[go: up one dir, main page]

CN201478306U - 扁平式封装双场效应晶体管器件 - Google Patents

扁平式封装双场效应晶体管器件 Download PDF

Info

Publication number
CN201478306U
CN201478306U CN200920235067.8U CN200920235067U CN201478306U CN 201478306 U CN201478306 U CN 201478306U CN 200920235067 U CN200920235067 U CN 200920235067U CN 201478306 U CN201478306 U CN 201478306U
Authority
CN
China
Prior art keywords
chip
pin
effect transistor
field effect
flat
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN200920235067.8U
Other languages
English (en)
Inventor
沈富德
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Individual
Original Assignee
Individual
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Individual filed Critical Individual
Priority to CN200920235067.8U priority Critical patent/CN201478306U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN201478306U publication Critical patent/CN201478306U/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)

Abstract

本实用新型涉及一种扁平式封装双场效应晶体管器件。它具有环氧树脂封装体以及封装在环氧树脂封装体内的引线框架和场效应晶体管芯片，引线框架上设有引脚，引脚从环氧树脂封装体同侧伸出，环氧树脂封装体为扁平状，场效应晶体管芯片分为第一芯片和第二芯片，第一芯片和第二芯片均设置在引线框架上，引脚为五个引脚，第一引脚为第一芯片和第二芯片的公共电极，第二引脚与为第二芯片的控制栅极，第三引脚为第二芯片的漏极，第四引脚为第一芯片的控制栅极，第五引脚与第一芯片相连构成第一芯片的源极。它结构扁平，体积小巧，适合线路板的安装使用；相对于一般封装模块，体积大大减小，生产工艺简单，因此生产成本降低，适合批量生产。

Description

扁平式封装双场效应晶体管器件
技术领域
本实用新型涉及一种扁平式封装双场效应晶体管器件。
背景技术
目前市场上的双MOSFET场效应晶体管器件一般都采用标准模块封装，该封装模块底部带铜底板，外加塑料外壳，体积较大，生产工艺复杂，使用范围受到限制，特别不适于线路板的安装使用。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是：为了克服现有双MOSFET场效应晶体管器件，体积大，不适合线路板的安装等问题，提供一种扁平式双场效应晶体管器件，其结构扁平、体积小巧、适合线路版的安装。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：一种扁平式封装双场效应晶体管器件，具有环氧树脂封装体以及封装在环氧树脂封装体内的引线框架和场效应晶体管芯片，引线框架上设有引脚，引脚从环氧树脂封装体同侧伸出，环氧树脂封装体呈扁平状，场效应晶体管芯片分为第一芯片和第二芯片，第一芯片和第二芯片均设置在引线框架上，引脚为五个引脚，第一引脚与第一芯片和第二芯片均电连接构成第一芯片和第二芯片的公共电极，第二引脚与第二芯片电连接构成第二芯片的控制栅极，第三引脚与第二芯片电连接构成第二芯片的漏极，第四引脚与第一芯片电连接构成第一芯片的控制栅极，第五引脚与第一芯片电连接构成第一芯片的源极。
所述的环氧树脂封装体外表面中部设置有安装孔。
所述的环氧树脂封装体长为35±3mm，宽为23±3mm，厚为3±2mm。
本实用新型的有益效果是；该双场效应晶体管器件结构扁平，体积小巧，适合线路版的安装；性能稳定，干扰少；接点多，使用范围广；生产工艺简单，因此生产成本降低，适合批量生产。
附图说明
下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
图1是本实用新型的结构示意图。
图2是图1的左视局部剖视图。
图3是本实用新型的电路连接示意图。
其中：1.环氧树脂封装体，2.引线框架，21.第一引脚，22.第二引脚，23.第三引脚，24.第四引脚，25.第五引脚，3.场效应晶体管芯片，31.第一芯片，32.第二芯片，4.安装孔。
具体实施方式
如图1、2所示，一种扁平式封装双场效应晶体管器件，具有环氧树脂封装体1以及封装在环氧树脂封装体1内的引线框架2和场效应晶体管芯片3，引线框架2上设有引脚，引脚从环氧树脂封装体1同侧伸出，环氧树脂封装体1呈扁平状，环氧树脂封装体长为35±3mm，宽为23±3mm，厚为3±2mm，环氧树脂封装体1中部设置有安装孔4，场效应晶体管芯片3分为第一芯片31和第二芯片32，第一芯片31和第二芯片32均设置在引线框架2上，引脚为五个引脚21、22、23、24、25，第一引脚21与第一芯片31和第二芯片32均电连接构成第一芯片31和第二芯片32的公共电极，即第一引脚21作为第一芯片31的漏极和第二芯片32的源极，第二引脚22与第二芯片32电连接构成第二芯片32的控制栅极，第三引脚23与第二芯片32电连接构成第二芯片32的漏极，第四引脚24与第一芯31片电连接构成第一芯片31的控制栅极，第五引脚25与第一芯片31电连接构成第一芯片31的源极。这样组成如图3所示的连接电路。
使用时通过中部的安装孔4将产品紧固与散热装置，各功能的引脚连接相应线路端。当在控制栅极端加正压信号，漏极与源极可及时导通，当控制栅极端加上适当负电压信号，漏极与源极完全及时可靠关断，开关频率高，适合搞频场合使用。

Claims (3)

1.一种扁平式封装双场效应晶体管器件，具有环氧树脂封装体(1)以及封装在环氧树脂封装体(1)内的引线框架(2)和场效应晶体管芯片(3)，引线框架(2)上设有引脚，引脚从环氧树脂封装体(1)同侧伸出，其特征是：环氧树脂封装体(1)呈扁平状，场效应晶体管芯片(3)分为第一芯片(31)和第二芯片(32)，第一芯片(31)和第二芯片(32)均设置在引线框架(2)上，引脚为五个引脚(21、22、23、24、25)，第一引脚(21)是第一芯片(31)的漏极和第二芯片(32)的源极，他作为公共电极，第二引脚(22)与第二芯片(32)电连接构成第二芯片(32)的控制栅极，第三引脚(23)与第二芯片(32)电连接构成第二芯片(32)的漏极，第四引脚(24)与第一芯(31)片电连接构成第一芯片(31)的控制栅极，第五引脚(25)与第一芯片(31)电连接构成第一芯片(31)的源极。
2.根据权利要求1所述的扁平式封装双场效应晶体管器件，其特征是：所述的环氧树脂封装体(1)外表面中部设置有安装孔(4)。
3.根据权利要求1所述的扁平式封装双场效应晶体管器件，其特征是：所述的环氧树脂封装体(1)长为35±3mm，宽为23±3mm，厚为3±2mm。
CN200920235067.8U 2009-08-04 2009-08-04 扁平式封装双场效应晶体管器件 Expired - Fee Related CN201478306U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN200920235067.8U CN201478306U (zh) 2009-08-04 2009-08-04 扁平式封装双场效应晶体管器件

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN200920235067.8U CN201478306U (zh) 2009-08-04 2009-08-04 扁平式封装双场效应晶体管器件

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN201478306U true CN201478306U (zh) 2010-05-19

Family

ID=42414566

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200920235067.8U Expired - Fee Related CN201478306U (zh) 2009-08-04 2009-08-04 扁平式封装双场效应晶体管器件

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN201478306U (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110824326A (zh) * 2019-11-15 2020-02-21 南京宏泰半导体科技有限公司 一种mosfet的测试方法
CN114823593A (zh) * 2022-03-23 2022-07-29 华为数字技术（苏州）有限公司 一种双向开关的封装结构、半导体器件及功率变换器
CN115483203A (zh) * 2022-09-23 2022-12-16 深圳市卡贝电子技术有限公司 用于汽车启动的mos结构、制作方法及汽车启动系统

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110824326A (zh) * 2019-11-15 2020-02-21 南京宏泰半导体科技有限公司 一种mosfet的测试方法
CN114823593A (zh) * 2022-03-23 2022-07-29 华为数字技术（苏州）有限公司 一种双向开关的封装结构、半导体器件及功率变换器
EP4250355A2 (en) * 2022-03-23 2023-09-27 Huawei Digital Power Technologies Co., Ltd. Package structure of bidirectional switch, semiconductor device, and power converter
CN115483203A (zh) * 2022-09-23 2022-12-16 深圳市卡贝电子技术有限公司 用于汽车启动的mos结构、制作方法及汽车启动系统

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN206282838U (zh) 无源器件与有源器件的集成封装结构
WO2008090734A1 (ja) 電力用半導体装置
CN201478306U (zh) 扁平式封装双场效应晶体管器件
CN115360180A (zh) 一种外露型双芯串联封装体、封装方法及pcb板
CN103022023B (zh) 超薄微型桥堆整流器
CN201392836Y (zh) 扁平式封装半控桥臂器件
CN204834608U (zh) 一种高效导热半导体芯片
CN201708683U (zh) 一种压接智能功率模块
CN115360184B (zh) 一种外露串联双芯片组封装体、封装方法及pcb板
CN215069955U (zh) 一种用于内埋基板的功率器件封装结构及基板及电子产品
CN206849840U (zh) 一种高集成度的h桥器件
CN201374644Y (zh) 扁平式封装功率因数校正器
CN100428457C (zh) 表面黏着型发光二极管的基座及其制造方法
CN115360179A (zh) 一种内埋串联双芯片组封装体、封装方法及pcb板
CN214043649U (zh) 一种用于内埋基板的功率器件封装结构及基板及电子产品
CN201478305U (zh) 扁平式封装双绝缘栅双极型晶体管器件
CN115332234A (zh) 一种充分外露型双芯串联封装体、封装方法及pcb板
CN210575922U (zh) 一种功率半导体器件的封装结构
CN203721720U (zh) 一种双二极管串联连接的器件
CN202712257U (zh) 陶瓷基材led光源模组支架
CN115458487A (zh) 一种充分外露芯片组并联封装体、封装方法及pcb板
CN206697450U (zh) 适用于功率mos的新型塑封结构
CN115346969A (zh) 一种充分外露型双芯并联封装体、封装方法及pcb板
CN201812808U (zh) 带凸台的陶瓷封装基座
CN214313181U (zh) 一种大电流场效应晶体管

Legal Events

Date Code Title Description
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
EE01 Entry into force of recordation of patent licensing contract

Assignee: Sirectifier Electronics Technology Corporation

Assignor: Shen Fude

Contract record no.: 2010320000304

Denomination of utility model: Flat type packaged double-gate field effect transistor

Granted publication date: 20100519

License type: Exclusive License

Record date: 20100324

C17 Cessation of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20100519

Termination date: 20110804