CN201194234Y - 一种垂直结构发光二极管的电极结构 - Google Patents
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- 238000010276 construction Methods 0.000 title 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 241001062009 Indigofera Species 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000013517 stratification Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
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Abstract
一种垂直结构发光二极管电极结构，其特征在于由压焊点圆盘及其伸出部分组成，所述的压焊点圆盘作为引线，伸出部分由压焊点圆盘分别向发光二极管的四个对角线方向呈弧形延伸，所述的伸出部分用于扩展垂直结构发光二极管电极的电流。
Description
技术领域
本发明涉及氮化物蓝、绿光垂直结构发光二极管(简称“LED”)的电极结构。
背景技术
氮化物材料作为一种具有优异光电性质的宽禁带半导体，在高温、高频、大功率电子器件和蓝、紫光LD、LED等光电子器件领域有广泛的用途，垂直结构大功率发光二极管芯片被认为是实现半导体照明最可行的方案之一，这种方案无论是在散热还是在提高取光效率上都有独特的优势，提高垂直结构发光二极管芯片取光效率取决于以下两个方面的改进：(1)提高外延发光层的内量子效率；(2)优化器件结构。
现有的垂直结构发光二极管的电极结构，如图1所示，由压焊点圆盘及其伸出部分组成，所述的压焊点圆盘作为引线，伸出部分由压焊点圆盘分别向发光二极管的四个对角线方向直线延伸，用于扩展电流。由于其伸出部分呈直线分布，半导体本身有一定电阻率，导致四个对角线之间靠近二极管边缘的电流密度分布不均，导致二极管的发光变弱，边缘区域发光层不能充分利用，发光效果不均匀。
为了避免图1所引起的电流不均匀的问题，存在一种改进的垂直结构发光二极管的电极结构，如图2所示，在图1的垂直结构发光二极管的电极的基础上，又在发光二极管边缘的四周增加电极并部分连接到伸出部分，这种垂直结构发光二极管的电极结构提高了发光电极的面积，克服了图1所示的电流扩展不均匀的问题，但是电极面积的增大同时带来另一个问题，即挡住了部分发光层的面积，使得发光二极管的有效发光面积减小。
发明内容
本发明旨在解决现有技术的不足，改善垂直结构发光二极管电极的电流分布密度，提高发光效率，提供了一种垂直结构发光二极管的电极结构。
一种垂直结构发光二极管的电极结构，其特征在于由压焊点圆盘及其伸出部分组成，所述的压焊点圆盘作为引线，伸出部分由压焊点圆盘分别向发光二极管的四个对角线方向呈弧 C形延伸，所述的伸出部分用于扩展垂直结构发光二极管电极的电流。
本发明的有益效果在于，在不显著增加电极面积的前提下，采用本发明提出的垂直结构发光二极管电极可以使得发光二级管的电流分布密度均匀，提高了发光二极管的发光效率。
附图说明
图1现有的垂直结构发光二极管的电极结构
图2现有的垂直结构发光二极管的电极结构
图3本发明提出的一种垂直结构发光二极管的电极结构
图4垂直结构发光二极管的立体图
具体实施例
如图4所示一种垂直结构发光二极管的立体图包括：垂直结构发光二极管的基板1、发光层2以及由压焊点圆盘3和伸出部分4构成的电极。
如图4所述的一种垂直结构发光二极管的电极结构，其特征在于由压焊点圆盘3及其伸出部分4组成，所述的压焊点圆盘3作为引线，伸出部分4由压焊点圆盘3分别向发光二极管的四个对角线方向呈弧形延伸，所述的伸出部分4用于扩展垂直结构发光二极管电极的电流。通过附图4我们可以看到在不显著增加电极面积的前提下，采用本发明提出的垂直结构发光二极管电极可以使得发光二级管的电流分布密度均匀，提高了发光二极管的发光效率。
应该理解的是：上述实施例只是对本发明的说明，而不是对本发明的限制，任何不超出本发明实质精神范围内的发明创造修改均落入本发明保护范围之内。
Claims (1)
1.一种垂直结构发光二极管的电极结构，其特征在于由压焊点圆盘及其伸出部分组成，所述的压焊点圆盘作为引线，伸出部分由压焊点圆盘分别向发光二极管的四个对角线方向呈弧形延伸，所述的伸出部分用于扩展垂直结构发光二极管电极的电流。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNU2008201218475U CN201194234Y (zh) | 2008-07-28 | 2008-07-28 | 一种垂直结构发光二极管的电极结构 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNU2008201218475U CN201194234Y (zh) | 2008-07-28 | 2008-07-28 | 一种垂直结构发光二极管的电极结构 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN201194234Y true CN201194234Y (zh) | 2009-02-11 |
Family
ID=40393766
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNU2008201218475U Expired - Lifetime CN201194234Y (zh) | 2008-07-28 | 2008-07-28 | 一种垂直结构发光二极管的电极结构 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN201194234Y (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101931042A (zh) * | 2010-07-29 | 2010-12-29 | 江西省昌大光电科技有限公司 | Led电极引线的打线方法及封装结构和显示、发光器件 |
| CN107851688A (zh) * | 2015-08-07 | 2018-03-27 | Lg伊诺特有限公司 | 发光二极管及发光二极管封装 |
-
2008
- 2008-07-28 CN CNU2008201218475U patent/CN201194234Y/zh not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN101931042A (zh) * | 2010-07-29 | 2010-12-29 | 江西省昌大光电科技有限公司 | Led电极引线的打线方法及封装结构和显示、发光器件 |
| CN101931042B (zh) * | 2010-07-29 | 2012-12-12 | 江西省昌大光电科技有限公司 | Led电极引线的打线方法及封装结构和显示、发光器件 |
| CN107851688A (zh) * | 2015-08-07 | 2018-03-27 | Lg伊诺特有限公司 | 发光二极管及发光二极管封装 |
| CN107851688B (zh) * | 2015-08-07 | 2021-04-23 | Lg伊诺特有限公司 | 发光二极管及发光二极管封装 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CX01 | Expiry of patent term | ||
| CX01 | Expiry of patent term |
Granted publication date: 20090211 |