CN201317743Y - 单面镀膜玻璃 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种高透射的单面镀膜玻璃，本实用新型构建一种单面镀膜玻璃，包括玻璃基片，在所述玻璃基片的一面依次重叠沉积Nb2O5层和SiO2至SiO2层为外层，或依次重叠沉积TiO2层和SiO2层至SiO2层为外层，所述重叠层外再沉积半导体膜层。本实用新型由于沉积了多层增透减反膜层，提高了所述镀膜玻璃的可见光透过率。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种触摸屏用玻璃，尤其涉及一种高透射的单面镀膜玻璃。
背景技术
镀膜玻璃如今已广泛应用于触摸屏领域，现有的一些用于触摸屏的镀膜玻璃可见光透过率低，反射率高。特别在环境光较强的情况下，画面图像的对比度会大大降低，严重影响着视觉效果。例如，目前普通ITO触摸屏玻璃可见光透过率约86％，反射率8％，在环境光较强的情况下，画面对比度低，图像看不清楚，同时，高反射率导致视觉效果更差，在长时间观看时，也影响着眼睛。
实用新型内容
本实用新型解决的技术问题是：克服现有技术中，触摸屏用的镀膜玻璃透光率低、反射率高而导致视觉效果差的技术问题。
本实用新型提供的解决技术问题的技术方案是：构建一种单面镀膜玻璃，包括玻璃基片，在所述玻璃基片的一面依次重叠沉积Nb2O5层和SiO2层至SiO2层为外层，或依次重叠沉积TiO2层和SiO2层至SiO2层为外层，所述重叠层外再沉积半导体膜层。
本实用新型解决技术问题的进一步技术方案是：所述玻璃基片一面的沉积层为五层。
本实用新型解决技术问题的进一步技术方案是：所述沉积层厚度依次为：Nb2O5层或TiO2层为10nm至30nm，SiO2层为20nm至50nm，Nb2O5层或TiO2层为20nm至50nm，SiO2层为60nm至140nm，半导体膜层为8至28nm。
本实用新型解决技术问题的进一步技术方案是：所述玻璃基片一面的沉积层为七层。
本实用新型解决技术问题的进一步技术方案是：所述沉积层厚度依次为：Nb2O5层或TiO2层为5nm至18nm，SiO2层为20nm至50nm，Nb2O5层或TiO2层为20nm至60nm，SiO2层为5nm至20nm，Nb2O5层或TiO2层为20nm至70nm，SiO2层为40nm至80nm，半导体膜层为8至28nm。
本实用新型解决技术问题的进一步技术方案是：所述半导体膜层为掺锡氧化铟膜层。
本实用新型解决技术问题的进一步技术方案是：所述镀膜采用真空磁控溅射方式镀膜。
本实用新型解决技术问题的进一步技术方案是：所述玻璃基片为透明的钢化玻璃或半钢化的玻璃基片。
本实用新型技术方案的技术效果是：通过构建一种镀膜玻璃，在所述玻璃基片的一面依次重叠沉积Nb2O5层和SiO2层至SiO2层为外层，或依次重叠沉积TiO2层和SiO2层至SiO2层为外层，所述重叠层外再沉积半导体膜层。由于沉积了多层增透减反膜层，提高了所述镀膜玻璃的可见光透过率。
附图说明
图1为本实用新型五层镀膜玻璃结构示意图。
图2为本实用新型七层镀膜玻璃结构示意图。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本实用新型技术方案进行进一步说明：
本实用新型构建一种单面镀膜玻璃，本实用新型采用真空磁控溅射方式镀膜，包括玻璃基片，在所述玻璃基片的一面依次重叠沉积Nb2O5层和SiO2层至SiO2层为外层，或依次重叠沉积TiO2层和SiO2层至SiO2层为外层，所述重叠层外再沉积半导体膜层。
如图1所示，所述玻璃基片1一面的沉积层为五层。所述沉积层厚度依次为：Nb2O5层2或TiO2层2为10nm至30nm，SiO2层3为20nm至50nm，Nb2O5层4或TiO2层4为20nm至50nm，SiO2层5为60nm至140nm，半导体膜层6为8至28nm。所述半导体膜层为掺锡氧化铟膜层。所述玻璃基片为透明的钢化玻璃或半钢化的玻璃基片。
如图2所示，所述玻璃基片1一面的沉积层为七层。所述沉积层厚度依次为：Nb2O5层2或TiO2层2为5nm至18nm，SiO2层3为20nm至50nm，Nb2O5层4或TiO2层4为20nm至60nm，SiO2层5为5nm至20nm，Nb2O5层6或TiO2层6为20nm至70nm，SiO2层7为40nm至80nm，半导体膜层8为8至28nm。所述半导体膜层为掺锡氧化铟膜层。所述玻璃基片为透明的钢化玻璃或半钢化的玻璃基片。
以上内容是结合具体的优选实施方式对本实用新型所作的进一步详细说明，不能认定本实用新型的具体实施只局限于这些说明。对于本实用新型所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本实用新型的保护范围。
Claims (8)
1.一种单面镀膜玻璃，包括玻璃基片，其特征在于：在所述玻璃基片的一面依次重叠沉积Nb2O5层和SiO2层至SiO2层为外层，或依次重叠沉积TiO2层和SiO2层至SiO2层为外层，所述重叠层外再沉积半导体ITO膜层。
2、根据权利要求1所述的单面镀膜玻璃，其特征在于，所述玻璃基片一面的沉积层为五层。
3、根据权利要求2所述的单面镀膜玻璃，其特征在于，所述沉积层厚度依次为：Nb2O5层或TiO2层为10nm至30nm，SiO2层为20nm至50nm，Nb2O5层或TiO2层为20nm至50nm，SiO2层为60nm至140nm，半导体膜层ITO为8至28nm。
4、根据权利要求1所述的单面镀膜玻璃，其特征在于，所述玻璃基片一面的沉积层为七层。
5、根据权利要求4所述的单面镀膜玻璃，其特征在于，所述沉积层厚度依次为：Nb2O5层或TiO2层为5nm至18nm，SiO2层为20nm至50nm，Nb2O5层或TiO2层为20nm至60nm，SiO2层为5nm至20nm，Nb2O5层或TiO2层为20nm至70nm，SiO2层为40nm至80nm，半导体膜层ITO为8至28nm。
6、根据权利要求1所述的单面镀膜玻璃，其特征在于，所述半导体膜层为掺锡氧化铟膜层。
7、根据权利要求1所述的单面镀膜玻璃，其特征在于，所述镀膜采用真空磁控溅射方式镀膜。
8、根据权利要求1所述的单面镀膜玻璃，其特征在于，所述玻璃基片为透明的钢化玻璃或半钢化的玻璃基片。
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