CN203406156U - 低剩磁高导磁互感器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及互感器技术领域，尤其是一种低剩磁高导磁互感器。一种低剩磁高导磁互感器，包括外壳底、外壳盖、插针和线圈，所述外壳底上设有外壳盖，所述外壳盖内设有线圈，所述外壳底下方设有插针，所述外壳底和外壳盖采用铁基纳米晶材料制造。这种低剩磁高导磁互感器，产品采用铁基纳米晶材料，保证了互感器在使用范围内的导磁率，铁芯经高温横向磁场退火处理，保证的产品的剩磁和产品性能的稳定，此种互感器可以抗一定的直流，互感器在直流的磁化下，互感器还可以保持一定的磁性能，适用于A型漏电断路器的适用场合，使用效果良好。
Description
技术领域
本实用新型涉及互感器技术领域，尤其是一种低剩磁高导磁互感器。
背景技术
互感器在工作的时候会在互感器之间存在较高的剩磁，而较高的剩磁会导致互感器工作出现误差，影响生产生活的安全正常的进行，使用效果差。
实用新型内容
为了克服现有的互感器剩磁过高的不足，本实用新型提供了一种低剩磁高导磁互感器。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：一种低剩磁高导磁互感器，包括外壳底、外壳盖、插针和线圈，所述外壳底上设有外壳盖，所述外壳盖内设有线圈，所述外壳底下方设有插针，所述外壳底和外壳盖采用铁基纳米晶材料制造。
本实用新型的有益效果是，这种低剩磁高导磁互感器，产品采用铁基纳米晶材料，保证了互感器在使用范围内的导磁率，铁芯经高温横向磁场退火处理，保证的产品的剩磁和产品性能的稳定，此种互感器可以抗一定的直流，互感器在直流的磁化下，互感器还可以保持一定的磁性能，适用于A型漏电断路器的适用场合，使用效果良好。
附图说明
下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
图1是本实用新型的结构示意图；
图2是本实用新型的剖视图；
图3是本实用新型的侧视图；
图中1、外壳底，2、外壳盖，3、插针，4、线圈。
具体实施方式
如图1是本实用新型的结构示意图，一种低剩磁高导磁互感器，包括外壳底1、外壳盖2、插针3和线圈4，所述外壳底1上设有外壳盖2，所述外壳盖2内设有线圈4，所述外壳底1下方设有插针3，所述外壳底1和外壳盖2采用铁基纳米晶材料制造。
这种低剩磁高导磁互感器的外壳底1和外壳盖2采用铁基纳米晶材料制造，铁基纳米晶材料为导磁材料，保证了互感器在使用范围内的导磁率，而互感器内的线圈4内的铁芯经高温横向磁场退火处理，保证的产品的剩磁和产品性能的稳定，感器可以抗一定的直流，互感器在直流的磁化下，互感器还可以保持一定的磁性能，适用于A型漏电断路器的适用场合，使用效果良好。
Claims (1)
1.一种低剩磁高导磁互感器，包括外壳底（1）、外壳盖（2）、插针（3）和线圈（4），所述外壳底（1）上设有外壳盖（2），所述外壳盖（2）内设有线圈（4），所述外壳底（1）下方设有插针（3），其特征是，所述外壳底（1）和外壳盖（2）采用铁基纳米晶材料制造。
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| CN201320389752.2U CN203406156U (zh) | 2013-07-02 | 2013-07-02 | 低剩磁高导磁互感器 |
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Country Status (1)
| Country | Link |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104882263A (zh) * | 2015-06-23 | 2015-09-02 | 无锡晶磊电子有限公司 | 叠铆块状型电流互感器 |
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2013
- 2013-07-02 CN CN201320389752.2U patent/CN203406156U/zh not_active Expired - Lifetime
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Granted publication date: 20140122 |