CN203800155U - 低互调同频合路器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种低互调同频合路器，包括壳体，壳体内安装有一低互调宽带电桥、低互调射频电缆和低互调内置负载，壳体外侧设有两个输入端口和一个输出端口，两个输入端口分别连接低互调宽带电桥的两个输入端，输出端口连接低互调宽带电桥的其中一个输出端，低互调宽带电桥的另一个输出端连接一卷低互调射频电缆，低互调射频电缆的另一端连接低互调内置负载。本实用新型用低互调内置负载代替用厚膜电路或者薄膜电路技术制作的传统的内置负载，达到理想的互调值。
Description
技术领域
本实用新型涉及射频微波电路技术，更具体地涉及一种低互调同频合路器。
背景技术
常规的同频合路器的内置负载是采用了厚膜电路或者薄膜电路技术制作的，其有一内置厚膜电路的负载，优点是体积小和成本低，缺点是无源互调指标差，这类技术制作的内置负载，由于其先天的缺陷，互调达到-120dBc2×+43dBm也很难。这样就导致同频合路器的互调指标也很差。随着通信技术的发展，对于无源互调的要求越来越高，普通的同频合路器已经无法满足要求了。
发明内容
本实用新型的目的在于，提供一种由一只低互调3dB电桥和一只低互调负载组成的低互调同频合路器，可以实现-170dBc2×+43dBm以内的各种互调指标。
为实现本实用新型的目的，拟采用以下技术方案：
低互调同频合路器，包括壳体，其特征在于，壳体内安装有一低互调宽带电桥、低互调射频电缆和低互调内置负载；
所述壳体外侧设有两个输入端口和一个输出端口，两个输入端口分别连接低互调宽带电桥的两个输入端，输出端口连接低互调宽带电桥的其中一个输出端；
所述低互调宽带电桥的另一个输出端连接一卷低互调射频电缆，低互调射频电缆的另一端连接低互调内置负载。
本实用新型采用低互调内置负载代替用厚膜电路或者薄膜电路技术制作的传统的内置负载，传统的内置负载由于先天的缺陷，互调达到-120dBc2×+43dBm也很难，导致同频合路器的互调指标也很差，而采用低互调内置负载与一卷足够长的低互调射频电缆相结合，能够达到理想的互调值。
附图说明
图1为本实用新型的原理图。
图2为本实用新型的结构示意图。
图3为低互调宽带电桥的结构示意图。
图中的标号为，1、壳体；2、输入端口；3、输出端口；4、低互调宽带电桥；5、低互调射频电缆；6、低互调内置负载。
具体实施方式
下面结合附图及实施例来进一步说明本实用新型的技术方案。
结合图1-图3，本实施例提出的一种低互调同频合路器，包括矩形壳体1，壳体1开口朝上，壳体1包括底板和前后左右四个侧板，壳体1开口处配有一块上盖板，壳体1前板外侧设有两个输入端口2，壳体1后板外侧设有一个输出端口3，壳体1前板内侧安装有一块低互调宽带电桥4，低互调宽带电桥4采用低互调3dB电桥，低互调宽带电桥4的两个输入端分别连接壳体1上的两个输入端口2，低互调宽带电桥4的其中一个输出端连接壳体1上的输出端口3，低互调宽带电桥4的另一个输出端连接一卷足够长的低互调射频电缆5，低互调射频电缆5的另一端连接低互调内置负载6。
本实用新型由一只低互调3dB电桥、一卷低互调射频电缆和一只低互调内置负载组成，可以实现-170dBc2×+43dBm以内的各种互调指标的同频合路器。
Claims (1)
1.低互调同频合路器，包括壳体，其特征在于，壳体内安装有一低互调宽带电桥、低互调射频电缆和低互调内置负载；
所述壳体外侧设有两个输入端口和一个输出端口，两个输入端口分别连接低互调宽带电桥的两个输入端，输出端口连接低互调宽带电桥的其中一个输出端；
所述低互调宽带电桥的另一个输出端连接一卷低互调射频电缆，低互调射频电缆的另一端连接低互调内置负载。
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Cited By (2)
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|---|---|---|---|---|
| CN108808196A (zh) * | 2018-06-01 | 2018-11-13 | 安徽禄讯电子科技有限公司 | 一种低互调两进一出电桥 |
| CN113394531A (zh) * | 2021-06-29 | 2021-09-14 | 江苏贝孚德通讯科技股份有限公司 | 一种兼容5g频段的同频合路器 |
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2013
- 2013-12-20 CN CN201320867532.6U patent/CN203800155U/zh not_active Expired - Fee Related
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| GR01 | Patent grant | ||
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Granted publication date: 20140827 Termination date: 20161220 |