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CN203659862U - 一种线性恒流器件 - Google Patents

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Publication number
CN203659862U
CN203659862U CN201320823442.7U CN201320823442U CN203659862U CN 203659862 U CN203659862 U CN 203659862U CN 201320823442 U CN201320823442 U CN 201320823442U CN 203659862 U CN203659862 U CN 203659862U
Authority
CN
China
Prior art keywords
district
region
nwell
metal electrode
type epitaxial
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
CN201320823442.7U
Other languages
English (en)
Inventor
刘宗贺
张鹏
邹有彪
王泗禹
耿开远
周健
李建新
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jiangsu Jilai Microelectronics Co ltd
Original Assignee
QIDONG JILAI ELECTRONIC CO Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by QIDONG JILAI ELECTRONIC CO Ltd filed Critical QIDONG JILAI ELECTRONIC CO Ltd
Priority to CN201320823442.7U priority Critical patent/CN203659862U/zh
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Publication of CN203659862U publication Critical patent/CN203659862U/zh
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Abstract

本实用新型公开了一种线性恒流器件,包括P型硅片,P型硅片的背面为金属化阴极电极、正面生长有P型外延层,P型外延层上有RING区和NWELL区,NWELL区中有若干并排的N-区,每个N-区的中间有N+区,每相邻两个N-区之间有一个栅区,N+区以间隔的方式分别与阳极电极或金属电极Ⅰ相连;NWELL区还设有一个大的N+区,该大的N+区一端、与其相邻的N+区及其之间的NWELL区的表面与金属电极Ⅱ相连,该大的N+区另一端、P型外延层一端RING区及其之间的NWELL区和P型外延层的表面与金属电极Ⅲ相连。该器件结构简单、恒流特性好、工作电压范围广。

Description

一种线性恒流器件
技术领域
本实用新型属于半导体器件技术领域,涉及一种线性恒流器件。
背景技术
线性恒流器件是一种在电源电压、温度、负载等发生波动的情况下仍能给负载提供恒定电流的半导体器件,广泛应用在LED驱动器、恒定电源、充电器等电子设备中。常见的线性恒流器有:基于耗尽型MOSFET、JFET等场效应器件的线性恒流器、基于三极晶体管的线性恒流器、基于模拟集成电路(如电流源、运算放大器)的线性恒流器。相对于三极管型恒流器,基于JFET的线性恒流器具有受温度影响小、厄利效应小的优点;相对于模拟集成电路型的线性恒流器,基于JFET的线性恒流器具有结构简单、设计制作成本低、使用方便的优点。
实用新型内容
本实用新型需要解决的技术问题是提供一种线性恒流器件。 
为解决上述技术问题,本实用新型采用的技术方案是:一种线性恒流器件,包括P型硅片, P型硅片的背面为金属化阴极电极、正面生长有P型外延层, P型外延层上有RING区和NWELL区, NWELL区中有若干并排的N-区,每个N-区的中间有N+区,每相邻两个N-区之间有一个栅区, N+区以间隔的方式分别与阳极电极或金属电极Ⅰ相连; NWELL区还设有一个大的N+区,该大的N+区一端、与其相邻的N+区及其之间的NWELL区的表面与金属电极Ⅱ相连,该大的N+区另一端、P型外延层一端RING区及其之间的NWELL区和P型外延层的表面与金属电极Ⅲ相连,整个P型外延层表面除阳极电极、金属电极Ⅰ、金属电极Ⅱ和金属电极Ⅲ覆盖的区域外所有区域覆盖有氧化层。
本实用新型的线性恒流器件基于JFET,具有结构简单、设计制作成本低、恒流特性好、使用方便、器件工作电压范围广等优点。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细描述。
图1是本实用新型中线性恒流器件的结构示意图;
图2是本实用新型中线性恒流器件的等效电路图。
其中,1、P型硅片,2、P型外延层,3、氧化层,4、RING区,5、NWELL区,6、栅区,7、N-区,8、N+区,9或A、阳极电极,10或K、阴极电极,11、金属电极Ⅰ,12、金属电极Ⅱ,13、金属电极Ⅲ。
具体实施方式:
如图1所示,一种线性恒流器件,包括P型硅片1, P型硅片1的背面为金属化阴极电极10、正面生长有P型外延层2, P型外延层2上有RING区4和NWELL区5, NWELL区5中有若干并排的N-区7,每个N-区7的中间有N+区8,每相邻两个N-区7之间有一个栅区6, N+区8以间隔的方式分别与阳极电极9或金属电极Ⅰ11相连; NWELL区5还设有一个大的N+区8′,该大的N+区8′一端、与其相邻的N+区8及其之间的NWELL区5的表面与金属电极Ⅱ12相连,该大的N+区8′另一端、P型外延层2一端RING区4及其之间的NWELL区5和P型外延层2的表面与金属电极Ⅲ13相连,整个P型外延层2表面除阳极电极9、金属电极Ⅰ11、金属电极Ⅱ12和金属电极Ⅲ13覆盖的区域外所有区域覆盖有氧化层3。
此外,该线性恒流器件的半导体材料P型硅片1还可以是SOI、碳化硅、氮化镓、砷化镓、磷化铟以及锗硅的替代。
本实用新型中线性恒流器件的等效电路如图2所示:该线性恒流器件由一个结型场效应管JFET和一个电阻R构成,电阻R的两端分别与JFET的源极和栅极相连,JFET的漏极作为线性恒流器件的阳极电极A,JFET的栅极作为线性恒流器件的金属化阴极电极K,电阻R上的压降对JFET形成自偏置负反馈效应从而维持线性恒流器件的输出电流恒定。

Claims (1)

1. 一种线性恒流器件,包括P型硅片,其特征在于:所述P型硅片的背面为金属化阴极电极、正面生长有P型外延层,所述P型外延层上有RING区和NWELL区,所述NWELL区中有若干并排的N-区,每个所述N-区的中间有N+区,每相邻两个所述N-区之间有一个栅区,所述N+区以间隔的方式分别与阳极电极或金属电极Ⅰ相连;所述NWELL区还设有一个大的N+区,该大的N+区一端、与其相邻的N+区及其之间的NWELL区的表面与金属电极Ⅱ相连,该大的N+区另一端、P型外延层一端RING区及其之间的NWELL区和P型外延层的表面与金属电极Ⅲ相连,整个所述P型外延层表面除阳极电极、金属电极Ⅰ、金属电极Ⅱ和金属电极Ⅲ覆盖的区域外所有区域覆盖有氧化层。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN103730465A (zh) * 2013-12-16 2014-04-16 启东吉莱电子有限公司 一种线性恒流器件及其制作方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103730465A (zh) * 2013-12-16 2014-04-16 启东吉莱电子有限公司 一种线性恒流器件及其制作方法
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C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CP03 Change of name, title or address

Address after: 226200 1800 Mudanjiang West Road, Huilong Town, Qidong City, Nantong City, Jiangsu Province

Patentee after: Jiangsu Jilai Microelectronics Co.,Ltd.

Address before: 226200 1261 Gongyuan North Road, Huilong Town, Qidong City, Nantong City, Jiangsu Province

Patentee before: QIDONG JILAI ELECTRONICS Co.,Ltd.

CP03 Change of name, title or address
CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 20140618

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