CN201733096U - 一种可控饱和电抗器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种可控饱和电抗器，适于用作动态无功补偿装置的电抗器、并联电抗器、可调感性无功负载等；包括电抗器本体和外部控制电路；电抗器本体由铁芯和绕组组成；铁芯由上铁轭和下铁轭及6个铁芯柱组成；6个铁芯柱“一”字排列，由上铁轭和下铁轭固定连接；每个铁芯柱上安装有一个分成上下两部分的绕组，每相两个绕组的上部分的下端与下部分的上端交叉连接，抽头连接外部控制电路；所述外部控制电路由可控硅晶闸管和二极管组成。本实用新型优点在于：6个铁芯柱“一”字排列，结构稳定，节省材料，经济性好；铁芯柱设多段饱和段，输出特性好；绕组按顺序排列，可以有效抑制绕组谐波、降低振动噪声、减低损耗、实现1～100％全范围的功率调节。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种可控饱和电抗器，适于用作动态无功补偿装置的电抗器、并联电抗器、可调感性无功负载等。
背景技术
在现有技术中，为解决用作动态无功补偿装置的电抗器、并联电抗器、可调感性无功负载这一类饱和电抗器的结构稳定问题，一般为立体结构，即6个铁芯柱分两排，每排三个铁芯柱，两排之间通过铁磁材料连接，存在三相绕组耦合较大，输出较大谐波，绕组电位分布不均等问题，造成电抗器噪声增大、损耗剧增、铁芯内部局部过热、功率调节范围窄等现象。
发明内容
本实用新型的目的在于，克服现有技术的缺点，解决各绕组的耦合问题，提供一种使绕组内部的交流磁路及直流磁路均衡分布、有效抑制三次谐波带来的一系列问题、减小绕组内部谐波、平衡绕组内部电位的一种可控饱和电抗器。
本实用新型的技术方案是：
一种可控饱和电抗器，它包括电抗器本体和外部控制电路：所述电抗器本体由铁芯和绕组组成；所述的铁芯由上铁轭和下铁轭及6个铁芯柱组成；所述6个铁芯柱“一”字排列，由上铁轭和下铁轭固定连接；每个铁芯柱上安装有一个绕组，该绕组分成上下两部分；第1、6铁芯柱上的绕组并联组成一相，第2、5铁芯柱上的绕组并联组成一相，第3、4铁芯柱上 的绕组并联组成一相，共3相，3相之间三角形连接或星形连接；每相两个绕组的上部分的下端与下部分的上端交叉连接；所述外部控制电路由用于调节绕组中的直流励磁电流的可控硅晶闸管和二极管组成；每个铁芯柱上的绕组上部分和/或下部分中间抽头连接可控硅晶闸管；6个绕组上所连接可控硅晶闸管的连接方向为正反交替排列；每相两绕组上部分下端与下部分上端之间连接有续流二极管。
进一步方案是：
所述的可控饱和电抗器，其每个铁芯柱上设有饱和段；该饱和段部分的铁磁材料和绝缘材料交替叠压，且饱和段有效铁磁材料截面积小于铁芯柱截面积。
所述的可控饱和电抗器，其绕组上部绕组和下部绕组均有抽头。
所述的可控饱和电抗器，其绕组上部绕组有抽头。
所述的可控饱和电抗器，其绕组下部绕组有抽头。
本实用新型具有显著的技术效果：
1、6个铁芯柱“一”字排列，结构稳定，节省材料，经济性好；
2、铁芯柱设多段饱和段，输出特性好；
3、绕组按顺序排列，可以有效抑制绕组谐波、降低振动噪声、减低损耗、可调节范围宽、实现1～100％全范围的功率调节。
附图说明
图1为本实用新型可控饱和电抗器铁芯和绕组装配示意图；
图2为本实用新型可控饱和电抗器电路原理接线图；
图3为本实用新型可控饱和电抗器原理图。
图中各标记的名称为：1-铁芯；2-绕组；3-铁芯柱；4-上铁轭；5-下铁轭；6-饱和段；A1、A2-A相组件；B1、B2-B相组件；C1、C2-C相组件；KA1、KA2、KB1、KB2、KC1、KC2-可控硅晶闸管； DA、DB、DC-二极管。
具体实施方式
结合附图和实施例对本实用新型作进一步说明如下：
实施例1：如图1-3所示，一种可控饱和电抗器，它有一个电抗器本体和外部控制电路：所述电抗器本体由铁芯1和绕组2组成；所述的铁芯1由上铁轭4和下铁轭5及6个铁芯柱3组成；所述6个铁芯柱3“一”字排列，由上铁轭4和下铁轭5固定连接；每个铁芯柱3上安装有一个绕组2，该绕组2分成上下两部分；如图2、3所示，第1、6铁芯柱上的绕组2并联组成一相，第2、5铁芯柱上的绕组2并联组成一相，第3、4铁芯柱上的绕组2并联组成一相，共3相，即A相、B相、C相，3相之间三角形连接，也可以是星形连接；其中A相有组件A1、A2，B相有组件B1、B2，C相有组件C1、C2；所述组件，例如组件A1由铁芯柱和其上的绕组组成；如图1、3所示，绕组按A1、B2、C1、C2、B1、A2顺序排列；如图2、3所示，每相两个绕组2的上部分的下端与下部分的上端交叉连接；所述外部控制电路由用于调节绕组中的直流励磁电流的可控硅晶闸管KA1、KA2、KB1、KB2、KC1、KC2和续二极管DA、DB、DC组成；每个铁芯柱3上的绕组2上部分和下部分中间抽头连接可控硅晶闸管；本实施例绕组2上部绕组和下部绕组均有抽头。6个绕组2上所连接可控硅晶闸管的连接方向为正反交替排列；每相两绕组2上部分下端与下部分上端之间连接有续流二极管。所述的可控饱和电抗器，其每个铁芯柱3上设有饱和段6；该饱和段6部分的铁磁材料和绝缘材料交替叠压，且饱和段6有效铁磁材料截面积小于铁芯柱3截面积。
实施例2：与实施例1不同的是，其绕组2上部绕组有抽头。
实施例3：与实施例1不同的是，其绕组2下部绕组有抽头。
本实用新型的保护范围不限于上述实施例。
Claims (5)
1.一种可控饱和电抗器，其特征在于，它包括电抗器本体和外部控制电路：
所述电抗器本体由铁芯(1)和绕组(2)组成；所述的铁芯(1)由上铁轭(4)和下铁轭(5)及6个铁芯柱(3)组成；所述6个铁芯柱(3)“一”字排列，由上铁轭(4)和下铁轭(5)固定连接；每个铁芯柱(3)上安装有一个绕组(2)，该绕组(2)分成上下两部分；第1、6铁芯柱(3)上的绕组(2)并联组成一相，第2、5铁芯柱(3)上的绕组(2)并联组成一相，第3、4铁芯柱(3)上的绕组(2)并联组成一相，共3相(A、B、C)，3相之间三角形连接或星形连接；每相两个绕组(2)的上部分的下端与下部分的上端交叉连接；
所述外部控制电路由用于调节绕组中的直流励磁电流的可控硅晶闸管和二极管组成；每个铁芯柱(3)上的绕组(2)上部分和/或下部分中间抽头连接可控硅晶闸管；6个绕组(2)上所连接可控硅晶闸管的连接方向为正反交替排列；每相两绕组(2)上部分下端与下部分上端之间连接有续流二极管。
2.根据权利要求1所述的可控饱和电抗器，其特征在于，每个铁芯柱(3)上设有饱和段(6)；该饱和段(6)部分的铁磁材料和绝缘材料交替叠压，且饱和段(6)有效铁磁材料截面积小于铁芯柱(3)截面积。
3.根据权利要求1所述的可控饱和电抗器，其特征在于，所述的绕组(2)上部绕组和下部绕组均有抽头。
4.根据权利要求1所述的可控饱和电抗器，其特征在于，所述的绕组(2)上部绕组有抽头。
5.根据权利要求1所述的可控饱和电抗器，其特征在于，所述的绕组(2)下部绕组有抽头。
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2010
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