CN204029808U - 显示面板 - Google Patents

Abstract

一种显示面板，该显示面板包括第一基板、第二基板以及主动元件阵列层。第二基板与第一基板结合。主动元件阵列层配置于第一基板与第二基板之间，主动元件阵列层包括第一图案化导电层、通道层以及第二图案化导电层。第一图案化导电层与通道层交错设置，具有与通道层重叠的至少一交错区以及从交错区延伸并具有弧形表面的一弧形端部。弧形端部与交错区的相连处形成有交界线，弧形表面距交界线的距离从交界线的中点位置往交界线的两个相反末端渐渐缩小。第二图案化导电层配置于所述通道层的上方。该弧形端部能应用于多种不同的显示面板，通过改善薄膜电晶体的静电释放现象，进而减少来自瞬间放电所产生的高电压及高电流所造成显示面板的损坏情形。

Description

显示面板

技术领域

本实用新型涉及一种显示面板的电路图案结构，特别是扫描线路的图案结构。

背景技术

目前常见的薄膜电晶体液晶显示器(Thin film transistor liquid crystaldisplay，TFT-LCD)包括主动元件阵列基板、彩色滤光片以及背光模组。主动元件阵列基板是将薄膜电晶体设置于基板上，而薄膜电晶体用以控制子像素(sub-pixel)的电压，由此调节液晶分子偏转角度，再通过偏光片进一步决定子像素的灰阶。通过子像素的灰阶搭配彩色滤光片，从而发出红蓝绿颜色的子像素以便构成影像画面。

在制作主动元件阵列基板的过程中，可能会于沉积制程或运送基板的过程中产生静电。一般来说，薄膜电晶体液晶显示器通常采用绝缘材料作为基板，因此绝缘的基板无法将所累积的静电消除。如果元件上的导体形状具有尖端或是锐角的结构，则容易引起静电放电的问题，进而使得薄膜电晶体液晶显示器的良品率降低。

实用新型内容

本实用新型的实施例在于提供一种显示面板，该显示面板的第一图案化导电层的末端形成一具有弧形表面的弧形端部。

本实用新型其中一实施例所提供的一种显示面板，其包括第一基板、第二基板以及主动元件阵列层。第二基板与所述第一基板结合。主动元件阵列层配置于第一基板与第二基板之间，主动元件阵列层包括第一图案化导电层、通道层以及第二图案化导电层。第一图案化导电层与所述通道层交错设置，第一图案化导电层具有与通道层重叠的至少一交错区以及从交错区延伸并具有弧形表面的一弧形端部。弧形端部与交错区的相连处形成有交界线，弧形表面距交界线的距离从交界线的中点位置往交界线的两个相反末端渐渐缩小。第二图案化导电层配置于所述通道层的上方。

进一步地，所述交界线的所述中点位置与所述弧形表面的距离大于所述交界线的六分之一点位置与所述弧形表面的距离。

进一步地，所述第二图案化导电层包括至少一第一金属垫以及至少一第二金属垫，所述第一金属垫以及所述第二金属垫分别通过一第一接触孔以及一第二接触孔与所述通道层连接。

进一步地，所述通道层为选自由一多晶硅层、一金属氧化物半导体层与一非晶硅层所组成的群组的其中之一。

进一步地，所述通道层配置于所述基板上，所述第一图案化导电层配置于所述通道层上，而所述第二图案化导电层位于所述第一图案化导电层上。

本实用新型的另外一实施例所提供的一种显示面板，其包括第一基板、第二基板以及主动元件阵列层。第二基板与所述第一基板结合。主动元件阵列层配置于第一基板与第二基板之间，主动元件阵列层包括第一图案化导电层、通道层以及第二图案化导电层。第一图案化导电层与所述通道层交错设置，第一图案化导电层具有与通道层重叠的至少一交错区以及从交错区延伸并具有弧形表面的一弧形端部。弧形端部与交错区的相连处形成有交界线，交界线的长度大于弧形端部的半高宽。第二图案化导电层配置于通道层的上方。

进一步地，所述第二图案化导电层包括至少一第一金属垫以及至少一第二金属垫，所述第一金属垫以及所述第二金属垫分别通过一第一接触孔以及一第二接触孔与所述通道层连接。

进一步地，所述通道层为选自由一多晶硅层、一金属氧化物半导体层与一非晶硅层所组成的群组的其中之一。

进一步地，所述通道层配置于所述基板上，所述第一图案化导电层配置于所述通道层上，而所述第二图案化导电层位于所述第一图案化导电层上。

本实用新型的另外一实施例所提供的一种显示面板，其包括第一基板、第二基板以及主动元件阵列层。第二基板与所述第一基板结合。主动元件阵列层配置于第一基板与第二基板之间，主动元件阵列层包括第一图案化导电层、通道层以及第二图案化导电层。第一图案化导电层与所述通道层交错设置，第一图案化导电层具有与通道层重叠的至少一交错区以及从交错区延伸并具有弧形表面的一弧形端部。弧形端部的面积与交错区的面积的比值介于0.01～1.5之间。第二图案化导电层配置于通道层的上方。

综上所述，本实用新型的实施例所提供的第一图案化导电层，所述第一图案化导电层的末端形成具有弧形表面的弧形端部，由于弧形端部位于扫描线所延伸而出的末端，而且弧形端部并不具有锐角，因此，将降低静电荷累积在弧形端部的机率。如此一来，电荷将会降低集中于弧形端部的机率，从而降低在弧形端部产生静电释放的机率。本实用新型的弧形端部能应用于多种不同的显示面板，通过改善薄膜电晶体的静电释放现象，进而减少来自瞬间放电所产生的高电压及高电流所造成显示面板的损坏情形。

为使能更进一步了解本实用新型的特征及技术内容，请参阅下文有关本实用新型的详细说明以及附图，然而附图仅提供参考以及说明的作用，并非用来对本实用新型加以限制。

附图说明

图1为本实用新型的第一实施例的显示面板的剖面示意图。

图2为本实用新型的第一实施例的主动元件阵列基板的结构示意图。

图3A为本实用新型的第一实施例的位于显示区域上的主动元件的局部结构示意图。

图3B为图3A中沿线A-A剖面所绘示的剖面示意图。

图4为本实用新型的第二实施例的位于显示区域上的主动元件的局部结构示意图。

图5A为本实用新型的第一实施例的位于非显示区域上的主动元件的局部结构示意图。

图5B是图5A中沿线B-B剖面所绘示的剖面示意图。

图6为本实用新型的第二实施例的位于非显示区域上的主动元件的局部结构示意图。

图7是本实用新型的第一实施例的主动元件的局部结构示意图。

图8是本实用新型的另一实施例的主动元件的局部结构示意图。

符号说明

10、10’、20、20’  主动元件

110、120、120’、210’  第一图案化导电层

110a、110a’  扫描线

110b、110b’、120b、120b’  弧形端部

110c、110c’、120c、120c’  交错区

110d、110d’、120d、120d’  闸极电极

210、220、220’  第二图案化导电层

210a  汲极线

210b  源极

220a  汲极

220b  源极

310、310’、320、320’  通道层

310a、320a  汲极区域

310b、320b  源极区域

A1～A2  距离

B1  半高宽

B2  长度

D1  交界线

E1  第一侧边

E2  第二侧边

F1  像素结构

H1～H5  接触孔

K1  第一方向

L1  闸极绝缘层

L2  层间介电层

L3  平坦层

LQ  液晶层

M1  显示区域

M2  非显示区域

M3  导电层

M4  第四金属垫

M5  第五金属垫

P1～P7  等分点

px  像素电极

Q1  弧形表面

R1  长方体

R2  半圆体

S1  第一基板

S2  第二基板

T1  主动元件阵列层

U1  资料线驱动单元

U2  扫描线驱动单元

W1～W2  面积

具体实施方式

在附图中展示一些示例性实施例，而在下文将参阅附图以更充分地描述各种示例性实施例。值得说明的是，本实用新型的概念可能以许多不同形式来体现，且不应解释为限于本文中所阐述的示例性实施例。确切而言，提供这些示例性实施例使得本实用新型将为详尽且完整，且将向本技术领域内的普通技术人员充分传达本实用新型的概念的范畴。在每一附图中，为了使得所绘示的各层及各区域能够清楚明确，而可夸张地示出其相对大小的比例，而且类似数字始终指示类似元件。

图1是本实用新型的第一实施例的显示面板的剖面示意图。请参阅图1，显示面板10包括第一基板S1、第二基板S2、液晶层LQ以及主动元件阵列层T1。第一基板S1与第二基板S2通过密封材料结合，而将液晶层LQ封存于该第一基板与第二基板内。主动元件阵列层T1配置于第一基板S1上，以形成一主动元件阵列基板。于本实施例中，主动元件阵列层T1包括位于显示区域M1内的主动元件10以及位于非显示区域M2内的主动元件20。主动元件10以及主动元件20为顶闸型的薄膜电晶体，其中，通道层的材料可为低温多晶硅(low temperature poly-silicon)。于其他实施例中，位于显示区域M1内的主动元件10还可以是底闸型的薄膜电晶体，通道层的材料可为非晶硅或金属氧化物。不过，本实用新型并不对主动元件的种类加以限定。以下的主动元件10、20将以顶闸型的薄膜电晶体作为说明。

图2是本实用新型的第一实施例的主动元件阵列基板的结构示意图。图3A是本实用新型的第一实施例的位于显示区域的主动元件的局部结构示意图。图3B是图3A中沿线A-A剖面所绘示的剖面示意图。请同时参阅图2、图3A以及图3B，资料线驱动单元U1与扫描线驱动单元U2皆配置于非显示区域M2内，其中，资料线驱动单元U1配置于主动元件阵列基板的其中一侧，而扫描线驱动单元U2配置于主动元件阵列基板邻近配置资料线驱动单元U1的其中一侧。在显示区域M1中，第一图案化导电层110的扫描线110a以及第二图案化导电层210的资料线界定出像素结构F1，实际上，扫描线110a以列的方向延伸且彼此平行，而资料线以行方向延伸且彼此实质上平行，其中，扫描线110a与资料线彼此交错设置。多个像素结构F1呈现矩阵状排列于主动元件阵列基板上，而此处仅绘示单个像素结构F1以便于说明。

在显示区域M1内，通道层310配置于第一基板S1上，第一图案化导电层110配置于通道层310的上方，而第二图案化导电层210位于所述第一图案化导电层110的上方。详细而言，闸极绝缘层L1配置于通道层310上，而第一图案化导电层110配置于闸极绝缘层L1上。第一图案化导电层110包括多条扫描线110a，扫描线110a从位于显示区域M1一侧的非显示区M2延伸横跨显示区域M1到位于显示区域M1另一侧的非显示区域M2。扫描线110a与通道层310交叉而形成与通道层310重叠的交错区110c。闸极电极110d位于交错区110c内，且闸极电极110d的范围大致与交错区110c的范围相同。在本实施例中，主动元件10为单闸极结构，因此第一图案化导电层110与通道层310在一处重叠，因而形成一个交错区110c。

第一图案化导电层110的扫描线110a的末端形成具有弧形表面Q1的弧形端部110b，而弧形表面Q1为大致平滑的圆弧面。具体而言，第一图案化导电层110的扫描线110a与通道层310彼此交错而形成有交错区110c，弧形端部110b定义为扫描线110a的末端从交错区110c延伸而出的区域，而弧形端部110b与交错区110c的相连处形成有一交界线D1。弧形表面Q1相距交界线D1的距离从交界线D1的中点位置往交界线D1的两个相反末端渐渐缩小。弧形端部110b的结构形状端取决于扫描线110a的末端从交错区110c延伸而出的形状和长度。举例来说，如图3A所示，从交错区110c延伸而出的扫描线110a长度较大，则弧形端部110b的结构形状可视为由一长方体与半圆体的组合。不过，于其它实施例中，从交错区110c延伸而出的扫描线110a也可以仅为具有弧形表面Q1的半圆体或是半椭圆体。

层间介电层L2配置于闸极绝缘层L1上，接触孔H1、H2贯穿层间介电层L2以及闸极绝缘层L1而暴露出下方的通道层310。第二图案化导电层210包括第一金属垫M1以及第二金属垫M2，而第一金属垫M1以及第二金属垫M2分别配置于接触孔H1、H2中，以分别与通道层310的汲极区域310a以及源极区域310b电性连接而形成汲极210a以及源极210b。

平坦层L3形成于层间介电层L2上，平坦层L3设置有接触孔H3以暴露出下方的第二金属垫M2。导电层M3配置于接触孔H3中且与第二金属垫M2电性连接，以形成像素电极px。

于其他实施例中，当主动元件10为双闸极型时，主动元件10’具有两个闸极电极110d’。如图4所绘示，于显示区域M1中，第一图案化导电层110’的扫描线110a’具有两个末端，所述两个末端均包括弧形端部110b’且与通道层310’交错，因而第一图案化导电层110’具有与通道层310’重叠的两个交错区110c’。另外，于其他实施例中，双闸极型的薄膜电晶体亦可以是由略微呈现L字形或是U字形的通道层310’与第一图案化导电层210’的扫描线110a’在两处重叠，从而形成出两处交错区110c’。

图5A是本实用新型的第一实施例的位于非显示区的主动元件的局部结构示意图。图5B是图5A中沿线B-B剖面所绘示的剖面示意图。请同时参阅图5A以及图5B，在非显示区域M2内，通道层320配置于第一基板S1上，第一图案化导电层120配置于通道层320上方，而第二图案化导电层220位于第一图案化导电层120上方。闸极绝缘层L1配置于通道层320上，而第一图案化导电层120配置于闸极绝缘层L1上。第一图案化导电层120与通道层320交叉而形成与通道层320重叠的交错区120c。闸极电极120d位于交错区120c内，且闸极电极120d的范围大致与交错区120c的范围相同。在本实施例中，主动元件20为单闸极结构，因此第一图案化导电层120与通道层320在一处重叠，因而形成一个交错区120c。

具体而言，第一图案化导电层120与通道层320彼此交错而形成有交错区120c，第一图案化导电层120的末端从交错区120c延伸而出形成具有弧形表面Q1的弧形端部120b，而弧形端部120b与交错区120c的相连处形成有一交界线D1。弧形表面Q1相距交界线D1的距离从交界线D1的中点位置往交界线D1的两个相反末端渐渐缩小。

层间介电层L2配置于闸极绝缘层L1上，平坦层L3覆盖于层间介电层L2上。接触孔H4、H5贯穿层间介电层L2以及闸极绝缘层L1而暴露出下方的通道层320。第二图案化导电层220所包括的第四金属垫M4以及第五金属垫M5分别通过接触孔H4、H5与通道层320的汲极区域320a以及源极区域320b电性连接而形成汲极220a以及源极220b。

请参阅图6，于其他实施例中，于非显示区域M2中，主动元件20’也可以是双闸极型。第一图案化导电层120’具有与通道层320’交错的两个末端，所述两个末端均包括弧形端部120b’，而两个闸极电极120d’分别位于交错区120c’内。

图7是本实用新型的第一实施例的主动元件的局部结构示意图。请参阅图7，定义第一方向K1是从交界线D1处往弧形表面Q1延伸且垂直于交界线D1的方向。从交错区110c延伸而出的第一图案化导电层110长度较大，于本实施例中，弧形端部110b的结构形状视为由长方体R1与半圆体R2的组合。弧形端部110b的长方体R1的宽度大致与交界线D1的长度B2相同，弧形端部110b的半高宽B1比交界线D1的长度B2更短。

另外，本实用新型的主动元件的弧形端部110b的结构亦可以通过交界线D1的等分点来界定。交界线D1与交错区110c的第一侧边E1以及第二侧边E2相交于两交点，将交界线D1由这两个交点之间的间距定义出七个等分点P1～P7，由这七个等分点P1～P7可将交界线D1的长度均分为六等份。定义交界线D1与弧形表面Q1间具有的距离为交界线D1的等分点沿第一方向K1至弧形表面Q1的距离。交界线D1的中点位置(即，第四个等分点P4)与弧形表面Q1间具有一距离A1。交界线D1的六分之一点位置(即，第二或五个等分点P2/P6)与弧形表面Q1间具有一距离A2。交界线D1的第四个等分点P4与弧形表面Q1间的距离A1大于交界线D1的第二个等分点P2与弧形表面Q1间的距离A2。

图8是本实用新型的另一实施例的主动元件的局部结构示意图。请参阅图8，本实用新型的主动元件的弧形端部110b的结构还可以通过弧形端部110b与交错区110c的面积比来界定。弧形端部110b的面积W1与交错区110c的面积W2的比值介于0.01～1.5之间，较优选的面积的比值介于0.03～0.5之间。

综上所述，本实用新型的实施例所提供的第一图案化导电层，所述第一图案化导电层的末端形成具有弧形表面的弧形端部，由于弧形端部并不具有锐角，因此，将降低静电荷累积在弧形端部的机率。如此一来，电荷将会降低集中于弧形端部的机率，从而降低在弧形端部处产生静电释放的机率。本实用新型的弧形端部能应用于多种不同的显示面板，通过改善薄膜电晶体的静电释放现象，进而减少来自瞬间放电所产生的高电压及高电流所造成显示面板的损坏情形。

上文所述仅为本实用新型的较优选的可行实施例，非因此局限本实用新型的专利范围，故凡是运用本实用新型说明书及附图内容所做的等效技术变化，均包含于本实用新型的保护范围内。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括：

一第一基板；

一第二基板，所述第二基板与所述第一基板结合；以及

一主动元件阵列层，所述主动与案件阵列层配置于所述第一基板与所述第二基板之间，所述主动元件阵列层包括：

一通道层；

一第一图案化导电层，所述第一图案化导电层与所述通道层交错设置，所述第一图案化导电层具有与所述通道层重叠的至少一交错区以及从所述交错区延伸并具有一弧形表面的一弧形端部，所述弧形端部与所述交错区的相连处形成有一交界线，所述弧形表面距所述交界线的距离从所述交界线的中点位置往所述交界线的两个相反末端渐渐缩小；以及

一第二图案化导电层，所述第二图案化导电层配置于所述通道层的上方。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述交界线的所述中点位置与所述弧形表面的距离大于所述交界线的六分之一点位置与所述弧形表面的距离。

3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二图案化导电层包括至少一第一金属垫以及至少一第二金属垫，所述第一金属垫以及所述第二金属垫分别通过一第一接触孔以及一第二接触孔与所述通道层连接。

4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述通道层为选自由一多晶硅层、一金属氧化物半导体层与一非晶硅层所组成的群组的其中之一。

5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述通道层配置于所述基板上，所述第一图案化导电层配置于所述通道层上，而所述第二图案化导电层位于所述第一图案化导电层上。

6.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括：

一第一基板；

一第二基板，所述第二基板与所述第一基板结合；以及

一主动元件阵列层，所述主动元件阵列层配置于所述第一基板与所述第二基板之间，所述主动元件阵列层包括：

一通道层；

一第一图案化导电层，所述第一图案化导电层与所述通道层交错设置，所述第一图案化导电层具有与所述通道层重叠的至少一交错区以及从所述交错区延伸并具有一弧形表面的一弧形端部，所述弧形端部与所述交错区的相连处形成有一交界线，所述交界线的长度大于所述弧形端部的半高宽；以及

一第二图案化导电层，所述第二图案化导电层配置于所述通道层的上方。

7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述第二图案化导电层包括至少一第一金属垫以及至少一第二金属垫，所述第一金属垫以及所述第二金属垫分别通过一第一接触孔以及一第二接触孔与所述通道层连接。

8.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述通道层为选自由一多晶硅层、一金属氧化物半导体层与一非晶硅层所组成的群组的其中之一。

9.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述通道层配置于所述基板上，所述第一图案化导电层配置于所述通道层上，而所述第二图案化导电层位于所述第一图案化导电层上。

10.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括：

一第一基板；

一第二基板，所述第二基板与所述第一基板结合；以及

一主动元件阵列层，所述主动元件阵列层配置于所述第一基板与所述第二基板之间，所述主动元件阵列层包括：

一通道层；

一第一图案化导电层，所述第一图案化导电层与所述通道层交错设置，所述第一图案化导电层具有与所述通道层重叠的至少一交错区以及从所述交错区延伸并具有一弧形表面的一弧形端部，所述弧形端部的面积与所述交错区的面积的比值介于0.01～1.5之间；以及

一第二图案化导电层，所述第二图案化导电层配置于所述通道层的上方。