CN205810814U - 一种主动发光显示器 - Google Patents
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Abstract
一种主动发光显示器，涉及到显示器技术领域。解决现有的LCD光效率低，对比度不高，显示效果受视角影响大；包括有发光二极管阵列面板；所述的发光二极管阵列面板上包含有若干呈二维阵列排布的像素点，每个像素点由一个通电后发出单一颜色光线的发光二极管和连接控制发光二极管的控制电路组成；其特征在于:还包括有设于发光二极管阵列面板出光面上的量子点膜；量子点膜包括有膜基体和设于膜基体上的若干量子点区，每一个量子点区与发光二级管阵列面板上的一个像素点相对应；所述量子点区至少包含受所述发光二极管发出光线激辐射发红光的红光量子点区和受所述发光二极管发出光线激辐射发绿光的绿光量子点区。可以以较低成本单一颜色光线的发光二极管激发不同尺寸大小的量子点辐射出不同颜色的光，最终实现彩色显示。
Description
技术领域
本实用新型涉及到显示器技术领域。
背景技术
平板显示技术近年来发展迅速，广泛应用于手机、电脑、家用电器以及家电等等。这其中显示器的类型较多，液晶显示器（LCD）是当前的主流显示模式，有机二极管（OLED）显示器正在蓬勃兴起，占据的市场份额越来越大。而无机二极管显示器还没有进入大规模量产。这三类显示器都有不足：LCD光效率低，对比度不高，显示效果受视角影响大，OLED寿命较短，显示亮度偏低；当前无机二极管显示器成本过高，实现彩色较难。一种能够克服上述显示器缺点的新型显示器的需求越来越迫切。
发明内容
综上所述，本实用新型的目的在于解决现有的LCD光效率低，对比度不高，显示效果受视角影响大；OLED中有机分子不够稳定，寿命较短，显示亮度偏低；当前无机二极管显示器成本过高，实现彩色较难的技术不足，而提出一种主动发光显示器。
为解决本实用新型所提出的技术问题，采用的技术方案为：一种主动发光显示器，包括有发光二极管阵列面板；所述的发光二极管阵列面板上包含有若干呈二维阵列排布的像素点，每个像素点由一个通电后发出单一颜色光线的发光二极管和连接控制发光二极管的控制电路组成；其特征在于:还包括有设于发光二极管阵列面板出光面上的量子点膜；量子点膜包括有膜基体和设于膜基体上的若干量子点区，每一个量子点区与发光二级管阵列面板上的一个像素点相对应；所述量子点区至少包含受所述发光二极管发出光线激辐射发红光的红光量子点区和受所述发光二极管发出光线激辐射发绿光的绿光量子点区。
作为本实用新型进一步限定的方案为：所述的发光二极管为蓝光发光二极管；所述膜基体上还包含若干个无量子空区，每一个无量子空区与一个蓝光发光二极管相对应；膜基体上的红光量子点区、绿光量子点区和无量子空区数量相同，所述三类区依次交替排布。
作为本实用新型另一种进一步限定的方案为：所述的发光二极管为发光波长小于蓝光波段的无机发光二极管，所述量子点区还包含受所述发光二极管发出光线激辐射发蓝光的蓝光量子点区，红光量子点区、绿光量子点区和蓝光量子点区数量相同，所述三类区依次交替排布。
所述的发光二极管为主体材料为氮化镓的无机二极管。
所述的量子点区的主体材料包括但不限于CdS、CdSe、CdTe或ZnSe无机半导体材料。
所述量子点膜为独立的包含量子点材料的片状膜材，或者为将所用量子点材料通过镀膜或涂布工艺直接在显示器的二极管阵列面板或者空白透明基材或者触摸面板上形成的附着膜。
本实用新型的有益效果为：本实用新型采用成本相对较低的发单一颜色光线的发光二极管与量子点膜相结合，根据量子点的发射光谱可以通过改变量子点的尺寸大小来控制的特性，可以以较低成本单一颜色光线的发光二极管激发不同尺寸大小的量子点辐射出不同颜色的光，最终实现彩色显示。克服现有显示器件的上述缺点，因为本实用新型自发光，所以光能利用率高，功耗降低，无机发光二极管的发光亮度高，对比度高，视角范围宽，材料稳定性强，寿命长；，对比度超过液晶显示器件近百倍；采用无机材料制成的发光二级光，稳定性高，发光亮度超过有机材料数十倍。
附图说明
图1为本实用新型截面结构原理示意图；
图2为本实用新型的发光二极管阵列面板的发光二极管阵列示意图；
图3为本实用新型的量子点膜的量子点区分布示意图。
具体实施方式
以下结合附图和本实用新型优选的具体实施例对本实用新型的结构作进一步地说明。
实施例1
参照图1至图3中所示，本实用新型主动发光显示器，包括有发光二极管阵列面板1和量子点膜2。
发光二极管阵列面板1上包含有若干呈二维阵列排布的像素点，每个像素点由一个通电后发出单一颜色光线的发光二极管11和连接控制发光二极管的控制电路（控制器）组成。发光二极管优选为蓝光发光二极管，波长约在450nm 左右，主体材料为氮化镓的无机二极管。控制单元由行列输入信号控制二极管的电流从而控制发光亮度。
量子点膜2设于发光二极管阵列面板1出光面上；量子点膜2包括有膜基体和设于膜基体上的若干量子点区，每一个量子点区与发光二级管阵列面板上的一个像素点相对应。所述量子点区包含若干个受所述发光二极管11发出光线激辐射发红光的红光量子点区21，若干个受所述发光二极管11发出光线激辐射发绿光的绿光量子点区22和若干个无量子空区23，每一个无量子空区23与一个蓝光发光二极管相对应；膜基体上的红光量子点区21、绿光量子点区22和无量子空区23数量相同，所述三类区依次交替排布。也即是在膜基体上，按当前无机二极管显示器规律排布两种尺寸的量子点；一种尺寸的量子点受蓝光照射激发出绿光，另一种尺寸的量子点受蓝光照射激发出红光，没有量子点的像素区域可以透过二极管发出的蓝光，以上述红绿蓝为三基色，即可实现彩色显示。
红光量子点区21和绿光量子点区22由CdS、CdSe、CdTe或ZnSe等半导体材料构成。
所述量子点膜为独立的包含量子点材料的片状膜材，或者为将所用量子点材料通过镀膜或涂布等工艺直接在显示器的二极管阵列面板或者空白透明基材或者触摸面板上形成的附着膜。
实施例2
发光二极管11为发光波长小于蓝光波段的无机发光二极管，所述量子点区还包含受所述发光二极管发出光线激辐射发蓝光的蓝光量子点区，红光量子点区、绿光量子点区和蓝光量子点区数量相同，所述三类区依次交替排布。也即是本实施例用蓝光量子点区代替实施例1中的无量子空区，采用比蓝光更短的波长的光激辐射蓝光量子点区，从而形成蓝光，用此蓝光与红光量子点区和绿光量子点区出射的红光和绿光构成实现彩色显示的三基色。
Claims (4)
1.一种主动发光显示器，包括有发光二极管阵列面板；所述的发光二极管阵列面板上包含有若干呈二维阵列排布的像素点，每个像素点由一个通电后发出单一颜色光线的发光二极管和连接控制发光二极管的控制电路组成；其特征在于:还包括有设于发光二极管阵列面板出光面上的量子点膜；量子点膜包括有膜基体和设于膜基体上的若干量子点区，每一个量子点区与发光二级管阵列面板上的一个像素点相对应；所述量子点区至少包含受所述发光二极管发出光线激发发红光的红光量子点区和受所述发光二极管发出光线激发发绿光的绿光量子点区。
2.根据权利要求1所述的一种主动发光显示器，其特征在于:所述的发光二极管为蓝光发光二极管；所述膜基体上还包含若干个无量子空区，每一个无量子空区与一个蓝光发光二极管相对应；膜基体上的红光量子点区、绿光量子点区和无量子空区数量相同，所述三类区依次交替排布。
3.根据权利要求1所述的一种主动发光显示器，其特征在于:所述的发光二极管为发光波长小于蓝光波段的无机发光二极管，所述量子点区还包含受所述发光二极管发出光线激发发蓝光的蓝光量子点区，红光量子点区、绿光量子点区和蓝光量子点区数量相同，所述三类区依次交替排布。
4.根据权利要求1所述的一种主动发光显示器，其特征在于:所述量子点膜为独立的包含量子点材料的片状膜材，或者为将所用量子点材料通过镀膜或涂布工艺直接在显示器的二极管阵列面板或者空白透明基材或者触摸面板上形成的附着膜。
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106409858A (zh) * | 2016-06-27 | 2017-02-15 | 深圳市国显科技有限公司 | 一种主动发光显示器 |
| CN107437531A (zh) * | 2017-07-25 | 2017-12-05 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 制作彩色Micro‑LED的方法、显示模组及终端 |
| US10559727B2 (en) | 2017-07-25 | 2020-02-11 | Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Manufacturing method of colorful Micro-LED, display modlue and terminals |
| CN113574312A (zh) * | 2019-03-14 | 2021-10-29 | 昕诺飞控股有限公司 | 发光设备 |
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Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106409858A (zh) * | 2016-06-27 | 2017-02-15 | 深圳市国显科技有限公司 | 一种主动发光显示器 |
| CN107437531A (zh) * | 2017-07-25 | 2017-12-05 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 制作彩色Micro‑LED的方法、显示模组及终端 |
| WO2019019319A1 (zh) * | 2017-07-25 | 2019-01-31 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 制作彩色Micro-LED的方法、显示模组及终端 |
| US10559727B2 (en) | 2017-07-25 | 2020-02-11 | Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Manufacturing method of colorful Micro-LED, display modlue and terminals |
| CN113574312A (zh) * | 2019-03-14 | 2021-10-29 | 昕诺飞控股有限公司 | 发光设备 |
| CN113574312B (zh) * | 2019-03-14 | 2024-04-16 | 昕诺飞控股有限公司 | 发光设备 |
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