CN209428601U - 高密度等离子体硅片表面进行化学气相沉积设备 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及一种高密度等离子体硅片表面进行化学气相沉积设备，涉及半导体集成电路制造技术，包括射频调频器和腔体，所述射频调频器位于所述腔体之上，所述腔体包括一顶盖，所述射频调频器包括容置空间和盖板，所述盖板组装于所述容置空间上，一电容设置于所述容置空间内，在所述盖板上设置一进风风扇和一出风风扇，其中所述进风风扇靠近所述电容设置，所述出风风扇远离所述电容设置，以使冷风通过所述进风风扇进入所述容置空间内、经过所述电容后从所述出风风扇流出，以预防电容爆浆，进而提高半导体产品的良率及半导体产品的生产率。

Description

高密度等离子体硅片表面进行化学气相沉积设备

技术领域

本发明涉及半导体制造工艺，尤其涉及一种高密度等离子体硅片表面进行化学气相沉积设备。

背景技术

在半导体集成电路制造技术中，在硅片表面进行化学气相沉积形成膜工艺是其常用工艺之一，因此用于硅片表面进行化学气相沉积形成膜工艺的化学气相沉积设备，如高密度等离子体硅片表面进行化学气相沉积设备(Lam SPEED机台)，是半导体集成电路制造技术中的常用设备。且密度等离子体硅片表面进行化学气相沉积设备成膜速度快，薄膜均匀度好，填洞能力强，因此得到广泛应用。

然而，目前的高密度等离子体硅片表面进行化学气相沉积设备会因高温等原因出现故障，而影响半导体产品的良率及半导体产品的生产率。

因此，业界急需一种新颖的高密度等离子体硅片表面进行化学气相沉积的设备，以提高半导体产品的良率及半导体产品的生产率。

发明内容

本发明的目的在于提供一种高密度等离子体硅片表面进行化学气相沉积设备，以预防电容爆浆，进而提高半导体产品的良率及半导体产品的生产率。

本发明提供的一种高密度等离子体硅片表面进行化学气相沉积设备，包括射频调频器和腔体，所述射频调频器位于所述腔体之上，所述腔体包括一顶盖，所述射频调频器包括容置空间和盖板，所述盖板组装于所述容置空间上，一电容设置于所述容置空间内，在所述盖板上设置一进风风扇和一出风风扇，其中所述进风风扇靠近所述电容设置，所述出风风扇远离所述电容设置，以使冷风通过所述进风风扇进入所述容置空间内、经过所述电容后从所述出风风扇流出。

更进一步的，包括两个所述进风风扇和两个所述出风风扇，且两个所述进风风扇均靠近所述电容设置，两个所述出风风扇均远离所述电容设置。

更进一步的，所述两个进风风扇并列设置，所述两个出风风扇并列设置，且所述两个进风风扇与所述两个出风风扇平行设置。

更进一步的，所述电容放置于所述容置空间内的一侧，所述进风风扇位于所述电容的垂直上方。

更进一步的，在所述容置空间内设置至少一隔板，冷风经所述进风风扇进入所述容置空间内、经过所述电容、经过所述隔板与所述容置空间的间隙后经所述出风风扇抽出所述容置空间。

更进一步的，所述射频调频器与所述腔体之间设置一个隔离板。

本发明提供的高密度等离子体硅片表面进行化学气相沉积设备，通过在射频调频器的盖板上设置一进风风扇和一出风风扇，以使为射频调频器内的电容散热的风路构成循环风路，有效为射频调频器内的电容散热，预防电容爆浆，进而提高半导体产品的良率及半导体产品的生产率。

附图说明

图1为一高密度等离子体硅片表面进行化学气相沉积设备示意图。

图2为现有技术的射频调频器的示意图。

图3为本发明一实施例的高密度等离子体硅片表面进行化学气相沉积设备示意图。

图4为本发明一实施例的射频调频器的示意图。

图中主要元件附图标记说明如下：

100、射频调频器；200、腔体；140、电容；150、进风风扇；160、出风风扇；120、盖板。

具体实施方式

下面将结合附图，对本发明中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在不做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。

请参阅图1，图1为一高密度等离子体硅片表面进行化学气相沉积设备示意图。如图1所示，高密度等离子体硅片表面进行化学气相沉积设备包括：射频调频器100和腔体(housing)200，射频调频器100位于腔体200之上，且腔体200还包括一顶盖(dome)，如一半圆形顶盖。射频调频器100由电容140与电感组成，主要用于射频回路(RF loop)中的负载匹配，使射频功率(RF power)达到最大能效和较精准的控制，从而达到工艺要求。出于工艺要求射频调频器100为常时工作(on)的状态，且在高深宽比填充工艺中需多次、高、低功率的快速切换，对于射频调频器100中部件损伤较大。其中，射频调频器100中的电容在多、快、长期的工作状态下，容易因为高温发生爆浆现象。

发生电容爆浆后，电容内许多的不明物质及金属会黏附在腔体200的顶盖上，或通过腔体200的顶盖与腔体200的侧壁之间的间隙进入腔体200内，并黏附在腔体200的侧壁上，这些不明物质及金属无法有效地清除干净，导致在维护过程中掉落在腔体内部无法擦拭的角落。在工艺过程中，等离子体(Plasma)环境下形成电弧放电(Arcing)，既对工艺腔体损伤又无法保证产品的品质，进而影响半导体产品的良率及半导体产品的生产率。

通常，电容爆浆的主要由射频调频器100多次、高、低功率的快速切换而引起射频调频器100内的电容温度过高引起的，因此对射频调频器100内的电容进行有效降温是高密度等离子体硅片表面进行化学气相沉积设备的关键技术之一。

请参阅图2，图2为现有技术的射频调频器的示意图。如图2所示，射频调频器100包括容置空间110和盖板120，盖板120组装于容置空间110上。为了给电容140散热，如图2所示，通常在电容上侧、盖板120上配置两个进风风扇130，用于给电容140散热。在现有技术中，射频调频器100与腔体200之间没有完全隔离，因此进入射频调频器100的冷风带走电容140上的热，之后通过腔体200流出，因此可以给电容140有效散热。

然而，随着技术的发展，需要在射频调频器100与腔体200之间设置一个隔离板(图中未示出)，此隔离板如用于隔离射频调频器100与腔体200之间的热传递。但此隔离板的加入阻挡了射频调频器100与腔体200形成的风路，因此导致电容温度容易过高而爆浆。

在本发明一实施例中，在于提供一高密度等离子体硅片表面进行化学气相沉积设备，以对射频调频器100内的电容140有效散热，预防电容140爆浆，进而提高半导体产品的良率及半导体产品的生产率。

具体的，请参阅图3，图3为本发明一实施例的高密度等离子体硅片表面进行化学气相沉积设备示意图。如图3所示，本发明的高密度等离子体硅片表面进行化学气相沉积设备，在射频调频器100的盖板120上设置一进风风扇150和一出风风扇160，其中进风风扇150靠近容置空间110内的电容140设置，出风风扇160远离容置空间110内的电容140设置，以使冷风通过进风风扇150进入容置空间110内、经过电容140后从出风风扇160流出，如此进入容置空间110内的冷风遇到高温的电容140而变热，然后经出风风扇160抽出容置空间110，而在容置空间110内形成通畅的循环风路，有效对电容140散热。

通常如图3所示，通常在容置空间110内设置至少一隔板170，上述循环风路为冷风经进风风扇150进入容置空间110内、经过电容140、经过隔板170与容置空间110的间隙后经出风风扇160抽出容置空间110。

更进一步的，请参阅图4，图4为本发明一实施例的射频调频器的示意图。如图4所示，在本发明一实施例中，包括两个进风风扇150和两个出风风扇160，且进风风扇150均靠近容置空间110内的电容140设置，出风风扇160均远离容置空间110内的电容140设置。如此增大循环风路内风的流量，以更有效的给电容140散热。

更进一步的，在本发明一实施例中，射频调频器100内的电容140放置于容置空间110内的一侧，上述进风风扇150位于电容140的垂直上方，以有效为电容散热。

更进一步的，在本发明一实施例中，上述两个进风风扇150并列设置，上述两个出风风扇160并列设置，且上述两个进风风扇150与上述两个出风风扇160平行设置，具体可参阅图4。

综上所述，通过在射频调频器的盖板上设置一进风风扇和一出风风扇，以使为射频调频器内的电容散热的风路构成循环风路，有效为射频调频器内的电容散热，预防电容爆浆，进而提高半导体产品的良率及半导体产品的生产率。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (6)

1.一种高密度等离子体硅片表面进行化学气相沉积设备，其特征在于，包括射频调频器和腔体，所述射频调频器位于所述腔体之上，所述腔体包括一顶盖，所述射频调频器包括容置空间和盖板，所述盖板组装于所述容置空间上，一电容设置于所述容置空间内，在所述盖板上设置一进风风扇和一出风风扇，其中所述进风风扇靠近所述电容设置，所述出风风扇远离所述电容设置，以使冷风通过所述进风风扇进入所述容置空间内、经过所述电容后从所述出风风扇流出。

2.根据权利要求1所述的高密度等离子体硅片表面进行化学气相沉积设备，其特征在于，包括两个所述进风风扇和两个所述出风风扇，且两个所述进风风扇均靠近所述电容设置，两个所述出风风扇均远离所述电容设置。

3.根据权利要求2所述的高密度等离子体硅片表面进行化学气相沉积设备，其特征在于，所述两个进风风扇并列设置，所述两个出风风扇并列设置，且所述两个进风风扇与所述两个出风风扇平行设置。

4.根据权利要求1至3任一项所述的高密度等离子体硅片表面进行化学气相沉积设备，其特征在于，所述电容放置于所述容置空间内的一侧，所述进风风扇位于所述电容的垂直上方。

5.根据权利要求1所述的高密度等离子体硅片表面进行化学气相沉积设备，其特征在于，在所述容置空间内设置至少一隔板，冷风经所述进风风扇进入所述容置空间内、经过所述电容、经过所述隔板与所述容置空间的间隙后经所述出风风扇抽出所述容置空间。

6.根据权利要求1所述的高密度等离子体硅片表面进行化学气相沉积设备，其特征在于，所述射频调频器与所述腔体之间设置一个隔离板。