CN208479168U - 一种欠压保护电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种欠压保护电路，包括：第一电阻、第二电阻、第三电阻、增强型PMOS管、NPN三极管、第四电阻、复位芯片和第五电阻；所述第一电阻的一端与电源连接、另一端与第五电阻连接，所述第五电阻的另一端接地；所述增强型PMOS管的源极、漏极、栅极与分别与电源、带马达的设备、NPN三极管的集电极连接，所述NPN三极管的发射极接地；所述复位芯片的VOUT管脚连接于NPN三极管的基极，所述复位芯片的VIN管脚连接于第一电阻与第五电阻之间，所述复位芯片的GND管脚接地。本实用新型价格低廉、耐电压高、耐电流大和适用范围广。
Description
技术领域
本实用新型涉及电子技术领域，具体涉及一种欠压保护电路。
背景技术
现有技术中的欠压保护电路，要么价格比较贵，要么电流比较小，要么耐电压不够，要么设计过于复杂，要么反应速度慢，要么元件采购不便等问题。
因此，现有技术还有待于改进和发展。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述缺陷，提供了一种欠压保护电路，本实用新型旨在提供一种价格低廉、耐电压高、耐电流大和适用范围广的欠压保护电路。
本实用新型解决技术问题所采用的技术方案如下：
一种欠压保护电路，所述欠压保护电路的输入端与电源连接、输出端与带马达的设备连接；
所述欠压保护电路包括：
第一电阻、第二电阻、第三电阻、增强型PMOS管、NPN三极管、第四电阻、复位芯片和第五电阻；
所述第一电阻的一端与电源连接、另一端与第五电阻连接，所述第五电阻的另一端接地；
所述增强型PMOS管的源极、漏极、栅极与分别与电源、带马达的设备、NPN三极管的集电极连接，所述NPN三极管的发射极接地；
所述复位芯片的VOUT管脚连接于NPN三极管的基极，所述复位芯片的VIN 管脚连接于第一电阻与第五电阻之间，所述复位芯片的GND管脚接地；
所述第四电阻连接在复位芯片的VOUT管脚与NPN三极管的基极之间；
所述第二电阻连接在增强型PMOS管的源极与NPN三极管的基极之间；
所述第三电阻连接在增强型PMOS管的源极与增强型PMOS管的栅极之间。
优选地，所述增强型PMOS管的型号为AO3407，所述NPN三极管的型号为MMBT3904，复位芯片的型号为XC61CC4002MR。
优选地，所述复位芯片的VIN管脚与地之间连接有一电容。
与现有技术相比，本实用新型所提供的欠压保护电路，使电源电压在正常时保持供电，电压降低时中断供电，实现了一种元件少，反应速度快，价格低廉，耐电压高，耐电流大，适用范围从消费电子到汽车电子，从工业设备到军用设备都适用的欠压保护电路。
附图说明
图1是本实用新型一种欠压保护电路较佳实施例的电路原理图。
图2是本实用新型一种欠压保护电路与带马达的设备的连接示意图。
具体实施方式
为使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚、明确，以下参照附图并举实施例对本实用新型进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
本实用新型较佳实施例提供了一种欠压保护电路，如图1和图2所示，所述欠压保护电路的输入端与电源连接、输出端与带马达的设备连接；所述欠压保护电路包括：第一电阻、第二电阻、第三电阻、增强型PMOS管、NPN 三极管、第四电阻、复位芯片和第五电阻；所述第一电阻的一端与电源连接、另一端与第五电阻连接，所述第五电阻的另一端接地；所述增强型PMOS 管的源极、漏极、栅极与分别与电源、带马达的设备、NPN三极管的集电极连接，所述NPN三极管的发射极接地；所述复位芯片的VOUT管脚连接于NPN 三极管的基极，所述复位芯片的VIN管脚连接于第一电阻与第五电阻之间，所述复位芯片的GND管脚接地；所述第四电阻连接在复位芯片的VOUT管脚与 NPN三极管的基极之间；所述第二电阻连接在增强型PMOS管的源极与NPN三极管的基极之间；所述第三电阻连接在增强型PMOS管的源极与增强型PMOS 管的栅极之间。所述增强型PMOS管还可以换成常闭继电器。
在电源的供电电压高于4.0V的时候，复位芯片的VOUT管脚输出高电平，NPN三极管导通，这个时候增强型PMOS管处于导通状态，正常供电。
在电源的供电电压低于4.0V的时候，复位芯片的VOUT管脚输出低电平，NPN三极管关闭，这个时候增强型PMOS管处于关闭状态，停止供电。比如马达堵转的时候，大电流会导致线路上的电压极大降低，这个时候欠压保护电路可以马上中断供电，避免烧毁马达和起火。
所述第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻和第五电阻都起限流保护的作用，其中第二电阻和第三电阻起到上拉的作用，第一电阻和第五电阻形成分压，五个电阻可以选用0402到1206的贴片电阻，根据使用的场合，在电压加大的时候，这五个电阻阻值和封装都需要按比例相应调大。特别要注意第一电阻和第五电阻的分压计算，以避免复位芯片和NPN三极管损坏，这个值需要根据当前电压和NPN三级管的参数去调整。
本实用新型进一步较佳实施例中，所述增强型PMOS管的型号为 AO3407，所述NPN三极管的型号为MMBT3904，复位芯片的型号为XC61CC4002MR。
增强型PMOS管和NPN三极管在消费电子上用SOT-23封装，在电压更高、电流更大的场合需要换耐压更高、体积更大的封装。
本实用新型进一步较佳实施例中，所述复位芯片的VIN管脚与地之间连接有一电容。所述电容起到滤波作用，有利于复位芯片工作更稳定。
该欠压保护电路通过合理的电路设计，可以实现电源供电正常时保持供电，电压降低时保护后端带马达的设备，通过更改NPN三极管和增强型PMOS 管的型号，使其适用于1.2V到380V，电流0A到100A的电路环境中，比集成的IC成本低而且适用范围广。
综上所述，本实用新型公开了一种欠压保护电路，使电源电压在正常时保持供电，电压降低时中断供电，实现了一种元件少，反应速度快，价格低廉，耐电压高，耐电流大，适用范围从消费电子到汽车电子，从工业设备到军用设备都适用的欠压保护电路。
应当理解的是，本实用新型的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本实用新型所附权利要求的保护范围。
Claims (3)
1.一种欠压保护电路，所述欠压保护电路的输入端与电源连接、输出端与带马达的设备连接；其特征在于，所述欠压保护电路包括：
第一电阻、第二电阻、第三电阻、增强型PMOS管、NPN三极管、第四电阻、复位芯片和第五电阻；
所述第一电阻的一端与电源连接、另一端与第五电阻连接，所述第五电阻的另一端接地；
所述增强型PMOS管的源极、漏极、栅极与分别与电源、带马达的设备、NPN三极管的集电极连接，所述NPN三极管的发射极接地；
所述复位芯片的VOUT管脚连接于NPN三极管的基极，所述复位芯片的VIN管脚连接于第一电阻与第五电阻之间，所述复位芯片的GND管脚接地；
所述第四电阻连接在复位芯片的VOUT管脚与NPN三极管的基极之间；
所述第二电阻连接在增强型PMOS管的源极与NPN三极管的基极之间；
所述第三电阻连接在增强型PMOS管的源极与增强型PMOS管的栅极之间。
2.根据权利要求1所述的欠压保护电路，其特征在于，所述增强型PMOS管的型号为AO3407，所述NPN三极管的型号为MMBT3904，复位芯片的型号为XC61CC4002MR。
3.根据权利要求1所述的欠压保护电路，其特征在于，所述复位芯片的VIN管脚与地之间连接有一电容。
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| CN201821277793.1U CN208479168U (zh) | 2018-08-09 | 2018-08-09 | 一种欠压保护电路 |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110712607A (zh) * | 2019-10-29 | 2020-01-21 | 一汽解放汽车有限公司 | 一种车用加速度和角速度测量系统 |
| CN110891355A (zh) * | 2019-12-18 | 2020-03-17 | 江苏航天大为科技股份有限公司 | 故障自熔断信号灯电源发生器 |
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2018
- 2018-08-09 CN CN201821277793.1U patent/CN208479168U/zh active Active
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