CN203386579U - 半箔半线低压线圈结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种半箔半线低压线圈结构，包括箔绕线圈，所述箔绕线圈的每层之间设有端绝缘和层间绝缘，所述箔绕线圈的首尾两端分别由引线排出线，所述箔绕线圈外围缠绕有线绕线圈，所述线绕线圈是由导线并联绕成且分别出线，所述线绕线圈的匝数比箔绕线圈的匝数多，所述线绕线圈的每层之间也设有端绝缘和层间绝缘；所述箔绕线圈可以是由铜箔绕成，所述引线排可以是铜排，所述导线可以是铜线；所述箔绕线圈的端绝缘和层间绝缘可以均采用DMD预浸布。该半箔半线低压线圈结构新颖，具有强度较高、整体性较好、抗短路能力较强、动热稳定性较好且造价较低等优点，保证变压器可靠运行。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种半箔半线低压线圈结构。
背景技术
现有变压器的低压线圈有两种结构：（1）箔绕式结构：虽然强度高、整体性好，但是散热性能差且造价高；（2）线绕式结构：虽然强度较低、整体性差一些，但是散热性能好且造价低。
实用新型内容
本实用新型针对上述现有技术存在的问题做出改进，即本实用新型所要解决的技术问题是提供一种强度较高、整体性较好、散热性能较好且造价较低的半箔半线低压线圈结构。
为了解决上述技术问题，本实用新型的技术方案是：一种半箔半线低压线圈结构，包括箔绕线圈，所述箔绕线圈的每层之间设有端绝缘和层间绝缘，所述箔绕线圈的首尾两端分别由引线排出线，所述箔绕线圈外围缠绕有线绕线圈，所述线绕线圈是由导线并联绕成且分别出线，所述线绕线圈的匝数比箔绕线圈的匝数多，所述线绕线圈的每层之间也设有端绝缘和层间绝缘。
进一步的，所述箔绕线圈是由铜箔绕成，所述引线排为铜排。
进一步的，所述导线为铜线。
进一步的，所述箔绕线圈的端绝缘和层间绝缘均采用DMD预浸布或其它特殊材料。
与现有技术相比，本实用新型具有以下有益效果：该半箔半线低压线圈结构新颖，具有强度较高、整体性较好、抗短路能力较强、动热稳定性较好且造价较低等优点，保证变压器可靠运行。
下面结合附图和具体实施方式对本实用新型做进一步详细的说明。
附图说明
图1为本实用新型实施例的主视示意图。
图2为本实用新型实施例的俯视示意图。
图中：1-箔绕部分，11-箔绕线圈，12-箔绕线圈的端绝缘，13-箔绕线圈的层间绝缘，2-线绕部分，21-线绕线圈，22-线绕线圈的端绝缘，23-线绕线圈的层间绝缘，3-引线排，4-导线。
具体实施方式
如图1~2所示，一种半箔半线低压线圈结构，包括箔绕线圈11，所述箔绕线圈11的每层之间设有端绝缘11和层间绝缘12，所述箔绕线圈11的首尾两端分别由引线排3出线，所述箔绕线圈11外围缠绕有线绕线圈21，所述线绕线圈21是由导线4并联绕成且分别出线，所述线绕线圈21的匝数比箔绕线圈11的匝数多，即少数匝部分用铜箔绕成、多数匝部分用导线4并联绕成，所述线绕线圈21的每层之间也设有端绝缘22和层间绝缘23。
在本实施例中，该半箔半线低压线圈结构为调容变压器的低压线圈结构，所述箔绕线圈11是由铜箔绕成，所述引线排3为铜排；当然，箔绕线圈11和引线排的材质并不局限于铜，还可以是铝等材质。所述导线4为铜线，但并不局限于此。
在本实施例中，所述箔绕线圈11和线绕线圈21的所有出线头均在上端；当然，所述箔绕线圈11和线绕线圈21的出线位置还可以在下端，具体可以根据引线结构而定。
在本实施例中，所述箔绕线圈11的端绝缘12和层间绝缘13均采用DMD预浸布或其它特殊材料，使得箔绕线圈11整体固化，提高了变压器整体抗短路能力和动热稳定性能，保证变压器运行的可靠性；所述线绕线圈21的端绝缘22和层间绝缘23可以采用电缆纸，但并不局限于此。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例，凡依本实用新型申请专利范围所做的均等变化与修饰，皆应属本实用新型的涵盖范围。
Claims (4)
1.一种半箔半线低压线圈结构，包括箔绕线圈，所述箔绕线圈的每层之间设有端绝缘和层间绝缘，所述箔绕线圈的首尾两端分别由引线排出线，其特征在于：所述箔绕线圈外围缠绕有线绕线圈，所述线绕线圈是由导线并联绕成且分别出线，所述线绕线圈的匝数比箔绕线圈的匝数多，所述线绕线圈的每层之间也设有端绝缘和层间绝缘。
2.根据权利要求1所述的半箔半线低压线圈结构，其特征在于：所述箔绕线圈是由铜箔绕成，所述引线排为铜排。
3.根据权利要求1或2所述的半箔半线低压线圈结构，其特征在于：所述导线为铜线。
4.根据权利要求1所述的半箔半线低压线圈结构，其特征在于：所述箔绕线圈的端绝缘和层间绝缘均采用DMD预浸布。
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