CN1990491B - 挥发性的金属β-酮亚胺盐和金属β-二亚胺盐的配合物 - Google Patents

Abstract

挥发性的金属β-酮亚胺盐和金属β-二亚胺盐的配合物本发明提供了一种金属酮亚胺盐或二亚胺盐配合物以及其制备和使用方法，其中所述配合物含有铜、银、金、钴、钌、铑、铂、钯、镍、锇或铟。在有些实施方案中，所述金属配合物可用作前体来通过例如原子层沉积或化学气相沉积条件在基体上沉积金属和含金属的膜。

Description

挥发性的金属β-酮亚胺盐和金属β-二亚胺盐的配合物

相关申请的交叉引用 

本申请要求2004年12月30日提交的美国临时申请No.60/640338的权益。 

背景技术

半导体工业在电子器件比如例如现有技术微处理器中采用了含金属的互连件，比如铜(Cu)。含金属的互连件可以是嵌入的细金属线，形成三维网格，微处理器中心的数百万个晶体管通过该网格通讯并执行复杂的运算。在这些和其它应用中，由于铜是优异的电导体，所以和其它金属比如例如铝相比，可以选择铜或其合金，从而得到具有更大电流承载能力的更高速互连件。 

电子器件中的互连通路通常是通过金属镶嵌工艺制备的，借此在介电绝缘体的通过光刻法形成图案并蚀刻的通道和通孔上，涂覆上扩散阻挡材料的薄共形层。扩散阻挡层通常和金属或铜层一起用来防止由于金属或铜层与集成电路其它部分的相互作用或扩散而导致的有害效应。示例性的阻挡材料包括但不限于钛、钽、钨、铬、钼、锆、钌、钒和/或铂以及这些材料的碳化物、氮化物、碳氮化物、碳化硅、氮化硅和碳氮化硅和含这些材料的合金。在有些方法中，比如当例如互连件包含铜时，在用纯铜完全填充这些特征之前，可以在扩散阻挡层上涂覆薄的铜“籽晶(seed)”或“停止(strike)”层。在其它情况下，铜的籽晶层可以用类似的钴或者相似的薄膜“胶(glue)”层代替或者再加上类似的钴或者相似的薄膜“胶(g1ue)”层。随后，可以采用化学机械抛光方法去除过量的铜。由于待填充的最小特征宽度可能小于0.2微米，深度却可能大于1微米，所以优选采用能够均匀填充这些特征而不留下任何孔隙(孔隙可能导致最终产品发生电失效)的金属喷镀技术来沉积铜籽晶层、铜胶层和/或扩散阻挡层。 

已经采用多种方法比如离子化金属等离子体(IMP)、物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)、原子层沉积(ALD)、等离子体辅助化学气相沉积(PACVD)、等离子体改性化学气相沉积(PECVD)、电镀和化学镀膜来沉积含金属的层，比如金属喷镀层、扩散阻挡层和/或其它层。其 中，采用一种或多种有机金属前体的CVD和ALD方法可能是最有前途的方法，因为这些方法为高长宽比结构提供了优异的阶段覆盖，而且具有良好的通孔填充特性。在典型CVD方法中，将含有所需金属的挥发性有机金属前体的蒸气引入到基体表面，在此发生化学反应，导致在基体上沉积包含化合物形式或纯元素形式的该金属的薄膜。由于金属通常作为挥发性前体以蒸气形式输送，所以该金属可以到达垂直表面和水平表面，得到均匀分布的薄膜。在典型ALD方法中，挥发性有机金属前体和试剂气体以交替脉冲形式进入反应器，从而在基体上沉积前体/试剂的自限交替单层，其中所述单层一起反应形成金属膜或含金属的膜，该膜随后被还原成金属或者以沉积状态使用。例如，如果在ALD方法中铜有机金属前体和合适的氧化剂反应，那么所得的氧化亚铜或氧化铜单层或多层可以用于半导体应用中，或者被还原成铜金属。 

就铜薄膜而言，适用于CVD和其它沉积方法的同样前体中的一些也可以适用作ALD前体。在有些应用中，以下情况可能是优选的：前体具有高挥发性，沉积基本上是纯(即，纯度约95％或者约99％或更高)的铜膜，和/或使可能导致污染的物质进入反应室或到达扩散阻挡或其它下面表面的量最小化。而且，在这些应用中，铜膜和扩散阻挡层具有良好粘合性可能是优选的，因为粘合性差会导致在化学机械抛光过程中铜膜出现脱层和其它情况。 

为了通过上述方法，尤其是CVD或ALD方法，沉积低电阻铜膜，已经研发了数种有机金属前体。两种经常使用的广泛研究的铜有机金属前体族是Cu(I)和Cu(II)前体。一种常用的Cu(I)前体是通式为“Cu(I)(hfac)(W)”的前体，其中“hfac”表示1，1，1，5，5，5-六氟-2，4-戊二醇盐阴离子，(W)表示中性稳定配体，比如例如烯烃、炔或者三烷基膦。具有上述通式的Cu(I)前体的-个具体例子是1，1，1，5，5，5-六氟-2，4-戊二醇铜(I)三甲基乙烯基硅烷(以后记为Cu(hfac)(tmvs))，由Air Products and Chemicals，Inc.，Allentown，PA以商标名CUPRASELECT^TM销售，所述公司是本申请的专利受让人。这些Cu(I)前体可以通过歧化作用沉积膜，其中前体的两个分子在加热的基体表面上反应，得到铜金属、两个分子的游离配体(W)和挥发性副产物Cu⁽⁺²⁾(hfac)₂。反应式(1)提供了歧化反应的例子： 

(1)2Cu⁽⁺¹⁾(hfac)W→Cu+Cu⁽⁺²⁾(hfac)₂+2W 

在CVD沉积中，反应式(1)示出的歧化反应通常在约200℃进行；但是，其它温度也可以使用，具体取决于沉积方法。如反应式(1)所示，Cu⁽⁺²⁾(hfac)₂构成了该反应的副产品，可能需要从反应室中去除。 

另一种类型的Cu(I)前体是通式为“(Y)Cu(Z)”的前体。在这些具体Cu(I)前体中，“Y”是有机阴离子，“Z”是中性稳定配体，比如例如三烷基膦。这种前体的例子是CpCuPEt₃，其中Cp是环戊二烯基，PET₃是三乙基膦。在典型CVD条件下，这些前体分子中的两个可以在晶片表面反应，借此两个稳定的三烷基膦Z配体和铜中心离解，两个(Y)配体耦合在一起，而且铜(I)中心被还原成铜金属。整个反应如反应式(2)所示。 

(2)2(Y)Cu(Z)→2Cu+(Y-Y)+2(Z) 

但是，在有些情况下，这种类型的化学可能带来问题，这是因为所释放的三烷基膦配体可能污染反应室并充当不希望的N型硅掺杂剂。 

如前所述，另一种用来沉积含铜膜的前体是Cu(II)前体。和Cu(I)前体不同，Cu(II)前体要求使用外部还原剂，比如例如氢或醇，来沉积基本上不含杂质的铜膜。典型Cu(II)前体的例子具有化学式Cu(II)(Y)₂，其中(Y)是有机阴离子。这种类型前体的例子包括但不限于Cu(II)(β-二酮盐(diketonate))、Cu(II)双(β-二亚胺)和Cu(II)双(β-酮亚胺)化合物。反应式(3)提供了其中氢用作还原剂的沉积反应的示例。 

(3)Cu(II)(Y)₂+H₂→Cu+2YH 

Cu(II)前体通常是固体，沉积膜所需温度通常高于200℃。 

尽管铜前体广泛用作互连件，但其它金属或合金也在电子器件中用作薄膜。这些金属的例子包括银(Ag)、金(Au)、钴(Co)、钌(Ru)、 铑(Rh)、铂(Pt)、钯(Pd)、镍(Ni)、锇(Os)、铟(In)和其合金。 

发明内容

下面描述了金属配合物以及其制备和使用的方法，比如例如用作沉积方法中的前体。在一方面，本发明提供了一种式(I)表示的金属配合物： 

其中M是选自Cu、Au、Ag、Co、Ru、Rh、Pt、In、Pd、Ni和Os的金属； 

其中X选自氧和NR⁵； 

其中，R¹、R²、R³和R⁵每个独立选自氢原子；卤素原子；通式为NO₂的硝基；通式为C_nH_2n+1的烷基，其中n是1-20的数字；通式为C_nH_xF_y的氟烷基，其中(x+y)的和等于(2n+1)的和，而且n是1-20的数字；通式为(R⁶)₃Si的烷基硅烷，其中R⁶每个独立地是含有1-20个碳原子的烷基、烷氧基或者酰胺；含有6-12个碳原子的芳基；含有6-12个碳原子的烷基取代的芳基；含有6-12个碳原子的氟烷基取代的芳基；含有6-12个碳原子的氟芳基；通式为(CH₂)_nO(C_mH_2m+1)的醚，其中n和m独立地是1-20的数字；通式为(C_nH_xF_y)O(C_mH_wF_z)的氟醚，其中(x+y)＝2n，(w+z)＝(2m+1)，n和m每个独立地是1-20的数字；通式为(R⁷)₃SiO的甲硅烷基醚，其中R⁷每个独立地是含有1-20个碳原子的烷基或者含有6-12个碳原子的芳基；含有1-20个碳原子的烷氧基；和含有1-20个碳原子的酰胺； 

其中R⁴选自通式为C_nH_2n+1的烷基，其中n是1-20的数字；通式为C_nH_xF_y的氟烷基，其中(x+y)的和等于(2n+1)的和，而且n是1-20的 数字；通式为(R⁶)₃Si的烷基硅烷，其中R⁶每个独立地是含有1-20个碳原子的烷基、烷氧基或者酰胺；含有6-12个碳原子的芳基；含有6-12个碳原子的烷基取代的芳基；含有6-12个碳原子的氟烷基取代的芳基；含有6-12个碳原子的氟芳基；通式为(CH₂)_nO(C_mH_2m+1)的醚，其中n和m独立地是1-20的数字；通式为(C_nH_xF_y)O(C_mH_wF_z)的氟醚，其中(x+y)＝2n，(w+z)＝(2m+1)，n和m每个独立地是1-20的数字；通式为(R⁷)₃SiO的甲硅烷基醚，其中R⁷每个独立地是含有1-20个碳原子的烷基或者含有6-12个碳原子的芳基；含有1-20个碳原子的烷氧基；和含有1-20个碳原子的酰胺，而且其中R⁴通过去除氢、原子或基团而与L连接； 

其中L是选自下列的配体：含有2-20个碳原子的烷基腈；通式为(R⁸)₃SiCN的甲硅烷基腈，其中R⁸每个独立地是含有1-20个碳原子的烷基、烷氧基或酰胺；含有1-20个碳原子的炔；通式为(R⁹)₃SiCCR¹⁰ 的甲硅烷基炔，其中R⁹每个独立地是含有1-20个碳原子的烷基、酰胺或烷氧基，R¹⁰是氢、含有1-20个碳原子的烷氧基、酰胺或烷基；通式为(R¹¹)₃SiCCSi(R¹¹)₃的甲硅烷基炔，其中R¹¹每个独立地是含有1-20个碳原子的烷基、酰胺或烷氧基；含有1-20个碳原子的烯烃、二烯或三烯；通式为(R¹²)₃SiCR¹³C(R¹³)₂的甲硅烷基烯烃，其中R¹²每个独立地是含有1-20个碳原子的烷基、烷氧基、芳基、乙烯基或者酰胺，R¹³ 每个独立地是氢、含有1-20个碳原子的烷基，或者含有6-12个碳原子的芳基；通式为(R¹⁴)₃SiCR¹³CR¹³Si(R¹⁴)₃的双(甲硅烷基)烯烃，其中R¹⁴每个独立地是含有1-20个碳原子的烷基、烷氧基或酰胺，R¹³每个独立地是氢原子或者含有1-20个碳原子的烷基；含有3-20个碳原子的丙二烯；通式为(R¹⁵)₂CCC(R¹⁵)₂的丙二烯，其中R¹⁵每个独立地是氢原子或者通式为(R¹⁶)₃Si的烷基硅烷，其中R¹⁶每个独立地是含有1-20个碳原子的烷基、酰胺或烷氧基；通式为R¹⁷NC的烷基胩，其中R¹⁷是含有1-20个碳原子的烷基；通式为(R¹⁸)₃SiNC的甲硅烷基胩，其中R¹⁸ 每个独立地是含有1-20个碳原子的烷基，和含有6-12个碳原子的芳基，而且其中L通过去除氢、原子或基团而与R⁴相连；和 

其中位于M和L之间的有机金属键选自两个单键或一个单键。 

在另一方面，提供了一种在基体上沉积含金属的膜的方法，包括：使基体接触具有上述通式(I)的金属配合物，其中该接触进行的条件足 以使该配合物反应并形成膜。 

在另一方面，提供了一种包含含金属的膜的电子器件，其中所述膜采用具有上述通式(I)的金属配合物来沉积。 

在又一方面，提供了一种制备具有上述通式(I)的金属配合物的方法，其中X是氧，包括：制备具有通式H₂NR⁴L的伯胺，其中R⁴和L如上所述；使通式为R¹C(O)CHR²C(O)R³的β-二酮和伯胺缩聚，形成具有通式R¹C(O)CHR²CNR⁴LR³并且R¹、R²、R³、R⁴和L如上所述的β-酮亚胺中间产物，并且在存在金属源的条件下用碱使该β-酮亚胺中间产物脱质子化，形成金属配合物。 

在另一方面，提供了制备具有上述通式(I)的金属配合物的方法，其中X是氧，包括：缩聚通式为H₂NR⁴的胺和通式为R¹C(O)CHR²C(O)R³ 的β-二酮，形成通式为R¹C(O)CHR²CN(R⁴)R³并且R¹、R²、R³和R⁴如上所述的第一中间β-酮亚胺产物；使配体(L)附着到该第一中间β-酮亚胺产物中的R⁴，得到通式为R¹C(O)CHR²CNR⁴LR³的第二中间β-酮亚胺产物，其中R¹、R²、R³、R⁴和L如上所述；在存在金属源的条件下用使该第二β-酮亚胺中间产物脱质子化，形成金属配合物。 

附图说明

图1提供了本文描述的金属配合物之一或Cu(MeC(O)CHC(NCH₂CH₂OSiMe₂(C₂H₃))Me)的示例性结构。 

图2提供了本文描述的金属配合物的另一实施方案或Cu(MeC(O)CHC(NCH₂CH₂NMeSiMe₂(C₂H₃))Me)的示例性结构。 

具体实施方式

下面将描述金属配合物，特别是铜(I)配合物及其制备和使用方法。金属配合物可以用作例如前体来通过各种沉积方法，包括CVD或ALD方法沉积金属膜或含金属的膜。 

本文描述的金属配合物由于具有独特的结构而具有一种或多种有利性质。和其它有机金属的金属前体相比，本文描述的金属配合物兼具相对高的热稳定性和相对高的化学反应能力，这两种性质的结合使其对作为CVD和ALD前体，尤其是ALD前体而言是理想的。对CVD系统而言，理想情况是前体仅仅在加热的基体表面上发生反应，而不是在输送蒸气和/或加工室中反应。对ALD系统而言，理想情况是金属前体在特定位置反应，同时不会受到在蒸汽输送和/或加工室中出现的不 希望的热老化的影响。本文所述金属配合物具有相对高的热稳定性，这使其能够以稳态蒸气形式输送到CVD或ALD反应器中。在这种连接方式下，我们相信由于配体L直接附着在酮亚胺或二亚胺配体上，所以配体不容易从金属中心(M)上离解下来成为游离分子，这样倾向于在低压和通常足以完全离解配体L的热量条件下，维持配体L和该金属中心的配位关系。这和L仅仅键合到金属中心的类似配合物相反。在可替换实施方案中，使酮亚胺或二亚胺配体与配体L缔合的取代基R⁴ 可以进行化学工程化处理，使得在正确工艺条件下这种缔合可以打破或者离解从而有效释放配体L。本文所用术语“缔合”是指用配体L连接酮亚胺或二亚胺配体，可以包括但不限于化学键(例如，共价键、氢键等)、静电引力、路易斯酸-路易斯碱相互作用，和/或其它方法。在这些实施方案以及足以释放配体L的工艺条件下，可以允许例如配合物歧化，形成金属膜或含金属膜。而且，R⁴和配体L的离解可以将前体缩减成小分子量单元，该单元在例如CVD或ALD反应器中处理的过程中更容易脱附。例如，如果前体和水充分反应，那么离解的结果就会是铜氧化物的生长以及释放出水解的小分子量挥发性配体片段。例如，金属配合物Cu(Me(C(O)CHC(NCH₂CH₂NMeSiMe₂(C₂H₃))Me)(其中配合物内的C₂H₃基团代表乙烯基)和水反应生成固体氧化亚铜，MeC(O)CH₂C(NCH₂CH₂NMeH)Me，和C₂H₃Me₂SiOH，后者耦合生成四甲基二乙烯基二硅氧烷。 

这些配合物的另一个独特特征在于它们能够提供在前体一个面上空间暴露更多的金属中心。典型的β-酮亚胺或β-二酮烯烃化合物是扁平分子，其中配位二酮盐(diketomate)或酮亚胺盐(ketoiminate)阴离子、金属中心和烯烃都位于同一平面内。与此不同，本文描述的配合物可以允许配合物的配位平面变成凸出的弓形，将金属中心越发推向配合物下面，从而使其暴露得更多，更容易到达表面和试剂分子。例如，在示例性金属配合物Cu(Me(C(O)CHC(NCH₂CH₂OSiMe₂(C₂H₃))Me)中，β-酮亚胺盐螯合环倾斜偏离铜烯烃配位三角形大约7度，从而使铜在分子下面暴露更多。对某些ALD和CVD类型的方法而言，这种暴露以及由此产生的空间访问(access)可能比较重要，因为这样有助于将其中包含的铜原子吸附到基体表面上。而且，通过控制R⁴缔合配体L的本质和长度，可以研发出构象相对拉紧的金属前体，从而提供 暴露的金属中心。通过化学断裂或离解R⁴与配体L的连接来释放应变，获得了相对高的反应性。换句话说，通过调整这些前体的结构，应该可能构建这种配合物，其内部应变可以通过断裂R⁴连接而释放，驱动分子分解成小的挥发性有机单元，同时提供空间暴露的金属中心从而获得高表面反应性和金属沉积。 

本文所述金属配合物具有如下通式(I)： 

在通式(I)中，M是选自Cu、Au、Ag、Co、Ru、Rh、Pt、In、Pd、Ni和Os的金属。在某些实施方案中，金属原子M是铜。在通式(I)中，X可以是氧，从而形成酮亚胺盐配合物，或者可替换地X可以是NR⁵，从而形成二亚胺盐配合物。在通式(I)中，取代基R¹、R²、R³和R⁵每个独立选自氢原子；卤素原子；通式NO₂的硝基；通式C_nH_2n+1的烷基，其中n是1-20之间的数字；通式C_nH_xF_y的氟烷基，其中(x+y)的和等于(2n+1)的和，而且n是1-20之间的数字；通式为(R⁶)₃Si的烷基硅烷，其中R⁶每个独立地是含有1-20个碳原子的烷基、烷氧基或酰胺；含有6-12个碳原子的芳基；含有6-12个碳原子的烷基取代的芳基；含有6-12个碳原子的氟烷基取代的芳基；含有6-12个碳原子的氟芳基；通式(CH₂)_nO(C_mH_2m+1)的醚，其中n和m独立地是1-20的数字；通式为(C_nH_xF_y)O(C_mH_wF_z)的氟醚，其中(x+y)＝2n，(w+z)＝(2m+1)，而且n和m每个独立地是1-20的数字；通式为(R⁷)₃SiO的甲硅烷基醚，其中R⁷每个独立地是含有1-20个碳原子的烷基或者含有6-12碳原子的芳基；含有1-20个碳原子的烷氧基；和含有1-20碳原子的酰胺。在通式(I)中，取代基R⁴选自通式为C_nH_2n+1的烷基，其中n是1-20的数字； 通式C_nH_xF_y的氟烷基，其中(x+y)的和等于(2n+1)的和，而且n是1-20的数字；通式为(R⁶)₃Si的烷基硅烷，其中R⁶每个独立地是含有1-20个碳原子的烷基、烷氧基或酰胺；含有6-12个碳原子的芳基；含有6-12个碳原子的烷基取代的芳基；含有6-12碳原子的氟烷基取代的芳基；含有6-12碳原子的氟芳基；通式为(CH₂)_nO(C_mH_2m+1)的醚，其中n和m独立地是1-20的数字；通式为(C_nH_xF_y)O(C_mH_wF_z)的氟醚，其中(x+y)＝2n，(w+z)＝(2m+1)，而且n和m每个独立地是1-20的数字；通式为(R⁷)₃SiO的甲硅烷基醚，其中R⁷每个独立地是含有1-20个碳原子的烷基或含有6-12个碳原子的芳基；含有1-20个碳原子的烷氧基；和含有1-20个碳原子的酰胺，而且其中R⁴中去除了氢、原子或基团后和L缔合。而且，在式(I)中，L是选自下列的配体：含有2-20个碳原子的烷基腈；通式为(R⁸)₃SiCN的甲硅烷基腈，其中R⁸每个独立地是含有1-20个碳原子的烷基、烷氧基或酰胺；含有1-20个碳原子的炔；通式为(R⁹)₃SiCCR¹⁰的甲硅烷基炔，其中R⁹每个独立地是含有1-20个碳原子的烷基、酰胺或烷氧基，而且R¹⁰是氢、含有1-20个碳原子的烷氧基、酰胺或烷基；通式为(R¹¹)₃SiCCSi(R¹¹)₃的甲硅烷基炔，其中R¹¹ 每个独立地是含有1-20个碳原子的烷基、酰胺或烷氧基；含有1-20个碳原子的烯烃、二烯或三烯；通式为(R¹²)₃SiCR¹³C(R¹³)₂的甲硅烷基烯烃，其中R¹²每个独立地是含有1-20个碳原子的烷基、烷氧基、乙烯基、芳基或酰胺，而且R¹³每个独立地是氢或含有1-20个碳原子的烷基；通式为(R¹⁴)₃SiCR¹³CR¹³Si(R¹⁴)₃的双(甲硅烷基)烯烃，其中R¹⁴ 每个独立地是含有1-20个碳原子的烷基、烷氧基或酰胺，而且R¹³每个独立地是氢原子或者含有1-20个碳原子的烷基；含有3-20个碳原子的丙二烯；通式为(R¹⁵)₂CCC(R¹⁵)2的丙二烯，其中R¹⁵每个独立地是氢原子、通式为(R¹⁶)₃Si的烷基硅烷，其中R¹⁶每个独立地是含有1-20个碳原子的烷基、酰胺或烷氧基；通式为R¹⁷NC的烷基胩，其中R¹⁷是含有1-20个碳原子的烷基；通式为(R¹⁸)₃SiNC的甲硅烷基胩，其中R¹⁸ 每个独立地是含有1-20个碳原子的烷基、酰胺或烷氧基；和含有6-12个碳原子的芳基，而且其中L去除了氢、原子或基团后与R⁴缔合。 

本文所用术语“烷基”包括直链、支链或环烷基，含有1-20个碳原子或者1-10个碳原子。示例性烷基包括甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、叔戊基、正戊基、正己基、 环戊基和环己基。术语“烷基”也应用到含在其它基团中的烷基部分，比如氟烷基、卤烷基、烷基芳基或芳基烷基。本文所用术语“芳基”包括具有芳族特性的6-12元碳环。示例性的芳基包括苯基和萘基。术语“烷基取代的芳基”是指用烷基取代的芳基部分。示例型的烷基取代的芳基包括甲苯基和二甲苯基。术语“卤”和“卤素”包括氟、氯、溴或碘。术语“氟烷基”是指其中一个或多个氢原子被氟卤素原子取代的烷基部分，可以是部分或全部氟化的，包括含有1-20个碳原子或1-10个碳原子的直链、支链或环氟化烷基。示例性的氟烷基包括-CF₃、-CF₂CF₃、-CH₂CF₃、-CF₂CFH₂或者-CH₂CF₂CF₃。在某些实施方案中，此处讨论的有些基团可以由一个或多个其它元素比如例如卤素原子或其它杂原子比如O、N、Si或S取代。 

在通式(I)中，选择取代基R⁴使其能够和配体L缔合。另外，选择配体L使其能和R⁴缔合。相信配体L和取代基R⁴都有氢、原子或基团被去除使得R⁴和L可以缔合，从而使配体L连接配合物的铜亚胺或二亚胺配体。在这种连接中，当L是甲硅烷基烯烃时，它的一个键可以与R⁴缔合。一个示例性实施方案如图1或Cu(Me(C(O)CHC(NCH₂CH₂OSiMe₂(C₂H₃))Me)。在该实施方案中，X是氧，L的通式为H₂C＝CHSiMe₂，R⁴是OCH₂CH₂，R³是氢，R¹和R²都是甲基。在另一个X是NR⁵的实施方案中，R⁵和L可以缔合。在这种实施方案中，配体L和取代基R⁵都具有氢、原子或基团被去除，使得R⁵和L能以R⁴ 和L相同的缔合方式缔合。 

在某些实施方案中，取代基R⁴也可以连接到取代基R¹、R²和/或R³ 上。在这些实施方案中，当R¹、R²和/或R³既不是氢原子、卤素原子，又不是硝基NO₂时，取代基R⁴可以仅仅和取代基R¹、R²和/或R³连接。 

在本文所述的某些配合物实施方案中，X是NR⁵而且R⁵可以是R¹、R²或R³表示的上述任何基团或原子。在这些实施方案中，配体(L)，或者可以是任何上述基团或原子的另外配体(L)，也可以附着到取代基R⁵ 以及取代基R⁴上。在这些实施方案中，相信至少一个配体L具有例如可用来和R⁵缔合的化合价，从而使配体L连接配合物的二亚胺配体。在这个或其它实施方案中，取代基R⁵也可以连接到R¹、R²、R³和/或R⁴ 的任何之一或全部，形成环形结构。在后一实施方案中，仅仅当R¹、R² 和/或R³既不是氢原子、卤素原子，又不是硝基NO₂时，或者可替换地 当R⁵是氢原子时，取代基R⁵和R¹、R²和/或R³连接。 

在某些实施方案中，取代基R⁴和/或任选的取代基R⁵(如果X是NR⁵)可以进行调整，使得配体L和相邻配体的金属中心而不是其自己的金属中心配位。在这些实施方案中，可以形成其它配合物例如但不限于二聚物、三聚物和四聚物配合物。 

在某些实施方案中，取代基R¹、R²和R³中的任何一个或全部可以独立连接形成环形结构。在某些实施方案中，R¹和R²和/或R²和R³可以独立连接形成环形结构。 

在某些实施方案中，本文所述金属配合物可以包含氟。在这些实施方案中，取代基R¹、R²、R³、R⁴和R⁵的任何之一或全部可以包含氟，比如例如氟烷基、氟烷基取代的芳基、氟芳基、烷基取代的氟烷基或者氟烷基取代的氟芳基。在可替换的实施方案中，本文所述金属配合物不包含氟。 

在一个实施方案中，通式(I)中的配体L可以是烷基腈，例如但不限于CH₂CN或者Me₂CH₂CCN。在关于L的本实施方案和前述实施方案中，定义配体L的基团去除了氢以使其可以和R⁴缔合。在可替换实施方案中，通式(I)的配体L可以是甲硅烷基腈，比如但不限于Me₂CH₂SiCN。在又一实施方案中，通式(I)中的配体L可以是炔，比如但不限于CH₂CCMe或者CH₂CCH。在另一实施方案中，通式(I)中的配体L可以是烯烃，比如但不限于Me₃CCHCH₂或Me(CH₂)₂CHCH₂。在另一实施方案中，通式(I)中的配体L可以是通式为(R⁹)₃SiCCR¹⁰或(R¹¹)₃SiCCSi(R¹¹)₃的甲硅烷基炔，比如但不限于Me₃SiCHCH、Me₂CH₂SiCHCHSiMe₃、(MeO)₂CH₂SiCHCH₂或者(EtO)₂CH₂SiCHCH₂。在又一实施方案中，通式(I)的配体L可以是丙二烯，比如但不限于CHCCCH₂或MeCCCMe₂。在另一实施方案中，通式(I)中的配体L可以是烷基胩，比如但不限于Me₂CH₂CNC。在前述通式和说明书全文中，术语“Me”表示甲基，“Et”表示乙基，“i-Pr”表示异丙基。 

在上述通式(I)中，金属中心和配体(L)之间的有机金属键或者是2个单键，或者是1个单键。 

在一个实施方案中，本文所述的其中X是氧的金属酮亚胺盐配合物的合成方式可以是将用基团L官能化的胺和β-二酮化合物反应形成β-酮亚胺中间产物。所述胺可以是例如通式为H₂NR⁴L的伯胺，其中R⁴和L可以是上述任一基团或原子。具有上述通式的伯胺的非限制型例子包括H₂NCH₂CH₂OSiMe₂(C₂H₃)。β-二酮可以是通式为R¹C(O)CHR²C(O)R³的化合物，其中R¹、R²和R³每个可以独立地是上述任一基团或原子。具有上述通式的β-二酮化合物的非限制性例子是2，4-戊二酮、1，1，1-三氟-2，4-戊二酮、2，4-己二酮和3，5-庚二酮。一个例子会是将胺H₂NCH₂CH₂OSiMe₂(C₂H₃)和2，4-戊二酮反应形成β-酮亚胺中间产物MeC(O)CH₂C(NCH₂CH₂OSiMe₂(C₂H₃))Me。一旦制备了β-酮亚胺中间产物，它发生脱质子化(即，去除酸性质子)，然后在存在碱的条件下和金属源络合，得到具有上述通式(I)的配合物。 

在另一实施方案中，其中X是如上所述NR⁵的本文所述金属二亚胺盐配合物的合成方式可以是首先如上所述制备β-酮亚胺中间产物，然后用烷化剂比如三乙基氧四氟硼酸盐或者二甲基硫酸盐对其进行处理，然后将所得化合物与其中R⁵如上所述的R⁵NH₂反应，得到β-二亚胺盐[R¹C(R⁵NH)CHR²C(NR⁴L)R³]⁺[V]^-作为第二中间产物，其中V是烷基化剂的共轭碱(例如，当采用三乙基氧

四氟硼酸盐时，V是四氟硼酸盐阴离子)。基团R⁵可以或不可以连接有基团L。所得β-二亚胺盐配体二次脱质子化，然后和金属源络合，得到具有上述通式(I)的配合物。 

胺和β-二酮化合物的反应可以在存在溶剂的条件下进行。合适的溶剂包括但不限于单独的醚(例如，二乙基醚(Et₂O)、四氢呋喃(“THE”)、二正丁基醚、1，4-二烷或者乙二醇二甲基醚)；腈(例如CH₃CN)；或者芳族化合物(例如，甲苯)或其混合物。在某些实施方案中，溶剂是THF。反应温度可以从-78℃到溶剂沸点。反应时间可以从大约0小时或者即刻到大约48小时，或者从大约4小时到大约12小时。在某些实施方案中，中间产物可以通过标准步骤比如蒸馏、升华色谱法、重结晶和/或研磨进行纯化。但是，在有些实施方案中，胺和β-二酮化合物的反应可以在没有溶剂的条件下进行，尤其是如果所得β-酮亚胺中间产物是液体的情况下。 

在某些实施方案中，β-酮亚胺或β-二亚胺中间产物直到最终的金属配合物可以是具有下列通式(II)、(III)或(IV)的下列三个互变异构体中的一个或多个： 

在上述通式中，变量R¹、R²、R³、R⁴、X和配体(L)可以每个独立地是本文所述的任何原子或基团。 

中间β-酮亚胺产物在和胺或氨反应得到β-二亚胺之前可能需要活化。例如，中间β-酮亚胺产物可能首先需要由三乙基氧四氟硼酸盐或二甲基硫酸盐烷基化。 

反应式(IV)给出了制备本文所述的金属或Cu(I)酮亚胺盐配合物的一个实施方案的例子。在该实施方案中，Cu(I)配合物通过采用一种或多种碱使由胺和β-二酮化合物反应所得的β-酮亚胺中间产物脱质子化，或者使由β-酮亚胺中间产物和胺或氨反应所得的β-二亚胺中间产物脱质子化，然后和Cu(I)螯合，分别得到β-酮亚胺或者β-二亚胺配合物。这个反应的非限制性例子示于下面的反应式(4)中，该反应式给出了β-酮亚胺Cu(I)配合物的制备过程： 

反应式(4) 

在反应式(4)中，β-酮亚胺中间产物是通式(VI)的化合物，其和碱即氢化钠以及铜(I)源即氯化铜反应，制成通式(I)的Cu(I)配合物以及氯化钠。可用于上述反应的其它碱包括但不限于氢化锂、正丁基锂、氢化钾、双(三甲基甲硅烷基酰胺)钠、二异丙基酰胺锂和叔丁醇钾等。其它可用于上述反应的铜(I)源包括但不限于溴化铜(I)、碘化铜(I)、三氟乙酸铜(I)、三氟甲基磺酸铜(I)苯(benxene)加合物、醇铜(I)、氨基化铜(I)、乙酸铜(I)、苯酚铜(I)、铜(I)乙酰胺和烃氧基铜(I)。在其中制备其它金属或混合金属配合物的实施方案中，金属源是含有所需金属M的一种或多种金属盐。金属或Cu(I)配合物的期望产率可以是理论产率的大约5％-大约95％。在某些实施方案中，最终产物或金属配合物，比如Cu(I)配合物，可以通过标准步骤比如蒸馏、升华、色谱法、重结晶和/或研磨进行纯化。 

可替换地，本发明的金属配合物的制备可以是首先合成其它类似的金属双(酮亚胺)和金属双(二亚胺)化合物，然后和金属源反应或用金属源将其还原。合成这些前体的其它可替换途径也是可行的，比如 在下面实施例中给出的非限制性案例所示。 

在可替换的实施方案中，β-酮亚胺中间产物可以直接和金属源，比如芳基铜(I)(例如

铜)或者醇铜(例如[CuOt-Bu]₄)发生反应，形成金属或Cu(I)配合物。在又一实施方案中，金属配合物可以在合适的电化学方法中由其组成部分，即β-酮亚胺中间产物和金属原子制备。这些相同合成途径可以用来合成金属二亚胺盐配合物。 

本方法的又一例子是乙醇胺(H₂NCH₂CH₂OH)和2，4-戊二酮反应，得到第一中间β-酮亚胺产物MeC(O)CH₂C(NCH₂CH₂OH)Me。该第一中间β-酮亚胺产物MeC(O)CH₂C(NCH₂CH₂OH)Me和氯二甲基乙烯基硅烷反应，得到第二中间β-酮亚胺产物MeC(O)CH₂C(NCH₂CH₂OSiMe₂(C₂H₃))Me。该第二中间β-酮亚胺产物脱质子化并与铜络合，得到配合物Cu(MeC(O)CHC(NCH₂CH₂OSiMe₂(C₂H₃)Me)。 

如前所述，本文所述金属配合物可用作前体用于在基体上沉积含铜的膜。合适基体的例子包括但不限于半导体材料比如砷化镓(“GaAs”)、硼氮化(BN)硅和含有硅的组合物，比如结晶硅、多晶硅、无定形硅、外延生长硅、二氧化硅(“SiO₂”)、碳化硅(“SiC”)、氧碳化硅(“SiOC”)、氮化硅(“SiN”)、碳氮化硅(“SiCN”)、有机硅玻璃(“OSG”)、有机氟硅酸盐玻璃(“OFSG”)、氟硅酸盐玻璃(“FSG”)，以及其它合适的基体或其混合物。基体还可以包括多重层，在这些层上可以施加膜比如例如减反射涂层、光刻胶、有机聚合物、多孔有机材料和无机材料、金属比如铜和铝，或者扩散阻挡层。金属配合物可以采用本文所述或本领域已知的任一技术沉积。示例性沉积技术包括但不限于化学气相沉积(CVD)、原子层沉积(ALD)、等离子体辅助化学气相沉积(PACVD)和等离子体改性化学气相沉积(PECVD)。 

在某些实施方案中，这些配合物可用来通过CVD或ALD与合适试剂反应生成金属或其合金的薄膜。在可替换的实施方案中，金属配合物可以通过歧化反应反应，提供金属膜或含金属的膜。在另一实施方案中，金属配合物可以在存在还原剂的条件下反应得到金属膜或含金属的膜。例如，在一个实施方案中，和卤素源试剂的反应可以形成金属卤化物的薄膜，然而在另一实施方案中，和合适氧化剂比如水蒸气的反应可以提供金属氧化物膜。在另一实施方案中，和氧化剂反应随 后再和还原剂比如氢反应，可以形成金属膜或金属/金属氧化物混合膜。可替换地，铜前体可以和由直接来自或者位于远程等离子体源下游的等离子体活化的试剂气体反应。本文所公开的金属配合物也可用于以某种组合和其它金属前体混合，形成金属薄膜、含金属的薄膜和/或金属合金膜。这些膜可以以沉积状态使用，或者可替换地可以用合适的还原剂还原成所需金属。 

在某些实施方案中，金属配合物采用CVD或ALD技术沉积在基体上。Cu(I)配合物的沉积可以在400℃或以下的温度，或者200℃或以下，或者100℃或以下进行。在典型CVD沉积方法中，将具有通式(I)的金属配合物引入反应室比如真空室中。在有些实施方案中，可以在引入金属配合物之前、之中和/或之后，引入其它除了该金属配合物以外的化学试剂。能源比如例如热能、等离子能或其它能源，为金属配合物和任选的化学试剂提供能量，从而在至少部分基体上形成膜。 

如前所述，在某些实施方案中，在将金属配合物引入反应室之前、之中和/或之后，可以引入化学试剂。化学试剂的选择可以依赖于所需最终膜的组成。例如，在一个实施方案中，和含卤素的化学试剂的反应可以形成金属卤化物的膜，但是在另一实施方案中，和氧化剂化学试剂的反应会形成金属氧化物膜。示例性的化学试剂包括但不限于氧化剂(即O₂、NO、NO₂、O₃、CO、CO₂等)；水；卤化物；含卤素的硅烷；烷基氯硅烷、烷基溴硅烷或烷基碘硅烷；卤化硅化合物，比如四氯化硅、四溴化硅或者四碘化硅；卤化的锡化合物，比如烷基氯锡烷、烷基溴锡烷或者烷基碘锡烷；锗烷化合物，比如烷基氯锗烷、烷基溴锗烷或者烷基碘锗烷；三卤化硼化合物，比如三氯化硼、三溴化硼或者三碘化硼；卤化铝化合物，比如氯化铝、溴化铝或者碘化铝；烷基铝卤化物；卤化镓比如三氯化镓、三溴化镓或者三碘化镓；或其组合。还可以预期，也可以使用上述化合物的衍生物。这些化学试剂可以直接以气体形式输送到反应室，以挥发性液体形式、升华的固体形式和/或由惰性载体气体输送到反应室中。惰性载体气体的例子包括氮气、氢气、氩气和氙气等。 

在某些实施方案中，金属膜可以通过歧化反应形成在基体表面上，比如下面反应式(5)所示的Cu(I)配合物。 

                     反应式5 

在另一实施方案中，在存在还原剂的条件下金属膜可以沉积在基体表面上，其中还原剂用来例如将膜还原成金属。具有通式(I)的金属配合物可以和还原剂一起引入CVD或ALD反应器中。还原剂通常以气体形式引入。合适还原剂的例子包括但不限于氢气、醇、氢等离子体、远程氢等离子体、硅烷类(即，二乙基硅烷、乙基硅烷、二甲基硅烷、苯基硅烷、硅烷、二硅烷、氨基硅烷)、硼烷类(即硼烷、二硼烷)、铝烷类、锗烷类、联氨类、氨或其混合物。 

在某些实施方案中，通过ALD沉积方法由通式(I)的Cu(I)配合物沉积金属膜。在典型ALD方法中，一种或多种气态或蒸气态前体在加工循环里以交替脉冲方式引入加工室中，在该加工室里装有基体。优选每个加工循环通过吸附并优选通过化学吸附形成不超过大约一个单层的材料。用来生长该层的加工循环的数目取决于所需的厚度，但通常可以超过1000个循环。对于半导体器件而言，重复加工循环直到双重金属镶嵌结构中阻挡层或籽晶层的厚度足以执行其所需功能为止。 

在ALD方法中，基体的温度设置在便于化学吸附的范围，即低到足够维持所吸附的物质和下面基体之间的键合不受影响同时却高得足以避免前体缩聚并为每个加工循环的所需表面反应提供足够的活化能。加工室温度可以是0℃-400℃，或者0℃-300℃，或者0℃-275℃。在ALD方法中加工室中的压力可以是0.1-1000托，或者0.1-15托， 或者0.1-10托。但是，应该理解对任何具体ALD工艺而言温度和压力可以变化，具体取决于所涉及的一种或多种前体。 

可以单独使用或组合使用本文所述的前述成膜方法以及本领域已知的其它成膜方法中的任何一个。例如，在一个实施方案中，通过顺序沉积氧化铜膜和铜金属膜然后将该多层进行还原得到纯铜膜，可以形成混合组成的含铜膜。 

在某些实施方案中，本文所述金属配合物可以溶解在合适溶剂中形成溶液，所述溶剂比如胺(例如，三乙基胺)、醚(例如THF)、芳族(例如甲苯)或任何本文公开的其它溶剂。所得溶液可以在直接液体注入(DLI)系统中闪蒸后以蒸气形式输送到ALD或CVD反应室中。在其它实施方案中，本文所述配合物可以在引入DLI系统之前溶解在稳定液体比如烯烃或炔里。 

实施例 

在下列实施例中，采用配有HP-5MS的惠普5890系列11G.C和5972系列质量选择探测器测量试样的G.C.M.S图谱。用Bruker AMX500分光计在500MHz时进行试样的NMR分析。由C₆D₆设置化学位移，1H的为7.16ppm，¹³C的为百万分之128.39(ppm)。采用配备了APEX CCD探测器和Kryoflex低温保持器的Bruker D8平台衍射仪进行X射线分析。 

实施例1：合成H₂NCH₂CH₂OSiMe₂(C₂H₃) 

80.0ml(0.57mol)氯二甲基乙烯基硅烷和79.0ml(0.57mol)三乙基胺与2.0升干己烷混合在一起，在氮气气氛下于室温强力搅拌。在1小时的时间里缓慢加入35.0ml乙醇胺(0.57mol)，得到白色粘稠浆料。在氮气氛下过滤出固体三乙基胺盐酸盐，用另外1.0升干己烷清洗。然后在大气压下从产物中蒸馏出己烷，得到58.0g(70％)产物。产物的NMR结果如下： 

¹H NMR：(5O0MHz，C₆D₆)：δ＝0.15(d，6H)，δ＝2.8(q，2H)，δ＝3.5(t，2H)，δ＝5.75(dd，1H)，δ＝5.94(dq，1H)，δ＝6.17(dq，1H). 

实施例2：合成MeC(O)CH₂C(NCH₂CH₂OSiMe₂(C₂H₃))Me 

将58.3g(0.40mol)H₂NCH₂CH₂OSiMe₂(C₂H₃)缓慢逐滴加入到处于室温并且存在过量硫酸钠而且处于搅拌状态下的250ml THF中，其中该THF中含有40g(0.40mol)的2，4-戊二酮。搅拌混合物4小时，然后 在真空下汽提去除THF。然后在120℃/20mTorr下蒸馏残油，得到35g最终产物(43％产率)。产物的NMR结果如下： 

¹H NMR：(500MHz，C₆D₆)：δ＝0.15(s，6H)，δ＝1.40(s，3H)，δ＝2.0(s，3H)，δ＝2.8(q，2H)，δ＝3.27(q，2H)，δ＝4.9(s，1H)，δ＝5.75(m，1H)，δ＝5.95(m，1H)，δ＝6.1(m，1H). 

实施例3：合成Cu(MeC(O)CHC(NCH₂CH₂OSiMe₂(C₂H₃))Me) 

将17.0g(0.075mol)MeC(O)CH₂C(NCH₂CH₂OSiMe₂(C₂H₃))Me溶解在10.0ml干四氢呋喃(THF)溶剂中，在氮气气氛下在1小时的时间里加入到处于搅拌状态的100ml干THF中，其中该THF中含有2.5g(40％过量，1.04mol)氢化钠，然后在室温下搅拌过夜。在氮气气氛下过滤该混合物，然后在1小时的时间里缓慢加入到氮气气氛下于0℃在10ml干THF中搅拌的7.5g(0.075mol)铜(I)氯化物中，随后使该混合物加热到室温并搅拌过夜。然后在真空下汽提去除THF，在过滤前加入500ml去氧的干己烷中，搅拌10分钟。在真空下汽提去除己烷后，得到了浅蓝色晶体状的粗产物，产率15.8g(73％)。在20mTorr和70℃下升华后得到近乎无色的、熔点为72.5℃的晶体升华物。升华的晶体进行了X射线分析，最终结构如图1所示。产物的NMR结果如下： 

¹H NMR：(500MHz，C₆D₆)：δ＝0.10(d，6H)，δ＝1.53(s，3H)，δ＝2.14(s，3H)，δ＝3.1(bs，1H)，δ＝3.35(bs，1H)，δ＝3.55(bs，1H)，δ＝3.65(dd，1H)，δ＝3.72(bs，1H)，δ＝3.83(dd，1H)，δ＝4.1(dd，1H)，δ＝4.96(s，1H)；¹³CNMR：(500 MHz，C₆D₆)：δ＝-2.8(s，1C)，δ＝0.3(s，1C)，δ＝22.5(s，1C)，δ＝27.9(s，1C)，δ＝57.1(s，1C)，δ＝65.3(s，1C)，δ＝79.8(s，1C)，δ＝83.2(s，1C)，δ＝98.3(s，1C)，δ＝169.2(s，1C)，δ＝181.4(s，1C). 

实施例4：Cu(MeC(O)CHC(NCH₂CH₂OSiMe₂(C₂H₃))Me)的可替换合成方式 

这种合成分两部分进行： 

部分(a)：合成MeC(O)CH₂C(NCH₂CH₂OH)Me 

将100.0g(1.0mol)2，4-戊二醇缓慢加入到600ml强力搅拌的己烷中，其中该己烷中含有61.0g(1mol)乙醇胺和100g硫酸钠干燥剂。混合物最终变成固体物质，倒掉己烷层。然后加入600ml的THF，搅拌下缓慢加热该混合物直到除硫酸钠以外的所有固体溶解。然后倒掉THF层，缓慢冷却过夜以结晶。然后倒掉液体层，吸干固体。产率为87g或者61％。NMR结果表明是中间产物： 

¹H NMR(500MHz，C₆D₆)：δ＝1.41(s，3H)，δ＝2.0(s，3H)，δ＝2.76(q，2H)，δ＝3.33(t，2H)，δ＝4.83(s，1H)，δ＝11.15(bs，1H). 

部分(b)：合成Cu(MeC(O)CHC(NCH₂CH₂OSiMe₂(C₂H₃))Me) 

将40g(0.28mol)的MeC(O)CH₂C(NCH₂CH₂OH)Me在氮气氛下溶解在500ml的干THF中，在1小时的时间里缓慢加到在250ml的THF里搅拌着的6.7g(0.28mol)氢化钠中。发现形成了氢气，而且混合物变成白色粘稠浆料。在1小时的时间里加入112ml的2.5M正丁基锂(0.28mol)，此时加入250ml额外的THF，以便更好地混合。搅拌所得淡黄色悬浮液两个多小时，随后在30分钟的时间里加入33.6g(0.28mol)氯二甲基乙烯基硅烷，继续搅拌混合物2小时。然后在氮气气氛下将该粘稠悬浮液在1小时的时间里逐滴加入到处于搅拌状态的50ml干THF中，所述THF为0℃而且含有29g(0.28mol)铜(I)氯化物。然后加热混合物到室温，并搅拌过夜。然后在真空下汽提去除THF，在氮气气氛下加入500ml干己烷，搅拌混合物10分钟，然后从固体中过滤出己烷。在固体中加入另外500ml的己烷，加热到45℃并搅拌45分钟，然后过滤并和第一次提取的己烷合并在一起。在真空下汽提去除己烷，得到52.0g淡蓝色粗晶体产物，百分比产率为64％。然后在70℃和20mTorr下升华纯化粗产物。 

实施例5：合成MeC(O)CH₂C(NCH₂CH₂NMeH)Me 

在30分钟的时间里将20.0g(0.2mol)2，4-戊二醇逐滴加入到处于搅拌状态的200ml THF中，其中该THF中含有14.8g(0.2mol)N-甲基亚乙基二胺和36g硫酸钠干燥剂。混合物变成黄色，在室温下搅拌2天。然后倒掉THF层，在干燥的2A分子筛上保存过夜，然后在真空下汽提去除THF，得到金棕色油。产率为25.5g或者82％。产物的NMR结果是： 

¹H NMR(500MHz，C₆D₆)：δ＝1.45(s，3H)，δ＝2.03(s，3H)，δ＝2.05(s，3H)，δ＝2.25(t，2H)，δ＝2.74(q，2H)，δ＝4.88(s，1H)，δ＝11.1(bs，1H). 

实施例6：合成MeC(O)CH₂C(NCH₂CH₂NMeSiMe₂(C₂H₃))Me 

将51.0g(0.327mol)的MeC(O)CH₂C(NCH₂CH₂NMeH)Me在1小时的时间里加入到处于氮气气氛下搅拌的1升干THF中得到奶油色的粘稠悬浮液，其中该THF中含有13.1g(0.327mol)的氢化钾。在30分钟的 时间里向其中加入45ml(0.327mol)的氯二甲基乙烯基硅烷，然后继续搅拌混合物2小时。然后在真空下汽提去除THF，加入1升干己烷，搅拌10分钟。然后过滤该悬浮液，用50ml另外的己烷清洗该固体3次。将所有己烷清洗物合并起来，然后汽提得到62.3g或者80％产率的金棕色油，然后在120℃和20mTorr下真空蒸馏该油。产物的NMR结果是： 

¹H NMR(500MHz，C₆D₆)：δ＝0.18(s，6H)，δ＝1.44(s，3H)，δ＝2.04(s，3H)，δ＝2.24(s，3H)，δ＝2.57(t，2H)，δ＝2.71(q，2H)，δ＝4.9(s，1H)，δ＝5.7(dd，1H)，δ＝5.94(dd，1H)，δ＝6.2(dd，1H)，δ＝11.1(bs，1H). 

实施例7：合成Cu(MeC(O)CHC(NCH₂CH₂NMeSiMe₂(C₂H₃))Me) 

将6.1g(0.025mol)的MeC(O)CH₂C(NCH₂CH₂NMeSiMe₂(C₂H₃))Me在30分钟的时间里在氮气气氛下加入到处于搅拌状态的175ml的干THF中，并搅拌2小时，其中所述THF中含有1.02g(0.025mol)氢化钾。然后过滤该略微混浊的溶液并在3小时的时间里逐滴加入到处于氮气气氛下并不断搅拌的10ml干THF中，所述THF处于0℃并含有2.5g(0.025mol)的铜(I)氯化物中。然后加热混合物到室温过夜。然后在真空下汽提该THF，然后在氮气气氛下加入200ml的干己烷，混合物搅拌5分钟然后过滤。汽提除去己烷后得到6.3g浅碧绿色晶体粗产物，或者83％的产率，然后在75℃和20mTorr下升华纯化。产物熔点是86℃。升华后的晶体进行了X射线分析，结果如图2所示。产物的NMR结果如下： 

1H NMR：(500MHz，C₆D₆)：δ＝0.05(bs，6H)，δ＝1.65(s，3H)，δ＝2.16(s，3H)，δ＝2.27(s，3H)，δ＝2.47(bs，1H)，δ＝2.76(bs，1H)，δ＝3.11(bs，1H)，δ＝3.21(bs，1H)，δ＝3.78(dd，1H)，δ＝4.0(dd，1H)，δ＝4.21(dd，1H)，δ＝5.01(s，1H)；和¹³CNMR：(500 MHz，C₆D₆)：δ＝-0.05(bs，1C)，δ＝-2.5(bs，1C)，δ＝23.4(s，1C)，δ＝27.9(s，1C)，δ＝34.9(s，1C)，δ＝51.6(s，1C)，δ＝53.0(s，1C)，δ＝81.2(s，1C)，δ＝84.1(s，1C)，δ＝170.1(s，1C)，δ＝180.8(s，1C). 

实施例8：Cu(MeC(O)CHC(NCH₂CH₂NMeSiMe₂(C₂H₃))Me)的可替换合成方式 

将1.625g(0.0104mol)的MeC(O)CH₂C(NCH₂CH₂NMeH)Me在30分钟的时间里在氮气气氛下加入到在100ml的干THF里搅拌的0.417g(0.0104mol)氢化钾中，得到白色粘稠膏。在5分钟的时间里 向其中加入4.2ml的2.5M正丁基锂(0.0104mol)，得到清澈的黄色/桔黄色溶液。在溶液中加入1.4ml的氯二甲基乙烯基硅烷(0.01mol)。混合物此时变成混浊状，再搅拌20分钟。然后将所得浆料在30分钟的时间逐滴加到氮气气氛下的5ml干THF中，其中该THF处于0℃并搅拌有1.04g(0.0104mol)铜(I)氯化物，然后加热到室温并搅拌过夜。在真空下汽提除去THF，在氮气气氛下加入100ml干己烷。过滤混合物，然后汽提己烷，得到粗产物，或者Cu(MeC(O)CHC(NCH₂CH₂NMeSiMe₂(C₂H₃))Me)，该产物从GCMS得到了鉴定。 

Claims (3)

1.金属配合物，其选自：

Cu(MeC(O)CHC(NCH₂CH₂OSiMe₂(C₂H₃))Me)；和

Cu(MeC(O)CHC(NCH₂CH₂NMeSiMe₂(C₂H₃))Me)。

2.Cu(MeC(O)CHC(NCH₂CH₂OSi Me₂(C₂H₃))Me)。

3.Cu(MeC(O)CHC(NCH₂CH₂NMe SiMe₂(C₂H₃))Me)。