CN201887050U - 一种激光烧结电极的太阳能电池 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种激光烧结电极的太阳能电池，包括晶硅电池主体，晶硅电池主体表面设置有绝缘钝化层，其特征在于，所述电池主体及其上的绝缘钝化层设置有由激光刻成的电极。本实用新型由于背面电池采用了点接触的结构，金属复合大幅度减少，背面电池的钝化性能大幅度增加，该技术解决了传统电池背面复合高的缺陷。
Description
技术领域
本实用新型涉及电池技术领域，更具体的是涉及一种太阳能电池。
背景技术
太阳能电池是一种利用光生伏打效应把光能转换成电能的器件，又叫光伏器件。将太阳光能转换成电能的固体半导体器件，又称太阳能电池或光电池，是太阳电池阵电源系统的重要元件。太阳能电池主要有单晶硅电池和单晶砷化镓电池等。单晶硅太阳电池的基本材料为纯度达0.999999、电阻率在10欧·厘米以上的P型单晶硅，包括p-n结、电极和减反射膜等部分，受光照面加透光盖片（如石英或渗铈玻璃）保护，防止电池受外层空间范爱伦带内高能电子和质子的辐射损伤。但传统电池具有背面复合高的缺点。
发明内容
本实用新型的目的就是为了解决现有技术之不足而提供的一种结构简单合理、金属复合大幅度减少，背面电池的钝化性能大幅度增加的激光烧结电极的太阳能电池。
本实用新型是采用如下技术解决方案来实现上述目的：一种激光烧结电极的太阳能电池，包括晶硅电池主体，晶硅电池主体表面设置有绝缘钝化层，其特征在于，所述电池主体及其上的绝缘钝化层设置有由激光刻成的电极。
作为上述方案的进一步说明，所述晶硅电池主体表面形成低串联电阻，低串联电阻的欧姆接触是利用钇铝石榴石晶体激光烧蚀沉积在氧化硅或者氮化硅上面的薄膜铝金属。
本实用新型采用上述技术解决方案所能达到的有益效果是：
本实用新型利用钇铝石榴石晶体激光烧蚀沉积在氧化硅或者氮化硅上面的薄膜铝金属，实现低串联电阻的欧姆接触。由于背面电池采用了点接触的结构，金属复合大幅度减少，背面电池的钝化性能大幅度增加，该技术解决了传统电池背面复合高的缺陷，利用这种技术在P型衬底上，电池厚度降低，转换率达到19%以上。
附图说明
图1为本实用新型结构示意图；
附图标记说明：1、晶硅电池主体 2、绝缘钝化层 3、电极。
具体实施方式
如图1所示，本实用新型一种激光烧结电极的太阳能电池，包括晶硅电池主体1，晶硅电池主体1表面设置有绝缘钝化层2，电池主体及其上的绝缘钝化层2设置有由激光刻成的电极3。本实施例中，使用激光把在硅片和铝背点击间的绝缘钝化层击穿，同时将铝融化形成回流，从而形成大量致密过孔构成电流通路。
以上所述的仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型创造构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。
Claims (2)
1.一种激光烧结电极的太阳能电池，包括晶硅电池主体，晶硅电池主体表面设置有绝缘钝化层，其特征在于，所述电池主体及其上的绝缘钝化层设置有由激光刻成的电极。
2.根据权利要求1所述的激光烧结电极的太阳能电池，其特征在于，所述晶硅电池主体表面形成低串联电阻，低串联电阻的欧姆接触是利用钇铝石榴石晶体激光烧蚀沉积在氧化硅或者氮化硅上面的薄膜铝金属。
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