CN203440497U - 一种多晶硅铸锭炉 - Google Patents
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- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 22
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 title abstract description 8
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims abstract description 28
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 28
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 16
- 238000001816 cooling Methods 0.000 abstract description 15
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 11
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 10
- 238000000137 annealing Methods 0.000 abstract description 9
- 238000009826 distribution Methods 0.000 abstract description 3
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 abstract description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 abstract description 2
- 238000004321 preservation Methods 0.000 abstract 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 42
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 35
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 21
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 17
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 14
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 238000005094 computer simulation Methods 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Silicon Compounds (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
本实用新型属于多晶硅铸锭领域，特别涉及一种多晶硅铸锭炉。一种多晶硅铸锭炉，炉体外壁上端安装有顶部进气口，下端安装有出气口，炉体内放置有石英坩埚，石英坩埚外壁由内向外依次环绕有加热器和保温套筒，石英坩埚底部依次安装有热交换块和隔热板，保温套筒下部沿环形方向上等距开有侧部通气口。本实用新型优点：在多晶硅铸锭的长晶阶段可以得到较为理想的固液界面；在长晶、退火及降温阶段由于侧部通气口的存在，使得温度分布更为均匀，通过侧部通气口来选择降温点以及有效地控制降温速率，从而提高了铸锭质量，减少位错；同时采用该装置及方法，能够使生产周期降低15%，提高了生产效率，有利于工业生产。
Description
技术领域
本实用新型属于多晶硅铸锭领域，特别涉及一种多晶硅铸锭炉。
背景技术
多晶硅是单质硅的一种形态，熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，这些晶粒接合起来便形成多晶硅。在太阳能光伏工业中生产太阳能光伏产品的工艺包括多晶硅铸锭、切割成片、制成电池片和封装为太阳能组件，可见多晶硅铸锭是太阳能光伏工业的重要组成部分，是生产太阳能光伏产品的首个环节。其中多晶硅铸锭工艺是采用多晶硅铸锭炉完成的，其包括步骤：1）对单质硅进行加热，直至单质硅熔化；2）冷却使熔融的单质硅凝固，进行长晶；3）退火处理，并冷却。
目前，整个铸锭生产周期约为60-70h，生产成本较高。其中，长晶、退火和冷却三个阶段用时约50小时，占用了绝大部分的时间。因此，如何有效缩短这一时间已成为提高铸锭生产效率的重要出发点。由于设备及降温条件的限制，仅仅通过对以上三个阶段的工艺优化已无法达到短周期的目的。
实用新型内容
本实用新型克服上述不足问题，提供一种多晶硅铸锭炉，通过对保温套筒上增加侧部通气口来达到快速长晶、退火保温及冷却降温的效果，从而实现铸锭的短周期生产。在铸锭生产过程中，侧部通气口选择性吹入压缩氩气，提高铸锭的降温速度，缩短生产周期。其中，各阶段的最佳降温速度由计算机模拟得到。
本实用新型为实现上述目的所采用的技术方案是：一种多晶硅铸锭炉，炉体外壁上端安装有顶部进气口，下端安装有出气口，炉体内放置有石英坩埚，石英坩埚外壁由内向外依次环绕有加热器和保温套筒，石英坩埚底部依次安装有热交换块和隔热板，保温套筒下部沿环形方向上等距开有侧部通气口。
优选方案如下：
保温套筒下部均匀设置有3～10组沿环形方向上等距的侧部通气口。
每组沿环形方向上等距开有2～10个侧部通气口，每个侧部通气口的直径为30～50mm。
在本实用新型中，该冷却装置中的侧部通气口的下端口为侧部通气口中靠近石英坩埚底部位置的端口，上端口为侧部通气口中靠近硅液上表面位置的端口，其余端口为侧部通气口的中端口。
本实用新型的工作原理：在加热过程中，保温层和底部的隔热层闭合严密，保证了加热时内部热量不会大量外泄，同时保证了加热的有效性及温度场的均匀性。长晶过程中，在惰性气体——氩气的保护下，装有熔融硅液的坩埚不动，保温套筒缓慢向上移动，坩埚底部的热量通过保温套筒与隔热板之间的间隙发散出去，通过气体与炉壁的热量交换，逐渐降低石英坩埚底部的温度。在此过程中，长晶好的晶体逐步离开加热区，而熔融的硅液仍然处在加热区内。在长晶阶段中，从顶部通气口通入氩气，首先是为了满足工艺要求，其次是为了控制炉体内压力，使固液界面尽量保持水平。侧部通气口的设置，能够合理选择降温点，有针对的控制降温速率。在长晶过程中，温度从1427～1433℃经过26～27h缓慢降低到1407～1413℃，完成中央长晶阶段，再经过2～3h降温到1350～1400℃完成边角长晶阶段；整个长晶时间约为29～30h。实时监测晶体长晶时的固液界面，同时调整侧部通气口的端口的开关和气体流量，增加了温度梯度，同时可以加快长晶速度，并能得到较为水平的固液界面。这样在长晶过程中液固界面形成比较稳定的温度梯度，有利于晶体生长。在退火阶段打开侧部通气口的上端口和中端口，同时保证上端口的气体流量大于中端口的气体流量，使得石英坩埚上下温度尽快保持一致降低。在保温阶段，保证顶部通气口和侧部通气口都关闭，最大限度的减少热量的损失。
本实用新型优点：在多晶硅铸锭的长晶阶段可以得到较为理想的固液界面；在长晶、退火及降温阶段由于侧部通气口的存在，使得温度分布更为均匀，通过侧部通气口来选择降温点以及有效地控制降温速率，从而提高了铸锭质量，减少位错；同时采用该装置及方法，能够使生产周期降低15%，提高了生产效率，有利于工业生产。
附图说明
图1为本实用新型的使用状态示意图。
图中，1、顶部进气口 2、炉体 3、保温套筒 4、加热器 5、石英坩埚 6、热交换块 7、隔热板 8、侧部通气口 9、出气口。
具体实施方式
下面结合具体实施例及附图详细说明本实用新型，但本实用新型并不局限于具体实施例。
实施例1：
保温套筒下部均匀设置有3组沿环形方向上等距的侧部通气口。每组沿环形方向上等距开有2个侧部通气口，每个侧部通气口的直径为30mm。
1.将650Kg硅料装入石英坩埚5内，抽真空到0.1Pa，由顶部进气口1通入氩气作为保护气，使保温套筒3、硅料等的湿气蒸发掉，并在2小时内提升石英坩埚5内温度达到1175℃。
2.通入氩气作为保护气，使炉体2内压强保持在400KPa，使石英坩埚5内温度在4小时内到达1545℃并且保温8小时，直至硅料全部熔化结束。
3.长晶阶段时，装有熔融硅液的石英坩埚5不动，开启顶部进气口1和侧部通气口8下端口，气体流量为10～20L/min,向其通入氩气，炉体内压力保持在50kPa，逐渐降低石英坩埚底部的温度，机械外力提拉保温套筒3缓慢向上移动。在长晶过程中，温度从1427℃经过26h缓慢降低到1407℃，完成中央长晶阶段，再经过2h降温到1350℃完成边角长晶阶段；整个长晶时间为29h。实时监测晶体长晶时的固液界面，同时调整侧部通气口8的端口的开关和气体流量。
4.在退火阶段，保持出气口9为打开状态，由顶部进气口1、侧部通气口8的上端口和中端口通入氩气，上端口流量为5L/min，且保证上端口的气体流量大于中端口的气体流量，在保温阶段关闭所有侧部通气口8；
5.在冷却降温阶段，将出气口9、顶部进气口1和全部的侧部通气口8打开，保持炉体内压力在80kPa，当铸锭温度在800℃以上时，侧部通气口上的每个端口通入氩气流量为4L/min；当铸锭温度在800℃以下时，每个端口通入氩气流量为10L/min；温度降低到350℃以下取出硅锭。
实施例2
保温套筒下部均匀设置有10组沿环形方向上等距的侧部通气口。每组沿环形方向上等距开有10个侧部通气口，每个侧部通气口的直径为50mm。
1.将650Kg硅料装入石英坩埚5内，抽真空到0.08Pa，由顶部进气口1通入氩气作为保护气，使隔热层4、硅料等的湿气蒸发掉，并在2小时内提升石英坩埚5内温度达到1175℃。
2.通入氩气作为保护气，使炉体2内压强保持在600KPa，使石英坩埚5内温度在5小时内到达1545℃并且保温10小时，直至硅料全部熔化结束。
3.装有熔融硅液的石英坩埚5不动，开启顶部进气口1和侧部通气口8,向其通入氩气，逐渐降低石英坩埚底部的温度，控制保温套筒3缓慢向上移动。在长晶过程中，温度从1433℃经过27h缓慢降低到1413℃，完成中央长晶阶段，再经过3h降温到1400℃完成边角长晶阶段；整个长晶时间为30h。实时监测晶体长晶时的固液界面，同时调整侧部通气口8的端口的开关和气体流量。
4.在退火阶段，保持出气口9为打开状态，由顶部进气口1、侧部通气口8的上端口和中端口通入氩气，上端口流量为8L/min，且保证上端口的气体流量大于中端口的气体流量，在保温阶段关闭所有侧部通气口8；
5.在冷却降温阶段，将出气口9、顶部进气口1和全部的侧部通气口8打开，保持炉体内压力在100kPa，当铸锭温度在800℃以上时，侧部通气口上的每个端口通入氩气流量为6L/min；当铸锭温度在800℃以下时，每个端口通入氩气流量为15L/min；温度降低到400℃以下取出硅锭。
实施例3
保温套筒下部均匀设置有5组沿环形方向上等距的侧部通气口。每组沿环形方向上等距开有5个侧部通气口，每个侧部通气口的直径为40mm。
1.将650Kg硅料装入石英坩埚5内，抽真空到0.09Pa，由顶部进气口1通入氩气作为保护气，使隔热层4、硅料等的湿气蒸发掉，并在2小时内提升石英坩埚5内温度达到1175℃。
2.通入氩气作为保护气，使炉体2内压强保持在500KPa，使石英坩埚5内温度在5小时内到达1545℃并且保温9小时，直至硅料全部熔化结束。
3.装有熔融硅液的石英坩埚5不动，开启顶部进气口1和侧部通气口8,向其通入氩气，逐渐降低石英坩埚底部的温度，控制保温套筒3缓慢向上移动。在长晶过程中，温度从1430℃经过26.5h缓慢降低到1413℃，完成中央长晶阶段，再经过2.5h降温到1400℃完成边角长晶阶段；整个长晶时间为30h。实时监测晶体长晶时的固液界面，同时调整侧部通气口8的端口的开关和气体流量。
4.在退火阶段，保持出气口9为打开状态，由顶部进气口1、侧部通气口8的上端口和中端口通入氩气，上端口流量为8L/min，且保证上端口的气体流量大于中端口的气体流量，在保温阶段关闭所有侧部通气口8；
5.在冷却降温阶段，将出气口9、顶部进气口1和全部的侧部通气口8打开，保持炉体内压力在90kPa，当铸锭温度在800℃以上时，侧部通气口上的每个端口通入氩气流量为4L/min；当铸锭温度在800℃以下时，每个端口通入氩气流量为13L/min；温度降低到370℃以下取出硅锭。
综上所述，采用该铸锭炉及方法，能够在多晶硅铸锭的长晶阶段得到较为理想的固液界面；同时在长晶、退火及降温阶段由于侧部通气口的存在，使得温度分布更为均匀，通过侧部通气口来选择降温点以及有效地控制降温速率，从而提高了铸锭质量，减少位错；同时采用该装置及方法，能够使生产周期降低15%，提高了生产效率，有利于工业生产。
Claims (3)
1.一种多晶硅铸锭炉，炉体（2）外壁上端安装有顶部进气口（1），下端安装有出气口（9），炉体（2）内放置有石英坩埚（5），石英坩埚（5）外壁由内向外依次环绕有加热器（4）和保温套筒（3），石英坩埚（5）底部依次安装有热交换块（6）和隔热板（7），其特征在于保温套筒（3）下部沿环形方向上等距开有侧部通气口（8）。
2.根据权利要求1所述的所述的一种多晶硅铸锭炉，其特征在于保温套筒（3）下部均匀设置有3～10组沿环形方向上等距的侧部通气口（8）。
3.根据权利要求1或2所述的所述的一种多晶硅铸锭炉，其特征在于每组沿环形方向上等距开有2～10个侧部通气口（8），每个侧部通气口（8）的直径为30～50mm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201320507209.8U CN203440497U (zh) | 2013-08-20 | 2013-08-20 | 一种多晶硅铸锭炉 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201320507209.8U CN203440497U (zh) | 2013-08-20 | 2013-08-20 | 一种多晶硅铸锭炉 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN203440497U true CN203440497U (zh) | 2014-02-19 |
Family
ID=50091565
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201320507209.8U Expired - Fee Related CN203440497U (zh) | 2013-08-20 | 2013-08-20 | 一种多晶硅铸锭炉 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN203440497U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103397380A (zh) * | 2013-08-20 | 2013-11-20 | 青岛隆盛晶硅科技有限公司 | 一种多晶硅铸锭炉及其快速铸锭工艺 |
-
2013
- 2013-08-20 CN CN201320507209.8U patent/CN203440497U/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103397380A (zh) * | 2013-08-20 | 2013-11-20 | 青岛隆盛晶硅科技有限公司 | 一种多晶硅铸锭炉及其快速铸锭工艺 |
| CN103397380B (zh) * | 2013-08-20 | 2016-03-30 | 青岛隆盛晶硅科技有限公司 | 一种多晶硅铸锭炉及其快速铸锭工艺 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20171103 Address after: 1 road 266000 in Shandong province Qingdao city Laoshan District No. 1 Keyuan latitude B block 7 layer B4-2 Patentee after: Qingdao Changsheng Dongfang Industry Group Co., Ltd. Address before: Pudong solar energy industry base in Jimo city of Shandong Province, Qingdao City, 266234 Patentee before: Qingdao Longsheng Crystalline Silicon Science & Technology Co., Ltd. |
|
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
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|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
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