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CN1980720B - 多孔陶瓷体及其生产方法 - Google Patents

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CN1980720B CN2004800196238A CN200480019623A CN1980720B CN 1980720 B CN1980720 B CN 1980720B CN 2004800196238 A CN2004800196238 A CN 2004800196238A CN 200480019623 A CN200480019623 A CN 200480019623A CN 1980720 B CN1980720 B CN 1980720B
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Abstract

本发明涉及一种用于生产多孔陶瓷体的方法以及相应的该陶瓷体的应用，特别是在错流过滤中用作过滤器或者过滤膜的陶瓷体。根据本发明，双峰陶瓷粉末的混合物模压成型得到模件，随后通过高温处理进行重结晶，使细颗粒熔化并且通过随即沉积将粗颗粒链接在一起，这样，在所限定的区域(2，3)就形成具有颗粒尺寸和微孔尺寸几乎一致的均匀结构的多孔陶瓷体，其中，所述的微孔提供了相互连接、开放的三维网络。

Description

多孔陶瓷体及其生产方法
技术领域
本发明涉及一种制造多孔陶瓷体的方法，尤其涉及过滤膜和多孔陶瓷体的制造方法以及多孔陶瓷体在过滤器中的应用，特别是在所谓的错流过滤器中的应用。
背景技术
在广泛的工业领域中，例如化学工程、食品技术等领域，液体物质流(流体)需要进行过滤，根据需要被过滤的物质粒度大小，区分为微孔过滤(MF)、超滤(UF)和纳滤(NF)。要被过滤的颗粒越小，对于所采用的过滤技术和过滤膜的要求越高。
对于MF、UF和NF过滤应用，所谓的错流过滤是现有技术中已知的，在现有技术中，要被过滤的物质流平行于过滤表面而流动。在错流过滤的压力驱动分离过程中，过滤膜把要过滤的物质流分成两股流，也就是净化流和第二流，净化流即所谓的滤出液或渗透液，第二流即所谓的残余流或滞留物。
通过滤出液或渗透液相对于原料流或过滤膜的垂直转向作用，在错流过滤中可区分为两种速度，更准确地说可区分为垂直于过滤表面的滤出液的速度以及平行于过滤表面的错流速度。在错流过滤中，滤出液的速度与错流速度之比的优化尤其重要。错流速度是在过滤器的入口和出口的物质流速度的平均值，在已知的工业应用中，该错流速度在每秒1米至10米之间变化，其TMP(参见下文)为2.5巴，在水上的试验中得到MF膜和UF膜的流量大约为每小时每平方米500至2500公升，这些滤膜的微孔尺寸为0.1至1.5μm。根据过滤器应用的情况，通常所确定的流量为每小时每巴每平方米50至500公升。
错流速度的增加通常会因更高的切变速率而导致流量的增加，这可更加有效地促进从物质流中去除颗粒，这是因为在过滤膜表面形成了动态层。但是，在这点上所存在的缺陷是错流速度的提高伴随着对抽吸要求的提高。
假设一个给定的过滤表面并且其它方面的条件相同，则滤出液的速度直接取决于所施加的穿过过滤膜的压力，即所谓的TMP(穿过滤膜的压力)。TMP通常为5巴，但是，已有使用过滤膜在高于10巴进行连续工作的例外情况。
对于给定的流体且其它方面的条件不变，用于错流过滤的理想过滤膜表现为一条线性的流量/寿命曲线。
在特殊应用中，所述的错流过滤器也可通过关闭过滤器出口用作所谓的尽头过滤器。
在错流过滤器中用作MF膜和UF膜的陶瓷膜已为公众所知。这些陶瓷膜通常由元素铝、硅、钛和锆的氧化物或者其混合物组成。在这点上，所述的过滤膜设置在所谓的过滤器载体上，这些载体由相同的氧化物或其它陶瓷制成，例如堇青石和碳化硅。
氧化物陶瓷膜或者所谓的白色膜以许多层的形式被烧结在过滤器载体上，各层的粒度变得越来越细.以这种方式制备的氧化物陶瓷的白色陶瓷膜具有连续且较宽的细小颗粒的粒度分布，每一层内具有微米级、亚微米级或者纳米级的细小颗粒.这也会产生非常宽的粒度分布，尤其是形成非常窄的微孔通道的大量细孔，这些微孔通道在烧结过程中被一部分熔融相部分封闭，这导致所谓的尽头，并且抵消部分滤膜上的优良过滤性能.这尤其会导致流经这种滤膜的流量受限制，从而需要在抽吸上花费更多的能量，以使MF过滤和UF过滤在TMP为2至5巴时可得到每秒2至8米的上述错流速度.
为了克服这些问题，自从知道如何制作用于过滤膜的SiC载体以来，人们已试图采用诸如SiC之类的非氧化物陶瓷的所谓黑色膜替代氧化物陶瓷的所谓白色膜，所述的SiC载体具有很大的微孔，但微孔的尺寸分布较窄(参见图2，左下部)。在WO 03/024892中记载了生产带有SiC滤膜的相应过滤装置的方法。在该方法中，粒度为1-475μm的初始α-SiC颗粒、不是SiC化合物的硅原料，粒度为1×10-5至20μm的有机颗粒以及至少一种有机粘结剂被模压成型以形成生坯，然后烘干，并且在保护气氛下于炉中进行热解，以使有机粘结剂转化成碳粘结剂，因而使碳粘结剂与熔融的硅原料反应生成细小的纳米级β-SiC颗粒，该纳米级β-SiC颗粒随后在非常高的温度下转化成非常细的纳米级α-SiC颗粒，该纳米级α-SiC颗粒最终在初始α-SiC颗粒的边界形成链接。该方法由于大量的起始原料以及高烧结温度致使其成本很高，并且还具有缺陷即几乎不能获得任何合适的硅原料物质，这是因为硅在粒度小于6μm时是易燃的，而且，在磨碎过程中必须避免其含量超过100g/m3空气。此外，已经得知在采用该方法生产过滤器载体时，在热解过程中形成的含碳化合物或者纳米SiC颗粒在用于过滤器载体重结晶的通常温度范围内没有表现出充分的重结晶，因此，由于在微孔间隙中的残余细颗粒的作用，所形成的陶瓷体的强度和流过陶瓷体的渗透能力被削弱，无法生产有用的过滤器载体。
所述的SiC初始颗粒的粒度范围1-475μm对于MF滤膜和UF滤膜的生产而言过于粗大。而且，含金属的硅和碳载体的所述方法不适用于过滤膜的生产，这是因为采用这种方法的原料的完全重结晶所需的温度比用于滤膜的均匀细小的α-SiC颗粒的选择性设置所需的温度要高得多，因此，滤膜层中的大颗粒生长就不可避免。大颗粒生长的实例如图6所示。
在WO92/11925中记载了生产SiC膜的另一种方法。但是，在该方法中，采用所谓的粘结剂颗粒，该粘结剂颗粒的烧结温度比待链接的SiC颗粒的烧结温度低得多，这是不可能的，其原因很简单，因为纯SiC没有熔点，但是，陶瓷颗粒的部分熔化是烧结的准确特征(烧结SiC时，加入所谓的烧结助剂即铝、硼和碳是必要的，这些烧结助剂产生少量的熔融相。其目标总是得到致密材料，该致密材料可通过约20％的收缩来实现，但是，这完全不适于作过滤器之用)。
但是，SiC在相应的高温下通过表面扩散或气体传输进行重结晶，即：细颗粒能量不利而融化，且该物质体积不变地再次沉积在能量更有利的位置上，尤其是在两个大颗粒相接触的位置。
RSiC通常表示100％的α-SiC的重结晶多孔材料，以区别于SSiC(经烧结、带烧结助剂、通常致密的SiC材料)、与氧化物结合的SiC材料或者与氮化物结合的SiC材料或者具有不同特点的其它粘结剂相的此类材料。
但是，根据WO 92/11925，采用化学性质不同的粘结剂颗粒存在着对环境的影响和腐蚀的抵抗被削弱的缺陷，该缺陷对于用作过滤材料是一个不利的事实.此外，过滤颗粒和粘结剂材料的化学差异也会导致粘结质量和过滤体强度方面的问题.而且，使用不同材料也会在制造过程中产生困难，这是因为杂质会导致低共熔的出现，而低共熔也是过滤体形成所不期望的.此外，由于在过滤体中的粘结剂材料的烧结作用以及由此所致的该材料的相应熔化作用，采用该方法存在玻璃相，该方法导致微孔通道的封闭，并在过滤体中形成死区，这会负面地影响过滤性能.
在现有技术的这两篇文献中，在一般性列表的上下文中，明显提到SiC滤膜只作为其它可能的情况，相反，尤其重要的关键参数，例如初始颗粒的粒度分布、重结晶过程中的温度控制以及所得到的过滤性能都没有体现。
发明内容
因此，本发明的目的是制造多孔陶瓷体，尤其是用于错流过滤的SiC滤膜，所述的陶瓷体具有高强度、优良的过滤性能和优良的抗环境影响性能。此外，该多孔陶瓷体的制造简单而高效，所述的陶瓷体既具有较长的使用寿命又具有最大可能的过滤性能。
本发明目的是通过以下方法、多孔陶瓷体以及过滤器来实现。
一种用于生产多孔陶瓷体，尤其是过滤膜的方法，包括以下步骤：
A)选择具有第一粒度级的第一陶瓷粉末(粗颗粒)；
B)选择具有第二粒度级的第二陶瓷粉末(细颗粒)，其粒度远远细于第一粒度级；
其中，所述的第一陶瓷粉末和第二陶瓷粉末除了不可避免的杂质以外基本上全部采用α-SiC作为陶瓷颗粒；
C)混合上述两种陶瓷粉末以形成具有双峰粒度分布的粉末，将该混合粉末模压成型；以及
D)在一温度下，对上述模压件进行加热并处理一段时间，这样，通过所述模压件的重结晶，具有第二粒度级的颗粒融化，并且通过将第二陶瓷颗粒粘附到第一陶瓷颗粒上，该第一粒度级的陶瓷颗粒相互牢固链接；
沿着陶瓷层方向采用不同粒度的陶瓷颗粒，尤其是逐渐减小的平均粒度，重复步骤A)至D)，使得产生横穿陶瓷体各层的平均粒度的梯度。
一种多孔陶瓷体，尤其是根据本发明方法生产的多孔陶瓷体，该多孔陶瓷体具有相互连接、开放微孔的基本均匀的结构以及陶瓷颗粒，该陶瓷颗粒基本呈圆形，所述陶瓷体和微孔基本上至少在窄的粒度或微孔尺寸的限定范围内，其特征在于：窄粒度分布或微孔尺寸分布的限定范围作为位于粗的多孔载体之上或者尤其在粗的多孔载体的微孔通道中的滤膜层而存在，并且所述的陶瓷体中除了不可避免的杂质以外全部为重结晶的RSiC。
具有如前所述的陶瓷体的过滤器，尤其是错流膜过滤器，其中陶瓷体尤其是一种SiC膜，该SiC膜位于粗的多孔载体之上，尤其是SiC载体之上，优选地采用如前所述的方法进行制造。
根据本发明，多孔陶瓷体通过制备具有双峰粒度分布的SiC颗粒的粉末混合物以及将该粉末混合物模压成型为所要求的形状而制得，该多孔陶瓷优选为SiC，具有坚固的、一致的、均匀分布的孔隙，所述的孔隙在三维微孔网络中具有连续且尺寸大致相同的微孔.正如下文将要更详细地描述的那样，两个粒度级是必须的，第一粒度级优选地具有一个限定的上限粒度和一个限定的下限粒度，第二粒度级优选地具有至少一个限定的粒度上限.诚然，在这两种粒度级之间存在一定的交叉区.在随后的温度控制过程中发生重结晶，所述的第二粒度级优选相对较小的粒度，其颗粒在有利于大颗粒的结晶过程中消失，因而在大颗粒之间产生连接，在大颗粒之间形成大小一致的微孔，在其形成过程中，体积不变.这样，就形成了非常均匀的多孔陶瓷体，该多孔陶瓷体具有开放的孔隙，而没有死区，这理想化地适用于过滤器.所述的两种粒度级可各自优选地采用很窄的粒度分布带，该粒度分布带符合针对达到F1200(3μm)的颗粒的DIN ISO 8486-2的国际标准以及针对达到JIS 8000(1μm)的颗粒的JIS R6001标准。大粒度与小粒度之比决定陶瓷体成品中的颗粒的平均粒度以及微孔的平均尺寸，因此，在粒度分布带较窄的情况下可得到很窄的微孔尺寸分布和粒度分布。但是，也有可能粗粒度级和细粒度级由几个粒度级组成，所述的粗粒度级和细粒度级在重结晶过程中完全消耗，其中的重要因素尤其是粗粒度级的最细颗粒与细粒度级的最粗颗粒的粒度之比。细颗粒也可以是具有较宽粒度分布但清楚限定粒度上限的所谓普通等级。在重结晶之后，颗粒的粒度和微孔的尺寸均在非常窄的限定范围内变化。此外，重结晶的影响是多孔陶瓷体成品的颗粒呈圆形，这样可积极地影响相应的滤膜的过滤性能和使用寿命。
优选地，以上更为详细描述的双峰陶瓷体混合物的生产利用两批陶瓷粉末，所述陶瓷粉末具有第一平均粗粒度级(粗颗粒)和第二平均细粒度级(细颗粒)，此外，它们还具有限定的最大和/或最小粒度，参见针对达到F1200(3μm)的颗粒的DIN ISO 8486-2的国际标准以及针对达到JIS8000(1μm)的颗粒的JIS R6001的标准。即使具有同样窄的粒度分布带的更细的粉末也可从不同的制造商获得：JIS 9000(d50＝0.75μm)、JIS 10000(d50＝0.60μm)或者JIS 20000(d50＝0.40μm)。在标准中，除了平均粒度d50之外，还定义了粒度上限(d3)和粒度下限(d94)。由于所述颗粒的粒度上限和下限(粒度级)的作用，多孔陶瓷体成品中所得的粒度以及微孔的尺寸仍都被限定在较窄的范围内。这样，形成具有均匀一致的可设定、可调节的微孔和粒度的滤膜就成为可能。
第一陶瓷粉末与第二陶瓷粉末之间，也就是粗颗粒与细颗粒之间，其粒度之比优选为6∶1至2∶1之间，更优选为4∶1至3∶1之间。由于适用的第二颗粒的可获得性，为了得到非常细的第一颗粒，所述的比例限定为2∶1。第一颗粒与第二颗粒的混合比为6∶1至1∶1，优选为4∶1至2∶1。如上面已经提到的那样，由于粒度比和/或混合比，成品中的粒度变化也可调整到起始粒度或者与微孔尺寸相关的粒度。有益的组合是每个都取决于所期望的微孔尺寸并且被选择以使未烧结的滤膜获得尽可能高的填充密度。过小或过大的细颗粒粒度级会降低重结晶之后的强度；或者由于重结晶时可获得过小的细颗粒，或者由于细颗粒的粒度级过高而阻碍第一SiC粗颗粒之间的直接接触并导致具有大孔的更高的孔隙率。
在本方法的优选实施方案中，多孔陶瓷体的几个层按照本发明的方法接连沉积，因此，可在层内调整平均粒度或微孔尺寸的梯度。这样，在粗的多孔基板上，例如在过滤载体上，形成具有递减的孔径和粒度的滤膜是可能的。
采用本发明的方法，使用非氧化物陶瓷，尤其是SiC(α-SiC)用于滤膜的制造是可能的，所述的滤膜能形成一致的、相互连接的三维微孔结构。
优选地，本发明的方法中的陶瓷粉末混合物经处理形成泥浆或者浆液，并通过湿式成型的方法形成生坯，例如浇铸.在烘干阶段之后，所述生坯进行重结晶，其温度和热处理的时间取决于所选择的粒度.例如，对于一个三层滤膜的制造而言，陶瓷粉末的第一层的第一颗粒的平均粒度在6.5至23μm之间，第二层的第一颗粒的平均粒度在1至9μm之间，第三层的第一颗粒的平均粒度在0.5至2μm之间，而根据粗颗粒的粒度级，相应地选择在0.3至2.0μm的范围内的细颗粒.相应层的粒度越小，重结晶所选的温度越低，热处理的时间越短，对于所述层的指导性数据是：用于第一层的数据是在1950℃90分钟，用于第二层的数据是在1800℃60分钟，用于第三层的数据是在1750℃30分钟.
由于温度和保温时间取决于所用的陶瓷颗粒的粒度，该陶瓷颗粒优选为α-SiC颗粒，因此，确切的温度和保温时间只能根据具体情况而定，同时选择正确的温度和保温时间应保证多孔陶瓷体成品中细的第二颗粒完全消失并且没有出现巨大颗粒的生长(过度烧结)。因此，温度和时间必须在这两种极端之间选择，使滤膜层中的颗粒尽可能圆，参见图2和3。
因此，采用本发明的方法可提供正确的温度控制，以形成多孔陶瓷体或者过滤器，尤其是错流膜过滤器或者具有尺寸基本一致的微孔和颗粒的均匀结构的滤膜，所述的微孔存在于相互连接的三维网络中，并且由于重结晶，陶瓷颗粒基本呈圆形。
本发明的陶瓷体的一个优点是在重结晶过程中没有熔融相出现，因此该陶瓷体基本不含玻璃相或者熔融相，而现有技术中由于部分熔融颗粒的存在就会在烧结过程中形成玻璃相或者熔融相。本发明的陶瓷体的特点还表现在：由于重结晶的作用，非氧化物陶瓷颗粒，尤其是SiC(α-SiC)，不是无定形状态的，而是几乎100％为晶体状态。
因此，可形成具有限定的微孔尺寸和限定粒度的多孔陶瓷体，该多孔陶瓷体具有一致的开孔网络，其孔隙率为35％至65％，优选为50％(该孔隙率从光学显微镜图像估算得到)，其仅由α-SiC制成，该α-SiC作为滤膜涂覆在同样由SiC制成的粗的多孔载体上。
附图说明
本发明的进一步优点、特性和特征可从以下针对实施方案的详细描述中清楚看出。附图和照片显示如下：
图1是根据本发明生产的滤膜与传统滤膜相比的流体流量-压力(TMP)曲线；
图2是a至c三个图示，分别表示长约45mm的过滤区在97℃的2％HCl、5％HNO3和10％NaOH中所表现的优异抗化学腐蚀性；
图3显示了传统SiC载体的方形通道的角部的双层SiC膜的抛光截面，SiC载体的第一层的平均粒度约为9μm(F600)，第二层的平均粒度约为3μm(F1200)，放大倍数为240倍；
图4显示了SiC载体的方形通道的中心部位的双层SiC膜的抛光截面，SiC载体的第一层与图3中的第一层相同，第二层的平均粒度约为2μm(JIS 6000)，放大倍数为240倍；
图5是根据本发明的SiC载体上的SiC膜的扫描电镜图像；
图6是焙烧不足的双层SiC膜的抛光截面，在其结构中存在不需要的第二颗粒的残余；以及
图7是第二层过度焙烧的双层SiC膜的抛光截面，其特点是具有不需要的大孔和通过几个SiC颗粒的凝结形成巨大颗粒的生长。
具体实施方式
根据本发明的方法，RSiC载体可通过挤压成型以及随后的高温热处理进行生产，该RSiC载体的直径为25mm、长度为302mm，基于根据DIN ISO S466-2标准的SiC粒度级F240的粗颗粒。在所述的RSiC载体上沉积第一泥浆滤膜层，该泥浆由30％的SiC颗粒(其中包括75％的F600和25％的JIS 9000)、5％的用作生坯的临时粘结剂的浓度为10％的聚乙烯醇溶液以及65％的水组成。
所述的滤膜层烘干之后在约1950℃烧结2小时。该第一滤膜层用于减小SiC载体的微孔尺寸，第二滤膜层沉积在第一滤膜层之上，该第二滤膜层具有更加精确的不同粒度分布，其第一陶瓷粉末的粗颗粒的粒度从F800至F1200，细颗粒的粒度为JIS 9000，其第二陶瓷粉末的粗颗粒的粒度从JIS 6000至JIS 9000，细颗粒的粒度为JIS 20000。相应的模件烘干之后在氩气气氛中于1850℃、1800℃和1750℃下烧结60分钟和/或30分钟，以在SiC载体上形成约0.2mm厚的多孔重结晶滤膜。采用以这种方式生产的过滤元件进行错流过滤试验，其结果如图1所示。从图中可以看出，本发明的滤膜在小于1巴的非常低的TMP下在水中的新模件试验中，其流动性是对比试样的许多倍，该对比试样具有微孔直径为0.1至0.8μm的限定的白色膜。由于新过滤模件的不寻常的高渗透性，对比试样在传统的试验装置上不可能达到更高的TMP；在涉及水中的含2％发酵剂的泥浆的第二实验中，图中进一步显示，即使F1000颗粒的滤膜其分离率也能大于99.5％。这表明根据本发明生产的过滤模件比传统过滤元件的可能情况具有好得多的微孔结构。
图2a-c进一步显示了本发明滤膜的优良抗化学腐蚀性，在对比试验中表现出更低的重量损失以及更小的腐蚀作用。
为了选择性地改变滤膜的微孔尺寸分布和/或粉浆的浇铸行为，也可使第一粒度级，例如，由40％的F600(9μm)和30％的F1200(3μm)组成，第二粒度级由20％的JIS 9000(1μm)和10％的JIS 20000组成，重结晶所需的第一粒度级的最小颗粒与第二粒度级的最大颗粒的粒度之比的最小值为2∶1(在实施例中该比例为3∶1)。
在粗的多孔SiC载体上的根据本发明生产的SiC滤膜的又一个实施例如图3至6所示。图3显示了位于SiC载体上的双层SiC滤膜的抛光截面，其放大倍数为240倍。在SiC载体1上，可看到SiC滤膜的两层2(F600)和3(F1200)，每层都具有非常均匀、一致并且较窄的粒度分布和微孔尺寸分布。在图4中，位于SiC载体10之上的双层滤膜(层20和层30)的情况相同，其放大倍数也为240倍。滤膜20的生产采用粒度分布为F600的SiC粒度级的粗颗粒，在约1950℃下烧结90分钟。滤膜30的生产采用粒度分布为JIS 6000的SiC颗粒，在约1800℃下烧结60分钟。
在图5的扫描电镜图像中，可清楚地看到圆形的SiC颗粒，尤其是在滤膜中，该图显示在SiC载体100上具有SiC滤膜200。
图6采用双层滤膜的例子说明焙烧不足的影响；为了进行示范，在SiC载体(1000)上的焙烧不足的第一层(2000)以及更细的第二层(3000)均进行热处理，其处理温度对于第二层而言不够充分高，其结果是：第一层的SiC颗粒仍然是锋利的，并且其空隙包含了第二层的部分颗粒，要求更高温度的第一层正如所期望的那样包含多得多的细颗粒。
在图7的右部显示了过烧的第二层，其中具有巨大颗粒的生长.巨大颗粒生长的特点是第一层的SiC颗粒结合在一起，同时，通过没有体积变化的物质重排形成孤立的不受欢迎的大孔.

Claims (21)

1.一种用于生产具有多层的多孔陶瓷体的方法，包括以下步骤：
A)选择具有第一粒度级的第一陶瓷粉末；
B)选择具有第二粒度级的第二陶瓷粉末，其粒度远远细于第一粒度级；
其中，所述的第一陶瓷粉末和第二陶瓷粉末除了不可避免的杂质以外基本上全部采用α-SiC作为陶瓷颗粒；
C)混合上述两种陶瓷粉末以形成具有双峰粒度分布的粉末，将该混合粉末模压成型；以及
D)在一温度下，对上述模压件进行加热并处理一段时间，这样，通过所述模压件的重结晶，具有第二粒度级的颗粒融化，并且通过将第二陶瓷颗粒粘附到第一陶瓷颗粒上，该第一粒度级的陶瓷颗粒相互牢固链接；
E)沿着陶瓷层方向采用不同粒度的陶瓷颗粒，重复步骤A)至D)，使得产生横穿陶瓷体各层的平均粒度的梯度。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述的第一和/或第二陶瓷粉末的颗粒具有限定的最大和/或最小粒度。
3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于：在步骤C)中，所述的陶瓷粉末存在于泥浆中，并通过浇铸成型。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于：在步骤D)之前还包括烘干步骤。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述的第一陶瓷粉末与第二陶瓷粉末的混合比在6∶1至1∶1之间。
6.如权利要求2所述的方法，其特征在于：所述的第一陶瓷粉末的最细颗粒的平均粒度与第二陶瓷粉末的最粗颗粒的平均粒度之比在6∶1至2∶1之间。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于：第一陶瓷颗粒和第二陶瓷颗粒采用窄的粒度分布的配料。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于：不仅所述的第一陶瓷颗粒采用具有限定的粒度上限和粒度下限的颗粒分布带或颗粒混合物，而且，所述的第二陶瓷颗粒也采用具有限定的粒度上限的颗粒分布带或颗粒混合物，第一陶瓷颗粒的最细粒度与第二陶瓷颗粒的最粗粒度之比至少为2∶1。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于：在步骤C)中的模压件成型是在一基板上进行。
10.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述的陶瓷颗粒是非氧化物陶瓷颗粒。
11.如权利要求1所述的方法，其特征在于：第一层中的第一陶瓷粉末的粒度在6.5μm至23μm之间，第二层中的第一陶瓷粉末粒度在1.5μm至6.5μm之间，第三层中的第一陶瓷粉末粒度在0.5μm至2μm之间；或者是与上述每个情形相当的粒度分布带。
12.如权利要求1所述的方法，其特征在于：选择步骤D)中的温度和加热时间以使陶瓷成品的显微结构中几乎不再存在第二陶瓷粉末的颗粒，同时，在第一陶瓷粉末的初始粒度区，其粒度分布保持尽可能窄，从而避免巨大颗粒的生长。
13.如权利要求1所述的方法，其特征在于：第一陶瓷粉末的粒度在0.9μm至17μm之间，第二陶瓷粉末的粒度在0.2μm至3μm之间。
14.一种根据前述权利要求中的任何一项所述的方法生产的多孔陶瓷体，该多孔陶瓷体具有相互连接、开放微孔的基本均匀的结构以及陶瓷颗粒，该陶瓷颗粒基本呈圆形，所述陶瓷体和微孔基本上至少在窄的粒度或微孔尺寸的限定范围内，其特征在于：在窄粒度分布或微孔尺寸分布的限定范围的陶瓷体作为位于粗的多孔载体之上的滤膜层而存在，并且所述的陶瓷体中除了不可避免的杂质以外全部为重结晶的RSiC.
15.如权利要求14所述的陶瓷体，其特征在于：所述的陶瓷体基本以晶体形式存在。
16.如权利要求14或15所述的陶瓷体，其特征在于：所述的陶瓷体基本没有熔融相。
17.如权利要求14所述的陶瓷体，其特征在于：所述的陶瓷体为非氧化物陶瓷。
18.如权利要求14所述的陶瓷体，其特征在于：所述的陶瓷体具有足够的强度用作过滤膜。
19.具有如前所述产品权利要求中的任何一项所述的位于粗的多孔载体之上的陶瓷体的过滤器。
20.如权利要求19所述的过滤器，其特征在于：所述的过滤器具有双层滤膜时，当TMP为1巴在水上进行试验，其流量大于每小时每巴每平方米5立方米；所述的过滤器具有三层滤膜时，其流量大于每小时每巴每平方米3立方米。
21.如权利要求19或20所述的过滤器，其特征在于：所述的过滤器还包括一氧化物多孔陶瓷层。
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