CN203563186U - 降噪电路及具有其的语音音频驱动电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种降噪电路及具有其的语音音频驱动电路，所述降噪电路包括电阻R3、电阻R4、电阻R5、电容C2以及三极管Q1，电容C2的一端接高电平VCC，其另一端接地，三极管Q1的基极通过电阻R5与主控单元MCU的信号输出端相连接、以及通过电阻R4接地，三极管Q1的集电极通过电阻R3连接至高电平VCC、以及输出处理信号，三极管Q1的发射极接地。本实用新型在现有技术的基础上增加降噪电路，主控MCU输出的语音音频信号，首先经过降噪电路，然后通过高通滤波电路和增益放大电路的滤波、放大处理，再进入语音功率放大器件IC1，通过语音功率放大器IC1的处理之后驱动音频设备，这样可以降低或者去除音频设备的噪音。
Description
技术领域
本实用新型涉及电路技术领域，具体而言，涉及一种降噪电路及具有其的语音音频驱动电路。
背景技术
已知地，在语音音频驱动电路中，主控MCU（Micro Control Unit，微控制单元）输出语音信号，经过滤波、增益放大，作为语音功率放大器IC1的输入信号，经过IC1的处理之后输出以驱动音频设备。
如图1所示，其示出了现有技术中的一种语音音频驱动电路，其语音功率放大器IC1为语音功率放大器件，所述111所指的构件1为语音功率放大器IC1提供电源，其中，所述构件1包括并联的电容C3’以及EC2’，所述电容C3’以及E C2’的一共同端接高电平VDD并连接至语音功率放大器IC1的第一电源输入端，所述电容C3’以及E C2’的另一共同端接地并连接至语音功率放大器IC1的第二电源输入端。
所述112所指的构件2为音频信号的增益放大电路，所述构件2包括串联在语音功率放大器IC1两个增益类管脚之间的电阻R2’，以及分别与语音功率放大器IC1的其中之一的增益类管脚和电阻R2’一端相连的电阻R1’。
所述113所指的构件3由串联的电阻R1’和电容C1’组成高通滤波器，所述电阻R1’的一端连接至语音功率放大器IC1的其中之一的增益类管脚，所述电容C1’的一端连接至主控MCU的音频信号输出端。除此之外，继续参考图1所示，所述电容EC1’是语音功率放大器IC1的滤波电容，其一端分别连接至语音功率放大器IC1的两个滤波类管脚，其另一端接地，主控MCU输出语音音频信号，经过构件3和构件2的滤波、放大处理之后，进入语音功率放大器IC1，并通过语音功率放大器IC1的处理之后输出音频驱动信号以驱动音频设备。
然而在实际的应用当中，由于主控MCU除驱动语音功率放大器IC1外，还常带有其他负载，例如数码屏、电机等，当主控MCU输出音频信号的同时，还输出相用以驱动其他较大负载(如数码屏、电机等)的驱动信号，此时主控MCU输出的用以驱动语音功率放大器IC1的音频信号则可能会出现波动或噪声，所述驱动信号中夹杂的微小的波动或噪声经过语音功率放大器IC1的增益放大之后输出给音频设备，则会导致音频设备出现较大的噪音。
实用新型内容
为了解决音频信号中夹杂入微弱噪声而最终会导致音频设备出现较大噪音的问题，本实用新型的目的在于提供一种降噪电路及具有其的语音音频驱动电路。
本实用新型采用以下技术方案实现：
一种降噪电路，其包括电阻R3、电阻R4、电阻R5、电容C2以及三极管Q1，电容C2的一端接高电平VCC，其另一端接地，三极管Q1的基极通过电阻R5与主控单元MCU的信号输出端相连接、以及通过电阻R4接地，三极管Q1的集电极通过电阻R3连接至高电平VCC、以及输出处理信号，三极管Q1的发射极接地。
一种语音音频驱动电路，其包括：
语音功率放大器IC1；
电源电路；
增益放大电路；
高通滤波电路；
以及降噪电路，其包括电阻R3、电阻R4、电阻R5、电容C2以及三极管Q1，电容C2的一端接高电平VCC，其另一端接地，三极管Q1的基极通过电阻R5与主控单元MCU的音频信号输出端相连接以及通过电阻R4接地，三极管Q1的集电极通过电阻R3连接至高电平VCC以及连接至所述高通滤波电路的输入端，三极管Q1的发射极接地。
优选地，所述电源电路包括并联的电容C3以及EC2，所述电容C3以及EC2的一共同端接高电平VDD并连接至语音功率放大器IC1的第一电源输入端，所述电容C3以及EC2的另一共同端接地并连接至语音功率放大器IC1的第二电源输入端。
优选地，所述增益放大电路包括串联在语音功率放大器IC1两个增益类管脚之间的电阻R2，以及分别与语音功率放大器IC1的其中之一的增益类管脚和电阻R2一端相连的电阻R1。
优选地，所述高通滤波电路包括串联的电阻R1和电容C1，所述电阻R1的一端连接至语音功率放大器IC1的其中之一的增益类管脚，所述电容C1的一端连接至三极管Q1的集电极。
本实用新型在现有技术的基础上增加降噪电路，所述降噪电路可以滤除主控MCU输出的语音音频信号异常波动所产生的干扰，主控MCU输出的语音音频信号，首先经过降噪电路，然后通过高通滤波电路和增益放大电路的滤波、放大处理，再进入语音功率放大器件IC1，通过语音功率放大器IC1的处理之后驱动音频设备，这样可以降低或者去除音频设备的噪音。
附图说明
图1是现有技术提供的语音音频驱动电路的电路图；
图2是本实用新型实施例提供的降噪电路的电路图；
图3是本实用新型实施例提供的语音音频驱动电路的电路图。
本实用新型目的的实现、功能特点及优异效果，下面将结合具体实施例以及附图做进一步的说明。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本实用新型所述技术方案作进一步的详细描述，以使本领域的技术人员可以更好的理解本实用新型并能予以实施，但所举实施例不作为对本实用新型的限定。
如图2所示，本实用新型实施例提供的一种降噪电路，其包括电阻R3、电阻R4、电阻R5、电容C2以及三极管Q1，电容C2的一端接高电平VCC，其另一端接地，三极管Q1的基极通过电阻R5与主控单元MCU的信号输出端相连接、以及通过电阻R4接地，三极管Q1的集电极通过电阻R3连接至高电平VCC、以及输出处理信号，三极管Q1的发射极接地。
所述降噪电路的作用是滤除主控MCU输出的信号（如音频信号）的波动噪声，主控MCU输出的信号作为该降噪电路中三极管Q1的控制信号，只要主控MCU输出的信号电压大于三极管Q1的导通电压Vi，三极管Q1就会导通，当主控MCU输出的信号电压小于三极管Q1的导通电压Vi时，三极管Q1则关闭，也就是说三极管Q1的输出只有开、关两种信号，当三极管Q1导通时，该降噪电路则输出0V的低电平，当三极管Q1关闭时，该降噪电路则输出VCC的高电平。以此达到该降噪电路滤除主控MCU输出的信号由于异常波动所产生的干扰。
如图3所示，本实用新型实施例还提供了一种语音音频驱动电路，其包括：
语音功率放大器IC1；
电源电路211；
增益放大电路212；
高通滤波电路213；
以及降噪电路214，其包括电阻R3、电阻R4、电阻R5、电容C2以及三极管Q1，电容C2的一端接高电平VCC，其另一端接地，三极管Q1的基极通过电阻R5与主控单元MCU的音频信号输出端相连接以及通过电阻R4接地，三极管Q1的集电极通过电阻R3连接至高电平VCC以及连接至所述高通滤波电路213的输入端，三极管Q1的发射极接地。
同理，所述降噪电路214的作用是滤除主控MCU输出的音频信号的波动噪声，主控MCU输出的音频信号作为该降噪电路214中三极管Q1的控制信号，只要主控MCU输出的音频信号电压大于三极管Q1的导通电压Vi，三极管Q1就会导通，当主控MCU输出的音频信号电压小于三极管Q1的导通电压Vi时，三极管Q1则关闭，也就是说三极管Q1的输出只有开、关两种信号，当三极管Q1导通时，该降噪电路214则输出0V的低电平，当三极管Q1关闭时，该降噪电路214则输出VCC的高电平。以此达到该降噪电路214滤除主控MCU输出的音频信号由于异常波动所产生的干扰。
本实施例中，所述电源电路211包括并联的电容C3以及EC2，所述电容C3以及EC2的一共同端接高电平VDD并连接至语音功率放大器IC1的第一电源输入端，所述电容C3以及EC2的另一共同端接地并连接至语音功率放大器IC1的第二电源输入端。
本实施例中，所述增益放大电路212包括串联在语音功率放大器IC1两个增益类管脚之间的电阻R2，以及分别与语音功率放大器IC1的其中之一的增益类管脚和电阻R2一端相连的电阻R1。
本实施例中，所述高通滤波电路213包括串联的电阻R1和电容C1，所述电阻R1的一端连接至语音功率放大器IC1的其中之一的增益类管脚，所述电容C1的一端连接至三极管Q1的集电极。
以上所述仅为本实用新型的优选实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。
Claims (5)
1.一种降噪电路，其特征在于，包括电阻R3、电阻R4、电阻R5、电容C2以及三极管Q1，电容C2的一端接高电平VCC，其另一端接地，三极管Q1的基极通过电阻R5与主控单元MCU的信号输出端相连接、以及通过电阻R4接地，三极管Q1的集电极通过电阻R3连接至高电平VCC、以及输出处理信号，三极管Q1的发射极接地。
2.一种语音音频驱动电路，其特征在于，包括：
语音功率放大器IC1；
电源电路；
增益放大电路；
高通滤波电路；
以及降噪电路，其包括电阻R3、电阻R4、电阻R5、电容C2以及三极管Q1，电容C2的一端接高电平VCC，其另一端接地，三极管Q1的基极通过电阻R5与主控单元MCU的音频信号输出端相连接以及通过电阻R4接地，三极管Q1的集电极通过电阻R3连接至高电平VCC以及连接至所述高通滤波电路的输入端，三极管Q1的发射极接地。
3.如权利要求2所述的语音音频驱动电路，其特征在于，所述电源电路包括并联的电容C3以及EC2，所述电容C3以及EC2的一共同端接高电平VDD并连接至语音功率放大器IC1的第一电源输入端，所述电容C3以及EC2的另一共同端接地并连接至语音功率放大器IC1的第二电源输入端。
4.如权利要求2所述的语音音频驱动电路，其特征在于，所述增益放大电路包括串联在语音功率放大器IC1两个增益类管脚之间的电阻R2，以及分别与语音功率放大器IC1的其中之一的增益类管脚和电阻R2一端相连的电阻R1。
5.如权利要求2所述的语音音频驱动电路，其特征在于，所述高通滤波电路包括串联的电阻R1和电容C1，所述电阻R1的一端连接至语音功率放大器IC1的其中之一的增益类管脚，所述电容C1的一端连接至三极管Q1的集电极。
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- 2013-10-08 CN CN201320617456.3U patent/CN203563186U/zh not_active Expired - Fee Related
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