[go: up one dir, main page]

CN1925165A - 图像感测装置 - Google Patents

图像感测装置 Download PDF

Info

Publication number
CN1925165A
CN1925165A CNA2006101288613A CN200610128861A CN1925165A CN 1925165 A CN1925165 A CN 1925165A CN A2006101288613 A CNA2006101288613 A CN A2006101288613A CN 200610128861 A CN200610128861 A CN 200610128861A CN 1925165 A CN1925165 A CN 1925165A
Authority
CN
China
Prior art keywords
image sensing
sensing device
stop layer
etch stop
semiconductor substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2006101288613A
Other languages
English (en)
Other versions
CN100461440C (zh
Inventor
谢元智
喻中一
黄宗勋
许慈轩
蔡嘉雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Original Assignee
Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd filed Critical Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Publication of CN1925165A publication Critical patent/CN1925165A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100461440C publication Critical patent/CN100461440C/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/011—Manufacture or treatment of image sensors covered by group H10F39/12
    • H10F39/026—Wafer-level processing
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/80—Constructional details of image sensors
    • H10F39/805—Coatings
    • H10F39/8053—Colour filters
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/80—Constructional details of image sensors
    • H10F39/806—Optical elements or arrangements associated with the image sensors
    • H10F39/8063—Microlenses

Landscapes

  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Abstract

本发明提供了一种图像感测装置，包括：一半导体基板；多个像素单元，位于该半导体基板上；以及一蚀刻停止层，位于所述像素单元上，其中该蚀刻停止层具有小于600埃的厚度。该图像感测装置还包括一层间介电层，覆盖该蚀刻停止层。该蚀刻停止层具有小于2的折射率和小于0.1的消光系数。本发明的图像感测装置，克服了公知感应器的感光能力、特别是对于蓝光的感测能力劣化的缺点，对于包括蓝光的所有色彩均具有较佳的感测能力。

Description

图像感测装置
技术领域
本发明涉及一种半导体装置，特别涉及一种图像感测装置。
背景技术
图像感测装置包括由多个如感光二极管(photosensitive diodes)或光电二极管(photodiodes)组成的像素阵列(pixel array)、复位晶体管(reset transistor)、源极跟随器晶体管(source follower transistors)、固定层光电二极管(pinnedlayer photodiodes)和/或转移晶体管(transfer transistors)等用以记录二极管上的光强度的元件。上述像素在感应光线后产生电荷，且感应越多光线则产生越多电荷。这些电荷可接着为另一电路所应用，因而生成适用于如数码照相机的特定应用的颜色与亮度。一般而言，像素阵列的种类可为电荷耦合装置(charge-coupled device，CCD)，或为互补金属氧化物半导体(complimentarymetal oxide semiconductor，CMOS)图像感测装置。
像素通常基于红、蓝、绿的三原色而接收光线。利用此三原色可另外辨识出其他色彩且可创造出不同颜色组合与强度(例如红与绿重叠可形成黄色)。然而，可察觉到的是，像素对于蓝色光的敏感度普遍比对于红光和绿光的敏感度来的差。
以上问题在深亚微米技术(deep sub-micron technology)中更为恶化。举例来说，在深亚微米技术中通常应用氮化硅或氮氧化硅膜层作为一无边界蚀刻停止层之用。然而，这样的膜层由于其在不同膜层间的折射率有所不同，因而将形成破坏性干涉。这样的折射率上的差异将在这样的叠层膜层中严重地劣化感应器的感光能力，特别是对于蓝光的感测能力。
因此，便需要一种对于包括蓝光的所有色彩具有较佳的感测能力的感应器装置与制造方法。
发明内容
有鉴于此，本发明提供了一种图像感测装置，包括：
一半导体基板；多个像素单元，位于该半导体基板上；以及一蚀刻停止层，位于所述像素单元上，其中该蚀刻停止层在介于4000-5000埃的测量波长下具有介于1.5-1.85的折射率。
依据另一实施例，本发明提供了一种图像感测装置，包括：
一半导体基板；多个像素单元，位于该半导体基板上；以及一蚀刻停止层，位于所述像素单元上，其中该蚀刻停止层在介于4000-5000埃的测量波长下具有小于0.1的消光系数。
在部分实施例中，上述蚀刻停止层具有小于1000埃或小于600埃的厚度。在部分实施例中，上述蚀刻停止层包括氢或碳。举例来说，上述蚀刻停止层包括氧化硅、氮化硅以及氮氧化硅。
在部分实施例中，上述图像感测装置包括多个彩色滤光片，例如为红色、绿色以及蓝色的彩色滤光片。在其他实施例中，上述图像感测装置还包括设置在这些彩色滤光片上的多个微透镜。
依据另一实施例，本发明提供了一种图像感测装置，包括：
一半导体基板；多个像素单元，位于该半导体基板上；一蚀刻停止层，位于所述像素单元上，其中该蚀刻停止层具有小于600埃的厚度；以及一层间介电层，位于该蚀刻停止层上。该蚀刻停止层包括氧化硅、氮化硅以及氮氧化硅。
在部分实施例中，上述蚀刻停止层具有小于2的折射率，而在部分实施例中，上述蚀刻停止层具有小于0.1消光系数。
在部分实施例中，上述蚀刻停止层包括硅含量小于一般的氮化硅材料的氮化硅材料。而在部分实施例中，上述蚀刻停止层包括硅含量小于一般氮氧化硅材料的氮氧化硅材料。
本发明的图像感测装置，克服了公知感应器的感光能力、特别是对于蓝光的感测能力劣化的缺点，对于包括蓝光的所有色彩均具有较佳的感测能力。为了让本发明的上述和其他目的、特征、和优点能更明显易懂，下文特举一较佳实施例，并配合附图，作详细说明如下。
附图说明
图1为一上视图，显示了依据本发明的一个或多个实施例的一图像感测装置，其包括多个像素；
图2a、图2b为一系列剖面图，显示了适用于图1中的图像感测装置中像素的侧视情形；
图3为一剖面图，显示了用于制造图1的图像感测装置的一处理腔体；
图4a显示了像素的折射率(refractive index)与入射光的波长(wavelength)间的比较情形；
图4b显示了像素的消光系数(extinction coefficient)与入射光的波长间的比较情形；以及
图5显示了依据本发明的较佳实施例的不同蚀刻停止层厚度下对于蓝光的折射率的改善情形。
其中，附图标记说明如下：
50：图像感测装置
100：像素
102：基板
104：P型掺杂阱区
106：N型掺杂阱区
110：晶体管装置
112：栅极叠层
114：蚀刻停止层
122：层间介电层
124：破坏性干涉区域
126：微透镜
130：浅沟槽隔离区
200：反应腔体
202：晶片
204：夹盘
210、220：进料口
212、222：阀门
230：射频功率电源
具体实施方式
本发明的实施例将配合图1至图5作详细叙述如下。
请参照图1，首先显示了包括由多个像素100所组成的阵列的图像感测装置50。在本实施例中，像素100例如为感光二极管(photosensitive diodes)或光电二极管(photodiodes)，用以记录入射到二极管的光线强度或亮度。也可采用包括复位晶体管、源极跟随器晶体管、固定层光电二极管以及转移晶体管的其他类型的像素。常见的感测装置种类包括电荷耦合装置(CCD)或互补金属氧化物半导体晶体管(CMOS)图像感测器。在像素100组成的阵列附近则通常形成有附加电路与输入/输出信号，用以提供像素的操作环境与像素相关的外部通信之用。
请参照图2a，显示了像素100的一实施例的剖面情形，在此像素100为一光电二极管。而光电二极管100在硅材料的基板102上形成。在此，基板102包括形成在其内的一P型掺杂阱区104以及一N型掺杂阱区106。本领域普通技术人员当能知悉，光电二极管是采用不同种类的半导体材料、不同材料的组合(例如绝缘层上硅)、不同的掺杂情形(例如位于一N型掺杂区内的一P型阱区)利用两种相对的掺杂种类而形成。
在此，光电二极管100显示为与一晶体管装置110邻近。而晶体管装置110包括一栅极叠层112且被一蚀刻停止层114所覆盖。蚀刻停止层114可为一氮化硅层、氮氧化硅层以及多种不同的其他公知材料膜层。蚀刻停止层114延伸且覆盖光电二极管100，这将在下文中进一步讨论。
在蚀刻停止层上形成有一层间介电层122。虽然上述膜层显示且描述为相互邻近的状态，然而其间也可存在有一个或多个内连膜层而为一个或多个膜层/结构。此外，层间介电层122可由多种不同的其他非导电材料所构成。
层间介电层122可通过如化学气相沉积、物理气相沉积以及原子层沉积、旋转涂布以及或其他的适当方式所形成。层间介电层122可为包括一平坦层、彩色滤光片层和/或一间隔物层的一多膜层结构。彩色滤光片层可包括多个不同色彩的滤光膜层(例如为红、蓝、绿等色彩)，且将它设置在入射光可直接入射于其上并通过的位置。在一实施例中，上述不同色彩的透光膜层可包括聚合材料(例如负型阻剂的丙烯酸基聚合物)或者树脂。而彩色滤光膜层可包括含彩色颜料的丙烯酸基聚合物材料的负型光阻。而间隔物膜层则形成并邻近于上方的微镜片阵列和下方的光感应器120。
设置在层间介电层122上的是一个或多个微透镜126。在一实施例中，这些微透镜126组成了一微透镜阵列，分别有设置于对应的光电二极管100上的各自的微透镜。形成微透镜的方法与系统的示例则可参考申请号为11/064,452的美国专利申请案，在此以参考方式将它并入本文中。
在部分实施例中，还可在层间介电层122内形成一接触孔，用以进一步露出衬底与光电二极管100。
在本实施例中，层间介电层122的折射率(refractive index，RI)约为1.46。一般而言，蚀刻停止层114的折射率约为2.10。如此，由一虚线方格124所限定出的区域则对于光线构成了破坏性干涉，特别是对于蓝光的光线。如下文所描述，本实施例则通过调整蚀刻停止层114的折射率而降低这样的破坏性干涉。
请参照图2b，则显示了在另一实施例中，类似于图2a中的光电二极管的像素100，两者间的差异仅在于此时光电二极管在一浅沟槽隔离区130之下形成。在本实施例中，浅沟槽隔离区130由等离子体增强化学气相沉积或低压化学气相沉积而成的氧化硅所构成，其具有约为1.46的折射率，其近似于层间介电层122的折射率。
请参照图3，显示了在图像感测装置50上制作蚀刻停止层114(图1)上的反应腔体200，在此图像感测装置形成于晶片202上。而晶片202位于夹盘(chuck)204上且位于反应腔体200的内部。反应腔体200适用于等离子体增强化学气相沉积，也适用于其他沉积工艺、膜层形成与工艺调整等程序。
在此，处理腔体200包括一个或多个进料口210、220，其上分别具有阀门212、222以控制供应至等离子体增强化学气相沉积工艺的材料流量。通过控制所供应材料及其对应的流速，例如控制硅甲烷、氧化亚氮(N2O)、氨气、氮气等供应材料与其流速，用以控制所形成蚀刻停止层114的成分与厚度。此外，可采用射频(radio frequency)功率电源230以控制此等离子体增强化学气相沉积工艺。在一实施例中，蚀刻停止层114为一氮化硅层，其具有大体比传统氮化硅材料的化学计量少的硅含量。而在另一实施例中，蚀刻停止层114可为一氮氧化硅层，其具有大体比传统氮氧化硅材料的化学计量少的硅含量。
在本实施例中，优选将蚀刻停止层114的折射率降低至2.10之下，以较接近浅沟槽隔离区130的折射率(约为1.46)与接近层间介电层122的折射率(约为1.46)。此外，优选将蚀刻停止层114在蓝光波长下(约450-500纳米)的消光系数降低至0.1之下。
蚀刻停止层114的厚度可通过改变用以形成膜层的工艺中的特定参数而达到。以本发明的等离子体增强化学气相沉积工艺为示例，可通过调整硅甲烷与氨气的流速以制造不同厚度的蚀刻停止层114。本领域普通技术人员当能理解的是，可通过调整气体种类、气体流速、射频功率、反应腔体压力等工艺参数而形成所期望的经降低折射率和消光系数的蚀刻停止层114。在本实施例中以硅甲烷与氨气作为示例，也可采用其他材料而不限定于上述材料。
图4a的图表显示了不同材料的蚀刻停止层114的折射率表现，在其形成过程中至少改变了一个或多个前述工艺参数，在此蚀刻停止层的材料主要分为氮氧化硅-A(SiON-A)、氮氧化硅-B(SiON-B)、氮化硅-A(SiN-A)、氮化硅-B(SiN-B)以及等离子体增强化学气相沉积形成的氧化物(PE-OX)等材料。图4a显示了上述材料在介于300-800纳米下的不同波长光线的折射率表现，并显示了公知的氮氧化硅材料(SiON-baseline)的表现作为对照。图4b的图表则显示了上述不同材料的蚀刻停止层114的消光系数表现。图4b则显示了上述材料于介于300-800纳米下的不同波长光线的消光系数表现，并显示了公知的氮氧化硅材料(SiON-baseline)的表现作为对照。
请参照图5，图表300显示了在不同厚度的蚀刻停止层114情况下对于蓝光折射率的改善情况。值得注意的是，厚度约为400埃的氮氧化硅(SiON)材料的蚀刻停止层114，其对于光电二极管100的蓝光感测度的改善量可达25％，此时光电二极管对于绿光的感测度也维持在相同程度而对于红光的感测度则显示出适当的改善程度。为达到如图表所示的厚度，则降低硅甲烷的流速并增加氮氧化物的流速到特定的传统速率。
值得注意的是，当氮化硅(SiN)材料的蚀刻停止层114具有约为500埃的厚度时，光电二极管对于蓝光感测度的改善程度可达25％，此时光电二极管对于绿光的感测度维持在相同程度而对于红光的感测度则显现出适当的改善。为了达到如图表所示的特定厚度，可通过降低硅甲烷的流速而增加氨气的流速到特定的传统速率。如前所述，可以理解的是流量与如仪器种类等不同参数相关，而本领域普通技术人员可更改流速以及其他工艺参数以达到前述厚度。如图5所示，即使这些示例中的蚀刻停止层的厚度在600埃时也显示了特定的改善程度。
光感测度的改善情形也反映在V/lux-s感测度的表现上。表一显示了本发明的蚀刻停止层114与一公知膜层的光感测度的改善程度。因此，通过降低蚀刻停止层114的厚度到低于600埃的程度，优选介于400-500埃，可使得感光二极管100(见图1)的蓝光感测度改善而对于绿光感测度或者红光感测度无太大的不良影响。
表一
  光感测度(V/lux-s)   公知   本发明   改善程度％
  蓝光   0.714   0.84   18
  绿光   1.01   1.04   3
  红光   1.13   1.12   -1

Claims (15)

1.一种图像感测装置，包括：
一半导体基板；
多个像素单元，位于该半导体基板上；以及
一蚀刻停止层，位于所述像素单元上，其中该蚀刻停止层在介于4000-5000埃的测量波长下具有介于1.5-1.85的折射率。
2.根据权利要求1所述的图像感测装置，其中该蚀刻停止层具有小于1000埃的厚度。
3.根据权利要求1所述的图像感测装置，其中该蚀刻停止层包括氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。
4.根据权利要求1所述的图像感测装置，其中所述像素单元为光电二极管。
5.根据权利要求1所述的图像感测装置，其中所述像素单元分别包括复位晶体管、源极跟随器晶体管、固定层光电二极管与转移晶体管。
6.一种图像感测装置，包括：
一半导体基板；
多个像素单元，位于该半导体基板上；以及
一蚀刻停止层，位于所述像素单元上，其中该蚀刻停止层在介于4000-5000埃的测量波长下具有小于0.1的消光系数。
7.根据权利要求6所述的图像感测装置，其中该蚀刻停止层具有小于1000埃的厚度。
8.根据权利要求6所述的图像感测装置，其中该蚀刻停止层包括氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。
9.根据权利要求6所述的图像感测装置，其中所述像素单元为光电二极管。
10.根据权利要求6所述的图像感测装置，其中所述像素单元分别包括复位晶体管、源极跟随器晶体管、固定层光电二极管以及转移晶体管。
11.一种图像感测装置，包括：
一半导体基板；
多个像素单元，位于该半导体基板上；
一蚀刻停止层，位于所述像素单元上，其中该蚀刻停止层具有小于600埃的厚度；以及
一层间介电层，位于该蚀刻停止层上。
12.根据权利要求11所述的图像感测装置，其中该蚀刻停止层具有小于2的折射率。
13.根据权利要求11所述的图像感测装置，其中该蚀刻停止层具有小于0.1的消光系数。
14.根据权利要求11所述的图像感测装置，其中该蚀刻停止层包括氮化硅材料，该氮化硅材料中的硅含量小于一般的氮化硅材料。
15.根据权利要求11所述的图像感测装置，其中该蚀刻停止层包括氮氧化硅材料，该氮氧化硅材料中的硅含量小于一般的氮氧化硅材料。
CNB2006101288613A 2005-08-31 2006-08-31 图像感测装置 Expired - Fee Related CN100461440C (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US71308305P 2005-08-31 2005-08-31
US60/713,083 2005-08-31
US11/291,880 2005-12-01

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1925165A true CN1925165A (zh) 2007-03-07
CN100461440C CN100461440C (zh) 2009-02-11

Family

ID=37817713

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2006101288613A Expired - Fee Related CN100461440C (zh) 2005-08-31 2006-08-31 图像感测装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US7799654B2 (zh)
CN (1) CN100461440C (zh)
TW (1) TWI352425B (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102222676A (zh) * 2008-05-09 2011-10-19 索尼株式会社 固体摄像器件和电子装置
CN103383948A (zh) * 2012-05-02 2013-11-06 全视科技有限公司 具有分段式蚀刻停止层的图像传感器
CN111463226A (zh) * 2020-05-11 2020-07-28 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 光电集成器件及其制造方法

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100771548B1 (ko) * 2006-06-30 2007-11-07 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 박막 평탄화 방법
US7879639B2 (en) * 2007-04-13 2011-02-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and device to reduce dark current in image sensors
US8377733B2 (en) 2010-08-13 2013-02-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Antireflective layer for backside illuminated image sensor and method of manufacturing same
US8283754B2 (en) 2010-08-13 2012-10-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Seal ring structure with metal pad
US9287308B2 (en) 2013-04-08 2016-03-15 Omnivision Technologies, Inc. Image sensor having metal contact coupled through a contact etch stop layer with an isolation region
US9232956B2 (en) 2013-04-16 2016-01-12 Calcula Technologies, Inc. Device for removing kidney stones
US10188411B2 (en) 2013-04-16 2019-01-29 Calcula Technologies, Inc. Everting balloon for medical devices
US10219864B2 (en) 2013-04-16 2019-03-05 Calcula Technologies, Inc. Basket and everting balloon with simplified design and control
US20150305602A1 (en) * 2014-04-23 2015-10-29 Calcula Technologies, Inc. Integrated medical imaging system
US20230063670A1 (en) * 2021-08-31 2023-03-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Contact etch stop layer for a pixel sensor

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5143855A (en) * 1991-06-17 1992-09-01 Eastman Kodak Company Method for making contact openings in color image sensor passivation layer
US6350127B1 (en) * 1999-11-15 2002-02-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Method of manufacturing for CMOS image sensor
US6514785B1 (en) * 2000-06-09 2003-02-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company CMOS image sensor n-type pin-diode structure
US7167297B2 (en) * 2000-08-30 2007-01-23 Reflectivity, Inc Micromirror array
US7038232B2 (en) * 2003-09-24 2006-05-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Quantum efficiency enhancement for CMOS imaging sensor with borderless contact
US6969899B2 (en) * 2003-12-08 2005-11-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Image sensor with light guides
US7078260B2 (en) * 2003-12-31 2006-07-18 Dongbu Electronics Co., Ltd. CMOS image sensors and methods for fabricating the same
WO2005086088A1 (en) * 2004-03-04 2005-09-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Id chip and ic card
US7790533B2 (en) * 2004-06-18 2010-09-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation method, laser irradiation apparatus, and method for manufacturing semiconductor device
JP4192867B2 (ja) * 2004-08-30 2008-12-10 ソニー株式会社 物理情報取得装置、複数の単位構成要素が配列されてなる物理量分布検知の半導体装置、並びに半導体装置の製造方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102222676A (zh) * 2008-05-09 2011-10-19 索尼株式会社 固体摄像器件和电子装置
CN102222676B (zh) * 2008-05-09 2013-08-14 索尼株式会社 固体摄像器件和电子装置
CN103383948A (zh) * 2012-05-02 2013-11-06 全视科技有限公司 具有分段式蚀刻停止层的图像传感器
CN111463226A (zh) * 2020-05-11 2020-07-28 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 光电集成器件及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20070048965A1 (en) 2007-03-01
TW200709408A (en) 2007-03-01
TWI352425B (en) 2011-11-11
US7799654B2 (en) 2010-09-21
CN100461440C (zh) 2009-02-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1271722C (zh) 一种半导体器件及其制造方法
CN1265464C (zh) 半导体器件及其制造方法
CN102446937B (zh) 固体摄像器件、固体摄像器件制造方法及电子装置
CN111223912B (zh) 显示面板
CN1925165A (zh) 图像感测装置
US8203196B2 (en) Image sensor
CN2741191Y (zh) 高量子效率的影像传感器
CN1992325A (zh) 图像传感器及其制造方法
CN111509141A (zh) 一种显示面板及其制备方法、显示装置
US8476622B2 (en) Active matrix organic light emitting diode
CN1976049A (zh) 影像感测元件及其制造方法
US20130119239A1 (en) Image sensor and method for manufacturing the same
CN1518118A (zh) 用于制造半导体器件的工艺和半导体器件
TW200834905A (en) Solid-state imaging apparatus
CN2731720Y (zh) 影像传感器及嵌有该影像传感器的装置
TWI244757B (en) Semiconductor device and method for fabricating the same
CN1638139A (zh) 图像传感器及其制造方法
US12027547B2 (en) Solid-state image sensor
US8101452B2 (en) Image sensor and method for manufacturing the same
US11538839B2 (en) Solid-state image sensor including patterned structure for decreasing petal flares
CN101211948A (zh) 图像传感器及其制造方法
CN1929145A (zh) Cmos图像传感器及其制造方法
US7723148B2 (en) Method for manufacturing image sensor
CN1956203A (zh) Cmos图像传感器及其制造方法
CN1215552C (zh) 影像感测器的制作方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20090211