CN205810485U - 盆式绝缘子及使用该绝缘子的gis - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及高压开关设备技术领域,特别涉及一种盆式绝缘子及使用该绝缘子的GIS。盆式绝缘子包括呈盆状的绝缘体,绝缘体的盆底埋设有与绝缘体同轴的屏蔽环。使用时屏蔽环环绕在位于盆底的导体的外部,能够屏蔽导体产生的电晕,降低靠近导体的绝缘体部分承受电压,改善电场分布状况,从而有效地提高盆式绝缘子起晕电压和闪络电压,以适应高电压等级下的电场要求。
Description
技术领域
本实用新型涉及高压开关设备技术领域,特别涉及一种盆式绝缘子及使用该绝缘子的GIS。
背景技术
盆式绝缘子在高压组合电器运行中起到绝缘、支撑、平衡电场、连接或密封等作用。对于高压开关设备,其电压等级的高低受到绝缘子的各项电气性能指标和机械性能指标的影响,电压等级越高,对绝缘子的要求就越高。如1100kV GIS(高压气体绝缘开关设备)产品用大型盆式绝缘子,要求其具有在1100kV电压等级下的绝缘性能,同时也对盆式绝缘子的电场分布提出了更高的要求。
公告号CN201536034U、公告日为2010年7月28日的中国专利文件公开了一种盆式绝缘子,盆式绝缘子包括呈盆状的绝缘体,绝缘体由盆底、盆身和盆沿三部分组成,使用时导体通过盆底,由于电压高,电场强度大,而随着电压等级升高,绝缘子电场分布也越不均匀,绝缘体容易发生放电现象。通常采用外加均压环的方法来改善电场分布不均的问题,但是改善的效果却因均压环的尺寸和所安装位置的不同而有很大差别,且现有的改善绝缘子电场分布的方法对于如1100kV高电压等级的盆式绝缘子不适用,不能满足高电压等级的要求。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种改善电场分布以适应高电压等级下电场要求的盆式绝缘子,还提供了一种使用该盆式绝缘子的GIS。
为实现上述目的,本实用新型盆式绝缘子的技术方案是:盆式绝缘子包括呈盆状的绝缘体,绝缘体的盆底埋设有与绝缘体同轴的屏蔽环。
所述绝缘体为浇注件。
屏蔽环是由碳元素组成的导电圆环。
绝缘体的盆底设有用于供导体通过的中心孔。
屏蔽环位于绝缘体的盆底与盆身的连接处。
本实用新型的GIS的技术方案是:GIS包括盆式绝缘子,盆式绝缘子包括呈盆状的绝缘体和通过绝缘体盆底的导体,绝缘体的盆底设有与绝缘体同轴的屏蔽环,屏蔽环环绕在导体外。
所述绝缘体为浇注件。
屏蔽环是由碳元素组成的导电圆环。
所述导体为位于盆底中心的中心导体,通过浇注与绝缘体形成一个整体。
屏蔽环位于绝缘体的盆底与盆身的连接处。
本实用新型的有益效果是:由于绝缘体与导体的接触处承受的电压最高,容易发生局部放电,并逐步发展成闪络。在绝缘体盆底处设置屏蔽环,使用时屏蔽环环绕在位于盆底的导体的外部,能够屏蔽导体产生的电晕,降低靠近导体的绝缘体部分承受电压,改善电场分布状况,从而有效地提高盆式绝缘子起晕电压和闪络电压,以适应高电压等级下的电场要求。而在其他位置引入屏蔽环时,则难以屏蔽导体周围产生的电晕而达到理想的电场改善效果。
附图说明
图1为本实用新型的盆式绝缘子在使用状态的剖面示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型的实施方式作进一步说明。
本实用新型的盆式绝缘子的具体实施例,如图1所示,盆式绝缘子包括呈盆状的绝缘体1,绝缘体1由盆底、盆身和盆沿三部分组成,绝缘体1的盆底具有用于供导体3通过的中心孔,盆底内设有用于环绕在导体外的屏蔽环2,屏蔽环2为实心的环形结构,具体是由碳元素组成的导电圆环。屏蔽环2和绝缘体1同轴设置。绝缘体1为采用树脂浇注成型的浇注件,屏蔽环2埋设于盆底内,即在浇注前将屏蔽环事先放入,具体位于盆底与盆身的连接处。在其他实施例中,可以在盆底开设环槽并将屏蔽环嵌入其中。
经过试验发现,对本实用新型的百万伏用盆式绝缘子进行扭力、弯曲、拉伸、冷热循环及电气试验,结果符合强度要求。对本实用新型的百万伏用盆式绝缘子进行断路器组装,并进行雷电冲击试验,结果符合电气要求。
本实用新型的GIS,包括位于绝缘气体中的盆式绝缘子和导体3,盆式绝缘子的结构与上述实施例中盆式绝缘子的结构相同,导体3为位于盆底中心的中心导体,通过浇注与绝缘体1形成一个整体。
在GIS的其他实施例中,导体还可以为通过盆式绝缘子盆底中心孔的高压导线。
Claims (10)
1.盆式绝缘子,包括呈盆状的绝缘体,其特征在于:绝缘体的盆底埋设有与绝缘体同轴的屏蔽环。
2.根据权利要求1所述的盆式绝缘子,其特征在于:所述绝缘体为浇注件。
3.根据权利要求1所述的盆式绝缘子,其特征在于:屏蔽环是由碳元素组成的导电圆环。
4.根据权利要求1或2或3所述的盆式绝缘子,其特征在于:绝缘体的盆底设有用于供导体通过的中心孔。
5.根据权利要求1或2或3所述的盆式绝缘子,其特征在于:屏蔽环位于绝缘体的盆底与盆身的连接处。
6.GIS,包括盆式绝缘子,盆式绝缘子包括呈盆状的绝缘体和通过绝缘体盆底的导体,其特征在于:绝缘体的盆底设有与绝缘体同轴的屏蔽环,屏蔽环环绕在导体外。
7.根据权利要求6所述的GIS,其特征在于:所述绝缘体为浇注件。
8.根据权利要求6所述的GIS,其特征在于:屏蔽环是由碳元素组成的导电圆环。
9.根据权利要求7所述的GIS,其特征在于:所述导体为位于盆底中心的中心导体,通过浇注与绝缘体形成一个整体。
10.根据权利要求6至9任一项所述的GIS,其特征在于:屏蔽环位于绝缘体的盆底与盆身的连接处。
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| CN201620603975.8U CN205810485U (zh) | 2016-06-20 | 2016-06-20 | 盆式绝缘子及使用该绝缘子的gis |
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Cited By (1)
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|---|---|---|---|---|
| CN110153847A (zh) * | 2019-03-18 | 2019-08-23 | 华北电力大学 | 用于提高绝缘子绝缘性能的方法、绝缘子及其打磨设备 |
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2016
- 2016-06-20 CN CN201620603975.8U patent/CN205810485U/zh active Active
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110153847A (zh) * | 2019-03-18 | 2019-08-23 | 华北电力大学 | 用于提高绝缘子绝缘性能的方法、绝缘子及其打磨设备 |
| CN110153847B (zh) * | 2019-03-18 | 2021-06-01 | 华北电力大学 | 用于提高绝缘子绝缘性能的方法、绝缘子及其打磨设备 |
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