CN207054000U - 液态金属注入式电磁信号屏蔽系统 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及机械领域，具体电磁信号屏蔽系统。液态金属注入式电磁信号屏蔽系统，包括承载集成电路芯片的载体，和一用于罩设在集成电路芯片外部的罩体，罩体包括内层、外层，内层和外层之间为中空部分，内层和外层下方边缘处连接，构成一密封空腔；密封空腔内注满液态金属。本实用新型通过设置一罩设在集成电路芯片外部的罩体，罩体内设有一密封空腔，利用密封空腔注入的液态金属充做电磁屏蔽层，可使电磁屏蔽层合适的地罩设在集成电路芯片外，取得较好的电磁屏蔽效果。
Description
技术领域
本实用新型涉及机械领域，具体电磁信号屏蔽系统。
背景技术
现有用于电子产品的电磁信号屏蔽系统一般采用金属网、金属膜包围到电子产品外部，然而集成电路芯片在使用时，附近会安装多个相互靠近的小型电子元件，金属网、金属膜不能合适安装，无法起到理想的电磁屏蔽效果。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种液态金属注入式电磁信号屏蔽系统，以解决上述技术问题。
本实用新型所解决的技术问题可以采用以下技术方案来实现：
液态金属注入式电磁信号屏蔽系统，包括承载集成电路芯片的载体，和一用于罩设在集成电路芯片外部的罩体，其特征在于，所述罩体包括内层、外层，内层和外层之间为中空部分，内层和外层下方边缘处连接，构成一密封空腔；
所述密封空腔内注满液态金属。
本实用新型通过设置一罩设在集成电路芯片外部的罩体，罩体内设有一密封空腔，利用密封空腔注入的液态金属充做电磁屏蔽层，可使电磁屏蔽层合适的地罩设在集成电路芯片外，取得较好的电磁屏蔽效果。
此设计可直接将罩体罩设在集成电路芯片外部，通过罩体和载体形成一密闭空间，集成电路芯片位于密闭空间内，不用改变原有集成电路芯片安装在载体(如，电路板)上的结构，降低成本。
所述罩体的厚度在0.8mm～2mm之间；所述密封空腔的厚度在0.5mm～1.7mm之间。以保证较好的电磁屏蔽效果。所述密封空腔的体积与所述罩体的体积之比在3：5。
所述罩体可采用石墨或碳纤维材料制成的罩体。罩体与集成电路芯片接触，采用石墨和碳纤维材料可防止导电，同时可防止液态金属的腐蚀性，并且石墨、碳纤维材料具有较好的导热性，具有散热效果。
还包括一用于粘附连接罩体与集成电路芯片的粘附层，所述粘附层覆盖在靠近集成电路芯片一侧的内层表面。所述粘附层是采用导热硅脂制成的粘附层。导热硅脂具有电绝缘性，又有优异的导热性。
所述罩体内部设有一散热系统，所述散热系统包括一金属片，所述金属片上方分布有至少5条钢制散热柱体；
所述金属片下方设有至少5条高度一致的条状凸起；
至少5条所述钢制散热柱体穿透所述内层，插入液态金属。
液态金属在高温下(如40度以上)，是液态。在需要对芯片进行散热时，完成液态转化。液态的流动性，在上下温差作用下，会产生对流，散热性远远大于固态金属。本专利将液态金属的对流散热，和固态罩体结合，既保证了流体金属强度的热交换性能，又实现了对液态金属的密封，保证了电路的安全性。另外，本专利中特别采用由钢制成的钢制散热柱体，而不是采用常用的铝质散热器。避免了同相金属的溶解腐蚀。
所述金属片位于所述罩体内层与所述粘附层之间，所述条状凸起嵌入到所述粘附层内，相邻两个条状凸起之间的间距不大于3mm。提高摩擦力，增加结构的连接强度，同时提高换热效果。
所述条状凸起的高度不超过1mm。防止影响罩体罩设集成电路芯片，同时具有较好的牢固性。
所述液态金属采用铟镓合金、铝镓合金、铜镓合金中的一种。铟镓合金、铝镓合金、铜镓合金充做中空腔填充物时，具有更好的散热效果。
附图说明
图1为本实用新型的纵截面的部分结构示意图。
具体实施方式
为了使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体图示进一步阐述本实用新型。
参见图1，液态金属注入式电磁信号屏蔽系统，包括承载集成电路芯片的载体，和一用于罩设在集成电路芯片外部的罩体，罩体包括内层12、外层11，内层和外层之间为中空部分，内层12和外层11下方边缘处连接，构成一密封空腔2；密封空腔内注满液态金属。本实用新型通过设置一罩设在集成电路芯片外部的罩体，罩体内设有一密封空腔，利用密封空腔注入的液态金属充做电磁屏蔽层，可使电磁屏蔽层合适的地罩设在集成电路芯片外，取得较好的电磁屏蔽效果。
此设计不用改变原有集成电路芯片安装在主板上的结构，可直接将罩体罩设在集成电路芯片外部，降低成本。
密封空腔的体积与罩体的体积之比在3：5。罩体的厚度在0.8mm～2mm之间；密封空腔的厚度在0.5mm～1.7mm之间。以保证较好的电磁屏蔽效果。
罩体可采用石墨或碳纤维材料制成的罩体。罩体与集成电路芯片接触，采用石墨和碳纤维材料可防止导电，同时可防止液态金属的腐蚀性，并且石墨、碳纤维材料具有较好的导热性，具有散热效果。
还包括一用于粘附连接罩体与集成电路芯片的粘附层4，粘附层覆盖在靠近集成电路芯片一侧的内层表面。粘附层4是采用导热硅脂制成的粘附层。导热硅脂具有电绝缘性，又有优异的导热性。
罩体内部设有一散热系统，散热系统包括一金属片6，金属片上方分布有至少5条钢制散热柱体5；
金属片6下方设有至少5条高度一致的条状凸起3；
至少5条钢制散热柱体5穿透内层，插入液态金属。
液态金属在高温下(如40度以上)，是液态。在需要对芯片进行散热时，完成液态转化。液态的流动性，在上下温差作用下，会产生对流，散热性远远大于固态金属。本专利将液态金属的对流散热，和固态罩体结合，既保证了流体金属强度的热交换性能，又实现了对液态金属的密封，保证了电路的安全性。另外，本专利中特别采用由钢制成的钢制散热柱体，而不是采用常用的铝质散热器。避免了同相金属的溶解腐蚀。
金属片位于罩体内层与粘附层之间，条状凸起3嵌入到粘附层内，相邻两个条状凸起之间的间距不大于3mm。提高摩擦力，增加结构的连接强度，同时提高换热效果。
条状凸起的高度不超过1mm。防止影响罩体罩设集成电路芯片，同时具有较好的牢固性。
液态金属采用铟镓合金、铝镓合金、铜镓合金中的一种。铟镓合金、铝镓合金、铜镓合金充做中空腔填充物时，具有更好的散热效果。
以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征以及本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
Claims (7)
1.液态金属注入式电磁信号屏蔽系统，包括承载集成电路芯片的载体，和一用于罩设在集成电路芯片外部的罩体，其特征在于，所述罩体包括内层、外层，内层和外层之间为中空部分，内层和外层下方边缘处连接，构成一密封空腔；
所述密封空腔内注满液态金属。
2.根据权利要求1所述的液态金属注入式电磁信号屏蔽系统，其特征在于：所述密封空腔的体积与所述罩体的体积之比在3：5；所述罩体的厚度在0.8mm～2mm之间；所述密封空腔的厚度在0.5mm～1.7mm之间。
3.根据权利要求1所述的液态金属注入式电磁信号屏蔽系统，其特征在于：所述罩体采用石墨或碳纤维材料制成的罩体。
4.根据权利要求1所述的液态金属注入式电磁信号屏蔽系统，其特征在于：还包括一用于粘附连接罩体与集成电路芯片的粘附层，所述粘附层覆盖在靠近集成电路芯片一侧的内层表面；所述粘附层是采用导热硅脂制成的粘附层。
5.根据权利要求1所述的液态金属注入式电磁信号屏蔽系统，其特征在于：所述罩体内部设有一散热系统，所述散热系统包括一金属片，所述金属片上方分布有至少5条钢制散热柱体；
所述金属片下方设有至少5条高度一致的条状凸起；
至少5条所述钢制散热柱体穿透所述内层，插入液态金属。
6.根据权利要求5所述的液态金属注入式电磁信号屏蔽系统，其特征在于：还包括一用于粘附连接罩体与集成电路芯片的粘附层，所述粘附层覆盖在靠近集成电路芯片一侧的内层表面；所述粘附层是采用导热硅脂制成的粘附层；
所述金属片位于所述罩体内层与所述粘附层之间，所述条状凸起嵌入到所述粘附层内，相邻两个条状凸起之间的间距不大于3mm。
7.根据权利要求5所述的液态金属注入式电磁信号屏蔽系统，其特征在于：所述条状凸起的高度不超过1mm。
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Country Status (1)
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