CN209056492U - 一种amoled显示器器件 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及AMOLED技术领域，尤其涉及一种AMOLED显示器器件，包括电容区域结构；所述电容区域结构包括玻璃层、透明导电层、绝缘层和半导体层，所述透明导电层、绝缘层和半导体层依次层叠设置在所述玻璃层表面，所述半导体层远离玻璃层的一侧面与外设的第二金属层接触；所述透明导电层包括有铟锡氧化物、铟锌氧化物、石墨烯和单壁碳纳米管中的一种或多种。将AMOLED显示结构中的电容区域结构设置为透明结构，由透明导电层和半导体层构成电容结构的两极板，进而形成屏下指纹识别所需的避让区，提升集成新功能，实现光学式屏下指纹识别的设计。上述透明导电层有利于AMOLED显示器的性能得到显著改善。
Description
技术领域
本实用新型涉及AMOLED技术领域，尤其涉及一种AMOLED显示器器件。
背景技术
随着科技水平的日益提高，日新月异的显示技术给人们带来了不同的视觉感受，在光电显示领域，CRT已经基本被淘汰，液晶显示正处于发展的顶盛时期，与之相比，有机发光显示(OLED)还处于发展的初级阶段，与普通的显示技术相比，有机发光显示不需要背光源，只要合适的偏置电源，便可以实现自发光，因此OLED比液晶面板响应速度快，功耗低，基本无视角限制，避免了液晶显示存在的画面拖尾现象，结构上因为不需要光学膜片等模组组件，可以比其他显示器做的轻、薄，而且OLED是全固态结构，不含汞，对人体健康没有伤害，因此，OLED在发展之初就被认为是最具有发展潜力的显示技术，也是最适合消费者使用的新型显示技术之一，因此，对于大尺度的AMOLED显示器的研究很有发展前景。
光学式屏下指纹识别搭载AMOLED显示屏，同时在画素区域需做器件避让，使得指纹反射光可以穿透过避让区到达屏幕下方的光敏传感器，实现指纹信息的收集以便进一步的识别与操作。随着分辨率的提升，sub-pixel(亚像素)尺寸不断缩小，在不断挑战制程和设计限制的同时还要设置屏下指纹识别的避让区，将限制屏下指纹识别在高分辨率AMOLED显示技术中的应用。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是：提供一种AMOLED显示器，形成屏下指纹识别所需的避让区，并且提升电导率。
为了解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案为：
一种AMOLED显示器器件，包括电容区域结构；所述电容区域结构包括玻璃层、透明导电层、绝缘层和半导体层，所述透明导电层、绝缘层和半导体层依次层叠设置在所述玻璃层表面，所述半导体层远离玻璃层的一侧面与外设的第二金属层接触；所述透明导电层包括有铟锡氧化物、铟锌氧化物、石墨烯和单壁碳纳米管中的一种或多种。
进一步的，所述电容区域结构对应AMOLED显示器的指纹识别区域设置。
进一步的，所述半导体层的氧化物介质为IGZO。
进一步的，所述透明导电层的厚度为400-500埃米，所述绝缘层的厚度为3000-5000埃米，所述半导体层的厚度为2000-3000埃米。
进一步的，所述绝缘层、半导体层和透明导电层的厚度比为9.2:6.1:1。
进一步的，所述电容区域结构的电容间距为所述绝缘层的厚度。
本实用新型的有益效果在于：
本实用新型提供的AMOLED显示器器件，将AMOLED显示结构中的电容区域结构设置为透明结构，由透明导电层和半导体层构成电容结构的两极板，进而形成屏下指纹识别所需的避让区，提升集成新功能，实现光学式屏下指纹识别的设计。并且透明导电层包括有铟锡氧化物、铟锌氧化物、石墨烯、和单壁碳纳米管中的一种或多种，可提升透明导电层的性能，有利于AMOLED显示器的性能得到显著改善。
附图说明
图1为本实用新型的AMOLED显示器器件的结构示意图；
标号说明：
1、玻璃层；2、透明导电层；3、绝缘层；4、半导体层；5、第二金属层。
具体实施方式
为详细说明本实用新型的技术内容、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。
请参照图1，本实用新型提供的一种AMOLED显示器器件，包括电容区域结构；所述电容区域结构包括玻璃层、透明导电层、绝缘层和半导体层，所述透明导电层、绝缘层和半导体层依次层叠设置在所述玻璃层表面，所述半导体层远离玻璃层的一侧面与外设的第二金属层接触；所述透明导电层包括有铟锡氧化物、铟锌氧化物、石墨烯、和单壁碳纳米管中的一种或多种。
从上述描述可知，本实用新型的有益效果在于：
本实用新型提供的的AMOLED显示器器件，将AMOLED显示结构中的电容区域结构设置为透明结构，由透明导电层和半导体层构成电容结构的两极板，进而形成屏下指纹识别所需的避让区，提升集成新功能，实现光学式屏下指纹识别的设计。并且透明导电层包括有铟锡氧化物、铟锌氧化物、石墨烯、和单壁碳纳米管中的一种或多种，可提升透明导电层的性能，有利于AMOLED显示器的性能得到显著改善。
进一步的，所述电容区域结构对应AMOLED显示器的指纹识别区域设置。
由上述描述可知，此结构可支持屏下指纹识别技术。
进一步的，所述半导体层的氧化物介质为IGZO。
由上述描述可知，IGZO是一种含有铟、镓和锌的非晶氧化物，载流子迁移率高，可以大大提高场效应晶体管对像素电极的充放电速率，提高像素的响应速度，具备更快的面板刷新频率。
进一步的，所述透明导电层的厚度为400-500埃米，所述绝缘层的厚度为3000-5000埃米，所述半导体层的厚度为2000-3000埃米。
由上述描述可知，当透明导电层、绝缘层以及半导体层三者的厚度取值均在上述对应的厚度范围内时，可使得整体电容区域结构实现在结构的紧凑性以及电气性能上达到均衡，效果较优。
进一步的，所述绝缘层、半导体层和透明导电层的厚度比为9.2:6.1:1。
由上述描述可知，当透明导电层、绝缘层以及半导体层三者的厚度取值均在上述对应的厚度范围内且同时满足所述绝缘层、半导体层和透明导电层的厚度比为9.2:6.1:1时，可使得整体电容区域结构效果最佳，利于应用在AMOLED显示器上。
进一步的，所述电容区域结构的电容间距为所述绝缘层的厚度。
由上述描述可知，减小电容的绝缘层厚度，进而实现单位面积电容量的提升，有利于实现更宽的制程条件和更高分辨率AMOLED显示技术。
请参照图1，本实用新型的实施例一为：
本实用新型提供的一种AMOLED显示器器件，包括电容区域结构；所述电容区域结构包括玻璃层1、透明导电层2、绝缘层3和半导体层4，所述透明导电层、绝缘层和半导体层依次层叠设置在所述玻璃层表面，所述半导体层远离玻璃层的一侧面与外设的第二金属层5接触；外设的第二金属层可为TFT1器件或TFT2器件中的第二金属层。所述透明导电层包括有铟锡氧化物、铟锌氧化物、石墨烯和单壁碳纳米管中的一种或多种。
所述透明导电层为透明导电材料，例如：铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(如IZO)、石墨烯或单壁碳纳米管等材料。所述透明导电层可以为一层或多层，所述透明导电层可以包括单一的透明导电材料，也可以为包括多种透明导电材料的复合层。其中优选复合层，具体采用铟锡氧化物和铟锌氧化物组成的层状结构。包含铟锡氧化物的层的一侧与玻璃层接触，包含铟锡氧化物的层的另一侧与包含铟锌氧化物的层的一侧接触，包含铟锌氧化物的层的另一侧与绝缘层接触。
所述电容区域结构对应AMOLED显示器的指纹识别区域设置。此结构可支持屏下指纹识别技术。
所述半导体层的氧化物介质为IGZO，IGZO是一种含有铟、镓和锌的非晶氧化物，载流子迁移率高，可以大大提高场效应晶体管对像素电极的充放电速率，提高像素的响应速度，具备更快的面板刷新频率。
所述透明导电层的厚度为400-500埃米，所述绝缘层的厚度为3000-5000埃米，所述半导体层的厚度为2000-3000埃米。当透明导电层、绝缘层以及半导体层三者的厚度取值均在上述对应的厚度范围内时，可使得整体电容区域结构实现在结构的紧凑性以及电气性能上达到均衡，效果较优。
所述绝缘层、半导体层和透明导电层的厚度比为9.2:6.1:1。当透明导电层、绝缘层以及半导体层三者的厚度取值均在上述对应的厚度范围内且同时满足所述绝缘层、半导体层和透明导电层的厚度比为9.2:6.1:1时，可使得整体电容区域结构效果最佳，利于应用在AMOLED显示器上。其中所述透明导电层的厚度优选为445埃米，所述绝缘层的厚度为4094埃米，所述半导体层的厚度为2714.5埃米，整体电容区域结构效果最佳。
所述电容区域结构的电容间距为所述绝缘层的厚度。通过减小电容的绝缘层厚度，进而实现单位面积电容量的提升，有利于实现更宽的制程条件和更高分辨率AMOLED显示技术。
综上所述，本实用新型提供的一种AMOLED显示器器件，将AMOLED显示结构中的电容区域结构设置为透明结构，由透明导电层和半导体层构成电容结构的两极板，进而形成屏下指纹识别所需的避让区，提升集成新功能，实现光学式屏下指纹识别的设计。并且透明导电层包括有铟锡氧化物、铟锌氧化物、石墨烯、和单壁碳纳米管中的一种或多种，可提升透明导电层的性能，有利于AMOLED显示器的性能得到显著改善。
以上所述仅为本实用新型的实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等同变换，或直接或间接运用在相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。
Claims (6)
1.一种AMOLED显示器器件，其特征在于，包括电容区域结构；所述电容区域结构包括玻璃层、透明导电层、绝缘层和半导体层，所述透明导电层、绝缘层和半导体层依次层叠设置在所述玻璃层表面，所述半导体层远离玻璃层的一侧面与外设的第二金属层接触；所述透明导电层包括有铟锡氧化物、铟锌氧化物、石墨烯和单壁碳纳米管中的一种或多种。
2.根据权利要求1所述的AMOLED显示器器件，其特征在于，所述电容区域结构对应AMOLED显示器的指纹识别区域设置。
3.根据权利要求2所述的AMOLED显示器器件，其特征在于，所述半导体层的氧化物介质为IGZO。
4.根据权利要求3所述的AMOLED显示器，其特征在于，所述透明导电层的厚度为400-500埃米，所述绝缘层的厚度为3000-5000埃米，所述半导体层的厚度为2000-3000埃米。
5.根据权利要求4所述的AMOLED显示器器件，其特征在于，所述绝缘层、半导体层和透明导电层的厚度比为9.2:6.1:1。
6.根据权利要求1所述的AMOLED显示器器件，其特征在于，所述电容区域结构的电容间距为所述绝缘层的厚度。
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|---|---|---|---|---|
| CN113139412A (zh) * | 2019-01-28 | 2021-07-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 指纹识别传感器、显示面板和指纹识别传感器的制作方法 |
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2018
- 2018-09-20 CN CN201821543907.2U patent/CN209056492U/zh active Active
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