出信号使所述RS触发器复位，从而关闭所述第二MOS晶体管。
7.根据权利要求6所述的可控硅调光LED驱动电路，其特征在于，所述电路进一步包括一退磁检测器； 所述退磁检测器的输入端与所述功率开关MOS晶体管的源极电学连接，其输出端电学连接至所述RS触发器的置位端，所述退磁检测器用于检测所述功率开关MOS晶体管的源极电压变化，并输出信号使所述RS触发器置位，从而开通所述第二MOS晶体管。
8.一种可控硅调光LED驱动系统，包括一可控硅调光器、一整流桥、一母线电容以及一采样电阻，其特征在于，进一步包括权利要求5所述的可控硅调光LED驱动电路；
所述可控硅调光器与一交流输入源电学连接，通过调整其自身导通角度控制LED负载的亮度；
所述整流桥分别与所述可控硅调光器以及交流输入源电学连接，用于将交流输入源的正弦信号整流为一幅值为正的电压信号；
所述母线电容耦接至所述整流桥的两个输出端并与一功率开关MOS晶体管的漏极电学连接，用于为所述功率开关MOS晶体管提供高频电流通路；
所述最大亮度提升模块的输入端分别与所述母线电容以及所述功率开关MOS晶体管的漏极电学连接；
所述第二MOS晶体管的漏极与所述功率开关MOS晶体管的源极电学连接，所述第二MOS晶体管的源极与所述采样电阻电学连接；
所述峰值电流比较器第一输入端通过所述前馈电阻与所述采样电阻电学连接；
所述采样电阻通过一变压器或电感电学连接至LED负载。
9.根据权利要求8所述的可控硅调光LED驱动系统，其特征在于，所述可控硅调光LED驱动电路进一步包括一最大开通时间计时器、一或逻辑门以及一RS触发器； 所述最大开通时间计时器的一端分别电学连接至所述RS触发器的输出端以及第二MOS晶体管的栅极，所述最大开通时间计时器的另一端电学连接至所述或逻辑门的一输入端； 所述或逻辑门的另一输入端电学连接至所述峰值电流比较器的输出端，所述或逻辑门的输出端电学连接至所述RS触发器的复位端； 当所述第二MOS晶体管的电流使所述峰值电流比较器的输出端翻转，或者所述最大开通时间计时器检测到所述第二MOS晶体管的开通时间达到预设时间时，所述或逻辑门输出信号使所述RS触发器复位，从而关闭所述第二MOS晶体管。
10.根据权利要求9所述的可控硅调光LED驱动系统，其特征在于，所述可控硅调光LED驱动电路进一步包括一退磁检测器； 所述退磁检测器的输入端与所述功率开关MOS晶体管的源极电学连接，其输出端电学连接至所述RS触发器的置位端，所述退磁检测器用于检测所述功率开关MOS晶体管的源极电压变化，并输出信号使所述RS触发器置位，从而开通所述第二MOS晶体管。
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