CN1933014A - 半导体存储器件、电子装置以及模式设置方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及半导体存储器件、电子装置以及模式设置方法，其中公开的半导体存储器件能在分别具有单独的最大电流消耗的多个操作模式中操作。该器件包括：数据通信部，配置成能在多个通信模式中，执行数据通信；属性信息存储部，配置成存储表示操作和通信模式的属性信息；以及模式设置部，配置成将该器件设置成由操作模中式中的一个和通信模式中的一个。数据通信部将该信息传送到连接该器件的电子装置，以及从该装置接收用于指示将该器件设置成从该信息中选择的操作模式和通信模式的组合的模式设置命令。根据此，模式设置部将该器件设置成被选模式组合。

Description

半导体存储器件、电子装置以及模式设置方法

相关申请的交叉引用

本发明包含2005年9月12日在日本专利局提交的日本专利申请JP2005-264256的优先权，其全部内容在此引入以供参考。

技术领域

本发明涉及半导体存储器件、电子装置和模式设置方法。例如，本发明适合于其中连接半导体存储器件的电子装置设置用于半导体存储器件的半导体存储器件操作模式的情形。

背景技术

已知数据传送装置传送和接收串行信号和并行信号(见例如日本专利公开号No.Hei 7-131504(例如页1，图1)。另外，采用卡的形状并在近年来广泛用作半导体存储器件的一些卡型半导体存储器件能执行与连接卡型半导体存储器件的电子装置，诸如个人计算机等等的串行通信和并行通信。

发明内容

在一些这类卡型半导体存储器件中，预先分别唯一地确定当操作同时执行与电子装置的串行通信时的最大电流消耗和当操作同时执行与电子装置的并行通信时的最大电流消耗。因此，当连接这种卡型半导体存储器件的电子装置执行与该卡型半导体存储器件的串行通信时，电子装置向该卡型存储器件提供与为该串行通信唯一确定的最大电流消耗匹配的唯一操作电流。由此该电子装置允许卡型半导体存储器件通过那个操作电流操作。同时，当执行与卡型半导体存储器件的并行通信时，电子装置向该卡型半导体存储器件提供与为该并行通信唯一确定的最大电流消耗匹配的唯一操作电流。由此，电子装置允许卡型半导体存储器件通过那个操作电流操作。

然而，如果根据例如卡型半导体存储器件的规格(specification)改变的结果，用于串行通信或并行通信的最大电流消耗改变，卡型半导体存储器件不可能操作，即使其可连接到电子装置上。当电子装置能提供与旧最大电流消耗匹配的唯一操作电流，以及不能提供与新最大电流消耗匹配的唯一操作电流时，这种情形发生。同样地，尽管近年来，显著地普及这种卡型半导体存储器件的使用，它们还是不太方便。

本发明的优点是提供一种半导体存储器件，能提供大大提高的方便性，以及能提供具有大大提高的方便性的半导体存储器件的电子装置和模式设置方法。

根据本发明的一个实施例，当在连接半导体存储器件的电子装置中，设置半导体存储器件的操作模式和通信模式时，接收从半导体存储器件传送的、表示多个操作模式和多个通信模式的属性信息，其中，该半导体存储器件能在多个操作模式中操作，每个模式具有单独的最大电流消耗，以及该半导体存储器件也能在多个通信模式中操作；从由所接收的属性信息表示的多个操作模式和多个通信模式中，选择操作模式和通信模式的任意组合；以及将用于指示将半导体存储器件设置成该操作模式和通信模式的所选组合的模式设置命令传送到半导体存储器件。

因此，根据本发明的这一实施例，通过使用该电子装置，可以将该半导体存储器件设置成从多个通信模式和多个操作模式中任意选择的操作模式和通信模式的组合。因此，根据本发明的该实施例，可以大大地降低能连接半导体存储器件但不能使半导体存储器件操作的电子装置的数量。因此，实现能提供大大提高的方便性的半导体存储器件，以及能提供具有大大提高方便性的半导体存储器件的电子装置和模式设置方法。

附图说明

图1是示例说明根据本发明的实施例的数据通信系统的整体结构的框图；

图2是示例说明卡型半导体存储器件的电路结构的框图；

图3是用于说明根据通信模式，在卡型半导体存储器件中操作的半导体存储器的数量的变化的图；

图4是示例说明属性信息的结构的图；

图5是示例说明模式设置过程的流程图；

图6是示例说明属性信息获取过程的流程图；

图7是示例说明通信模式设置过程的流程图；

图8是示例说明操作模式设置过程的流程图；

图9是示例说明模式设置变化过程的流程图；以及

图10是用于说明在卡型半导体存储器件中，数据处理环境的转变的图。

具体实施方式

在下文中，参考附图，详细地描述本发明的一个实施例。

在图1中，参考数字1表示整体上应用本发明的一个实施例的数据通信系统，以及数据通信系统1包括诸如个人计算机的电子装置2，以及可移动地连到电子装置2上的卡型半导体存储器件3。在该例子中，电子装置2包括中央处理单元(CPU)5、总线6，以及经总线6连接到CPU5的各种硬件部件，诸如只读存储器(ROM)7、随机存取存储器(RAM)8等等。CPU5从ROM7读取先前存储在其中的各种程序，以及扩展和执行RAM8中的程序，从而控制整个电子装置2和执行各种过程。

因此，CPU5提取经外部输入/输出部9，诸如I/O(输入/输出)，从外部设备(未示出)等等提供的各种数据，以及将所提取的各种数据存储和累积在数据存储部10，诸如硬盘驱动、半导体存储器等等中。CPU5还能从数据存储部10读取各种数据，以及经外部输入/输出部9，将它们输出到外部设备等等。另外，在已经将卡型半导体存储器件3连在电子装置2的情况下，如有必要，经主机接口11，CPU5将各种指令(在下文中称为“命令”)传送到卡型半导体存储器件3，同时向其提供操作电流，从而允许卡型半导体存储器件3操作。用这种方式，CPU5能读取例如数据存储部10中存储和累积的各种数据，以及经主机接口11，将数据传送到卡型半导体存储器件3，以便允许卡型半导体存储器件3存储数据。CPU5还能经主机接口11，提取在卡型半导体存储器件3中存储的各种数据，以及将数据存储和累积在数据存储部10中。

同时，卡型半导体存储器件3包括控制部15、总线16和经总线16连接到控制部15的多个半导体存储器SM1至SMn，诸如闪速存储器等等。控制部15基于从电子装置2提供的命令，控制整个卡型半导体存储器件3。因此，控制部15能提取从电子装置2传送的各种数据以及将数据存储在半导体存储器SM1至SMn中，控制部15还能从半导体存储器SM1至SMn读取各种数据，以及将数据传送到电子装置2。

如图2所示，卡型半导体存储器件3包括各种外部连接端T1至T8，以及当连在电子装置2上时，卡型半导体存储器件3经为接受电力而设计的外部连接端T1，接受从电子装置2提供的操作电流，以及通过所接受的操作电流开始操作。卡型半导体存储器件3还能允许电子装置2经为连接或移出检测而设计的外部连接端T2和T3，检测是否已连接或移出卡型半导体存储器件3。另外，在卡型半导体存储器件3中，在通过例如集成电路(IC)芯片形成的控制部15内提供振荡器电路20，以及在控制部15外提供晶体振荡器21。振荡器电路20和晶体振荡器21产生预定振荡频率。控制部15还经为输入和输出控制信号而设计的外部连接端T4和T5，接受由电子装置2提供的时钟信号，以及经外部接口电路22和寄存器23，将时钟信号提供给控制电路25，诸如序列发生器。基于由振荡器电路20和晶体振荡器21产生的振荡频率，控制电路25产生与时钟信号同步的操作时钟，以及与操作时钟同步，执行各种过程。

因此，如果从电子装置2传送控制信号，诸如称为用于校验与电子装置2有关的通信状态的总线状态的信号，控制电路25经外部连接端T4和T5以及外部接口电路22，使控制信号进入寄存器23中，以及将控制信号写在寄存器23上。然后，控制电路25经数据缓冲电路26、外部接口电路22以及外部连接端T4和T5，将根据在寄存器23上所写的控制信号的信号传送到电子装置2。因此，控制电路25能将例如卡型半导体存储器件3的各种状态告知电子装置2。

另外，如果从电子装置2传送命令，诸如写命令、读命令等等，控制电路25经为数据输入和输出而设计的外部连接端T6至T8以及外部接口电路22，使命令进入寄存器23中，以及将该命令写在寄存器23上。在寄存器23中的命令为写命令的情况下，控制电路25经外部连接端T6至T8以及外部接口电路22，使从电子装置2传送的数据连同写命令临时进入数据缓冲电路26中。然后，当将数据从数据缓冲电路26传送到存储器接口电路27时，控制电路25使用纠错电路28，将校错码添加到数据上，以及将其发送到半导体存储器SM1和SMn。

半导体存储器SM1至SMn中的每一个具有用于数据存储并由分别具有冗余部ED1至EDn的多个单元SD1至SDn、以及用作缓冲器并具有冗余部EB的单元SB(在下文中称为“缓冲器单元”)组成的存储块30。因此，在半导体存储器SM1至SMn的每一个中，控制电路25经缓冲器单元SB，将数据写入存储块30内的单元SD1至SDn。

在寄存器23中的命令为读命令的情况下，控制电路25从半导体存储器SM1至SMn中的存储块30内的单元SD1至SDn读取数据，以及经缓冲器单元SB，将所读取的数据传送到存储器接口电路27。然后，在存储器接口电路27中，控制电路25使用纠错电路28，对数据执行纠错过程，以及经数据缓冲电路26、外部接口电路22和外部连接端T6至T8，将最终数据传送到电子装置2。用这种方式，控制电路25能执行与电子装置2的数据通信。

另外，卡型半导体存储器件3预先备有执行与电子装置2的数据通信的多个通信模式，诸如1位串行通信、4位并行通信、8位并行通信等等。卡型半导体存储器件3配置成能在多个通信模式中的任何一个中执行数据通信。

另外，如图3A至3C所示，卡型半导体存储器件3还配置成能改变使操作读写数据的半导体存储器SM1至SMn的数量。具体地，例如，卡型半导体存储器件3当执行1位串行通信时，使半导体存储器SM1至SMn中的一个操作，当执行4位并行通信时，使半导体存储器SM1至SMn中的四个同时操作，以及当执行8位并行通信时，使半导体存储器SM1至SMn中的四个或四个以上同时操作。用这种方式，卡型半导体存储器件3能根据用于数据通信的通信模式，改变导致操作读写数据的半导体存储器SM1至SMn的数量。

因此，当所采用的通信模式每单位时间包含相对少量数据传送时，卡型半导体存储器件3相应地减少操作写和读数据的半导体存储器SM1至SMn的数量，由此避免半导体存储器SM1至SMn的不必要操作。同时，当所采用的通信模式每单位时间包含相对大量数据传送时，卡型半导体存储器件3相应地增加操作写和读数据的半导体存储器SM1至SMn的数量，从而允许以相对高速率和效率，执行写和读半导体存储器SM1至SMn上的数据。

在卡型半导体存储器件3中，当使少量半导体存储器SM1至SMn操作写和读数据时，卡型半导体存储器件3的电流消耗相对小。在卡型半导体存储器件3中，如果增加操作写和读数据的半导体存储器SM1至SMn的数量，相应地增加卡型半导体存储器件3的电流消耗。另外，在卡型半导体存储器件3中，如果使在与电子装置2的数据通信中或在写和读相同数量半导体存储器上的数据中的数据处理速率更低，卡型半导体存储器件3的电流消耗倾向于更小。相反，在卡型半导体存储器件3中，如果使数据处理速率更高，卡型半导体存储器件3的电流消耗倾向于更大。

同样地，卡型半导体存储器件3预先备有多个操作模式，每个模式具有单独的最大电流消耗，诸如65mA、100mA、150mA、250mA等等。卡型半导体存储器件3配置成通过与相应的最大电流消耗匹配的操作电流(即，接近或基本上等于相应的最大电流消耗的操作电流)，在多个操作模式的每一个中操作。

同样地，如图4所示，将由表示先前准备的多个通信模式的通信模式信息33和表示先前准备的多个操作模式的操作模式信息34组成的属性信息35存储在卡型半导体存储器件3中的控制部15中提供的属性信息存储部31，诸如ROM等等中。通信模式信息33将1位串行通信、4位并行通信、8位并行通信等等表示为多个通信模式。注意，在通信模式信息33中，所有中具有最低通信能力的通信模式中的一个，例如1位串行通信被描述为初始通信模式，当激活卡型半导体存储器件3时，其被自动地选择为初始设置。同时，操作模式信息将最大电流消耗，诸如65mA、100mA、150mA、250mA等等表示为多个操作模式。注意，在操作模式信息34中，所有中具有最低操作能力的操作模式中的一个，例如具有最大电流消耗65mA的操作模式被描述为初始操作模式，当激活卡型半导体存储器件3时，其被自动地选择为初始设置。

当已经将卡型半导体存储器件3连接在电子装置2上时，控制电路25响应来自电子装置2的请求，从属性信息存储部31读取属性信息35，以及经例如数据缓冲电路26、外部接口电路22，以及外部连接端T6至T8，将所读取的属性信息35传送到电子装置2。然后，根据属性信息35以及电子装置2的通信能力和操作电流供给能力(即提供操作电流的能力)(在下文中，将通信能力和操作电流供给能力统称为“装置能力”)，电子装置2的CPU5从由属性信息35内的通信模式信息33表示的多个通信模式中，选择使卡型半导体存储器件3操作的任意通信模式。同时，根据如上所述的属性信息35和电子装置2的通信能力和操作电流供给能力，电子装置2的CPU从由属性信息35内的操作模式信息34表示的多个操作模式中，选择使卡型半导体存储器件3操作的任意操作模式。因此，CPU5进行设置使得卡型半导体存储器件3在被选通信模式和操作模式中操作。用这种方式，电子装置2的CPU5能建立用于卡型半导体存储器件3、其中执行数据处理，诸如数据通信、写和读数据等等的环境(在下文中，称为“数据处理环境”)。

注意，电子装置2的CPU5具有在由属性信息35内的通信模式信息33表示的初始通信模式中，与卡型半导体存储器件3通信的通信能力。CPU5还具有向卡型半导体存储器件3提供与由属性信息35内的操作模式信息34表示的初始操作模式的最大电流消耗匹配的操作电流的供给能力。当卡型半导体存储器件3已经连接在电子装置2上时，CPU5本身配置成向卡型半导体存储器件3提供与对应于初始操作模式的最大电流消耗匹配的操作电流，以及还本身配置成在初始通信模式中，与卡型半导体存储器件3通信。同时，当卡型半导体存储器件3已经连接在电子装置2上时，卡型半导体存储器件3的控制电路25自动地初始化数据处理环境，以便卡型半导体存储器件3在初始操作模式和初始通信模式中执行数据处理。因此，当已经将卡型半导体存储器件3连接在电子装置2上时，因为卡型半导体存储器件3和电子装置2的组合能力，控制电路25变为能通过由电子装置2提供的操作电流操作，以及迅速执行与电子装置2有关的通信。

如果卡型半导体存储器件3连接到电子装置2上以及由于它们能力的结合建立它们间的通信，则根据在ROM7中先前存储的模式设置程序，CPU5启动在如图5所示的模式设置过程的电子装置2端上的例程RT1。注意，电子装置2的CPU5在与卡型半导体存储器件3的关系中采取主动，而卡型半导体存储器件3的控制电路25在与电子装置2的关系中起从属作用。因此，当卡型半导体存储器件3连接在电子装置2上以及由于它们的能力的结合建立它们间的通信时，卡型半导体存储器件3的控制电路25开始在卡型半导体存储器件3端上的例程RT2。在例程RT2中，控制电路25等待接收从电子装置2的CPU5传送的控制信号或命令，以及在接收控制信号或命令后，根据控制信号或命令，执行处理。

在这种情况下，启动电子装置2端上的例程RT1后，电子装置2的CPU5进入步骤SP1并与卡型半导体存储器件3协作，执行属性信息获取过程。此时，电子装置2的CPU5启动如图6所示，属性信息获取过程的电子装置2端上的例程RT11。在启动例程RT11后，CPU5进入步骤SP101并经主机接口11，将“属性信息请求命令”传送到卡型半导体存储器件3。然后，CPU5进入步骤SP102。此时，已经启动属性信息获取过程的卡型半导体存储器件3端上的例程RT21的控制电路25允许接收经例如外部连接端T6至T8从电子装置2传送的属性信息请求命令，以及在步骤SP111，允许经外部接口电路22，将其传送并写在寄存器23上。然后，在步骤SP112，响应写在寄存器23上的属性信息请求命令，控制电路25从属性信息存储部31读取属性信息35，以及将属性信息35传送到数据缓冲电路26，以及使其成为能被电子装置2读取的状态。然后，控制电路25进入步骤SP113。在步骤SP113，控制电路25告知电子装置2属性信息35已经变为可读，然后进入步骤SP114。

此时，在步骤SP102，CPU5正等待从卡型半导体存储器件3接收读取属性信息35已经变为可能的通知。如果通知CPU5读取属性信息35已经变为可能，CPU5进入步骤SP103。在步骤SP103，经主机接口11，CPU5将“属性信息读取命令”传送到卡型半导体存储器件3，然后进入步骤SP104。此时，在步骤SP114，控制电路25允许接收经例如外部连接端T6至T8从电子装置2传送的属性信息读取命令，并允许经外部接口电路22，将其传送并写在寄存器23中。然后，在步骤SP115，响应在寄存器23上所写的属性信息读取命令，例如，经外部接口电路22和外部连接端T6至T8，控制电路25将数据缓冲电路26内的属性信息35传送到电子装置2。此后，控制电路25进入步骤SP116，并结束属性信息获取过程的卡型半导体存储器件3端上的例程RT21。

此时，在步骤SP104，CPU5正等待从卡型半导体存储器件3接收待传送的属性信息35，以及如果其接收属性信息35，将属性信息临时存储在例如RAM8中。然后，CPU5进入步骤SP105。结果，CPU5结束在电子装置2端上的例程RT11，由此退出属性信息获取过程，以及进入图5中所示的模式设置过程的电子装置2端上的例程RT1的步骤SP2。

在步骤SP2，基于从卡型半导体存储器件3获取的属性信息35和装置能力，CPU5从由属性信息35内的通信模式信息33表示的多个通信模式和由属性信息35内的操作模式信息34表示的多个操作模式中，选择使卡型半导体存储器件3操作的通信模式和操作模式的任意组合。然后，CPU5进入步骤SP3。在步骤SP3，CPU5确定是否将改变在选择为卡型半导体存储器件3中的初始设置时的初始通信模式。如果步骤SP3的判定为肯定，这表示电子装置2具有相对高的通信能力，以及能在不同于初始通信模式的通信模式中，与卡型半导体存储器件3通信(即在步骤SP2，已经选择与初始通信模式不同的通信模式)。因此，如果步骤SP3的判定为肯定，CPU5进入步骤SP4，并与卡型半导体存储器件3协作，执行通信模式设置过程。

此时，电子装置2的CPU5开始如图7所示的通信模式设置过程的电子装置2端上的例程RT12。在启动例程RT12后，CPU5进入步骤SP401以及经主机接口11，将表示所选通信模式的通信模式设置信息传送到卡型半导体存储器件3。然后，CPU5进入步骤SP402。在步骤SP402，经主机接口11，CPU5将用于指示卡型半导体存储器件3设置通信模式的通信模式设置命令传送到卡型半导体存储器件3。然后，CPU5进入步骤SP403。同时，已经启动通信模式设置过程的卡型半导体存储器件3端上的例程RT22的控制电路25允许接收例加经外部连接端T6至T8从电子装置2传送的通信模式设置信息，以及在步骤SP411，允许经外部接口电路22将其传送并写在寄存器23上。此后，在步骤SP412，控制电路25允许接收经例如外部连接端T6至T8从电子装置2传送的通信模式设置命令，以及允许经外部接口电路22，将其传送并写在寄存器23上。然后，在步骤SP413，根据在寄存器23上所写的通信模式设置命令，控制电路25进行设置使得在由寄存器23上所写的通信模式设置信息表示的通信模式中，执行数据通信。

然后，在步骤SP414，控制电路25告知电子装置2已经完成通信模式的设置。然后，控制电路25进入步骤SP415，并结束通信模式设置过程的卡型半导体存储器件3端上的例程RT22。同时，在步骤SP403，CPU5等待从卡型半导体存储器件3接收已经完成通信模式的设置的通知，以及如果被告知已经完成通信模式的设置，进入步骤SP404。结果，CPU5结束电子装置2端上的例程RT12，并退出通信模式设置过程，以及进入图5所示的模式设置过程的电子装置2端上的例程RT1的步骤SP5。

在步骤SP5，CPU5确定是否将改变在选择为卡型半导体存储器件3中的初始设置时的初始操作模式。如果步骤SP5的判定为肯定，这表示电子装置2具有相对高的操作电流供给能力，以及能使卡型半导体存储器件3在不同于初始操作模式的操作模式中操作(即，在步骤SP2，已经选择与初始操作模式不同的操作模式)。因此，如果步骤SP5的判定为肯定，CPU5进入步骤SP6，以及与卡型半导体存储器件3协作，执行操作模式设置过程。

此时，电子装置2的CPU5启动如图8所示的操作模式设置过程的电子装置2端上的例程RT13。在启动例程RT13后，CPU5进入步骤SP601以及经主机接口11，将表示所选操作模式的操作模式设置信息传送到卡型半导体存储器件3。然后，CPU5进入步骤SP602。在步骤SP602，经主机接口11，CPU5将用于指示卡型半导体存储器件3设置操作模式的操作模式设置命令传送到卡型半导体存储器件3。然后，CPU5进入步骤SP603。同时，已经启动操作模式设置过程的卡型半导体存储器件3端上的例程RT23的控制电路25允许接收经例如外部连接端T6至T8从电子装置2传送的操作模式设置信息，以及在步骤SP611，允许经外部接口电路22，将其传送并写在寄存器23上。此后，在步骤SP612，控制电路25允许接收经例如外部连接端T6至T8从电子装置2传送的操作模式设置命令，以及允许经外部接口电路22，将其传送并写在寄存器23上。此后，在步骤SP613，根据在寄存器23上所写的操作模式设置命令，控制电路25进行设置使得在由寄存器23上所写的操作模式设置信息表示的操作模式中，执行数据通信。

此后，在步骤SP614，控制电路25通知电子装置2已经完成操作模式的设置。然后，控制电路25进入步骤SP615。结果，控制电路25结束操作模式设置过程的卡型半导体存储器件3端上的例程RT23，以及进入图5所示的模式设置过程的卡型半导体存储器件3端上的例程RT2的步骤SP7，从而也结束例程RT2。同时，在步骤SP603，CPU5正等待从卡型半导体存储器件3接收已经完成操作模式的设置的通知，以及如果被告知已经完成操作模式的设置，进入步骤SP604。因此，CPU5结束电子装置2端上的例程RT13，从而退出操作模式设置过程，以及进入图5所示的模式设置过程的电子装置2端上的例程RT1的步骤SP8，从而也结束例程RT1。在上述过程中，电子装置2的CPU5与卡型半导体存储器件3的控制电路25协作，设置用于卡型半导体存储器件3的数据处理环境。

注意，如果上述步骤SP3中的判定为否定，这表示电子装置2初始地具有低通信能力或电子装置2上的当前处理负载相对大，因此，在该初始通信模式中，将执行与卡型半导体存储器件3的数据通信(即，在步骤SP2，已经选择初始通信模式)。因此，如果上述步骤SP3的判定为否定，CPU5进入步骤SP5。同时注意，如果上述步骤SP5的确定为否定，这表示例如电子装置2初始地具有操作电流供给能力或电子装置2上的当前处理负载相对大，因此，将使卡型半导体存储器件3在初始操作模式中操作(即，在步骤SP2，已经选择初始操作模式)。

因此，如果上述步骤SP5的判定为否定，CPU5进入步骤SP8。

在将卡型半导体存储器件3连接在电子装置2上以及建立用于卡型半导体存储器件3的数据处理环境后，电子装置2的CPU5根据模式设置程序，启动如图9所示的模式设置改变过程的电子装置2端上的例程RT3。在启动电子装置2端上的例程RT3后，CPU5进入步骤SP11以及确定是否将改变为卡型半导体存储器件3设置的通信模式和操作模式中的至少一个。

具体地，当将卡型半导体存储器件3连接在电子装置2上时，CPU5可以执行专用于电子装置2的过程(在下文中称为“装置专用过程”)，而不是协同卡型半导体存储器件3执行的过程(在下文中，称为“半导体存储器件使用过程”)，诸如数据通信、写和读数据等等。因此，当卡型半导体存储器件3连接在电子装置2上时，CPU5监视装置专用过程的处理负载、以及半导体存储器件使用过程的处理负载。如果装置专用过程的处理负载显著地增加，使得难以维持半导体存储器件使用过程，CPU5确定将当前在卡型半导体存储器件3中采用的通信模式和操作模式中的至少一个改变成具有较低通信能力或操作能力的另一通信模式或操作模式。同时，如果由于装置专用过程的相当大的处理负载，在已经选择并且当前在卡型半导体存储器件3中采用具有低通信能力或操作能力的通信模式和操作模式的情况下，装置专用过程的处理负载减小，则CPU5确定将当前在卡型半导体存储器件3中采用的通信模式和操作模式中的至少一个改变成具有高通信能力或操作能力的另一通信模式或操作模式。

另外，在由电池供电电子装置2的情况下，例如，CPU5监视电池中的剩余电荷量。如果电池中的剩余电荷量减小，以致变得难以维持卡型半导体存储器件3的操作电流的当前供给电平(即提供基本上等于最近供给的操作电流的操作电流)，CPU5确定将在卡型半导体存储器件3中当前采用的通信模式和操作模式中的至少一个改变成具有低通信能力或操作能力的另一通信模式或操作模式。相反地，如果由于电池中的少量剩余电荷量，已经选择具有低通信能力或操作能力的通信模式或操作模式并将其当前用在卡型半导体存储器件3中的情况下，充电电池以便增加电池中的剩余电荷量，例如，CPU5确定将当前在卡型半导体存储器件3中采用的通信模式和操作模式中的至少一个改变成具有高通信能力或操作能力的另一通信模式或操作模式。

如果如步骤SP11所述，CPU5确定改变通信模式和操作模式中的至少一个，CPU5进入步骤SP12。在步骤SP12，CPU5从RAM8读取已经存储在其中的属性信息35，然后，如果适当的话，参考所读取的属性信息35和装置能力，以及除此之外，半导体存储器件使用过程的当前处理负载、装置专用过程的当前处理负载、电池中的当前剩余电荷量等等，CPU5通过从由属性信息35内的通信模式信息33表示的多个通信模式和由属性信息35内的操作模式信息34表示的多个操作模式中，重新任意选择使卡型半导体存储器件3操作的通信模式和操作模式中的至少一个，重新选择通信模式和操作模式中的至少一个。然后，CPU5进入步骤SP13。

在步骤SP13，CPU5确定是否将改变当前在卡型半导体存储器件3中采用的通信模式。如果步骤SP12的判定是肯定的，这表示电子装置2已经选择新通信模式。因此，如果步骤SP13的判定是肯定的，CPU5进入步骤SP4，以及以上述方式，与卡型半导体存储器件3协作，执行通信模式设置过程。注意，然而，在通信模式设置过程的步骤SP402，CPU5将提供改变通信模式的设置的指令“通信模式设置改变命令”传送到卡型半导体存储器件3。此后，在从通信模式设置过程退出后，CPU5进入步骤SP14。

在步骤SP14，CPU5确定是否将改变当前在卡型半导体存储器件3中采用的操作模式。如果步骤SP14的判定是肯定的，这表示通信装置2已经选择新操作模式。因此，如果步骤SP14的判定是肯定的，CPU5进入步骤SP6，以及以上述方式，与卡型半导体存储器件3协作，执行操作模式设置过程。注意，然而，在操作模式设置过程的步骤SP602，CPU5将提供改变操作模式的设置的指令“操作模式设置改变命令”传送到卡型半导体存储器件3。然后，在退出操作模式设置过程后，CPU5进入步骤SP15。此时，卡型半导体存储器件3的控制电路25也从操作模式设置过程退出，以及进入步骤SP21。因此，CPU5，连同控制电路25结束模式设置改变过程。

注意，如果上述步骤SP13的判定为否定，这表示电子装置2还未选择新通信模式。因此，如果上述步骤SP13的判定为否定，CPU5进入步骤SP14。同时，如果上述步骤SP14的判定为否定，这表示电子装置2还未选择新操作模式。因此，如果上述步骤SP14的判定为否定，CPU5进入步骤SP15。

如上所述，在设置用于卡型半导体存储器件3的通信模式和操作模式后，根据需要，CPU5能改变和重新配置那些设置。即，如图10所示，当卡型半导体存储器件3连接到电子装置2上并激活时，卡型半导体存储器件3的控制电路25将通信模式和操作模式分别设置成初始通信模式和初始操作模式，并初始化数据处理环境，以便根据其执行数据处理。然而，根据装置能力、半导体存储器件使用过程和装置专用过程的处理负载、电池中的剩余电荷量等等，CPU5能重新配置卡型半导体存储器件3的通信模式和/或操作模式。由此可以以逐步方式或直接将数据处理环境从初始配置(在下文中称为“初始数据处理环境”)转变成具有比初始数据处理环境更高的数据吞吐量的第一数据处理环境，或转变到具有比第一数据处理环境更高的数据吞吐量的第二数据处理环境。另外，在只要将卡型半导体存储器件3的数据处理环境设置成具有高数据吞吐量的第一或第二数据处理环境后，CPU5能使数据处理环境从第一或第二数据处理环境以逐步方式或直接转变到初始数据处理环境或具有较低数据吞吐量的第一数据处理环境。

如上所述，卡型半导体存储器件3配置成能在多种通信模式中执行数据通信，以及有在每个具有单独的最大电流消耗的多种操作模式中操作，以及具有表示在属性信息存储部31中先前存储的多种通信模式和多种操作模式的属性信息35。当卡型半导体存储器件3连接到电子装置2并建立其间的通信时，电子装置2从卡型半导体存储器件3的属性信息存储部31读取属性信息35，以及根据电子装置2的装置能力，从由所读取的属性信息35表示的多种通信模式和多种操作模式中，选择通信模式和操作模式的任意组合。然后，电子装置2将用于分别将卡型半导体存储器件3的通信模式和操作模式设置成所选通信模式和所选操作模式的通信模式设置命令和操作模式设置命令(在下文中统称为“模式设置命令”)传送到卡型半导体存储器件3。

因此，卡型半导体存储器件3将本身配置成在由电子装置2任意选择的通信模式和操作模式的组合中操作。因此，代替可在多个通信模式中的每一个和与该通信模式唯一相关的多个操作模式中的特定一个的组合中操作，卡型半导体存储器件3能在从多个通信模式和多个操作模式中任意选择的操作模式和通信模式的任意组合中操作。

因此，卡型半导体存储器件3不仅当连接到与卡型半导体存储器件3共享通用通信模式并具有提供与共享通信模式匹配的唯一操作电流的能力的电子装置上时能操作，而且当连接到与半导体存储器件3共享多个通信模式中的至少一个和多个操作模式中的至少一个的任意电子装置上时，也能没有任何问题地操作。因此，能大大地降低能具有连接到其上的卡型半导体存储器件3但不能使卡型半导体存储器件3操作的电子装置的数量。

如上所述，在连接卡型半导体存储器件3的电子装置2中，该卡型半导体存储器件3能在每个具有单独的最大电流消耗的多个操作模式中操作，也能在多个通信模式中执行数据通信，从卡型半导体存储器件3接收表示多个操作模式和多个通信模式的属性信息35；从由所接收的属性信息35表示的多个操作模式和多个通信模式中，选择操作模式和通信模式的任意组合；以及将用于将卡型半导体存储器件3设置成操作模式和通信模式的所选组合的模式设置命令传送到卡型半导体存储器件3。因此，电子装置2能使卡型半导体存储器件3在从多个通信模式和多个操作模式中任意选择的操作模式和通信模式的组合中操作。因此，卡型半导体存储器件3能大大地减少能具有连接到其上的卡型半导体存储器件3但不能使其操作的电子装置的数量。因此，卡型半导体存储器件3实现与电子装置的显著改进的兼容性。

另外，将卡型半导体存储器件3配置成根据所选通信模式，能改变操作半导体存储器SM1至SMn的数量，同时电子装置2能将卡型半导体存储器件3设置成由电子装置2选择的操作模式。因此，电子装置2能根据任意选择的通信模式，选择最佳操作模式并将该卡型半导体存储器件3设置成最佳操作模式以便最大地增加卡型半导体存储器件3的操作能力，由此卡型半导体存储器件3能操作以便显示出其最大数据吞吐量。

另外，当已经显著地增加装置专用过程的处理负载，或减少电池中的剩余电荷量时，电子装置2能重新选择卡型半导体存储器件3的通信模式和/或操作模式并将其通信模式和/或操作模式改变成重新选择的通信模式和/或操作模式。另外，在改变卡型半导体存储器件3的通信模式和/或操作模式的设置后，减少装置专用过程的处理负载或充电电池以便增加其中的剩余电荷量的情况下，电子装置2能重新选择卡型半导体存储器件3的通信模式和/或操作模式并将其通信模式和/或操作模式的设置改变成重新选择的通信模式或操作模式。换句话说，电子装置2能根据其自己的状态，根据需要，改变卡型半导体存储器件3的数据处理环境。因此，由于不能控制卡型半导体存储器件3，电子装置2能防止涉及使用卡型半导体存储器件3的数据处理不连续。另外，电子装置2能防止尽管使卡型半导体存储器件3通过相对高的数据吞吐量执行数据处理的能力，但电子装置2使卡型半导体存储器件3通过相对低的数据吞吐量执行数据处理，不能有效使用卡型半导体存储器件3的情形。

在现有技术的卡型半导体存储器件的规格中，一种通信模式与一种操作模式相关，以便对该通信模式唯一确定一个最大电流消耗。因此，在相关技术的卡型半导体存储器件的规格中，与不同操作模式有关的相同通信模式导致不同规格。相反，在根据本发明的卡型半导体存储器件3中，可以从多个通信模式和多个操作模式中，选择通信模式和操作模式的任意组合。因此，即使当例如结合通信模式，另外准备能选择的新操作模式时，不需要创建新操作模式与该通信模式有关的完全新的规格。通过将该新操作模式简单地添加到现有的规格上以及更新该规格，可以容易实现新操作模式和通信模式的组合的设置。因此，在根据本发明的卡型半导体存储器件3的规格的情况下，与现有技术的卡型半导体存储器件的规格相比，旧和新规格在他们之间可以具有兼容性，这提供规格的寿命的可延长性(即，允许规格存在更久)。

注意，在上述实施例中，卡型半导体存储器件3响应来自电子装置2的请求，向电子装置2提供属性信息35。然而，本发明不限于此。当已经激活卡型半导体存储器件3以及已经建立与电子装置2的通信时，卡型半导体存储器件3可以将属性信息35自动地提供给电子装置2。

同时还注意到，在上述实施例中，在电子装置2设置用于卡型半导体存储器件3的通信模式后，电子装置2由此设置操作模式。然而，本发明不限于此，可以在操作模式后设置通信模式。

同时注意到上述实施例涉及如参考图1至10所述，通过卡型半导体存储器件3实现根据本发明的半导体存储器件的示例性情形。然而，本发明不限于该例子。本发明广泛地应用于能连接到电子装置的各种其他类型的半导体存储器件，诸如棒状半导体存储器件等等。

还注意到上述实施例涉及通过电子装置2，诸如个人计算机，实现根据本发明的电子装置的示例性情形，如参考图1至10所述。然而，本发明不限于该例子。本发明广泛地适合于能连接半导体存储器件的各种其他电子装置，诸如数码相机、便携式音频播放器、电子词典等等。

还注意到上述实施例涉及如参考图1至10所述，通过卡型半导体存储器件3的外部接口电路22、寄存器23、数据缓冲电路26和控制电路25，实现能在多个通信模式中，与外部执行数据通信的数据通信部的示例性情形。然而，本发明不限于该例子。各种其他类型的数据通信部能广泛地应用于本发明。

还注意到上述实施例涉及如参考图1至10所述，通过卡型半导体存储器件3的控制电路25，诸如序列发生器，实现配置成将半导体存储器件设置成由在属性信息存储部中存储的属性信息表示的多个操作模式中的一个和多个通信模式中的一个的模式设置部的示例性情形。然而，本发明不限于该例子。各种其他类型的模式设置部，诸如CPU、微处理器等等广泛适用于本发明。

还注意到上述实施例涉及如参考图1至10所述，通过电子装置2的主机接口11，实现配置成接收表示从半导体存储器件传送的多种操作模式和多个通信模式的属性信息的接收部的示例性情形。然而，本发明不限于该例子。各种其他类型的接收部能广泛地适用于本发明。

还注意到上述实施例涉及如参考图1至10所述，通过电子装置2的CPU5，实现配置成从由接收部接收的属性信息表示的多个操作模式和多个通信模式中，选择操作模式和通信模式的任意组合的模式选择部的示例性情形。然而，本发明不限于该例子。各种其他类型的模式设置部，诸如由硬件电路等等形成的模式设置电路能广泛地适用于本发明。

还注意到上述实施例涉及如参考图1至10所述，通过电子装置2的主机接口11，实现配置成将用于指示半导体存储器件设置成由模式选择部选择的操作模式和通信模式的组合的模式设置命令传送到半导体存储器件的传输部的示例性情形。然而，本发明不限于该例子。各种其他类型的传输部能广泛地适用于本发明。

本发明适用于半导体存储器件，诸如卡型半导体存储器件等等、以及能连接这种半导体存储器件的电子装置，诸如个人计算机、数码相机等等。

本领域的技术人员应理解到根据设计需求和其他因素，想到各种改进、组合、子组合和变更，只要它们在附加权利要求或其等效的范围内。

Claims (7)

1.一种半导体存储器件，能在多个操作模式中操作，每一操作模式具有单独的最大电流消耗，该器件包括：

数据通信部，配置成能在多个通信模式中，执行与外部的数据通信；

属性信息存储部，配置成存储表示多个操作模式和多个通信模式的属性信息；以及

模式设置部，配置成将该半导体存储器件设置成由在所述属性信息存储部中存储的属性信息表示的多个操作模式中的一个和多个通信模式中的一个，

其中，所述数据通信部将从所述属性信息存储部读取的属性信息传送到连接该半导体存储器件的电子装置，以及从该电子装置接收用于指示将该半导体存储器件设置成从由属性信息表示的多个操作模式和多个通信模式中，任意选择的操作模式和通信模式的组合的模式设置命令，以及

其中，根据由所述数据通信部接收的模式设置命令，所述模式设置部将该半导体存储器件设置成由该电子装置选择的操作模式和通信模式。

2.如权利要求1所述的半导体存储器件，

其中，根据电子装置的装置能力，从由属性信息表示的多个操作模式和多个通信模式中，由电子装置任意选择操作模式和通信模式的组合。

3.如权利要求2所述的半导体存储器件，

其中，在所述模式设置部将该半导体存储器件设置成由该电子装置选择的操作模式和通信模式后，所述数据通信部从该电子装置接收模式设置改变命令，该模式设置改变命令用于根据电子装置的处理负载，指示通过从由属性信息表示的多个操作模式和多个通信模式中，由电子装置重新选择的操作模式或通信模式，替代当前在半导体存储器件中采用的操作模式和通信模式中的至少一个，以及

其中，根据由所述数据通信部接收的模式设置改变命令，所述模式设置部重新配置该半导体存储器件，使得通过由电子装置重新选择的操作模式或通信模式，替换当前在半导体存储器件中采用的操作模式和通信模式中的至少一个。

4.一种电子装置，能连接到每个具有单独的最大电流消耗的多个操作模式中操作以及还能在多个通信模式中执行数据通信的半导体存储器件，该装置包括：

接收部，配置成接收表示多个操作模式和多个通信模式的属性信息，从该半导体存储器件传送该属性信息；

模式选择部，配置成从由所述接收部接收的属性信息表示的多个操作模式和多个通信模式中，选择操作模式和通信模式的任意组合；以及

传输部，配置成将用于指示将该半导体存储器件设置成由所述模式选择部选择的操作模式和通信模式的模式设置命令传送到半导体存储器件。

5.如权利要求4所述的电子装置，

其中，所述模式选择部根据该电子装置的装置能力，从由属性信息表示的多个操作模式和多个通信模式中，选择操作模式和通信模式。

6.如权利要求5所述的电子装置，

其中，在所述传输部将模式设置命令传送到半导体存储器件后，所述模式选择部根据电子装置的处理负载，从由属性信息表示的多个操作模式和多个通信模式中，重新选择操作模式和通信模式中的至少一个，以及

其中，所述传输部将用于指示将该半导体存储器件重新配置成采用由所述模式选择部重新选择的操作模式和通信模式中的至少一个的模式设置改变命令传送到半导体存储器件。

7.一种用于电子装置的模式设置方法，将能在每个具有单独的最大电流消耗的多个操作模式中操作以及还能在多个通信模式中执行数据通信的半导体存储器件设置成多个操作模式中的一个和多个通信模式中的一个，该电子装置能连接到半导体存储器件上，该方法包括步骤：

接收表示多个操作模式和多个通信模式的属性信息，从半导体存储器件传送该属性信息；

从由在所述接收步骤中接收的属性信息表示的多个操作模式和多个通信模式中，选择操作模式和通信模式的任意组合；以及

将用于指示将该半导体存储器件设置成在所述选择中选择的操作模式和通信模式的模式设置命令传送到半导体存储器件。

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